专利名称：去除光刻胶和蚀刻残留物的方法
技术领域：
本发明涉及等离子体处理，特别涉及半导体微制造中在蚀刻工艺之后对光刻胶和蚀刻残留物的清理和去除。
背景技术：
等离子体处理在半导体、集成电路、显示器和其它设备或材料的制造和处理中用于在诸如半导体基底的基底上去除材料或沉积材料。将集成电路的图案从光刻掩膜转印到基底上或者在基底上沉积介电或导电薄膜的半导体基底的等离子体处理在工业中已经成为标准方法。
在蚀刻各种薄膜的半导体处理中，集成的挑战和折衷仍然存在。通常，在介电层上形成图案，使其具有用于沉积导电材料以形成垂直触点的开口。在图案形成处理期间，将抗蚀刻光刻胶层和/或一个硬掩膜层沉积在介电层上、对所选图案暴光并显影。然后在等离子体环境中蚀刻分层结构，其中形成图案的光刻胶层限定介电层中的开口。
在蚀刻步骤之后，在蚀刻过的特征和处理室表面上常会观察到光刻胶残余和蚀刻残留物(例如聚合物碎屑)。等离子体清洁(也称作原位灰化(in-situ ashing))中的集成挑战之一是成功地去除光刻胶残余和蚀刻残留物，同时避免腐蚀周围各层。已知系统使用一步灰化处理，其中在整个电介质蚀刻处理期间施加到基底上的偏置保持恒定。
在介电层蚀刻中常常使用卤化碳气体，例如氧化物和较新的、包含低k值介电材料的SiOC。这些气体已知在电介质蚀刻处理期间要产生氟碳聚合物蚀刻产物，该产物会沉积在处理室的内表面上以及基底表面上。
图1显示了一步灰化处理的横截面图示。在从结构100中去除光刻胶106的传统一步灰化处理期间，从处理室壁释放/蚀刻出氟碳聚合物(通常称作记忆效应)，该氟碳聚合物会腐蚀下面的介电层104和覆盖层(cap layer)102(例如SiN、SiC)，导致介电层的小平面108和覆盖层损失110，有时甚至穿透覆盖层102并腐蚀下面的导电层(例如铜)。由于在处理室壁附近氟碳聚合物浓度高，所以这种效应在晶片的边缘处会非常明显。作为选择，结构100也可以包括氟碳聚合物沉积物。
在传统的一步灰化处理期间，可以在含氢的等离子体中去除光刻胶。为了避免灰化后(post-ash)残留物形成，要对基底支撑物施加一些偏置功率。在该处理中，还蚀刻从前面的电介质蚀刻沉积在处理室壁上的氟碳化合物，在等离子体中释出氟基。因为对基底支撑物施加了偏置，这些氟基会侵蚀下面的介电膜并消耗覆盖层。通过降低偏置或应用零偏置，能够减少介电膜侵蚀和覆盖层消耗，但是仍然能够观察到灰化后的残留物。
会导致上述处理室问题的传统一步灰化处理会涉及下列等离子体处理条件处理室压力＝50m乇，RF偏置＝150W，O2流率＝200sccm。
在半导体制造中，常常在处理室中、处理室内表面(和要灰化的基底)能包含来自前面电介质蚀刻处理的基于氟碳的聚合物沉积的地方执行一步灰化处理。作为选择，可以在已经清理了来自在前蚀刻处理的聚合物沉积的处理室中执行一步灰化处理。
发明内容
本发明的一个目的是提供一种等离子体处理方法，用于从基底去除光刻胶残余和蚀刻残留物，其与一步灰化比较降低了对周围基底层的腐蚀。
上述及其它目的使用两步原位等离子体灰化处理来完成，该两步原位等离子体灰化处理使用包括一种含氢气体的处理气体。在第一灰化步骤中，对在其上放置基底的基底支撑物施加第一低或零偏置电平，而在第二灰化步骤期间施加第二偏置电平。
在对基底施加低或零偏置的第一灰化步骤期间，蚀刻在基底和处理室内表面/壁上的大量光刻胶残余和蚀刻残留物被从处理室蚀刻和去除，同时将对剩余基底层的腐蚀降到最小。在第二灰化步骤期间，施加升高了的偏置并继续灰化处理，直到去除光刻胶残余和蚀刻残留物。
参照下面的详细描述，特别是当结合附图思考时，本发明更为完整的评价及其很多附带优点会易于理解，其中图1显示了一步灰化处理的截面图示；图2显示了两步灰化处理的截面图示；图3示意性显示了灰化处理期间覆盖层的损失；以及图4示意性显示了电介质侧壁损失。
具体实施例方式
在本发明的一个实施方案中，使用两步等离子体灰化处理从处理室中去除光刻胶残余和蚀刻残留物。在对在其上放置基底的基底支撑物施加低或零偏置的第一灰化步骤期间，从处理室中蚀刻并去除来自前面蚀刻处理的大量光刻胶残余和蚀刻残留物，同时对剩余基底层的腐蚀最小。在第二灰化步骤期间，对基底支撑物施加升高了的偏置并继续灰化处理，直到去除光刻胶和/或硬掩膜残余，以及灰化后残留物。
本发明的两步原位灰化处理通过满足下列情况的至少之一能够减轻上述的很多不足1)将覆盖层消耗减到最小；2)将特征顶部的电介质小平面/腐蚀减到最小，并减少后蚀刻/临界尺寸(CD)偏置；3)将灰化后残留物减到最少；4)将原位灰化期间对低k值介电膜的损害(“k”值减小)减到最小；以及5)提供自动的处理室干式清洁，从而增加处理室清洁的平均间隔时间。
图2显示了两步灰化处理的截面图示。在两步含氢灰化处理的第一灰化步骤120期间，蚀刻晶片上的光刻胶106以及处理室壁和晶片上沉积的氟碳聚合物112。因为施加了零或低偏置，所以对介电层104的腐蚀和对覆盖层102的消耗减到最小。在第一灰化步骤120期间，干式清洁处理室的任何聚合物残留物。第一灰化步骤120的持续时间可以以时间为基准，且可留下少量的灰化后残留物110，而且可能会在基底上留下少量光刻胶106。
在第二灰化步骤130期间施加了偏置，而且执行灰化的时间要足以去除任何灰化后残留物110和任何剩余的光刻胶106。
两步原位灰化处理的处理参数空间例如可以使用20-1000mTorr的处理室压力、20-1000sccm的处理气体流率、在第一灰化步骤中小于大约100W的RF偏置和在第二灰化步骤中大于大约100W的RF偏置。虽然公开了使用的RF偏置，但是也可以使用DC偏置或可以使用DC偏置来代替RF偏置。另外，在灰化处理期间处理室压力可以变化。例如，从第一步骤到第二步骤处理室压力可以变化。此外，灰化处理期间可以改变处理气体的成分。例如，从第一步骤到第二步骤处理气体(以及处理气体中不同气体的流量比)可以变化。可以单独使用如H2或NH3等处理气体，但也可以与其它气体(例如He和Ar等惰性气体，以及N2)一起使用。
作为选择，在两步处理期间，为了增加处理量，可以在已经从处理室中去除大体上所有(不是所有)聚合物的时候施加偏置，但是代价是再次引入了传统一步处理的一些效应。
此外，虽然上面描述的是只使用单个偏置，但替代地可使用变化的偏置。例如，可在第二步骤之前、之中和之后将偏置(连续或步进式(例如10W的增量))从0W增加到大约100W。
如上所述，第一步骤的持续时间应该长到足以完成从处理室壁和晶片表面去除氟碳化合物材料。例如，第一步骤的持续时间可以在从20秒到50秒的范围内变化。同样，第二步骤的持续时间应该长到足以去除任何灰化后残留物和任何剩余的光刻胶。例如，第二步骤的持续时间可以在从20秒到50秒的范围内变化。
作为选择，在图2的两步灰化处理中，第一步骤120和第二步骤130的结束可以使用终点检测来确定。终点检测的一种可能方法是监控来自等离子体区域的发射光光谱的一部分。例如，指示这种去除的光谱的一部分的波长是482.5nm(CO)、775.5nm(F)和440nm(SiF4)，并且可以使用光学摄谱仪(OES)来测量。在与那些频率对应的发射能级超过指定阀值(例如下降到大致为零或升高到超过特定能级)之后，认为要完成第一步骤。也可以使用其它提供终点信息的波长。
在第一步骤结束之后，第二步骤优选使用50-200％的过灰化(overash)来去除任何剩余的灰化后残留物(PAR)。即，如果第一步骤在50秒中完成，则第二步骤对于50％过灰化是25秒，对于100％过灰化是50秒。通过对过灰化到不同程度的一系列基底进行分析，能够通过试验确定实际过灰化量。
在灰化处理之后可以对基底进行评价，例如通过测量覆盖层损失、电介质侧壁损失和特征顶部的电介质小平面/腐蚀来进行。通过直接试验和/或试验设计(DOE)可以确定使希望的灰化能够实现，同时将上述损失和腐蚀降到最小的处理条件。
在第一个例子中，图3示意性显示了灰化处理期间覆盖层的损失。在灰化处理之后，覆盖层损失120在扫描电子显微镜(SEM)图像中测量为覆盖层102变薄。通过直接试验和/或试验设计(DOE)可以确定使希望的灰化能够实现，同时将覆盖层损失120降到最小的处理条件。
在第二个例子中，图4示意性显示了电介质侧壁损失。例如，图4的电介质侧壁损失可以测量为电介质层104在向HF溶液暴露之后在顶部130和中部132的电介质去除。图5中的结构还可以包括SiN层106和SiC层102。为了测量侧壁损失，等离子体灰化后的基底可以向0.5％的HF溶液暴露大约5秒到30秒的时间。随后可以使用基底的SEM分析来评价侧壁损失。
在共同待审的申请“去除光刻胶和蚀刻残留物的方法”中完全描述了使用终点检测来确定何时已经从处理室去除所有(或大体上所有)聚合物(以及可能的光刻胶)的例子；以及通过测量覆盖层损失和侧壁损失来评价灰化后的基底的例子，这里引用其内容作为参考。
根据上面的教导，能够对本发明进行很多修改和变化。因此要理解，在附后权利要求的范围内，可以利用不同于这里的特定描述来实施本发明。
权利要求
1.一种原位灰化方法，包括引入包含有含氢气体的处理气体；在等离子体处理室中产生等离子体；使基底向等离子体暴露，该基底放置在基底支撑物的顶部；通过对基底支撑物施加第一偏置来执行第一灰化步骤；以及通过对基底支撑物施加第二偏置来执行第二灰化步骤，该第二偏置大于该第一偏置。
2.根据权利要求1的方法，其中，含氢气体包括H2和NH3中的至少一种。
3.根据权利要求1的方法，其中含氢气体包括H2。
4.根据权利要求1的方法，其中处理气体还包括惰性气体。
5.根据权利要求4的方法，其中惰性气体包括He、Ar和N2中的至少一种。
6.根据权利要求1的方法，其中处理气体还包括N2。
7.根据权利要求1的方法，其中处理气体包括H2以及N2和一种惰性气体中的至少一种。
8.根据权利要求1的方法，其中第一偏置小于100W，第二偏置大于100W。
9.根据权利要求1的方法，其中第一偏置小于约50W。
10.根据权利要求1的方法，其中第一偏置大体上等于零。
11.根据权利要求1的方法，其中第二偏置大于120W。
12.根据权利要求1的方法，其中，第二灰化步骤还包括在第二灰化步骤中使用与第一灰化步骤中不同的处理室压力和处理气体流率中的至少一个。
13.根据权利要求1的方法，其中第一灰化步骤还包括检测从等离子体发射的光；以及根据发射的光确定第一灰化步骤的状态。
14.根据权利要求13的方法，其中，对发射的光的检测提供用于建立终点的装置。
15.根据权利要求13的方法，其中，发射的光来源于受激态物质，并且表示关于第一灰化步骤状态的信息。
16.根据权利要求13的方法，其中发射的光来源于含氧物质和含氟物质中的至少一种。
17.根据权利要求16的方法，其中含氟物质是氟。
18.根据权利要求1的方法，其中第二灰化步骤还包括检测等离子体发射的光；以及根据发射的光确定第二灰化步骤的状态。
19.根据权利要求18的方法，其中，发射的光来源于受激态物质，并且表示关于第二灰化步骤状态的信息。
20.根据权利要求19的方法，其中，发射的光来源于含氧物质和含氟物质中的至少一种。
21.根据权利要求20的方法，其中含氟物质是氟。
22.根据权利要求1的方法，还包括检测等离子体发射的光；以及根据发射的光确定第一和第二灰化步骤的状态。
23.根据权利要求22的方法，其中发射的光来源于受激态物质，并且表示关于第一和第二灰化步骤状态的信息。
24.根据权利要求22的方法，其中，发射的光来源于含氧物质和含氟物质中的至少一种。
25.根据权利要求24的方法，其中含氟物质是氟。
26.根据权利要求1的方法，其中，第二灰化步骤的持续时间在第一灰化步骤持续时间的50％和300％之间。
27.根据权利要求1的方法，其中，处理气体的流率在20sccm和1000sccm之间。
28.根据权利要求1的方法，其中，含氢气体的流率在20sccm和1000sccm之间。
29.根据权利要求4的方法，其中，惰性气体的流率在20sccm和1000sccm之间。
30.根据权利要求6的方法，其中，N2的流率在20sccm和1000sccm之间。
31.根据权利要求1的方法，其中，第一灰化步骤中处理气体的流率在20sccm和1000sccm之间。
32.根据权利要求1的方法，其中，第二灰化步骤中处理气体的流率在20sccm和1000sccm之间。
33.根据权利要求1的方法，其中，处理气体的流率在第一和第二灰化步骤之间变化。
34.根据权利要求1的方法，其中，处理室中的压力在20m乇和1000m乇之间。
35.根据权利要求1的方法，其中，第一灰化步骤中处理室中的压力在20m乇和1000m乇之间。
36.根据权利要求1的方法，其中，第二灰化步骤中处理室中的压力在20m乇和1000m乇之间。
37.根据权利要求1的方法，其中，处理室中的压力在第一和第二灰化步骤之间变化。
38.一种原位处理方法，包括引入包含含氢气体的处理气体；在等离子体处理室中产生等离子体；使基底向等离子体暴露，该基底放置在基底支撑物顶部；通过对基底支撑物施加第一偏置来执行清洁步骤；以及通过对基底支撑物施加第二偏置来执行灰化步骤，该第二偏置大于该第一偏置。
全文摘要
提供一种用于等离子体灰化(120)的方法，用于去除在前面介电层(104)等离子体蚀刻期间形成的光刻胶残余(106)以及蚀刻剩余物(110)。该灰化方法使用包含含氢气体的两步等离子体处理，其中在第一清洁步骤(120)对基底施加低或零偏置，从而从基底去除大量的光刻胶残余(106)和蚀刻剩余物(110)，另外从腔室表面蚀刻和去除有害的氟碳剩余物。在第二清洁步骤(130)中对基底施加增加了的偏置，从而从基底上去除剩余的光刻胶(106)和蚀刻剩余物(110)。该两步处理减少了在传统一步灰化处理中常观察到的记忆效应。可以使用终点检测方法来监控灰化处理。
文档编号H01L21/302GK1653593SQ03811241
公开日2005年8月10日 申请日期2003年1月17日 优先权日2002年4月16日
发明者维迪雅纳坦·巴拉苏布拉马尼亚姆, 萩原正明, 西村荣一, 稻泽高一郎, 畑村安则 申请人:东京电子株式会社