专利名称：提供光刻胶去除的技术的制作方法
技术领域：
本发明涉及半导体制造，具体而言，涉及提供光刻胶去除技术的半导体器件的制造方法及所用的制造设备。
背景技术：
在一个示例常规工艺中，在衬底上施加光刻胶并且对其进行图案化，使得衬底的一些区域被暴露出来。然后，用掺杂物注入暴露出来的区域。然而，注入工艺可能使光刻胶层的外部发生化学变化，使得外部包括具有单碳键的韧性聚合物。光刻胶层的发生化学变化的外部可能使光刻胶层更难用常规技术去除掉。一种常规技术包括使用等离子体灰化工艺和湿式清洁以去除光刻胶。等离子体灰化工艺产生来自光刻胶的灰化残留物，以及湿式清洁工艺去除残留物和任何剩余的光刻胶材料。然而，通过湿式清洁可能很难完全去除灰化残留物，特别是在对光刻胶实施了注入工艺的情况下。在一些情况下，在剥离工艺完成之后，残留物可能留在衬底上，其干扰随后各层的形成并且降低合格率。另一方面，为确保去除更多光刻胶残留物，可以增加等离子体灰化和湿式清洁的次数/浓度，但是这样的方法可能导致半导体器件上出现断线。因此，残留物去除和断线在传统工艺中有时可能需要折衷。需要一种用于去除光刻胶材料的改进的技术。
发明内容
本发明的更广泛形式之一涉及一种用于制造半导体器件的方法，所述方法包括:在衬底上方形成经图案化的光刻胶层；对经图案化的光刻胶层实施等离子体灰化工艺，从而去除经图案化的光刻胶层的一部分；使经图案化的光刻胶层暴露于宽频带紫外线辐射和臭氧，从而去除经图案化的光刻胶层的其他部分；以及在使经图案化的光刻胶层暴露于宽频带紫外线辐射和臭氧之后，实施经图案化的光刻胶层的清洁。所述的方法进一步包括:在所述等离子体灰化之前，对所述衬底的部分实施注入，所述注入形成所述经图案化的光刻胶层的发生化学变化的外表面。在所述的方法中，所述外表面包括具有单碳键的分子，并且其中，所述紫外线辐射和臭氧将所述单碳键转换成双碳键并且使所述双碳键断裂。在所述的方法中，在所述等离子体灰化之前，实施使所述经图案化的光刻胶层暴露于宽频带紫外线辐射和臭氧。在所述的方法中，所述清洁包括硫酸和过氧化物的混合物。在所述的方法中，形成所述经图案化的光刻胶层包括:沉积六甲基二硅氮烷(HMDS)，而且其中，所述紫外线辐射和臭氧去除至少一部分的所述HMDS。在所述的方法中，所述宽频带紫外线辐射包括至少具有大于200nm的最短波长和小于1600nm的最长波长的福射。 在所述的方法中，所述等离子体灰化产生光刻胶灰化残留物，并且其中，所述宽频带紫外线辐射和所述臭氧去除至少一部分的所述光刻胶灰化残留物。本发明的更广泛形式中的另一种涉及一种制造半导体器件的方法，该方法包括:在半导体衬底上形成经图案化的光刻胶层；通过等离子体灰化，去除经图案化的光刻胶层的至少一部分，等离子体灰化在衬底上产生光刻胶等离子体残留物；在等离子体灰化之后，使光刻胶等离子体残留物暴露于紫外线辐射和臭氧；以及在暴露之后，对光刻胶等离子体残留物实施清洁。所述的方法进一步包括:在实施所述等离子体灰化之前，使所述光刻胶暴露于紫外线辐射和臭氧。在所述的方法中，所述紫外线辐射包括宽频带紫外线辐射。在所述的方法中，所述光刻胶等离子体残留物包括经灰化的光刻胶材料和六甲基二硅氮烷(HMDS)。所述的方法进一步包括:在所述等离子体灰化之前，对所述衬底的部分实施注入，所述注入形成所述光刻胶层的发生化学改变的外表面。在所述的方法中，所述外表面包括具有单碳键的分子，并且其中，所述紫外线辐射和臭氧将所述单碳键转换成双碳键并且使所述双碳键断裂。在所述的方法中，所述清洁包括高温、硫酸和过氧化物液体混合物。本发明的更广泛形式中的又一种涉及一种半导体制造机，该半导体制造机包括:第一模块，该第一模块包括被配置成使半导体晶圆暴露于臭氧和紫外线辐射的室；以及第二模块，该第二模块与第一模块集成，第二模块被配置成将半导体晶圆传送至第一模块或者从第一模块接收半导体晶圆，第二模块进一步被配置成对半导体晶圆实施一个或多个加工步骤。所述的半导体制造机中，所述第二模块包括从所述第一模块接收所述半导体晶圆的等离子体灰化工具。所述的半导体制造机中，所述第二模块包括将所述半导体晶圆传送至所述第一模块的等离子体灰化工具。所述的半导体制造机中，所述第二模块包括从所述第一模块接收所述半导体晶圆的湿式清洁工具。所述的半导体制造机中，所述第一模块包括多个紫外线灯，而且其中，所述紫外线灯中的一些发射具有在320nm和400nm之间的波长的辐射，以及其他所述紫外线灯发射具有在200nm和320nm之间的波长的辐射。
当结合附图进行阅读时，根据下面详细的描述可以更好地理解本发明的各方面。应该强调的是，根据工业中的标准实践，对各种部件没有按比例绘制。实际上，为了清楚讨论起见，各种部件的尺寸可以被任意增大或缩小。图1示出了根据一个实施例的被应用于在半导体衬底上构建的结构的示例性臭氧和紫外线处理。图2示出了根据一个实施例的在臭氧和紫外线处理期间光刻胶材料或光刻胶残留物中的化学变化。
图3示出了根据一个实施例的被应用于在半导体衬底上构建的结构的示例性臭氧和紫外线处理。图4是示出根据一个实施例的可以采用臭氧和紫外线处理分解的不同类型的化学键的表。图5示出了根据一个实施例的对晶圆提供辐射的示例性紫外灯。图6和图7示出了根据一个实施例的示例性制造工具。图8示出了根据一个实施例的包括沉积和去除光刻胶材料的示例性方法。
具体实施例方式将了解为了实施本发明的不同部件，以下公开内容提供了许多不同的实施例或实例。在下面描述元件和布置的特定实例以简化本发明。当然这些仅仅是实例并不打算限定。而且，在下面的描述中在第二工艺之前实施第一工艺可以包括其中紧接着第一工艺实施第二工艺的实施例，并且还可以包括其中在第一和第二工艺之间可以实施额外的工艺的实施例。为了简明和清楚，可以任意地以不同的比例绘制各种部件。再者，在下面的描述中第一部件在第二部件上方或者在第二部件上的形成可以包括其中第一和第二部件以直接接触形成的实施例，并且还可以包括其中可以在第一和第二部件之间形成额外的部件，使得第一和第二部件不直接接触的实施例。各个实施例包括用于制造半导体器件的方法。在一个实例中，提供用于去除光刻胶材料的可以在等离子体灰化工艺之前或之后实施的紫外线/臭氧处理的方法。而且，在该实例中，实施例包括在半导体衬底上形成并图案化光刻胶材料。例如，可以图案化光刻胶材料，以暴露出衬底区域，这些区域将被用作源极和漏极。然后，实施注入工艺，其导致光刻胶材料的一些部分中发生化学变化。在注入之后，当期望去除光刻胶材料时，实施紫外线和臭氧处理，其帮助分解(break down)光刻胶材料并且至少部分地去除光刻胶材料。在一些情况下，注入工艺在光刻胶材料的外侧表面上产生聚合物，其中，该聚合物使光刻胶材料更难分解和去除。紫外线和臭氧处理将光刻胶材料中的一些单碳键转换成更容易被断裂的双碳键。然后，双碳键发生断裂形成更小的聚合物链，其中，一些聚合物分子被氧化形成CO2和H20。通过在完成紫外线和臭氧处理之后实施等离子体灰化工艺，来继续该工艺。例如，等离子体灰化可以包括氧等离子体或去除光刻胶材料的其他等离子体。该实施例中的光刻胶材料的等离子体灰化留下光刻胶灰化残留物和六甲基二硅氮烷(HMDS)。等离子体灰化步骤之后可以接着进行另一紫外线和臭氧处理。第二紫外线和臭氧处理可以与第一紫外线和臭氧处理相同或类似，并且其用化学方法分解衬底上任何剩余的光刻胶材料或灰化残留物。第二紫外线和臭氧工艺之后可以接着进行湿式清洁以去除可能留在衬底上的经化学分解的材料。湿式清洁的一个实例包括高温硫酸和过氧化物清洁工艺。然而，其他实施例可以使用任何其他合适的湿式清洁工艺。进一步的加工步骤可以包括在衬底上沉积各个层并对其进行图案化，以产生诸如晶体管等的器件。上述示例实施例包括两次紫外线和臭氧处理-一次在等离子体灰化之前而另一次在等离子体灰化之后。然而，其他实施例可以省略紫外线和臭氧处理中的一次处理。例如，一个实施例包括省略第一紫外线和臭氧处理，使得仅在等离子体灰化之后应用这种处理。一些实施例在紫外线和臭氧处理期间使用宽频带紫外线。如在该实例中使用的，宽频带紫外线包括跨过从200nm至1600nm的光谱的多个不同紫外线发射。一个特定实例包括在200nm至280nm范围内的至少一个紫外线发射、在280nm至320nm范围内的至少一个发射、以及在320nm至1600nm范围内的至少一个发射。宽频带紫外线的使用可以对工艺提供一些灵活性，允许该工艺去除仅使用窄频带紫外线发射可能不能全都去除的各种不同光掩模中的任意一种。在一些实施例中，宽频带发射可以通过使用各种不同源(例如，灯泡)实现，所述源中的每一个都在至少一个频带中发射紫外线辐射。可以选择不同频带中的灯泡来提供跨过大范围光谱的发射。另一实施例包括用于实施上述工艺的制造机。这样的实施例可以包括实施紫外线和臭氧处理的紫外线/臭氧室。紫外线/臭氧室可以与另一制造工具集成或可以通过操作与另一制造工具连接，以将晶圆传递至紫外线/臭氧室或从紫外线/臭氧室接收晶圆。在一个实例中，制造机包括具有湿式清洁工具的紫外线/臭氧室。另一实例包括具有等离子体灰化工具的紫外线/臭氧室。然而，其他实施例可以使紫外线/臭氧室与用于半导体制造的任何合适的工具(诸如，跟踪单元(track unit))联合。图1示出了在根据一个实施例的半导体衬底101上构建的示例性部件的一部分。在图1中，在应用等离子体灰化工艺之前，对光刻胶层应用紫外线和臭氧处理。将HMDS 102施加至衬底101，以提高光刻胶104的粘附性。框112示出HMDS的化学结构。然后，将光刻胶层104施加至衬底101并且对其进行图案化，从而具有图1中所示的形状。在该特定实例中，在可能损伤或改变结构103的其他加工步骤(诸如，蚀刻、注入等)期间，施加光刻胶104以保护多晶硅结构103。在该实例中，光刻胶包括深紫外线(DUV)光刻胶，诸如，用于由氟化氪(KrF)准分子激光器进行248nm曝光的光刻胶。实施例的范围不限于此，在一些实施例中，可以使用任何合适的光刻胶材料。框114不出不例光刻胶104的化学结构。在示例注入工艺期间，由于其暴露于化学物质和热，光刻胶104可以发生化学变化。鉴于此，在该实例中，如在框115中所示，光刻胶104的外侧表面105发生变化。框114中所示的一些聚合物发生化学变化形成微晶石墨和长的单碳链。外侧部分105的长的单碳链在一定程度上可以耐受等离子体灰化，并且可以进一步导致增加等离子体灰化工艺之后的残留物。为了使外表面105中的碳链断裂，对光刻胶104进行紫外线辐射106和臭氧处理，使得光刻胶104在随后步骤中更容易地被去除掉。参考图2至图5更详细地描述示例紫外线辐射106和臭氧处理步骤。注意，图1除了示出臭氧(O3)分子之外，还在工艺中示出了 O2分子。在一些实施例中，使用臭氧发生器制造臭氧，并且在工艺中存在非常少的O2或不存在02。在另一实施例中，将O2/惰性气体混合物(诸如，O2为20-50 %的KrfO2或O2为20-50 %的He/02)注入到室中，并且紫外线辐射106将一些或全部的O2转换成臭氧。在任一种情况下，臭氧都可用于与光刻胶104和表面105反应。与将臭氧注入到室中的实施例相比，在将O2转换成臭氧的实施例中，可以应用更短的紫外线波长和更高的强度。
图2示出了在图1中所示出的工艺期间发生的化学反应。在框210中，发生光化学反应，将一些单碳键变成双碳键。在框220中，紫外线辐射和臭氧使具有双碳键的较长链断裂成具有氧成分的较小片段。在框230中，通过氧化将碳化物分子和HMDS转换成CO2和碳。图2中所示的化学变化使光刻胶104和表面105更易于灰化和去除。图3示出了根据一个实施例的在半导体衬底101上构建的示例性部件的一部分。在图3中，在应用等离子体灰化工艺之后，对光刻胶层应用紫外线和臭氧处理。图3示出分解来自等离子体灰化工艺的残留物的紫外线辐射和臭氧处理。在图3中，等离子体灰化工艺将光刻胶和HMDS减少至所示的剩余残留物。残留物301包括SiC0，HMDS的一部分留在残留物301的下面。残留物302包括具有各种硅和碳化合物的经灰化的光刻胶。残留物303包括碳和氧化合物，一些具有单碳键，而其他具有双碳键。图3的紫外线辐射和臭氧工艺进一步分解如图2中所示的残留物301至303的分子。换句话说，一些碳链发生断裂形成较小片段，一些单碳键变成双碳键，以及一些碳化物和HMDS变成CO2和碳。而且，硅有机键和多晶硅有机键也可以被分解。就如图1中，图3的化学工艺使残留物301至303更容易去除。而且，如图1中，一些实施例可以注入O2并且由O2产生臭氧，而其他实施例可以注入臭氧。图4示出了根据一个或多个实施例的各种类型的键以及可以怎样对这些键进行分组。第一列示出键合类型，以及中间列示出与第一列中的不同类型的化学键中的每一个相关的键合能量。第一列中所示的键合类型是在当前可用的光刻胶材料、以及在Si/光刻胶或多晶硅(poly)/光刻胶界面处形成的硅有机键和多晶硅有机键中找到的。第三列通过用于使键断裂的紫外线波长对不同的化学键进行分组。最上面两个化学键C3C和C = C可以通过臭氧氧化而不是直接通过紫外线能量断裂。可以使用在200纳米和300纳米之间的波长使A组中的化学键断裂。可以使用300纳米至400纳米范围内的紫外线波长使B组中的键断裂。类似地，可以使用400纳米及以上的紫外线波长使C组中的键断裂。虽然具有特定光刻胶层的特定晶圆可以仅包括图4中的化学键中的几种，但是一个实施例提供了能够处理更多种类光刻胶的更稳健的系统。具体而言，这样的实施例能够分解图4中所示的大部分键或所有的键，并因此使用与A、B和C组中的每组相对应的宽频带紫外线福射。这样的实施例可以在晶圆制造的不同阶段用于各种不同类型的光刻胶材料中的任意一种。能够分解图4中的每个键的实施例可以适用于任何当前可用的具有有机键的光刻胶。一些实施例可以包括当前可从制造商获得的紫外线灯，诸如，日本的UshioTM和美国的Fusion 。一些实施例包括用于获得宽频带能量的各种不同类型的灯泡。图5示出了包括照射晶圆510的多个紫外线灯的系统500。系统500包括六个紫外线灯，标记为灯I至灯6。灯被定位成使晶圆510暴露于紫外线辐射。图5示出了在示例紫外线/臭氧室中相对于灯I至灯6的晶圆510的可能布置，所述的典型紫外线/臭氧室可以是独立操作的工具或者可以被集成至另一工具中。在第一实例中，灯2和灯5是UV-A紫外线，以及其他灯是UV-C紫外线。UV-A紫外线具有在约320nm至约400nm范围内的波长。UV-C紫外线具有在约200nm至约280nm范围内的波长。每个灯都提供约80W至90W并且被定位成离晶圆510约30英寸。O3来自O3发生器，并且为20%至40%的O3气体，流量为lOOOsccm。温度为室温。在第二实例中，灯2和灯5产生紫外线C辐射，以及其余的灯产生紫外线B和紫外线A。UV-B紫外线具有约280nm至约320nm范围内的波长。每个灯都产生约90W至110W，并且被定位成离晶圆510约30英寸。气体为15%至25%的O3气体，流量为1000sCCm(由O3发生器产生)。衬底温度约为约120°C至170°C。在一些实施例中，使用宽频带紫外线。宽频带紫外线可以包括跨过从200nm至1600nm的光谱的多个不同紫外线发射。一个特定实例包括在200nm至280nm范围内的至少一个紫外线发射、在280nm至320nm范围内的至少一个发射、以及在320nm至1600nm范围内的至少一个发射。宽频带紫外线的使用可以为工艺提供一些灵活性，允许工艺去除仅使用窄频带紫外线发射可能不能全都去除的各种不同光掩模中的任意一种。实施紫外线/臭氧处理可以持续任何适当的时间。在大多数情况下，该适当的时间可以取决于诸如光刻胶的类型、残留物的类型、以及紫外线/臭氧处理在等离子体灰化工艺之前还是之后实施的因素。虽然图5示出了在产生宽频带紫外线辐射中使用的六个灯，但是实施例的范围不限于此。各个实施例可以使用任何适当数量的灯来产生期望的宽频带光谱的紫外线辐射。图6示出了根据一个实施例的示例性制造工具600。制造工具600包括两个主要部分:紫外线/臭氧室620和清洁室610。在一种示例操作情况下，诸如图5的晶圆510的一个或多个晶圆进入室620进行紫外线/臭氧处理，该紫外线/臭氧处理与上面参考图1至图3和图5论述的紫外线/臭氧处理相同或类似。在紫外线/臭氧处理结束之后，从室620取出晶圆并且转移到室610。在该实例中，室610和室620被完全集成到单个工具600中，使得当从室620移动到室610时，晶圆不离开工具600。当晶圆处于室610中时，对其进行诸如上述的湿式清洁。湿式清洁的实例包括高温硫酸过氧化物混合物(sulfuric peroxide mixture),但是任何其他适当的湿式清洁工艺都在实施例的范围内。在湿式清洁之后，可以将晶圆移动到不同的工具(未示出)，进行进一步加工步骤。而且，虽然在图6中未示出，但是可以由工具600从诸如等离子体灰化工具的另一工具接收晶圆。在一些实施例中，全部自动地且通过机器在工具之间移动晶圆，而在其他实施例中，晶圆可以通过人工干涉在各个工具之间移动。图7示出了根据一个实施例的示例性制造工具700。制造工具700包括紫外线/臭氧室710、720和等离子体灰化室730至760。紫外线/臭氧室710、720被集成到具有等离子体灰化室730至760的工具700中，并且晶圆可以在工具700内的两种类型的室之间移动。在一个实施例中，在实施等离子体灰化工艺之后，对晶圆应用紫外线/臭氧处理。然而，其他实施例可以包括在等离子体灰化之前实施紫外线/臭氧处理和在等离子体灰化之后实施紫外线/臭氧处理中的任选其一或者二者。工具700提供在等离子体灰化之前和/或之后实施紫外线/臭氧处理的选项。在由工具700加工之后，可以将晶圆转移到其他工具(未示出)。例如，可以将晶圆转移到湿式清洁工具或其他工具。而且，工具700可以从诸如实施源极/漏极注入或其他工艺的工具的另一工具(未示出)接收晶圆。正如同图6的工具600，可以自动地或通过人工干涉在工具之间转移晶圆。图8示出了根据用于制造半导体器件的一个实施例的示例性方法800。示例性方法800可以在一个或多个制造设备处由一个或多个制造工具实施。在框810，根据已知方法形成光刻胶层并对其进行图案化。在半导体衬底上形成光刻胶层，该半导体衬底可以包括现在已知或今后开发的任一种衬底，诸如，硅、GaAs等。可以以暴露出衬底的一些区域用于注入掺杂物的方式对光刻胶层进行图案化。在框820，实施注入工艺，例如，从而形成用于半导体器件的源极/漏极或其他部件。注入工艺可以进一步包括在施加掺杂物杂质之后的退火步骤，以便活化掺杂物杂质。在框830，实施等离子体灰化工艺。等离子体灰化可以包括例如氧，并且等离子灰化去除一些光刻胶层但是可能在衬底上留下灰化残留物。氧蚀刻仅是等离子体灰化中的反应种类的一种类型，并且各个实施例可以使用其他类型的等离子体灰化，诸如，氟。在框840，对衬底进行紫外线辐射和臭氧处理。紫外线辐射和臭氧分解光刻胶和残留物中的碳链。参考图1至图3和图5更详细地描述紫外线辐射和臭氧处理。在框850，实施湿式清洁。湿式清洁可以包括例如在高温下施加硫酸和过氧化物的混合物，但是在其他实施例中可以应用任何适当的清洁工艺。实施例的范围不限于方法100中所示的精确动作。相反地，其他实施例可以添加、省略、重新布置、或修改一个或多个动作。例如，一些实施例可以包括在框830的等离子体灰化之前的另一紫外线和臭氧处理。而且，其他实施例可以使用框840的紫外线辐射和臭氧处理，以去除尚未暴露于注入工艺的光刻胶。换句话说，如果期望，一些实施例可以省略框820的动作。在一些实例中，作为晶圆级工艺实施方法800的动作，其中，晶圆可以包括多个管芯(die)区。每个管芯区都可以具有通过使用光刻胶便于在其上做出的多个部件。对于给定晶圆，可以施加多层光刻胶，然后使用本文论述的示例实施例将其去除。换句话说，当单个晶圆通过制造设备这样做时，可以在晶圆被切割之前多次应用本文所述的各个实施例。各个实施例可以包括超过更多其它常规技术的一个或多个优点。例如，一些实施例比不应用紫外线或O3处理的常规系统更彻底地去除光刻胶和光刻胶残留物。而且，各个实施例通过使用宽频带紫外线辐射可以提供用于不同类型的光刻胶和晶圆的稳健技术。这样的特征可以允许工具用于多种不同的晶圆和光刻胶类型，而工具不发生物理改变。在这样的实施例中，还可以调节气体浓度、温度、以及曝光时间，从而提供更多的灵活性。另外，一些紫外线/臭氧工艺适合于在灰化工艺之前、在灰化工艺之后、或灰化工艺之前和灰化工艺之后应用，从而更彻底地去除光刻胶和光刻胶残留物。上面论述了若干实施例的部件，使得本领域技术人员可以更好地理解随后所述的说明。本领域技术人员应该理解，可以很容易地使用本发明作为基础来设计或更改其他用于达到与本文所介绍的实施例相同的目的和/或实现相同优点的工艺和结构。本领域技术人员还应该意识到，这种等效结构并不背离本发明的精神和范围，并且在不背离本发明的精神和范围的情况下，可以进行多种变化、替换以及改变。
权利要求
1.一种用于制造半导体器件的方法，所述方法包括: 在衬底上方形成经图案化的光刻胶层； 对所述经图案化的光刻胶层实施等离子体灰化工艺，从而去除所述经图案化的光刻胶层的一部分； 使所述经图案化的光刻胶层暴露于宽频带紫外线辐射和臭氧，从而去除所述经图案化的光刻胶层的其他部分；以及 在使所述经图案化的光刻胶层暴露于宽频带紫外线辐射和臭氧之后，实施所述经图案化的光刻胶层的清洁。
2.根据权利要求1所述的方法，进一步包括: 在所述等离子体灰化之前，对所述衬底的部分实施注入，所述注入形成所述经图案化的光刻胶层的发生化学变化的外表面。
3.根据权利要求1所述的方法，其中，所述清洁包括硫酸和过氧化物的混合物。
4.根据权利要求1所述的方法，其中，形成所述经图案化的光刻胶层包括:沉积六甲基二硅氮烷(HMDS)，而且其中，所述紫外线辐射和臭氧去除至少一部分的所述HMDS。
5.根据权利要求1所述的方法，其中，所述宽频带紫外线辐射包括至少具有大于200nm的最短波长和小于1600nm的最长波长的辐射。
6.根据权利要求1所述的方法，其中，所述等离子体灰化产生光刻胶灰化残留物，并且其中，所述宽频带紫外线辐射和所述臭氧去除至少一部分的所述光刻胶灰化残留物。
7.—种制造半导体器件的方法，所述方法包括: 在半导体衬底上形成经图案化的光刻胶层； 通过等离子体灰化去除至少一部分的所述经图案化的光刻胶层，所述等离子体灰化在所述衬底上产生光刻胶等离子体残留物； 在所述等离子体灰化之后，使所述光刻胶等离子体残留物暴露于紫外线辐射和臭氧；以及 在所述暴露之后，对所述光刻胶等离子体残留物实施清洁。
8.根据权利要求7所述的方法，进一步包括: 在实施所述等离子体灰化之前，使所述光刻胶暴露于紫外线辐射和臭氧。
9.根据权利要求7所述的方法，进一步包括: 在所述等离子体灰化之前，对所述衬底的部分实施注入，所述注入形成所述光刻胶层的发生化学改变的外表面。
10.一种半导体制造机，包括: 第一模块，包括被配置成使半导体晶圆暴露于臭氧和紫外线辐射的室；以及第二模块，与所述第一模块集成，所述第二模块被配置成将所述半导体晶圆传送至所述第一模块或者从所述第一模块接收所述半导体晶圆，所述第二模块进一步被配置成对所述半导体晶圆实施一个或多个加工步骤。
全文摘要
一种用于制造半导体器件的方法包括在衬底上方形成经图案化的光刻胶层；对经图案化的光刻胶层实施等离子体灰化工艺，从而去除经图案化的光刻胶层的一部分；使经图案化的光刻胶层暴露于宽频带紫外线辐射和臭氧，从而去除经图案化的光刻胶层的其他部分；以及在使经图案化的光刻胶层暴露于宽频带紫外线辐射和臭氧之后，实施经图案化的光刻胶层的清洁。本发明提供了去除光刻胶的技术。
文档编号H01L21/67GK103149810SQ20121051114
公开日2013年6月12日 申请日期2012年12月3日 优先权日2011年12月6日
发明者许育荣, 吴松勋, 黄国彬 申请人:台湾积体电路制造股份有限公司