Dram的初始化方法及装置的制造方法
【技术领域】
[0001]本发明属于计算机技术领域，尤其涉及一种动态随机存取存储器(DynamicRandom Access Memory，DRAM)的初始化方法及装置。
【背景技术】
[0002]移动操作系统启动时，在其引导装载(bootloader)的预装载(preloader)阶段，会根据配置文件来初始化内存的容量大小，并将初始化好的地址空间通过传参方式传给小内核(Little Kernel，LK)使用，即，将DRAM的物理首地址、容量大小等信息存放在DRAM的指定区域，等待小内核读取并使用。
[0003]由于是根据配置文件来对DRAM的整个地址空间进行初始化，因此，DRAM不允许存在坏块，若DRAM的存储阵列中存在坏块，会影响移动操作系统的正常运行，这样一来，对于存在少量坏块的DRAM，就无法被使用，在经过厂商的封装测试之后，只能被当作废弃品处理，造成了资源浪费。
【发明内容】
[0004]有鉴于此，本发明实施例提供了DRAM的初始化方法及装置，旨在解决现有技术中存在少量坏块的DRAM会导致移动操作系统无法正常运行的问题。
[0005]第一方面，提供了一种动态随机存取存储器DRAM的初始化方法，包括:
[0006]将DRAM的地址空间划分为N个块，所述N为大于I的整数；
[0007]根据所述划分的结果，对所述DRAM进行坏块扫描，将扫描结果记录在预设的数据表中；
[0008]根据所述数据表的记录对所述DRAM进行地址重映射，包括:将地址连续的非坏块组合成块区域，并获取所述块区域的首地址及容量大小；
[0009]根据所述划分的结果，修改操作系统内核的配置文件，以对内核接收参数的空间进行扩大；
[0010]将所述块区域的首地址及容量大小传递到内核，以完成所述DRAM的初始化。
[0011 ]第二方面，提供了一种动态随机存取存储器DRAM的初始化装置，包括:
[0012]划分单元，用于将DRAM的地址空间划分为N个块，所述N为大于I的整数；
[0013]扫描单元，用于根据所述划分的结果，对所述DRAM进行坏块扫描，将扫描结果记录在预设的数据表中；
[0014]映射单元，用于根据所述数据表的记录对所述DRAM进行地址重映射，包括:将地址连续的非坏块组合成块区域，并获取所述块区域的首地址及容量大小；
[0015]修改单元，用于根据所述划分的结果，修改操作系统内核的配置文件，以对内核接收参数的空间进行扩大；
[0016]初始化单元，用于将所述块区域的首地址及容量大小传递到内核，以完成所述DRAM的初始化。
[0017]本发明实施例对DRAM的地址空间进行重新映射，提取出DRAM中不存在坏块的地址空间，并通过修改操作系统的配置文件，使得操作系统能够在存在坏块的DRAM上也得到正常运行，有效地提高了存储资源利用率。
【附图说明】
[0018]为了更清楚地说明本发明实施例中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0019]图1是本发明实施例提供的DRAM的初始化方法的实现流程图；
[0020]图2是本发明实施例提供的DRAM的初始化方法坏块扫描的实现流程图；
[0021 ]图3是本发明实施例提供的DRAM的初始化方法扫描结果记录的实现流程图；
[0022]图4是本发明另一实施例提供的DRAM的初始化方法的实现流程图；
[0023]图5是本发明另一实施例提供的DRAM的初始化方法的实现流程图；
[0024]图6是本发明实施例提供的DRAM的初始化装置的结构框图。
【具体实施方式】
[0025]以下描述中，为了说明而不是为了限定，提出了诸如特定系统结构、技术之类的具体细节，以便透切理解本发明实施例。然而，本领域的技术人员应当清楚，在没有这些具体细节的其它实施例中也可以实现本发明。在其它情况中，省略对众所周知的系统、装置、电路以及方法的详细说明，以免不必要的细节妨碍本发明的描述。
[0026]图1示出了本发明实施例提供的DRAM的初始化方法的实现流程，在本发明实施例中，DRAM的初始化，指的是操作系统在启动过程中，根据配置文件来初始化DRAM的分块情况、容量大小等相关参数，以使得在初始化完成之后，操作系统能够在DRAM上正常运行。其中，所述操作系统包括但不限于移动终端所采用的移动操作系统，例如android系统等。该方案的实现流程详述如下:
[0027]在SlOl中，将DRAM的地址空间划分为N个块，所述N为大于I的整数。
[0028]以android系统为例，在终端设备开机，android系统bootloader的preloader阶段，完成DRAM在该阶段的初始化后，先将DRAM的整个地址空间划分为N个块，最终划分出来的块数由块的大小决定，例如，每个块的容量为IM，则512M的DRAM可以划分出512个块。
[0029]在S102中，根据所述划分的结果，对所述DRAM进行坏块扫描，将扫描结果记录在预设的数据表中。
[0030]对DRAM进行坏块扫描，其目的是为了区分并记录DRAM存储空间中的坏块区域和非坏块区域。具体的扫描过程如图2所示:
[0031 ]在S201中，通过预设算法对所述N个块中的每个块分别进行测试。
[0032]在S202中，若测试出某个块存在至少一个错误，则将该块记录为坏块，否则将该块记录为非坏块。
[0033]例如，利用0x55555555、0xAAAAAAAA或者随机数对DRAM进行全盘读写，又例如，利用march X这样一种有效测试DRAM故障的算法对每个块分别进行测试，只要某个块的测试结果中存在至少一个错误，就将该块记录为坏块，若某个块通过预设算法测试之后没有发现错误，则该块就被判定为非坏块。
[0034]具体的扫描结果记录过程可以如图3所示:
[0035]在S301中，通过二值法对所述N个块中的每个块进行标记。
[0036]通过“O — I” 二值来对坏块和非坏块进行标记，例如，将坏块标记为I，非坏块标记为O;或者，将坏块标记为O，非坏块标记为I，通过二值法来对扫描结果进行标记，能够直观便捷地区分出DRAM中的坏块和非坏块。
[0037]在S302中，在所述预设的数据表中写入每个块对应的地址及标记。
[0038]在预设的数据表中写入DRAM中每个块在DRAM中的地址及对应的标记，由此就可以完成对DRAM坏块情况的记录。此外，在预设的数据表中，显然也可以仅写入DRAM中的坏块对应的地址及标记，那么没有写入DRAM中的地址空间显然就是非坏块所处的地址空间；或者仅写入DRAM中的非坏块对应的地址及标记，那么没有写入DRAM中的地址空间显然就是坏块所处的地址空间。
[0039]在S103中，根据所述数据表的记录对所述DRAM进行地址重映射，包括:将地址连续的非坏块组合成块区域，并获取所述块区域的首地址及容量大小。
[°04°]以android系统为例，在其boot loader的小内核(LK)阶段，根据数据表中记录的坏块和/或非坏块情况，对DRAM进行地址重映射，具体方式可以通过在小内核解析preloader参数的源码部分添加地址重映射函数来实现，根据数据表中的记录，将DRAM中地址空间连续的非坏块组合成一个新的块区域，并根据数据表中记录的地址信息，映射出该块区域的首地址及容量大小。
[0041]在S104中，根据所述划分的结果，修改操作系统内核的配置文件，以对内核接收参数的空间进行扩大。
[0042]对于android系统来说，由于内核的配置文件默认将DRAM的块数配置为8，导致内核最多只能接收8组DRAM的地址空间参数，因此，在本发明实施例中，需要将内核默认的块数扩大到与划分的块区域的数量相等。以512M的DRAM为例，划分每个块区域的大小为1M，那么DRAM的整个地址空间就被划分成了 512块，则需要将内核默认的块数由8修改为512，此时，内核最多可以接收512组D R A M地址空间参数。修改的方式如下:将内核源码的平台(platform)配置文件的宏⑶NFIG_ARM_NR_BANKS的值修改为512，架构的配置文件的ARM_NR_BANKS的默认值修改为512，由此扩大内核接收LK参数的空间，内核才能完全获知DRAM每一个块区域的首地址和容量大小。
[0043]在S105中，将所述块区域的首地址及容量大小传递到内核，以完成所述DRAM的初始化。
[0044]在完成了对内核配置文件的修改之后，再将S103得到的块区域的首地址及容量大小通过传参的方式传递给内核，从而完成DRAM的初始化，由此，操作系统可以在DRAM上正常运行，有效地避免了少量坏块的存在对系统运行所带来的不良影响。
[0045]进一步地，为了提高终端设备的开机效率，避免每次系统启动时都需要对DRAM进行坏块扫描，作为本发明的一个实施例，在所述将扫描结果记录在预设的数据表中之后，所述根据所述数据表的记录对所述DRAM进行地址重映射之前，还可以将所述数据表存储至非易失性存储器中，这样一来，就可以利用非易失性存储器掉电数据不丢失的特性，实现数据表的永久保存。其中，所述非易失性存储器，包括但不限于只读存储器(Read Only Memory,ROM)，闪存(Flash)等。贝Ij相应地，如图4所示，在终端设备开机启动的过程中，bootloader的小内核阶段，会首先检测终端设备中的非易失性存储器中是否存储有数据表，如果其中并没有存储数据表，再从SlOl开始执行本方案的相关步骤，若其中存储了数据表，则直接从中读取出数据表，从S103开始执行本方案的相关步骤。
[0046]通过上述方案阐述可以看出，显然，在对DRAM进行块划分的过程中，块的容量越小，划分的块数就越多，这样一来，在进行地址重映射时，对DRAM存储阵列上的空间就越能达到充分利用，因此，作为本发明的一个实施例，如图5所示，在SlOl之前，所述方法还包括: