专利名称：用于高频发生器的静噪滤波器的制作方法
技术领域：
本发明总体涉及一种高频发生器，尤其是涉及高频发生器的静噪滤波器。
背景技术：
诸如磁控管，速调管，行波管和半导体器件的高频发生器在各个领域得到应用。高频发生器主要采用静噪滤波器，以便防止高频能量所不期望的泄漏。高频能量的泄漏造成诸如收音机和电视的电子装置中产生噪声。为此，防止从高频发生器泄漏高频能量是很重要的。通常，静噪滤波器包括诸如扼流圈，电容器和屏蔽封装的元件，并且连接到用于供电的导电体上。
图1A是韩国未审查专利公开No.10-1999-72650中披露的用于高频发生器的传统静噪滤波器的局部剖视图，图1B是俯视图。如图1A和1B所示，静噪滤波器120设置在磁控管100之下。在静噪滤波器120的滤波器封装144的内部，设置有扼流圈154，每一个扼流圈154包括彼此串联的有芯电感器150和空心电感器152。有芯电感器150中插有高频能量吸收元件148，而空心电感器152中没有高频能量吸收元件148。有芯电感器150连接到电容器158上。空心电感器152通过管座接线端子156a和156b连接到管座156上。
通常，通过调节有芯电感器的绕组匝数，有芯电感器可以降低低于400MHz的频带的噪声。通过调节空心电感器的绕组匝数，空心电感器可以降低范围为700MHz至1000MHz频带的噪声。在图1A和1B所示的传统的静噪滤波器中，每一个有芯电感器150和每一个空心电感器152彼此串联，并且高频能量吸收元件148的截面尺寸使得可以降低范围为400MHz至1000MHz频带的噪声。
然而，在传统的诸如上述静噪滤波器的噪声衰减装置中，噪声衰减频带限于400MHz至1000MHz。由此，对于范围为30MHz至400MHz频带的噪声可能没有噪声衰减效果。
发明内容
相应地，本发明的一方面是提供一种高频发生器的静噪滤波器，该静噪滤波器在其扼流圈中设置的有芯电感器的绕组匝之间具有变化的间隔，由此衰减噪声的频带最大。
本发明地其它方面和/或优点在下面的描述中提出部分，部分由于描述而显而易见，或通过本发明的实践而被了解。
本发明的上述和/或其它方面通过提供一种高频发生器的静噪滤波器，所述高频发生器包括扼流圈，扼流圈包括其绕组匝之间具有第一间隔的第一绕组单元，其绕组匝之间具有第二间隔的第二绕组单元和其绕组匝之间具有与第一间隔相同间隔的第三绕组单元。第一绕组单元，第二绕组单元和第三绕组单元彼此串联连接。所述高频发生器还包括插入扼流圈中的高频能量吸收元件。
根据本发明的一个方面，高频能量吸收元件由氧化铁，锡合金和铁氧体组成的组中选出的一种制造。
根据本发明的一个方面，高频能量吸收元件包括衰减范围为30MHz至1000MHz频带噪声的截面面积。
通过结合附图详细描述优选实施例，本发明的上述和/或其它方面以及优点变得显而易见并且很容易理解的，其中图1A是用于高频发生器的传统静噪滤波器的局部剖视图；图1B是图1A所示的传统静噪滤波器的俯视图；
图2A是根据本发明实施例的静噪滤波器的电感器的视图；图2B是根据本发明的高频发生器的静噪滤波器的俯视图；图3是图2B所示的高频发生器的静噪滤波器的局部剖视图；及图4是描述图2B所示的高频发生器的静噪滤波器的噪声试验结果的曲线图。
具体实施例方式
现在详细介绍本发明的优选实施例，其示例如附图所示，其中全文以相同的标号表示相同的元件。
下面参照附图2A，2B，3和4描述本发明实施例的高频发生器的静噪滤波器。首先，图2A示出了根据本发明的静噪滤波器的电感器。如图2A所示，扼流圈204如此构造，即第一有芯电感器204a，第二有芯电感器204b和第三有芯电感器204c彼此串联连接。第一有芯电感器204a和第三有芯电感器204c每一个在第一有芯电感器204a和第三有芯电感器204c中的每一个的绕组匝(winding turns)之间都具有相对致密的间隔。与第一有芯电感器204a和第三有芯电感器204c相比，第二有芯电感器204b在其匝(turns)之间具有较粗或较大的间隔。芯部202插入第一有芯电感器204a，第二有芯电感器204b和第三有芯电感器204c中。芯部202是高频能量吸收元件，并且由诸如铁氧体(ferrite)，铁或陶瓷的磁性材料制成。
图2B是本发明的高频发生器的静噪滤波器的俯视图。如图2B所示，扼流圈204每一个都包括彼此串联连接的第一有芯电感器204a，第二有芯电感器204b和第三有芯电感器204c并且设置在静噪滤波器220的滤波器封装244中(请参见图3)。第一有芯电感器204a和第三有芯电感器204c每一个在第一有芯电感器204a和第三有芯电感器204c中的每一个的绕组匝之间都具有相对致密的间隔。与第一有芯电感器204a和第三有芯电感器204c相比，第二有芯电感器204b在其绕组匝之间具有较粗或较大的间隔。
图3是图2B所示的高频发生器的静噪滤波器的局部剖视图。如图3所示，第一有芯电感器204a的一端206通过管座(stem)256的管座接线端子(stem terminals)256a和256b连接到磁控管300上。第三有芯电感器204c的一端208连接到电容器(condenser)258上。
从上述结构的本发明的高频发生器的静噪滤波器噪声衰减效果的试验结果，可以理解，范围为400MHz至900MHz频带的噪声衰减效果是理想的。图4是本发明的高频发生器的静噪滤波器的噪声试验结果的曲线图。试验条件解释如下。
首先，电磁干扰保护标准EN55011或CISPR11用作测量标准。电磁干扰(EMI)室，例如，10m EMI室或敞开位置(open site)试验场地用作试验场地。范围为30MHz至230MHz的频带和范围为230MHz至1000MHz的频带用作噪声测量频带。当采用本发明的静噪滤波器的高频发生器在预定的额定电压下工作并且高频发生器的输出最大时进行噪声测量。CISPR11规定的1000cc水用作噪声测量时的负荷。
根据在上述试验条件下进行的试验的结果，如图4所示，图中可以看出，与采用传统的静噪滤波器的高频发生器相比，在采用本发明的静噪滤波器的高频发生器中显著降低了范围为30MHz至1000MHz频带的噪声。
如上所述，本发明的高频发生器的静噪滤波器通过在设置在静噪滤波器的扼流圈中的有芯电感器的绕组匝之间具有变化的间隔，获得了从高频发生器泄漏的范围为30MHz至1000MHz频带噪声的噪声衰减效果。
尽管示出和描述了本发明的几个优选实施例，但在不偏离本发明的原理和精神，权利要求和其等同原则所限定的范围的情况下，可以对此实施例做出修改，这对本领域的普通技术人员来说是显而易见的。
权利要求
1.一种高频发生器，包括扼流圈，扼流圈包括其绕组匝之间具有第一间隔的第一绕组单元，其绕组匝之间具有第二间隔的第二绕组单元，和其绕组匝之间具有与第一间隔相同间隔的第三绕组单元，第一绕组单元，第二绕组单元和第三绕组单元彼此串联连接；及插入扼流圈中的高频能量吸收元件。
2.根据权利要求1所述的高频发生器，其中高频能量吸收元件由从氧化铁，锡合金和铁氧体组成的组中选出的一种材料制造。
3.根据权利要求1所述的高频发生器，其中高频能量吸收元件具有在范围为30MHz至1000MHz的频带中衰减噪声的截面面积。
4.一种用于高频发生器的静噪滤波器，，具有电容器，所述静噪滤波器包括扼流圈，扼流圈包括其绕组匝之间具有第一间隔的第一绕组单元，其绕组匝之间具有第二间隔的第二绕组单元，和其绕组匝之间具有与第一间隔相同间隔的第三绕组单元，第一绕组单元，第二绕组单元和第三绕组单元彼此串联连接；其中，第一绕组单元的一端电连接到高频发生器上，并且第三绕组单元的一端连接到电容器上；及插入扼流圈中的高频能量吸收元件。
5.根据权利要求4所述的静噪滤波器，其中高频能量吸收元件由从氧化铁，锡合金和铁氧体组成的组中选出的一种材料制造。
6.根据权利要求4所述的静噪滤波器，其中高频能量吸收元件具有在范围为30MHz至1000MHz的频带中衰减噪声的截面面积。
7.一种烹饪装置，包括产生高频信号的磁控管；及静噪滤波器，该静噪滤波器安装在磁控管上，用于防止磁控管的高频信号泄漏到外面，其中所述静噪滤波器包括扼流圈，扼流圈包括其绕组匝之间具有第一间隔的第一绕组单元，其绕组匝之间具有第二间隔的第二绕组单元，和其绕组匝之间具有与第一间隔相同间隔的第三绕组单元，第一绕组单元，第二绕组单元和第三绕组单元彼此串联连接；及插入扼流圈中的高频能量吸收元件。
8.根据权利要求7所述的烹饪装置，其中高频能量吸收元件由从氧化铁，锡合金和铁氧体组成的组中选出的一种材料制造。
9.根据权利要求7所述的烹饪装置，其中高频能量吸收元件具有在范围为30MHz至1000MHz的频带中衰减噪声的截面面积。
10.一种用于高频发生器的静噪滤波器，，具有电容器，所述静噪滤波器包括扼流圈，扼流圈包括其绕组匝之间具有第一间隔的第一有芯电感器，其绕组匝之间具有第二间隔的第二有芯电感器，和其绕组匝之间具有与第一间隔相同间隔的第三有芯电感器，第一有芯电感器，第二有芯电感器和第三有芯电感器彼此串联连接；其中，第一有芯电感器的一端电连接到高频发生器上，并且第三有芯电感器的一端连接到电容器上；及插入扼流圈中的高频能量吸收元件。
11.根据权利要求10所述的静噪滤波器，其中第一有芯电感器和第三有芯电感器每一个其绕组匝之间都具有致密的间隔，第二有芯电感器在其绕组匝之间具有较大的间隔，从而衰减静噪滤波器中的噪声。
12.一种用于高频发生器的静噪滤波器，，具有电容器，所述静噪滤波器包括扼流圈，扼流圈包括第一有芯电感器，第二有芯电感器和第三有芯电感器，每一个在其绕组匝之间具有变化的间隔，其中第一有芯电感器的一端电连接到高频发生器上，第三有芯电感器的一端连接到电容上；及插入扼流圈中的高频能量吸收元件。
全文摘要
一种高频发生器的静噪滤波器，通过调节设置在静噪滤波器中的有芯电感器的绕组匝之间的间隔，使衰减噪声的频带最大。静噪滤波器包括扼流圈，扼流圈包括其绕组匝之间具有第一间隔的第一绕组单元，其绕组匝之间具有第二间隔的第二绕组单元和其绕组匝之间具有与第一间隔相同间隔的第三绕组单元。第一绕组单元，第二绕组单元和第三绕组单元彼此串联连接。静噪滤波器还包括插入扼流圈中的高频能量吸收元件。高频能量吸收元件由氧化铁，锡合金和铁氧体组成的组中选出的一种制造并且具有衰减范围为30MHz至1000MHz频带噪声的截面面积。
文档编号H01F17/04GK1518214SQ0313782
公开日2004年8月4日 申请日期2003年5月21日 优先权日2003年1月16日
发明者梁承哲 申请人:三星电子株式会社