专利名称：适于用在无线电接收器中的集成电路的制作方法
技术领域：
本发明主要涉及到通信系统，特别涉及到适用于无线电接收器中的集成电路。
背景技术：
射频(RF)器件通过将信息信号转换到更适于在所用介质中传输的较高频率范围内，来将信息信号从一点传送到另一点。这种处理就是众所周知的上变频。在此所用的“射频信号”是指承载有用信息、并具有从3千赫兹(kHz)到数千千兆赫频率的电信号，而与传输该信号所要途经的介质无关。这种射频信号可以通过空气、自由空间、同轴电缆、光纤电缆等传送。射频发射器将称为基带信号的预期信号与RF载波频率进行混频以在所选择的介质中传输，然后RF接收器将该信号与载波频率相混合以将该信号恢复到其原始频率。
超外差式接收器是一种将预期数据承载信号与可调振荡器的输出相混频以产生固定中间频率(IF)输出的接收器。然后，固定的IF信号通常经过滤波并下变频到基带，便于进行其它处理。超外差式接收器有着广泛的应用，在这些应用中，在诸如AM、FM无线电或卫星无线电等频率的带宽范围内可以获得预期的信道。
为了降低超外差式接收器的成本，可将尽可能多的电路元件结合到单个的集成电路中(IC)。虽然现代的CMOS技术可以操作得足够快，以处理RF和IF信号，但是某些其它的功能并不能轻易地整合到CMOS工艺中。例如，可以在低成本CMOS IC上制作电感器和电容器以形成LC滤波器，但是LC滤波器对选定IF的滤波器并没有提供极好的频率响应。比LC滤波器提供更好的信道选择性的另一种已知类型的滤波器就是通常所说的表面声波(SAW)滤波器。SAW滤波器是一种可将电信号转换成机械振动信号然后又转换成电信号的压电器件。利用转换处理中的信号换能器的相互作用来实现滤波。但是这种类型的滤波器通常是使用锌的氧化物(ZnO2)所构成的，这是一种现在还不适于集成到利用硅衬底的CMOS电路上的材料。因此，仍然需要适于用在廉价、高质量超外差式接收器等上的集成电路。
集成电路包括半导体衬底和集成电路封装。半导体衬底具有其上传导差分输出信号、并适于连接到第一外部滤波器输入的第一对焊片，以及其上传导差分输入信号、并适于连接到第一外部滤波器输出的第二对焊片。集成电路封装可容纳半导体衬底且具有分别对应于并连接到第一和第二对焊片的第一和第二端子对。第一和第二端子对由第一预定间距分离，该距离足以在端子对之间维持至少第一预定量的输入与输出的隔离。
在另一种形式中，集成电路包括半导体衬底和集成电路封装，并且该半导体衬底具有第一、第二、第三和第四象限，这四个象限分别具有位于其中的第一、第二、第三和第四焊片。该半导体衬底包括适于连接到第一外部滤波器的第一电路，第一外部过滤器通过第一和第二焊片耦合到第一电路，以及适于连接到第二外部滤波器的第二电路，第二外部滤波器通过第三和第四焊片连接到第二电路。集成电路封装可容纳该半导体衬底，且具分别对应于、并连接到第一、第二、第三和第四焊片的第一、第二、第三和第四端子。
在又一种形式中，集成电路包括半导体衬底和集成电路封装，并且该半导体衬底具有其上传导差分输出信号、并适于连接到一外部滤波器输入的第一对焊片，以及其上传导差分输入信号、并适于连接到一外部滤波器输出的第二对焊片。集成电路封装可容纳半导体衬底，且至少具有第一和第二侧，还包括位于第一侧的第一端、并连接到第一对焊片的第一对端子，以及位于与第一端相反的第一侧的第二端、并连接到第二对焊片的第二对端子。
下文结合附图对本发明进行描述，在附图中，相同的标号指代类似的元件，并且图1示出在现有技术中已知的无线电接收器的局部框图和部分示意图；图2示出根据本发明的高度集成无线电接收器的局部框图和部分示意图；图3示出用在图2所示接收器中的SAW滤波器频率定义域衰减特性的图表；图4示出使用图2所示接收器构建的半导体衬底的构建平面图；以及图5示出包括有图4所示半导体衬底的IC封装的俯视图。
具体实施例方式
下面详细的描述在性质上仅仅是解释性的，并非旨在限制本发明的应用和本发明的用途。此外，并非旨在囿于在现有技术领域、背景、主要概念或下面的详细描述中所呈现的任何已表述或暗示的理论。
图1示出在现有技术中已知的无线电接收器100的局部框图和局部示意图。接收器100是超外差式接收器，包括天线102、标有“LNA”低噪声放大器104、RF到IF混频器106、带通滤波器112、IF对基带混频器114、标有“PGA”的可编程增益放大器120以及低通滤波器122。放大器104具有连接到天线102的输入端以及输出端，并将天线102上接收到的宽带信号放大以将放大的信号提供给其输出端。混频器106按如下方式将放大的信号混频成IF。混频器106包括乘法器108和调谐振荡器110。乘法器108具有连接到放大器输出端的第一输入端、第二输入端以及输出端。调谐振荡器110具有调谐输入端和提供参考在其接地端收到的接地电压的RF本机振荡器(LO)信号的输出端。由调谐输入选择出RF LO信号，以具有将预期的信道从RF混频到选定的IF的频率，同时该频率也是带通滤波器112的中央频率。带通滤波器112具有连接到乘法器108输出端的输入端，以及用于在以选定的IF为中央的附近通带中提供具有显著信号能量、而在通带以外的阻带中信号能量明显衰减的输出信号的输出端。
然后在通带滤波器112所输出的该信号在混频器114中与基带相混频。混频器114包括乘法器116和振荡器118。乘法器116具有连接到带通滤波器112的输出端的第一输入端、第二输入端以及输出端。振荡器118在其输出端和在接地端接收到的接地之间提供IF LO信号。对IF LO信号做出选择，以使其具有将选定的IF信号与基带相混频的选定输出频率，并且因此乘法器116提供基于基带的输出信号。放大器120将该信号放大到预期电平，并且它具有连接到乘法器116的输出端的输入端，还有输出端。滤波器122具有连接到放大器120输出端的输入端，以及用于提供标有“BASEBAND OUT”的接收器100的输出信号的输出端。
接收器100是常规的超外差接收器。为了提供高度的信道选择性，带通滤波器112可以装备有SAW滤波器。理想的SAW滤波器在带通上具有零衰减，在阻带上具有无限衰减，且具有极小的过渡带。但是，实际中的SAW滤波器是有损耗的，并且在通带上具有小量衰减，在阻带上具有很高但是有限的衰减，且具有较窄的过渡带。即便是具有这些特性，实际的SAW滤波器较之诸如电感器—电容器(LC)滤波器的带通滤波器，具有优良的特性。
图2示出根据本发明的高度集成无线电接收器200的局部框图和局部示意图。接收器200使用少量的组件，包括接收器集成电路(IC)220和频率合成IC 240就实现了图1所示的接收器100的结构。接收器IC 220是互补金属氧化物半导体(CMOS)IC，包括放大器104、乘法器108、乘法器116、放大器120以及低通滤波器122。频率合成器IC 240是包括振荡器110和118的CMOS。天线102和带通滤波器112保持为分离的组件。
接收器IC 220包括连接到外部天线102的输入端222，连接到带通滤波器112的对应输入端的输出端224，连接到带通滤波器112的对应输出端的输入端226，提供BASEBAND OUT信号的输出端228，以及分别接收RF LO信号和IF LO信号的输入端230和232。频率合成器IC 240具有对应于端子230和232的输出端，以及接地的电源端242。注意，诸如自动增益控制、边带选择等的其它IC端和其它功能块与本发明的理解无关，并从图2中省略掉。
通过插入外部带通滤波器112，接收器200能够使用SAW滤波器的高度信道选择属性，但是仍然要将适于在低成本CMOS技术中集成的许多其它组件集成到仅仅两个IC和两个分离的组件中。在接收器200中，终端224和226实际上由两个端子构成，每个端子分别传导差分输出和输入信号。
参照图3(示出用在图2接收器中的SAW滤波器112的频率定义域衰减特性310的图表300)可以更好地理解接收器IC 220的集成方式。该频率定义域衰减特性310表示来自德国慕尼黑的Epcos AG的Y7103L器件号SAW滤波器的特性。在图3中，水平轴表示MHz的频率，而垂直轴表示有关输入信号的分贝(dB)的衰减或增益。从图3可见，SAW滤波器112具有标有“fc”的116.61MHz的中央频率以及大约5MHz的带通320。SAW滤波器112具有大约-20dB的带通衰减，大约2MHz的过渡带宽330以及近似-70dB的阻带衰减。
为了使用SAW滤波器112的优良特性，本发明者发现了接收器200的连接可会因为引脚与引脚之间的连接而导致欠佳的输入到输出的隔离。由于最好是使用差分信号法，在差分信号对的正或负信号和其它信号对的信号之间可以产生这种不良的信号连接。但是SAW滤波器112的特性确定预期怎样的输入到输出引脚的隔离可避免性能降低。这些接收器IC 220以合适的量来隔离SAW滤波器输出和输入引脚，如下面参照图4到6的进一步的描述。
图4示出使用图2所示的接收器结构的半导体衬底400的结构平面图。对于用在卫星无线电中，半导体衬底400实际上包括卫星接收器和地面接收器，并且半导体衬底400可由分割线410分割成近似的两半，左边部分是卫星接收器430，右边部分是地面接收器460。卫星接收器430和地面接收器460都可实现如图2所示的接收器结构，即使用外部SAW滤波器用于IF带通滤波的超外差式接收器。
半导体衬底400包括用于通过集成电路封装在半导体衬底400和外部电路之间传导电源、接地、输入和输出信号的99个焊片。更具体地，焊片442和444通过指定为“SIFOP”和“SIFON”的信号引脚将差分输出信号传导到与卫星接收器相关联的外部SAW滤波器，并且焊片452和454通过指定为“SIFIP”和”SIFIN”的信号引脚从该SAW滤波器中传导出差分输入信号。其中S代表卫星，IF代表IF滤波器，I或O代表输入或输出，并且P或N代表差分信号对的正或负信号。焊片472和474通过指定为“TIFOP”和“TIFON”的信号引脚将差分输出信号传导到与地面接收器相关联的SAW滤波器，并且焊片482和484通过指定为“TIFOP”和“TIFON”的信号引脚从该SAW滤波器中传导出差分输入信号。
图5示出包括图4的半导体衬底的IC 500的顶视图。IC封装530可容纳半导体衬底400并通过内部键合引线(未在图5中示出)电气地连接到半导体衬底400的焊片，如在本领域已知的那样。如图5所示IC 500的主要特征包括左部分和右部分分离的垂直轴线510，将顶部分和底部分分离的竖直轴线520，分别对应近似于图4的分割线410和420。轴线510和520一起确定包括上左象限540、下左象限550、上右象限570和下右象限580的四个象限。IC封装530包括在上左角附近的包纳材料外表面中的切口或切斜面以及刻在上左角附近的上表面中的圆圈，用来表示这就是引脚1角。依照上述的焊片放置原则，IC 500包括通过由容纳材料覆盖的键合引线径向连接到对应的焊片442和444、并且传导信号SIFOP和SIPON的、在IC左上部分的一对端子542和544；通过由包纳材料覆盖的键合引线径向连接到对应的焊片452和454、并且传导信号SIFIP和SIPIN的、在IC左下部分的一对端子552和554；通过由包纳材料覆盖的键合引线径向连接到对应的焊片472和474、并且传导信号TIFOP和TIPON的、在IC右上部分的一对端子572和574；以及通过由包纳材料覆盖的键合引线径向连接到对应的焊片482和484、并且传导信号TIFIP和TIPIN的、在IC上左部分的一对端子582和584。在图5中示出的特定示例中，信号SIFON和SIFOP分别传导到封装引脚1和2上；信号SIFIN和SIFIP分别传导到封装引脚15和16上；信号SIFIN和SIFIP分别传导到封装引脚47和48上；以及信号TIFIN和TIFIP分别传导到封装引脚33和34上；同时考虑图4和图5，使用焊片和对应放置的封装引脚将IC 500界面连接凹外部SAW滤波器，以便维持至少预定量的输入到输入的隔离，使得IC500可插入一外部SAW滤波器。其中该预定量对应于外部SAW滤波器的阻带衰减。因此IC500将差分输入引脚对442/444与差分输出对452/454分开一距离，同时又考虑通过键合引线和各自的封装引脚对542/544和552/554而构成的连接，使得其间的隔离保持至少-70dB。通过设置这一距离，输入到输出连接就不会显著地降低对应的接收器的性能。
IC 500的几个特征可以保持该隔离。首先，半导体衬底400可通过将卫星接收器430分成上象限440和下象限450，将地面接收器460分成上象限470和下象限480的分割线420来进一步进行分隔。差分引脚对放置在各分离的象限中以保持隔离。
此外，通过保持对应于外部滤波器的特性的隔离，卫星接收器的差分输入和输出引脚可形成在左侧上，而地面接收器的差分输入和输出引脚可形成在右侧上。因此，IC版面设计可以简化，是因为卫星接收器和地面接收器的电路可以分割线410作为对称轴呈镜像结构。注意，线410并非是完全直的，是因为有一小部分电路是两个接收器所共享的，下文将对其进行更详细的介绍。
还可以通过将一定数量的其它集成电路引脚放置在差分对之间以建立分离的最小间距来维持该隔离。如图4所示，对于卫星接收器430，在输出引脚442/444和输入引脚452/454之间具有十四个介入焊片，对于地面接收器460，在输出引脚472/474和输入引脚482/484之间具有十八个介入焊片。当与集成电路封装相连接时，键合引线近似径向放置，保持近似相等的相对分离。注意，半导体衬底400上的一些焊片并非一一对应于包530的引脚它们可以是未连接的，诸如测试引脚或未选择模式引脚，两个焊片可以结合到单个的封装引脚，焊片可以向下接地，而无需具有对应的集成电路引脚等。
隔离的另一要素就是一个事实介入引脚包括功率和/或接地引脚。这些引脚可以提供大量的信号屏蔽，以增加输入到输出的隔离。
最后，IC 500包括在116.61MHz的IF操作的卫星接收器以及在113.505MHz附近操作的地面接收器。由于它们的通带是重叠的，IC 500将卫星接收器的SAW输入和输出与地面接收器的相隔离，并且反之亦然。各对SAW输入或输出引脚位于封装的角附近，以实现与两个接收器相关联的SAW滤波器连接相隔离。因此，例如信号对442和444与信号对472和474，以及信号对452和454有显著的物理隔离。
用计算机辅助设计(CAD)建模程序而建立的复杂RF模型可用于估计实际的输入到输出的隔离。但是上述的技术，包括处在不同象限中的位置，维持最小间距、多介入信号引脚、以及介入功率和/或接地引脚都有助于实现足够的输入到输出的隔离。
因此在一种形式中，本发明提供一种集成电路，包括半导体衬底和集成电路封装。半导体衬底具有其上传导差分输出信号、并适于连接到第一外部滤波器输入的第一对焊片，以及其上传导差分输入信号、并适于连接到第一外部滤波器输出的第二对焊片。集成电路封装可容纳半导体衬底，且具有分别对应于并连接到第一和第二对焊片的第一和第二端子对。第一和第二端子对由第一预定间距分离，该距离足以在端子对之间维持至少第一预定量的输入到输出的隔离。
根据一方面，第一预定量对应于第一外部滤波器的阻带中的衰减。
根据另一方面，第一和第二端子对沿着集成电路的第一侧放置，并且由第一多介入端子分离。
根据又一方面，第一多介入端子包括十二个端子。
根据又一方面，第一多个介入端子包括至少一个电源端。
根据又一方面，第一端子对的第一和第二端子彼此相邻，并且第二端子对的第一和第二端子彼此相邻。
根据又一方面，第一和第二端子对放置在集成电路封装的第一侧相对的两端上。
根据另一方面，半导体衬底还具有其上传导差分输出信号、并适于连接到第二外部滤波器输入的第三对焊片，以及其上传导差分输入信号、并适于连接到第二外部滤波器输出的第四对焊片。集成电路封装还具有分别对应于并连接到第三和第四对焊片的第三和第四端子对。第三和第四端子对由第二预定间距分离，该距离足以在端子对之间维持至少第二预定量的输入到输出的隔离。
根据又一方面，第一和第二预定量分别对应于第一和第二外部滤波器的阻带中衰减之间的差分。
根据另一方面，第一和第二端子对沿着集成电路封装的第一侧放置，并且由第一多介入端子分离，并且第三和第四端子对沿着集成电路封装的第二侧放置，并且由第二多介入端子分离。
根据又一方面，第一和第二多介入端子各自都包括十二个端子。
根据又一方面，第一和第二多介入端子各自包括至少一个电源端。
根据又一方面，第一、第二、第三和第四端子对每一个的第一和第二端子彼此相邻。
根据又一方面，第一和第二端子对放置在与集成电路封装的第一侧相对的两端上，并且第三和第四端子对放置在集成电路封装的第二侧相对的另两端上。
在另一种形式中，集成电路包括半导体衬底和集成电路封装，并且该半导体衬底具有第一、第二、第三和第四象限，这四个象限分别具有位于其中的第一、第二、第三和第四焊片。该半导体衬底包括适于连接到通过第一和第二焊片连接到第一电路的第一外部滤波器的第一电路，以及适于连接到通过第三和第四焊片连接到第二电路的第二外部滤波器的第二电路。集成电路封装包括该半导体衬底，且具分别对应于并连接到第一、第二、第三和第四焊片的第一、第二、第三和第四端子。
根据一方面，第一和第二电路包括射频(RF)接收器的各部分。
根据另一方面，第一电路包括一部分卫星接收器，并且第二电路包括一部分地面接收器。
根据又一方面，第一和第二电路具有基本相同的布局。
根据又一方面，第一和第二电路适于分别连接到第一和第二外部表面声波(SAW)滤波器。
根据又一方面，半导体衬底还包括分别位于第一、第二、第三和第四象限中，且分别形成与在第一、第二、第三和第四焊片上传导的信号相互补的信号对的第五、第六、第七和第八焊片。
在另一种形式中，集成电路包括半导体衬底和集成电路封装，并且该半导体衬底具有其上传导差分输出信号、并适于连接到一外部滤波器输入的第一对焊片，以及其上传导差分输入信号、并适于连接到一外部滤波器输出的第二对焊片。集成电路封装可容纳半导体衬底且至少具有第一和第二侧，还包括位于第一侧的第一端的、连接到第一对焊片的第一对端子，以及位于与第一端相反的第一侧的第二端的、连接到第二对焊片的第二对端子。
根据一方面，该集成电路封装包括四个侧边。
根据另一方面，该集成电路封装还包括薄的方形平面封装(TQFP)。
根据又一方面，该集成电路封装还包括64位引线TQFP。
根据另一方面，该半导体衬底还具有其上传导第二差分输出信号、并适于连接到第二外部滤波器输入的第三对焊片，以及其上传导第二差分输入信号、并适于连接到第二外部滤波器输出的第四对焊片，并且集成电路封装还具有位于第二侧的第一端的、连接到第三对焊片的第三对端子，以及位于与第一端相反的第二侧的第二端的、连接到第四对焊片的第四对端子。
根据又一方面，本发明提供一种集成电路，包括在集成电路的第一侧的第一端上的、要连接到第一外部滤波器的差分输入的相邻第一和第二端子，在集成电路的第一侧的第二端上的、要连接到第一外部滤波器的差分输出的相邻第三和第四端子，在集成电路的第二侧的第一端上的、要连接到第二外部滤波器的差分输入的相邻第五和第六端子，以及在集成电路的第二侧的第二端上的、要连接到第二外部滤波器的差分输出的相邻第七和第八端子。
根据一方面，该集成电路封装包括方形平面封装。
根据另一方面，方形平面封装包括六十四个端子，从一个角落的一引脚角开始，围绕方形平面封装的周边依次被指定有对应的引脚号，并且其中第一和第二端子对应引脚1和2，第三和第四端子对应引脚15和16，第五和第六端子对应引脚47和48，以及第七和第八端子对应引脚33和34。
根据另一方面，第一和第二外部滤波器每一个都包括表面声波(SAW)滤波器。
虽然至少有一个示例实施例在前述详细描述中得到了体现，但是可以理解，大量的变化是存在的。一个或多个示意性实施例仅仅是示例，并非旨在以任何方式限制本发明的范围、应用或配置。而且，对于本领域一般技术人员来说，前述详细的描述提供了用于实现一个或多个示意性实施例的便捷指导图。可以理解，在不脱离如在所附权利要求及其法律等效体所陈述的本发明范围之内，可在元件的功能或结构上做出各种修改。
权利要求
1.一种集成电路，包括半导体衬底，具有其上传导差分输出信号、并适于连接到第一外部滤波器的输入端的第一对焊片，以及其上传导差分输入信号、并适于连接到第一外部滤波器的输出端的第二对焊片；以及集成电路封装，封装所述半导体衬底并具有分别对应于并连接到所述第一和第二对焊片的第一和第二端子对，其中所述第一和第二端子对分隔第一预定间距，所述间距足以在其间保持至少第一预定量的输入到输出的隔离。
2.如权利要求1所述的集成电路，其特征在于，所述第一预定量对应于所述第一外部滤波器阻带中的衰减。
3.如权利要求1所述的集成电路，其特征在于，所述第一和第二端子对沿着所述集成电路封装的第一侧放置，并且由第一多介入端分隔。
4.如权利要求3所述的集成电路，其特征在于，所述第一多介入端包括十二个端子。
5.如权利要求3所述的集成电路，其特征在于，所述第一多介入端包括至少一个电源端子。
6.如权利要求3所述的集成电路，其特征在于，所述第一端子对的第一和第二端子彼此相邻，并且所述第二端子对的第一和第二端子彼此相邻。
7.如权利要求6所述的集成电路，其特征在于，所述第一和第二端子对放置在所述集成电路封装的所述第一侧的两端。
8.如权利要求1所述的集成电路，其特征在于，所述半导体衬底还具有其上传导差分输出信号、并适于连接到第二外部滤波器的输入端的第三对焊片，以及其上传导差分输入信号、并适于连接到第二外部滤波器的输出端的第四对焊片；所述集成电路封装还具有分别对应于并耦合到第三和第四对焊片的第三和第四端子对；以及所述第三和第四端子分隔第二预定间距，所述间距足以在其间保持至少第二预定量的输入到输出的隔离。
9.如权利要求8所述的集成电路，其特征在于，所述第一和第二预定量分别对应于第一和第二外部滤波器的阻带中衰减之间的差异。
10.如权利要求8所述的集成电路，其特征在于，所述第一和第二端子对沿着所述集成电路封装的第一侧放置，且由第一多介入端分隔，并且所述第三和第四端子对沿着所述集成电路封装的第二侧放置，且由第二多介入端分隔。
11.如权利要求10所述的集成电路，其特征在于，所述第一和第二多介入端各自都包括十二个端子。
12.如权利要求10所述的集成电路，其特征在于，所述第一和第二多介入端各自包括至少一个电源端子。
13.如权利要求10所述的集成电路，其特征在于，所述第一、第二、第三和第四端子对各自的第一和第二端子彼此相邻。
14.如权利要求10所述的集成电路，其特征在于，所述第一和第二端子对放置在所述集成电路封装的第一侧的两端，并且第三和第四端子对放置在所述集成电路封装的第二侧的两端。
15.一种集成电路，包括半导体衬底，具有第一、第二、第三和第四象限，所述四个象限分别具有位于其中的第一、第二、第三和第四焊片，所述半导体衬底包括适于连接到第一外部滤波器的第一电路，所述第一外部滤波器通过所述第一和第二焊片连接到第一电路，以及适于连接到第二外部滤波器的第二电路，所述第二外部滤波器通过所述第三和第四焊片连接到第二电路；以及集成电路封装，封装所述半导体衬底，且具有分别对应于并连接到所述第一、第二、第三和第四焊片的第一、第二、第三和第四端子。
16.如权利要求15所述的集成电路，其特征在于，所述第一和第二电路包括射频(RF)接收器的各部分。
17.如权利要求16所述的集成电路，其特征在于，所述第一电路包括卫星接收器的一部分，而所述第二电路包括地面接收器的一部分。
18.如权利要求16所述的集成电路，其特征在于，所述第一和第二电路具有基本相同的布局。
19.如权利要求15所述的集成电路，其特征在于，所述第一和第二电路适于分别连接到第一和第二外部表面声波(SAW)滤波器。
20.如权利要求15所述的集成电路，其特征在于，所述半导体衬底还包括分别位于所述第一、第二、第三和第四象限中、且分别形成与在第一、第二、第三和第四焊片上传导的信号相互补的信号对的第五、第六、第七和第八焊片。
21.一种集成电路，包括半导体衬底，具有其上传导差分输出信号、且适于连接到一外部滤波器输入的第一对焊片，以及其上传导差分输入信号、并适于连接到一外部滤波器输出的第二对焊片；以及集成电路封装，封装所述半导体衬底且至少具有第一和第二侧，还包括位于所述第一侧的第一端的、连接到所述第一对焊片的第一对端子，以及位于所述第一侧的与所述第一端相反的第二端的、连接到所述第二对焊片的第二对端子。
22.如权利要求21所述的集成电路，其特征在于，所述集成电路封装包括四侧。
23.如权利要求22所述的集成电路，其特征在于，所述集成电路封装还包括薄型方形平面封装(TQFP)。
24.如权利要求23所述的集成电路，其特征在于，所述集成电路封装还包括64-引线TQFP。
25.如权利要求21所述的集成电路，其特征在于，所述半导体衬底还具有其上传导第二差分输出信号、并适于连接到第二外部滤波器的输入端的第三对焊片，以及其上传导第二差分输入信号、并适于连接到第二外部滤波器的输出端的第四对焊片；并且所述集成电路封装还具有位于所述第二侧的第一端的、连接到所述第三对焊片的第三对端子，以及位于所述第二侧的与所述第一端相反的第二端的、连接到所述第四对焊片的第四对端子。
26.一种集成电路，包括在所述集成电路第一侧的第一端上、适于连接到第一外部滤波器的差分输入端的相邻第一和第二端子；在所述集成电路的第一侧的第二端上、适于连接到第一外部滤波器的差分输出端的相邻第三和第四端子；在所述集成电路的第二侧的第一端上、适于连接到第二外部滤波器的差分输入端的相邻第五和第六端子；以及在所述集成电路的第二侧的第二端上、适于连接到第二外部滤波器的差分输出端的相邻第七和第八端子。
27.如权利要求26所述的集成电路，其特征在于，所述集成电路封装包括方形平面封装。
28.如权利要求27所述的集成电路，其特征在于，所述方形平面封装包括六十四个端子，使相应引脚号码从一角落的一个引脚开始、围绕所述方形平面封装的周边依次分配，并且其中所述第一和第二端子对应引脚1和2，所述第三和第四端子对应引脚15和16，所述第五和第六端子对应引脚47和48，以及所述第七和第八端子对应引脚33和34。
29.如权利要求26所述的集成电路，其特征在于，所述第一和第二外部滤波器各自都包括表面声波(SAW)滤波器。
全文摘要
集成电路(500)包括半导体衬底(400)和集成电路封装(530)。半导体衬底(400)具有其上传导差分输出信号、并适于连接到第一外部滤波器输入的第一对焊片(442，444)，以及其上传导差分输入信号、并适于连接到第一外部滤波器输出的第二对焊片(452，454)。集成电路封装(530)容纳半导体衬底(400)，且具有分别对应于并连接到所述第一(442，444)和第(452，454)对焊片的第一(542，544)和第(552，554)端子对。第一(452，454)和第二(552，554)端子对以第一预定间距分开，所述间距足以在所述端子对之间维持至少第一预定量的输入到输出的隔离。
文档编号H01L29/02GK1849709SQ200480026392
公开日2006年10月18日 申请日期2004年9月3日 优先权日2003年9月15日
发明者A·W·多恩布施, C·D·汤姆普森 申请人:硅实验室股份有限公司