一种具有安全擦除和错误保护功能的固态硬盘的制作方法
【技术领域】
[0001]本实用新型涉及固态硬盘，尤其地涉及一种具有安全擦除和错误保护功能的固态硬盘。
【背景技术】
[0002]固态硬盘日益成为人们普遍使用的存储设备，其具有速度快，寿命长，功率低的优点，固态硬盘是将大容量闪存通过装在线路板上，其体积小，存储量大，使用方便，而且方便电脑组装，从而得到用户的欢迎。现实操作中，主控芯片在删除固态硬盘物理层链路表数据的同时，往往也会删除一些用户数据，导致用户数据被无理的删除。并且在往固态硬盘写入数据时，往往也会把一些错误的数据写入固态硬盘，导致固态硬盘的存储利用率不高。
【实用新型内容】
[0003]本实用新型为了克服现有技术的不足，目的旨在提供一种具有安全擦除和错误保护功能的固态硬盘，该固态硬盘不仅可安全地擦除固态硬盘中的数据，而且还可防止错误的数据写入固态硬盘。
[0004]为了解决上述的技术问题，本实用新型提出的基本技术方案为:
[0005]—种具有安全擦除和错误保护功能的固态硬盘，其包括电源模块、主控芯片、GP10接口、两个DRAM芯片、NAND闪存阵列以及产生电平信号的硬件按钮；所述电源模块分别和主控芯片、第一 DRAM芯片、第二 DRAM芯片、NAND闪存阵列连接，主控芯片分别和第一 DRAM芯片、第二 DRAM芯片、NAND闪存阵列连接，主控芯片还通过GP10接口和硬件按钮连接。
[0006]进一步，所述电源模块包括四个电源芯片，NAND闪存阵列具有闪存输入输出电源接口和闪存存储电源接口，第一电源芯片产生第一电压并将第一电压分别输入第一 DRAM芯片和第二 DRAM芯片，第二电源芯片产生第二电压并将第二电压输入主控芯片，第三电源芯片产生第三电压并将第三电压通过闪存存储电源接口输入NAND闪存阵列，第四电源芯片产生第四电压并将第四电压通过闪存输入输出电源接口输入NAND闪存阵列。
[0007]进一步，所述第一电压为1.5V，第二电压为1.2V，第三电压为1.8V，第四电压为3.3V。
[0008]本实用新型的有益效果是:
[0009]1、硬件按钮通过GP10接口往主控芯片输入电平脉冲，主控芯片受电平脉冲信号的触发产生安全擦除NAND闪存阵列的动作。因此用户通过硬件按钮对NAND闪存阵列进行安全擦除。
[0010]2、本实用新型设有两个DRAM芯片，避免采用单个DRAM和主控芯片电路设计而导致写入NAND的数据出现错误的情况，并且主控芯片更加可靠和高效率的对NAND写入正确的数据。
【附图说明】
[0011]图1为本实施例提供的一种具有安全擦除和错误保护功能的固态硬盘电路结构示意图。
[0012]图2为本实施例固态硬盘安全擦除的处理流程。
[0013]图3为本实施例固态硬盘数据错误保护的处理流程。
【具体实施方式】
[0014]以下将结合附图1至3对本实用新型做进一步的说明，但不应以此来限制本实用新型的保护范围。为了方便说明并且理解本实用新型的技术方案，以下说明所使用的方位词均以附图所展示的方位为准。
[0015]如图1所示，本实施例提供的一种具有安全擦除和错误保护功能的固态硬盘包括电源模块、主控芯片、GP1接口、两个DRAM芯片、NAND闪存阵列以及产生电平信号的硬件按钮。电源模块分别和主控芯片、第一 DRAM芯片、第二 DRAM芯片、NAND闪存阵列连接，主控芯片分别和第一 DRAM芯片、第二 DRAM芯片、NAND闪存阵列连接，主控芯片还通过GP1接口和硬件按钮连接。
[0016]优选的，本实施例的电源模块包括四个电源芯片，NAND闪存阵列具有闪存输入输出电源接口和闪存存储电源接口，第一电源芯片产生第一电压并将第一电压分别输入第一DRAM芯片和第二 DRAM芯片，第二电源芯片产生第二电压并将第二电压输入主控芯片，第三电源芯片产生第三电压并将第三电压通过闪存存储电源接口输入NAND闪存阵列，第四电源芯片产生第四电压并将第四电压通过闪存输入输出电源接口输入NAND闪存阵列。其中，第一电压为1.5V，第二电压为1.2V，第三电压为1.8V，第四电压为3.3V。
[0017]如图2所示，固态硬盘安全擦除的处理流程如下所述:硬件按钮通过GP1接口往主控芯片输入电平脉冲，主控芯片受电平脉冲信号的触发产生安全擦除NAND闪存阵列的动作，其中，电平脉冲信号可以是高电平有效，也可以是低电平有效，两者取一。一方面，主控芯片擦除NAND闪存阵列中的物理逻辑链路表，另一方面，主控芯片还擦除用户区域的数据。当然，主控芯片不仅可安全擦除NAND闪存阵列，本实用新型还可通过外部硬件按钮的电平脉冲信号输入使主控芯片进行快速擦除或者高级擦除。因此用户通过硬件按钮对NAND闪存阵列进行安全擦除或者快速擦除或者高级擦除。
[0018]如图3所示，固态硬盘数据错误保护的处理流程如下所述:
[0019]首先编写n pair page的数据，并将该数据预先以n-l，n-2，n_3，n = l，n+2，n+3的形式载入第二 DRAM芯片，主控芯片分析第二 DRAM芯片的数据状态，一方面，如果第二 DRAM芯片的数据状态未出现错误，则主控芯片擦除存储在DRAM芯片中的数据；另一方面，如果第二 DRAM芯片的数据状态出现错误，重新编写配置到NAND闪存阵列的DRAM芯片数据。完成数据的处理后，返回到第一步，即首先编写n pair page的数据这一步，直至正确的数据全部写入NAND闪存阵列。第一 DRAM芯片存储物理逻辑链路表，主控芯片可根据第一 DRAM芯片的存储数据操作NAND闪存阵列。传统的固态硬盘是没有错误保护功能的，并且电路设计上只采用单个DRAM芯片，因此本实用新型设有两个DRAM芯片，第二 DRAM芯片存储编程数据，主控芯片预先对第二 DRAM芯片进行分析是否存在错误数据以及决定第二 DRAM芯片是否需要重新写入数据，之后主控芯片可分别通过第一 DRAM芯片和第二 DRAM芯片对NAND闪存阵列写入数据。因此，采用此结构的电路设计，避免采用单个DRAM和主控芯片电路设计而导致写入NAND的数据出现错误的情况，并且主控芯片更加可靠和高效率的对NAND写入正确的数据。
[0020]根据上述说明书的揭示和教导，本实用新型所属领域的技术人员还可以对上述实施方式进行变更和修改。因此，本实用新型并不局限于上面揭示和描述的【具体实施方式】，对本实用新型的一些修改和变更也应当落入本实用新型的权利要求的保护范围内。此外，尽管本说明书中使用了一些特定的术语，但这些术语只是为了方便说明，并不对本实用新型构成任何限制。
【主权项】
1.一种具有安全擦除和错误保护功能的固态硬盘，其特征在于:包括电源模块、主控芯片、GP1接口、两个DRAM芯片、NAND闪存阵列以及产生电平信号的硬件按钮；所述电源模块分别和主控芯片、第一 DRAM芯片、第二 DRAM芯片、NAND闪存阵列连接，主控芯片分别和第一 DRAM芯片、第二 DRAM芯片、NAND闪存阵列连接，主控芯片还通过GP1接口和硬件按钮连接。2.根据权利要求1所述的一种具有安全擦除和错误保护功能的固态硬盘，其特征在于:所述电源模块包括四个电源芯片，NAND闪存阵列具有闪存输入输出电源接口和闪存存储电源接口，第一电源芯片产生第一电压并将第一电压分别输入第一 DRAM芯片和第二DRAM芯片，第二电源芯片产生第二电压并将第二电压输入主控芯片，第三电源芯片产生第三电压并将第三电压通过闪存存储电源接口输入NAND闪存阵列，第四电源芯片产生第四电压并将第四电压通过闪存输入输出电源接口输入NAND闪存阵列。3.根据权利要求2所述的一种具有安全擦除和错误保护功能的固态硬盘，其特征在于:所述第一电压为1.5V，第二电压为1.2V，第三电压为1.8V，第四电压为3.3V。
【专利摘要】本实用新型涉及固态硬盘，尤其地涉及一种具有安全擦除和错误保护功能的固态硬盘。其包括电源模块、主控芯片、GPIO接口、两个DRAM芯片、NAND闪存阵列以及产生电平信号的硬件按钮；所述电源模块分别和主控芯片、第一DRAM芯片、第二DRAM芯片、NAND闪存阵列连接，主控芯片分别和第一DRAM芯片、第二DRAM芯片、NAND闪存阵列连接，主控芯片还通过GPIO接口和硬件按钮连接。该固态硬盘不仅可安全地擦除固态硬盘中的数据，而且还可防止错误的数据写入固态硬盘。
【IPC分类】G11C16/10, G11C16/16, G06F13/40
【公开号】CN205028663
【申请号】CN201520754541
【发明人】蔡诗国
【申请人】深圳创久科技有限公司
【公开日】2016年2月10日
【申请日】2015年9月28日