专利名称：多波长激光二极管的制作方法
技术领域：
本发明涉及多波长激光二极管，更具体涉及可以改进反射层结构以便在整个可见光范围内实现高反射率的多波长激光二极管。
背景技术：
激光二极管被用作用于各种存储的光学拾取，以便响应于电流的施加产生光。
激光二极管在振荡层的一端上需要高反射率镜面或反射面，以便获得高功率激光束，其中制造这种反射面需要涂敷高反射性薄膜。为了产生这种高反射薄膜，迄今为止已进行了各种研究。
图1是常规激光二极管的透视图；图2是沿图1的线II-II的剖面图，以及图3是沿图1的线III-III的另一剖面图。
参考图1至3，激光二极管10包括用于产生光的振荡结构12、在振荡结构12的顶侧和下侧上分别涂敷的p-金属层26和n-金属层28、在振荡结构12的一端上形成的高反射率的反射层30以及在与反射层30相对的振荡结构12的另一端上形成的抗反射层40。
振荡结构12包括在半导体衬底14上依次形成的下覆层16、有源层18、上覆层20和上帽盖层24。上覆层20具有在其中心上部中形成的脊部20a，以便在脊部22a的两侧形成非有源区22，如电流阻挡层。
当正向电压施加到具有上述振荡结构12的激光二极管10的p-和n-金属层26和28时，电子和空穴沿垂直路径被引入有源层18中，在有源层18中电子和空穴结合，以发射激光束，即，发射对应于有源层18的能量带隙的光子。
反射层30形成在接近脊部22a的一端的振荡结构12的一个表面上以及抗反射层40形成在与反射层30相对的振荡结构的另一表面上，以便在反射层和抗反射层30和40之间形成的空腔谐振器可以产生激光振荡。
反射层30由介质材料制成，且包括交替淀积的至少7对Al2O3和Si3N4层，以增加反射率。
但是，用于形成多层介质材料的反射层30的工序花费很长时期，同时产生差的可靠性。尽管多层介质层相对于单个波长可以实现优秀的反射率，但是存在一个关键的缺点，其中它相对于多波长带不能实现均匀的反射率。
亦即，每个介质层的厚度由λ/4n决定，其中λ是待反射的激光束的波长，该激光束从包括有源层18和上下覆层16和20的振荡层发射，以及n是相应的介质材料的反射率。
图4和5示出了常规介质反射层相对于波长的反射率例子，其中图4图示了介质反射层相对于波长的反射率曲线，相应的激光束具有715nm的波长，以及图5图示了介质反射层相对于波长的反射率曲线，相应的激光束具有780nm的波长。
图4中所示的曲线在715nm处具有约92％的最高反射率。但是，可以看到在650nm以下的波长范围反射率显著地下降。图5中所示的曲线也具有约92％的最高反射率。但是，它也可以看到在700nm以下的波长范围反射率显著地下降。
由此，基于介质材料的这种反射层仅在特定的波长范围中具有高反射率，但是在宽的波长范围内并不能保持高反射率。
发明内容
本发明已经解决了现有技术的上述问题，且因此本发明的目的是提供一种具有至少一个金属反射层的多波长激光二极管，以便简化其制造工艺以及提高生产量。
本发明的另一目的是提供一种具有至少一个金属反射层的多波长激光二极管，以便在多波长范围中均匀地实现高反射率。
为了获得该目的，根据本发明的一个方面，提供一种多波长激光二极管，包括包括半导体衬底以及在半导体衬底上依次形成的下覆层、有源层和脊部的振荡结构；在包括脊部的一端的振荡结构的第一表面上形成的第一金属层，第一金属层由在至少预定波长的第一波长范围中具有高反射率的金属制成；以及在第一金属层上形成的第二金属层，第二金属层由在预定波长的第二波长范围中具有高反射率的金属制成。
本发明的多波长激光二极管还可以包括在第一金属层和振荡结构的第一表面之间插入的介质层。
优选，第一金属层由选自由Ag、Au、Cu、Pd和Pt构成的组的一种材料制成。
优选，第二金属层由铝制成。
本发明的多波长激光二极管还可以包括在第一和第二金属层之间插入高反射率中间金属层。
在此情况下，中间金属层优选通过溅射或电子束淀积而形成。
优选，第一金属层由Au或Cu制成，中间金属层由Ag制成，以及第二金属层由Al制成。
本发明的多波长激光二极管还可以包括在第二金属层上形成的至少一对高和低反射率介质层。
优选，通过溅射或电子束淀积形成第一和第二金属层。
为了实现该目的，根据本发明的另一方面，提供另一种多波长激光二极管，包括包括半导体衬底以及在半导体衬底上依次形成的下覆层、有源层和脊部的振荡结构；以及在包括脊部的纵向端的振荡结构的第一表面上形成的高反射率金属层，且高反射率金属层由至少两种高反射率金属的混合物制成，由此在高反射率金属层的第一区域中富有在至少预定波长的高波长范围中具有高反射率的第一金属，以由此在其中形成高-波长反射区，以及在高反射率金属层的第二区域中富有在预定波长下的低波长范围中具有高反射率的第二金属，以由此在其中形成低波长反射区。
优选，第一金属层是选自由Ag、Au、Cu、Pd和Pt构成的组的至少一种，以及第二金属是铝。
本发明的多波长激光二极管还可以包括在高反射率金属层和振荡结构的第一表面之间插入的介质层。
本发明的多波长激光二极管还可以包括在高反射率金属层上形成的至少一对高和低反射率介质层。
优选，高反射率金属层通过第一和第二金属的共溅射或同步电子束淀积而形成。
为了实现该目的，根据本发明的又一方面，提供一种多波长激光二极管，包括包括半导体衬底以及在半导体衬底上依次形成的下覆层、有源层和脊部的振荡结构；以及在包括脊部的纵向端的振荡结构的第一表面上形成的第一金属层，且第一金属层由至少两种高反射率金属的混合物制成，由此在高反射率金属层的第一区中富有在至少第一波长的高波长范围中具有高反射率第一金属，以由此在其中形成高波长反射区，以及在高反射率金属层的第二区中富有第一波长和第一波长下的第二波长之间的波长范围中具有高反射率的第二金属，由此在其中形成中间波长反射区；以及在第一金属层上形成的第二金属层，第二金属层由在第二波长下的低波长范围中具有高反射率的金属制成。
优选，第一金属层是选自由Ag、Au、Cu、Pd和Pt构成的组的至少一种材料，以及第二金属是Ag，以及第三金属由Al制成。
本发明的多波长激光二极管还可以包括在第一金属层和振荡结构的第一表面之间插入的介质层。
本发明的多波长激光二极管还可以包括在第二金属层上形成的至少一对高和低反射率介质层。
优选，通过共溅射或第一和第二金属的同步电子束淀积形成第一金属层。
先前描述的本发明的多波长激光二极管的任意一个还可以包括在与其第一表面相对的振荡结构的第二表面上形成的抗反射层。
从下面结合附图的详细说明将更清楚地理解本发明的上述及其他目的、特点以及其他优点，其中图1是常规激光二极管的透视图；图2是沿图1的线II-II的剖面图，图3是沿图1的线III-III的另一剖面图；图4和5是说明常规介质反射层相对于波长的反射率曲线的曲线图；图6是根据本发明的第一实施例的多波长激光二极管的剖面图；图7是说明各种金属与波长相关的反射率曲线的曲线图；图8是说明根据本发明的第一实施例Au-Al层相对于波长的反射率曲线的曲线图；图9是图6所示的多波长激光二极管的选择性方案的剖面图；图10是根据本发明的第二实施例的多波长激光二极管的剖面图；图11是说明根据本发明的第二实施例Au-Ag-Al层相对于波长的反射率曲线的曲线图；图12是根据本发明的第三实施例的多波长激光二极管的剖面图；图13是图12所示的多波长激光二极管的选择性方案的剖面图；图14是根据本发明的第四实施例的多波长激光二极管的剖面图；以及图15是图14所示的多波长激光二极管的选择性方案的剖面图；具体实施方式
现在将参考附图详细描述本发明的优选实施例。
图6是根据本发明的第一实施例的多波长激光二极管的剖面图，为了简化仅仅示出了对应于图3中的A部分的整个激光二极管的一部分。
参考图6，根据本发明的第一实施例的多波长激光二极管100具有一个振荡结构102，该振荡结构102包括在半导体衬底104上依次形成的n-掺杂或下覆层106、有源层108、具有脊部(未示出，参看图2中的脊部20a)的p-掺杂或上覆层110，在脊部的两侧形成的非有源区(未示出，参看图2中的非有源区22)以及帽盖层114。
在振荡结构102的顶侧和下侧上分别形成p-和n-金属层116和118，在包括脊(未示出)的纵向端的振荡结构102的一个表面上形成反射层120，以及在与反射层120相对的振荡结构的另一侧面上形成抗反射层(未示出)。
反射层120包括介质层122、第一金属层124和第二金属层126。通过淀积介质材料如Al2O3、Si3N4和SiO2形成薄膜介质层122。介质层122使p-和n-金属层116和118与反射金属层124和126电绝缘。当然，如果通过工艺的适当改进可以在p-和n-金属层116和118以及反射金属层124和126之间实现电绝缘，那么可以省略介质层122。
第一金属层124设计成在高波长范围(例如，至少400nm)中获得优选至少95％的高反射率，且由选自由Ag、Au、Cu、Pd和Pt构成的组的至少一种金属制成。第二金属层126优选由铝制成，以在相对低的波长范围(例如，在400nm以下)中实现高反射率。
现在进一步参考图7和8与图6一起描述本发明，其中图7是说明各种金属相对于波长的反射率曲线的曲线图，以及图8是说明根据本发明的第一实施例Au-Al层相对于波长的反射率曲线的曲线图。
参考图7，Ag、Au和Cu与Al相比在高波长范围中每个表现出较高的反射率，但是与Al相比在低波长范围中表现出较低的反射率。此外，尽管Ag、Au和Cu的每一种在特定波长以下表现出反射率突然下降，但是Al在低波长范围中通常保持约至少90％的高反射率。
因此，如图6所示，当通过在振荡结构102的表面选择地涂敷介质层122和在介质层122上依次涂敷Ag、Au或Cu的第一金属层124和Al的第二金属层126形成反射层120时，反射层120在如图8所示的整个波长范围中可以实现约至少90％的高反射率。在图8中，第一金属层124由例如具有优秀的粘附性的Au制成。Au可以用Ag、Cu、Pd或Pt代替。如图8所示，由于Au主要反射高波长范围中的光和Al主要反射低波长范围中的光，因此反射率曲线表现出比较高的反射率。
在此情况下，通过溅射或电子束淀积而淀积第一和第二金属层124和146。
溅射使溅射气体流动到真空室中，以使之冲撞目标，由此从靶材料形成等离子体，以便等离子体以薄膜的形式涂敷在衬底上。通常，溅射气体利用惰性气体如Ar。
简单地描述溅射工艺，当电压施加到用作阴极的靶和用作阳极的衬底时，通过与从阳极发射的电子碰撞溅射气体激发为Ar+离子。然后，Ar+离子被朝着用作阳极的靶吸引并碰撞靶。由于激发的Ar+离子每个具有预定的能量hu，因此在碰撞过程中能量被传递到靶。当能量超过靶元素的键合力和电子的功函数时，从靶发射等离子体。等离子体上升直到电子自由程的范围，以及当衬底在自由行程内与靶隔开，在衬底上形成薄膜。
使用直流电压的溅射类型称为DC溅射，以及通常用于导体的淀积。在非导体如绝缘体的情况下，通过使用AC电压的AC溅射形成薄膜。AC溅射由于它使用一般具有13.56MHz频率的AC电压，因此也称为射频(RF)溅射。
电子束淀积使用电子束以在高真空气氛(即，5×10-5至1×10-7torr)中加热固定器。用这种方式，固定器上的金属被熔融和蒸发，以便金属蒸气凝缩在相对冷的晶片的表面上。电子束淀积主要用于半导体晶片上薄膜的制造。
图9是图6所示的多波长激光二极管的选择性方案的剖面图。如图9所示，多波长激光二极管200具有与图6所示的多波长激光二极管100基本上相同的结构，除了介质反射层228具有在第二金属层226上进一步淀积的一对Al2O3和Si3N4层之外。
在电介质反射层228中，Al2O3和Si3N4层每个具有由说明书中的如上所述的λ/4n决定的厚度，且因此在特定波长A下可以具有至少95％的高反射率。因此，电介质反射层228可以增强Al第二金属层226的反射率。
图10示出了根据本发明第二实施例的多波长激光二极管。
参考图10，根据发明的第二实施例的多波长激光二极管300具有振荡结构302，振荡结构302包括在半导体衬底304上依次形成的具有脊部(未示出，参见图2中的脊部20a)的n-掺杂或下覆层306、有源层308、p-掺杂或上覆层310、非有源区(未示出，参见图2中的非有源区)如在脊部的两侧形成的电流阻挡层以及帽盖层314。
在振荡结构302的顶侧和下侧上分别形成p-和n-金属层316和318，在包括脊部的一个纵向端部(未示出)的振荡结构302的表面上形成反射层320，以及在与反射层320相对的振荡结构的另一侧上形成抗反射层(未示出)。
反射层320包括介质层322、第一金属层324、第二金属层326以及第三金属层328。通过介质材料如Al2O3、Si3N4和SiO2的淀积形成薄膜介质层322。介质层322使p-和n-金属层316和318与反射金属层324，326和328电绝缘。当然，如果通过工艺的适当改进可以在p-和n-金属层316和318以及反射金属层324，326和328之间实现电绝缘，那么可以省略介质层322。
第一金属层324设计成在高波长范围例如至少600nm实现优选至少95％的高反射率，且由选自由Ag、Au、Cu、Pd和Pt构成的组的至少一种金属制成。鉴于粘附力，第一金属层324优选由Au制成。第二金属层326被设计成在400至600nm的中波长范围中保持高反射率，且优选由Ag制成。第三金属层328优选由Al制成，以在相对低的波长范围例如低于400nm中实现高反射率。
下面进一步参考图11与上面的图10一起描述根据发明的第二实施例的多波长激光二极管300。
图11是图示根据发明的第二实施例Au-Ag-Al层相对于波长的反射率曲线的曲线图。由于反射层320具有介质层322、Au的第一金属层、Ag的第二金属层326以及Al的第三金属层326，因此主要由Au反射高波长的光，主要由Ag反射中波长的光，由Al反射低波长的光，以便反射金属层326在如图11所示的全部波长范围中可以实现高反射率。
第一至第三金属层224，226和228通过溅射或电子束淀积而淀积。
在根据本发明的第二实施例的多波长激光二极管300中，可以在第二金属层226上进一步淀积至少一对Al2O3和Si3N4层，由此在其上形成电介质反射层。在电介质反射层228中，Al2O3和Si3N4层每个具有由说明书中的如上所述的λ/4n决定的厚度，且因此在特定波长λ下可以具有至少95％的高反射率。因此，电介质反射层228可以增强Al的第三金属层328的反射率。
图12是根据本发明第三实施例的多波长激光二极管。
参考图12，根据发明的第三实施例的多波长激光二极管400具有振荡结构402，振荡结构402包括具有在半导体衬底404上依次形成的具有脊部(未示出，参见图2中的脊20a)的n-掺杂或下覆层406、有源层308、p-掺杂或上覆层312、非有源区(未示出，参见图2中的非有源区22)如在脊部的两侧形成的电流阻挡层以及帽盖层414。
在振荡结构402的顶侧和下侧上分别形成P-和n-金属层416和418，在结构脊的纵向端部(未示出)的振荡结构402的表面上形成反射层420，以及在与反射层420相对的振荡结构的另一侧上形成抗反射层(未示出)。
反射层420包括介质层422和高反射率金属层424。通过介质材料如Al2O3、Si3N4和SiO2的淀积形成薄膜介质层422。介质层422使p-和n-金属层416和418与高反射率金属层424电绝缘。当然，如果通过工艺的适当改进可以在p-和n-金属层416和418以及高反射率金属层424之间实现电绝缘，那么可以省略介质层422。
高反射率金属层424设计成在多波长激光二极管400的全部波长范围中实现高反射率，且由选自由Ag、Au、Cu、Pd和Pt构成的第一金属组的至少一种金属的混合物制成，每一种在400nm以上的高波长范围中表现出高反射率，以及Al在400nm下的相对低的波长范围中表现出高反射率。
通过共溅射或同步电子束淀积在介质层422上同时淀积第一金属组和Al之一形成高反射率金属层424。当例如Au和Al被共溅射时，Au由于其优异的粘附力主要地淀积在介质层422上，由此初期形成富Au区，以及然后在富Au区上淀积Al，形成富Al区。在此，技术术语“富区域”未必是指特定金属是主要的金属层424的区域，而是意指与金属层424的其他区域相比分布相对大数量的特定金属的金属层424的区域。
当如上形成高反射率金属层424时，富Au区在相对较高的波长范围中表现出高反射率，而富Al在区相对较低的波长范围表现出高反射率，以便高反射率金属层424在全部波长范围中都表现出高反射率。当用曲线表示时，金属层424的反射率可以产生与上面的图8基本上相同的反射率曲线。
图13是图12中所示的多波长激光二极管的替换方案的剖面图。如图13所示，多波长激光二极管500具有与图12所示的多波长激光二极管400基本上相同的结构，除了在第二金属层524上进一步淀积具有至少一对Al2O3和Si3N4层的电介质反射层之外。
在电介质反射层526中，Al2O3和Si3N4层每个具有由说明书中的如上所述的λ/4n决定的厚度，且因此在特定波长λ下可以具有至少95％的高反射率。因此，电介质反射层228可以增强Al的第二金属层526的反射率。
图14是根据本发明第四实施例的多波长激光二极管。
参考图14，根据发明的第四实施例的多波长激光二极管600具有振荡结构602，包括具有在半导体衬底604上依次形成的脊部(未示出，图2中的脊部20a)的n-掺杂或下覆层606、有源层308、p-掺杂或上覆层614、非有源区(未示出，参见图2中的非有源区)如形成在脊部两侧的电流阻挡层以及帽盖层614。
在振荡结构602的顶侧和下侧上分别形成p-和n-金属层616和618，在包括脊部的纵向端部(未示出)的振荡结构602的表面上形成反射层620，以及在与反射层620相对的振荡结构的另一侧上形成抗反射层(未示出)。
反射层620包括介质层622和第一和第二高反射率金属层624和626。通过介质材料如Al2O3、Si3N4和SiO2的淀积形成薄膜介质层622。介质层622使p-和n-金属层616和618与第一和第二高反射率金属层624和626电绝缘。当然，如果通过工艺的适当改进可以在p-和n-金属层616和618以及高反射率第一和第二金属层624和626之间实现电绝缘，那么可以省略介质层622。
第一高反射率金属层624设计成在多波长激光二极管600的全部波长范围中实现高反射率，且由选自由Ag，Au，Cu，Pd和Pt构成的第一金属组的至少两种的混合物制成，每个在400nm以上的高波长范围中表现出高反射率。优选，高反射率金属层624可以由Ag和Au的混合物制成，以便在至少40n的波长范围中实现高反射率。
通过共溅射或同步电子束淀积在介质层622上同时淀积Ag和Au的一种形成高反射率金属层624。当例如Au和Al被共溅射时，Au由于其优异的粘附力主要地淀积在介质层622上，由此初期形成富Au区，以及然后在富Au区上淀积Al，形成富Al区。在此，技术术语“富区域”未必是指特定金属是主要的金属层624的区域，但是指与金属层624的其他区域相比分布相对大数量的特定金属的金属层624的区域。
当如上形成高反射率金属层624时，富Au区在相对较高的波长范围中表现出高反射率，而富Al在相对较中间的波长范围中表现出高反射率，以便高反射率金属层624通过中间至高波长范围表现出高反射率。
另一方面，在第一金属层624上形成的第二金属层626由在低于400nm的相对低波长范围中表现出高反射率的Al制成。由此，第二金属层626优秀地反射穿透第一金属层624的低波长范围中的部分光，以便发明的反射层620在全部波长范围中具有高反射率。
当用曲线图表示时，金属层624的反射率可以产生与上面的图11基本上相同的反射率曲线。
图15是图14中所示的多波长激光二极管的替换方案的剖面图。参考图15，多波长激光二极管700具有与图14所示的多波长激光二极管600基本上相同的结构，除了在第二金属层726上进一步淀积具有至少一对Al2O3和Si3N4层的电介质反射层之外。
在电介质反射层728中，Al2O3和Si3N4层每个具有由说明书中的如上所述的λ/4n决定的厚度，且因此在特定波长λ下可以具有至少95％的高反射率。因此，电介质反射层728可以增强Al的第二金属层726的反射率。
根据以上描述的本发明，多波长激光二极管的金属反射层可以在多波长中均匀地实现高反射率，以便在保证高输出功率的同时降低阈值电压。
而且，与常规电介质反射层相比可以更简单地制造本发明的金属反射层，以便提高多波长激光二极管的生产量。
尽管已结合优选实施例示出和描述了本发明，但是在不脱离由附加的权利要求所限定的发明精神和范围的条件下可以进行改进和变化对所属领域的普通技术人员来说是显而易见的。
权利要求
1.一种多波长激光二极管包括包括半导体衬底和在半导体衬底上依次形成的下覆层、有源层以及脊部的振荡结构；在包括脊部的一端的振荡结构的第一表面上形成的第一金属层，第一金属层由在至少预定波长下的第一波长范围中具有高反射率的金属制成；以及在第一金属层上形成的第二金属层，第二金属由在预定波长下的第二波长范围中具有高反射率的金属制成。
2.根据权利要求1的多波长激光二极管，还包括在第一金属层和振荡结构的第一表面之间插入的介质层。
3.根据权利要求1的多波长激光二极管，其中第一金属层由选自由Ag、Au、Cu、Pd和Pt构成的组的至少一种金属制成。
4.根据权利要求1的多波长激光二极管，其中第二金属层由Al制成。
5.根据权利要求1的多波长激光二极管，还包括在第一和第二金属层之间插入的高反射率中间金属层。
6.根据权利要求5的多波长激光二极管，其中通过溅射或电子束淀积形成中间金属层。
7.根据权利要求5的多波长激光二极管，其中第一金属层由Au或Cu制成，中间金属层由Ag制成，以及第二金属层由Al制成。
8.根据权利要求1的多波长激光二极管，还包括在第二金属层上形成的至少一对高和低反射率介质层。
9.根据权利要求1的多波长激光二极管，其中通过溅射或电子束淀积形成第一和第二金属层。
10.一种多波长激光二极管包括包括半导体衬底和在半导体衬底上依次形成的下覆层、有源层以及脊部的振荡结构；以及在包括脊部的一个纵向端部的振荡结构的第一表面上形成且由至少两种高反射率金属的混合物制成的高反射率金属层，由此在高反射率金属层的预定区中富有在至少预定波长的高波长范围中具有高反射率第一金属，由此以在其中形成高波长反射区，以及在高反射率金属层的第二区中富有在预定波长下的低波长范围中具有高反射率的第二金属，由此在其中形成低波长反射区。
11.根据权利要求10的多波长激光二极管，其中第一金属层由选自由Ag、Au、Cu、Pd和Pt构成的组的至少一种金属制成，以及第二金属是Al。
12.根据权利要求10的多波长激光二极管，还包括在高反射率金属层和振荡结构的高反射率表面之间插入的介质层。
13.根据权利要求10的多波长激光二极管，还包括在高反射率金属层上形成的至少一对高和低反射率介质层。
14.根据权利要求10的多波长激光二极管，其中通过第一和第二金属的共溅射或同步电子束淀积形成高反射率金属层。
15.一种多波长激光二极管包括包括半导体衬底和在半导体衬底上依次形成的下覆层、有源层以及脊部的振荡结构；以及在包括脊部的一个纵向端部的振荡结构的第一表面上形成且由至少两种高反射率金属的混合物制成的第一金属层，由此在高反射率金属层的第一区中富有在至少第一波长的高波长范围中具有高反射率的第一金属，以由此在其中形成高波长反射区，以及在高反射率金属层的第二区中富有在第一波长下的第一波长和第二波长之间的波长范围中具有高反射率的第二金属，以由此在其中形成中间波长反射区；以及在第一金属层上形成的第二金属层，第二金属由在第二波长下的低波长范围中具有高反射率的金属制成。
16.根据权利要求15的多波长激光二极管，其中第一金属层由选自由Au、Cu、Pd和Pt构成的组的至少一种金属制成，以及第二金属是Ag，以及第三金属由Al制成。
17.根据权利要求15的多波长激光二极管，还包括在第一金属层和振荡结构的第一表面之间插入的介质层。
18.根据权利要求15的多波长激光二极管，还包括在第二金属层上形成的至少一对高和低反射率介质层。
19.根据权利要求15的多波长激光二极管，其中通过第一和第二金属的共溅射或同步电子束淀积形成第一金属层。
20.根据在前的权利要求1，10和15的任意一项的多波长激光二极管，还包括在与其第一表面相对的振荡结构的第二表面上形成的抗反射层。
全文摘要
本发明涉及一种多波长激光二极管，其中振荡结构包括半导体衬底以及在半导体衬底上依次形成的半导体衬底和下覆层、有源层以及脊部；在包括脊部的一端的振荡结构的第一表面上形成的第一金属层，以及第一金属层由在至少预定波长的第一波长范围中具有高反射率的金属制成。在第一金属层上形成的第二金属层，第二金属层由在预定波长下的第二波长范围中具有高反射率的金属制成。多波长激光二极管可以改进反射层结构，以在全部可见光范围中实现高反射率。
文档编号H01S5/10GK1750335SQ200410061548
公开日2006年3月22日 申请日期2004年12月24日 优先权日2004年9月14日
发明者张泰盛, 崔熙石, 曹相德, 全东珉 申请人:三星电机株式会社