存储器装置的功率管理的制作方法
【技术领域】
[0001] 本发明公开了用于在存储器装置中执行功率管理的改进方法和设备。
【背景技术】
[0002] 电子系统的功率管理技术正变得越来越重要。存储器装置，诸如闪存存储器装置 和DRAM装置，消耗了各种电子系统所消耗的总功率中的很大一部分。在现有技术中，用于 存储器装置的大多数功率管理技术都涉及改变由存储器装置接收或使用的一个或多个时 钟的频率。总体而言，降低时钟频率通常会导致功率消耗降低。
[0003] 然而，存储器装置的某些部分，诸如用于从存储器阵列读取数据的读出放大器，将 消耗相同水平的功率，不论时钟速度如何改变。这样做效率很低，因为现有技术的读出放大 器常常被设计成在最高可能的时钟速度下获得可能的最佳性能。在使用较低时钟频率的情 况下，正如可能是在现有技术的省电模式的情况下，读出放大器将以不必要的高性能水平 运行。
[0004] 需要采取改进的方法和设备来在存储器装置中执行功率管理，其中检测输入的时 钟频率，并基于时钟频率来改变存储器装置的操作和功率消耗。
【发明内容】
[0005] 前述问题和需求通过功率管理的实施例得以解决。具体地讲，确定输入的时钟频 率，然后基于时钟频率来使存储器装置进入某个功率模式。功率状态用于调制存储器装置 内的读出放大器的偏置电压水平。这会得到额外的功率节省。
【附图说明】
[0006] 图1描绘了用于检测系统装置时钟的频率并且响应于该频率来设置功率水平的 实施例。
[0007]图2描绘了响应于系统的功率水平来改变读出放大器的偏置电压的实施例。
【具体实施方式】
[0008] 现在将参考图1来描述实施例。功率管理电路10从系统装置时钟20接收时钟信 号。功率管理电路10包括检测电路30,该检测电路从系统装置时钟20接收时钟信号，并且 可通过重置自动计时器160和计数器40来启动检测模式。计数器40被配置为统计在从系 统装置时钟20接收的时钟信号内的时钟周期数。
[0009] 自动计时器160是计时器。计时器160可由修调电路150修调以补偿进程、电压 和温度，或设计规范。自动计时器160可由计时器配置数据170配置为在进入检测模式后 (诸如在检测电路30重置计数器40和自动计时器160后）达到某个时间间隔时致能输出 信号165a、165b和165c。例如，自动计时器160可由计时器配置数据170配置为在达到时 间间隔TO时致能输出信号165a。可替换地，自动计时器160可由计时器配置数据170配置 为在达到时间间隔（TO+时延1)时致能输出信号165b。本领域的普通技术人员将会理解， 自动计时器160可由计时器配置数据170配置以使得在达到任何所需时间间隔时致能输出 信号 165a、165b和 165c。
[0010] 假设自动计时器160已经由计时器配置数据170配置为在达到时间间隔TO时致 能输出信号165a，计数器40可用于统计在时间间隔TO内接收到的时钟脉冲数。具体地讲， 输出信号165a至165c被输入到示例性与门50、80和110。计数器40的输出也可被输入到 示例性与门50、80和110。
[0011] 例如，计数器40的输出的最低有效位可被输入到与门50,计数器40的输出的第 二低有效位可被输入到与门80,计数器40的输出的最高有效位可被输入到与门110。与门 50的输出被输入到锁存器60,与门80的输出被输入到锁存器90,与门110的输出被输入到 锁存器120。本领域的普通技术人员将理解，可通过由计时器配置数据170配置自动计时 器160来使用任何所需的时间间隔数，并且可以使用N组与门和锁存器，其中N可为任意整 数。
[0012] 本领域的普通技术人员将理解，如果自动计时器160的输出信号165a、165b和 165c尚未被致能，则所有与门（诸如与门50、与门80和与门110)的输出将为"0"（因为到 每一个与门的一个输出将为"〇"）。一旦输出信号165a、165b和165c被致能，贝Ij各个与门 的输出将构成计数器40在那一时刻的计数值。通过这种方式，系统能够统计系统装置时钟 20在给定时间间隔（诸如T0)内的时钟脉冲数，该测量值反映系统装置时钟20的频率。
[0013] 在N= 3的情况下，在自动计时器160的输出信号165a、165b和165c被致能后， 计数器40的输出和与门的输入之间的关系如表1所示：
[0014]
[0015] 每一个与门和每一个锁存器的输出将与从计数器40到每一个与门的输入相同 (因为在达到时间间隔之后，每一个与门的其它输入将为" 1"）。锁存器60、90和120的输 出表示系统装置时钟20的频率，并且它们可被理解为对应于不同的所需功率水平。
[0016] 任选地，锁存器60、90和120的值是组合逻辑180的输入，组合逻辑180的输出包 括Power_Level_l信号 191、Power_Level_2 信号 192 和Power_Level_2N信号 193(以及如 果N>3时存在的任何其它P〇Wer_Level信号）。在N= 3的情况下，锁存器60、90和120的 值和各功率水平之间的关系可如表2所示：
[0017] 表 2
[0018]
[0020] 在表2的示例中，在时间间隔TO内检测到的每一个可能的频率都有对应的功率水 平。这仅为例示性示例，并且本领域的技术人员将理解，可以通过组合逻辑180的设计根据 需要来设置对应于每一个不同P〇wer_Level的阈值点。
[0021] 现在参考图2, 一旦确定P〇Wer_LeVel，就可相应地调制存储器装置的读出放大器 的偏置电压。P〇wer_Level_l信号 191、Power_Level_2 信号 192 和Power_Level_2N信号 193(以及Power_Level_2和Power_Level_2N之间的任何其它Power_Level信号）被输入 到偏置电压调制器200中，该偏置电压调制器继而将偏置电压205提供到读出放大器210。 可替换地，可通过这种方式由偏置电压调制器200控制其它操作性偏置电路。
[0022] 偏置电压205基于当前Power_Level而变化。例如，如果Power_Level_l被致能 (其对应于计数器40的相对较低的输出并且因此对应于系统装置时钟20的相对较低的频 率），偏置电压205将被调制到相对较低的水平。这样，通过改变偏置电压实现了功率管理， 继而影响了读出放大器的功率消耗。
[0023] 本文中对本发明的引用并非旨在限制任何权利要求或权利要求条款的范围，而仅 仅是对可由一项或多项权利要求涵盖的一个或多个特征的引用。上文所述的材料、工艺和 数值的例子仅为示例性的，而不应视为限制权利要求。应当指出的是，如本文所用，术语 "在……上方"和"在……上"均包括性地包括"直接在……上"（两者间没有设置中间材料、 元件或空间）和"间接在……上"（两者间设置有中间材料、元件或空间）。同样，术语"相 邻"包括"直接相邻"（两者间未设置中间材料、元件或空间）和"间接相邻"（两者间设置 有中间材料、元件或空间）。例如，"在衬底上方"形成元件可包括在两者间无中间材料/元 件的情况下直接在衬底上形成该元件，以及在两者间有一种或多种中间材料/元件的情况 下间接在衬底上形成该元件。
【主权项】
1. 一种用在存储器装置中的功率管理电路，包括： 系统装置时钟，其用于生成时钟信号； 计时电路，其用于识别时间间隔； 第一电路，其用于接收所述时钟信号并统计所述时间间隔内的所述时钟信号的脉冲； 第二电路，其用于响应于计数器电路的输出来改变读出放大器的偏置电压。2. 根据权利要求1所述的功率管理电路，其中所述计时电路可配置为改变所述时间间 隔。3. 根据权利要求1所述的功率管理电路，其中所述第一电路包括计数器。4. 根据权利要求3所述的功率管理电路，其中所述第一电路还包括多个与门。5. 根据权利要求4所述的功率管理电路，其中所述第一电路还包括多个锁存器。6. 根据权利要求1所述的功率管理电路，其中所述第二电路包括偏置电压调制器。7. 根据权利要求6所述的功率管理电路，其中所述偏置电压调制器耦接到读出放大 器。8. 根据权利要求6所述的功率管理电路，其中所述偏置电压调制器响应于所述偏置电 压调制器的一个或多个输入的变化而改变偏置电压。9. 一种用于存储器装置的功率管理方法，包括： 由系统装置时钟生成时钟信号； 由计时电路识别时间间隔； 由第一电路接收所述时钟信号并统计所述时间间隔内的所述时钟信号的脉冲； 由第二电路响应于所述计数器电路的输出来改变读出放大器的偏置电压。10. 根据权利要求9所述的方法，其中所述计时电路可配置为改变所述时间间隔。11. 根据权利要求9所述的方法，其中所述第一电路包括计数器。12. 根据权利要求11所述的方法，其中所述第一电路还包括多个与门。13. 根据权利要求12所述的方法，其中所述第一电路还包括多个锁存器。14. 根据权利要求9所述的方法，其中所述第二电路包括偏置电压调制器。15. 根据权利要求14所述的方法，其中所述偏置电压调制器耦接到读出放大器。16. 根据权利要求14所述的方法，其中所述偏置电压调制器响应于所述偏置电压调制 器的一个或多个输入的变化而改变偏置电压。
【专利摘要】本发明公开了一种用于在存储器装置中执行功率管理的改进方法和设备。用在存储器装置中的功率管理电路包括：系统装置时钟，其用于生成时钟信号；计时电路，其用于识别时间间隔；第一电路，其用于接收时钟信号并统计时间间隔内的时钟信号的脉冲；第二电路，其用于响应于计数器电路的输出来改变读出放大器的偏置电压。
【IPC分类】G11C7/08, G11C7/10, G11C7/22, G11C5/14, G11C7/20
【公开号】CN105074827
【申请号】CN201480009430
【发明人】H.Q.阮, H.V.特兰, H.T.阮
【申请人】硅存储技术公司
【公开日】2015年11月18日
【申请日】2014年1月15日
【公告号】EP2948952A1, US20140281611, WO2014143398A1