专利名称：发白光的微腔室oled设备的制作方法
技术领域：
本发明涉及有机电致发光(EL)装置。更具体地说，本发明涉及效率提高的发白光EL装置。
背景技术：
有机发光二极管(OLED)设备之所以有吸引力是因为它们驱动电压低、亮度高、视野角度宽、并且能用于全色平面发光显示器。Tang等人在他们的美国专利4,769,292和4,885,211中描述了一种多层OLED设备。
能有效产生白光的OLED设备被认为是可用于若干场合的低成本备选方案，比如薄纸状光源、LCD显示器中的背光、汽车顶灯、和办公室照明。产生白光的OLED设备应该明亮、有效，并且通常具有覆盖大部分可见光波长范围的宽发射光谱。在这里，术语“白色”或“基本白色”将广泛用于指被感知为白色或灰白色的光。
以下专利和出版物公开了能够发白光的有机OLED设备的制备，所述有机OLED设备包括置于一对电极之间的空穴传输层和有机发光层。
此前，J.Shi已经在美国专利5,683,823中对产生白光的OLED设备进行过报导，其中发光层包括均匀分散在主体发射材料中的发出红光和蓝光的发射材料。该设备具有优良的电致发光特性，但是红色和蓝色掺杂物的浓度非常低，如是主体材料的0.12％和0.25％。这样的浓度在大批量生产过程中难以控制。Sato等人在JP 07,142,169中公开了能够发白光的OLED设备，其是通过紧挨着空穴传输层形成发蓝光层，随后形成具有含红色荧光层的区域的发绿光层而制备的。
Kido等人在科学杂志第267卷，1332页(1995)以及应用物理快报，第64卷，815页(1994)中报导了一种产生白光的OLED设备。在该设备中，三个具有不同载流子输送性质并且各自发出蓝色、绿色、或红色光的发射极层用来产生白光。Littman等人在美国专利5,405,709中公开了另一种发白光设备，其能够通过对空穴-电子复合产生响应而发出白光，并且包括在从蓝绿色到红色的可见光范围内的荧光。Deshpande等人在应用物理快报，第75卷，888页(1999)中描述了一种发白光OLED设备，其使用被空穴阻挡层隔开的红色、蓝色、和绿色发光层。
OLED设备通常具有至少一个透明电极，其往往用导电氧化物如铟-锡氧化物(ITO)制造。这种材料具有充分的用于显示器的导电性，其中单一像素的数量级为1毫米或以下。但是，这种透明电极的导电性可能不足以用于具有大得多的单一发光单元的场合，如仪表板照明。这一缺陷可以通过将发光元件制成窄条来克服，但是注册困难将使得这种设备更难以制造，从而增加了制造成本。此外，这种透明电极本身昂贵，这又增大了制造成本。
发明概述因此，本发明的一个目的是提供一种具有高照明效率的发白光OLED装置。
这一目的是通过一种发白光的OLED装置实现的，该装置包括微腔室OLED设备和光集成元件，其中所述微腔室OLED设备具有发白光的有机EL元件并且其被构造成具有角依赖性窄带发射，所述光集成元件将来自于微腔室OLED设备的不同角度的角依赖性窄带发射集成形成白光发射。
本发明能使使用只具有金属电极的OLED设备的发白光OLED装置具有降低的成本、更高的导电性、和提高的制造容易度。所述OLED装置能提供改进的性能。
附图简述
图1是根据本发明第一实施方案的发白光OLED装置的剖视图；图2是根据本发明另一个实施方案的发白光OLED装置的剖视图；图3是根据本发明再一个实施方案的发白光OLED装置的剖视图；图4是根据本发明的微腔室OLED设备的剖视图，示意性地示出了这种设备中光传输的效果；图5是根据本发明的微腔室OLED设备的平面图；图6示出现有技术的非微腔室OLED设备的光谱输出；图7示出现有技术的微腔室OLED设备的光谱输出；和图8示出根据本发明的微腔室OLED装置的光谱输出。
因为设备特征尺寸，如层厚常常在亚微米范围内，因此，附图中进行放大是为了便于形象化而没考虑尺寸的精确度。
发明详述术语“OLED设备”以其在包括有机发光二极管的发光设备领域中认可的意义使用。术语“OLED装置”用来描述其中包括OLED设备作为其关键组成部分之一的装置。术语“白光”用来描述一种光，其具有覆盖大部分可见光波长的宽发射光谱，而且通常被用户感知为具有白色。术语“微腔室OLED设备”用来命名一种OLED设备，该设备包括位于两个具有30％以上反射率的反射镜之间的有机EL元件。在大多数情况下，反射镜中的一个基本上是不透明的，而另一个是半透明的，其光密度低于1.0。这两个反射镜形成法布里-珀罗微腔室，该微腔室强烈地影响着OLED设备的发光特性。在对应于该腔室共振波长的波长附近的发光得到加强，而其他波长则受到抑制。最后的结果是发射光的带宽明显变窄，且其强度有明显的提高。所述发射光谱也是高度角依赖性的。术语“有机EL元件”是指处于OLED设备的两个电极之间的一个或多个有机层，它们在OLED设备的操作过程中在外加电压下发光。为了本申请的目的，“有机EL元件”也可以包括无机的电子或空穴注入层，如果这种层用在OLED设备中的话。
对于大面积的发白光OLED设备来说，与使用透明的导电氧化物电极有关的问题，即高成本和低导电率，可以通过用薄金属电极代替氧化物电极得以克服。但是，当使用具有充分导电性的金属膜时，它还是颇有反射性的。从而，因为一般说来另一个电极也是金属的和有反射性的，因此形成了微腔室结构。微腔室结构使发光的带宽显著变窄。甚至当发白光的有机EL元件用于该设备中时，该OLED设备的输出也变为窄带。它不再能用作发白光的OLED设备。
本发明认识到了这一问题，并且还认识到，来自于微腔室OLED设备的发光是高度角依赖性的。微腔室OLED设备的共振条件可以用方程1来描述2∑niLicosθi+(Qm1+Qm2)λ/2π＝mλ 方程1其中ni是折射指数，Li是有机EL元件中第i亚层的厚度；θi是从垂直于OLED设备平面的法线起测定的第i亚层中光的角度；
Qm1和Qm2分别是在两个有机EL元件-金属电极界面上的相位移，单位是弧度；λ是设备发出的共振波长；m是非负整数。
注意，用于不同亚层的θi(包括发出到设备外的光的角度)不是独立的，而是彼此通过斯涅尔定律相关联nisinθi＝njsinθj方程1表明，来自于微腔室的共振发射波长是角度的函数。随着角度增加，共振发射波长变短。事实上，发射波长的变化可以大到足以覆盖0-90度范围，发射波长可以覆盖大部分可见光波长。
因此，根据本发明，发白光OLED装置的构造是通过把光集成元件加入到微腔室OLED设备中，以将来自于微腔室OLED设备的各个不同角度的窄带发射光集成为具有降低的角依赖性的、可以被感知为白光的单一宽带发光。通过本发明进行的光学模型模拟表明，集成发光可以在所述发白光OLED装置覆盖的波长范围内基本上再现出由非微腔室设备中的有机EL元件发出的发射光谱的形状。此外，当微腔室OLED设备被适当地设计时，集成的总输出可以提高到高于使用相同有机EL元件的非微腔室OLED设备。为了覆盖可见光谱，有机EL元件需要选择得能够发白光。
本发明进一步出乎意料地认识到，方程1中的角度θi实际上是指微腔室内部的内角这一事实的重要含意。空气中的角度θ空气较大是因为在OLED结构中的材料的折射指数比空气的更大。存在一个临界内角θc，大于该角时，微腔室发出的光因为全内反射而被截留。尽管光由于全内反射而被截留这一现象对于常规的非微腔室OLED设备来说已经有明确的记载，但是，在微腔室OLED设备中，这种光截留的一些重要的含意还从来没有人认识到。
本发明发现，例如，对于光通过基材的底部发光OLED设备来说，可能有相当大量的光被完全截留在基材内。类似地，对于介质层处于半透明顶电极之上的顶部发光OLED设备来说，有相当大量的光可能被截留在介质层内。因为在微腔室OLED设备中，发射光谱随角度而变化，随着角度增加发射波长通常会变短，因此，与由微腔室OLED设备发出进入到空气中的光相比，截留的光具有较短的波长。但是，对于被调到具有较高等级短波长发射(在方程1中m＞0)的微腔室OLED来说，较低等级的空隙共振可以随角度的增加从红外一直移动到可见区。此时，这种较长波长的发光将倾向于被截留在所述设备中。相比起来，在常规的非微腔室OLED设备中，在截留的光和发出的光之间存在小得多的光谱差。例如，对于被调节在红色波长范围内发光的微腔室OLED设备来说，角度增加，发射光可以从红色变到橙色至黄色。相当大量的绿光和蓝光可能被截留在基材内部或者高折射指数介质层内。本发明发现，这种截留的光可以通过使用总的-内部-反射-阻挠件(TIRF)而从基材或者介质层中去截留(de-trapped)。有多种方式能提供TIRF，这将在本申请的下半部分进行讨论。在本发明的优选实施方案中，呈光散射膜形式的TIRF与底部发光OLED设备的基材外表面光学耦合在一起。当截留的光到达光散射膜时，其中的一部分改变扩展角并因此变为去截留的。其余的截留光在基材内传送，并且可以随后当它再一次到达光散射膜时被去截留。这种去截留的光增加了从OLED设备的发光并增强了其亮度输出。因为截留的光包括较短波长的光，因此，去截留也增加了发射光的带宽，并因此对于发白光的OLED装置来说是极其希望的。本发明进行的模型模拟表明，为了提高发射效率，微腔室OLED设备优选具有在可见光谱红色区域中在法线方向上的共振发射波长，优选大于600纳米。或者，微腔室OLED设备可以被调节到在低于500纳米的蓝色区域中的较高等级(在方程1中m＞0)共振。在这种情况下，截留的光(来自具有较小m值的共振中)将在波长范围的红色区域中，并且通过去截留该光，发光能再一次得到提高，发射波长也再一次变宽。
在本发明的另一个优选实施方案中，使TIRF位于基材或介质层与OLED设备的半透明金属电极之间。通过使TIRF在半透明的金属电极附近，使得可以在有机层中去截留该光，同时进一步提高OLED设备的输出效率和光谱带宽。
能有效地随机改变光线方向的任何结构都可用于集成各角度的发射光。本领域公知的方式包括包含表面或整体散射特征的光散射层。这种层在本领域中是众所周知的，并可用于有效地改变通过它们的光线方向。例如，光集成元件可以包括一个层或涂层，其具有分散在基质中的夹杂物，其中所述夹杂物的折射指数与基质的折射指数不同。这种层的一个实例是负载有一种或多种白色颜料，如TiO2的塑料膜或涂层。光集成元件也可以包括具有不同折射指数的晶体和非晶体区的塑料膜或涂层。这种塑料的实例包括高密度聚乙烯，低密度聚乙烯，ETFE，聚苯乙烯，和聚丙烯。光集成元件可以包括表面光散射结构或透镜。散射层也可以以反射模式使用，导致从表面发生反射的光改变方向并有效地集成为均匀照射。光集成元件可以位于远离OLED设备的位置，虽然它也可以被引入到该设备上或该设备中，并且在最优选的情况下，它可以是同时起到光集成元件和TIRF作用的单层。例如，在该优选的情况下，发白光的装置可以由底部发光的OLED设备构造，该OLED设备具有处于基材外表面之上的光散射元件，其中所述光散射元件被设计成能同时起到TIRF和光集成器的作用。在本发明备选性的实施方案中，同时起到光集成元件和TIRF作用的层可以处于半透明电极的附近。
TIRF也可以包括光散射元件。例如，它可以包括一个层或涂层，其具有分散在基质中的夹杂物，其中所述夹杂物的折射指数与基质的折射指数不同。TIRF的一个具有实例是负载有一种或多种白色颜料，如TiO2的塑料膜或涂层。TIRF也可以包括具有不同折射指数的晶体和非晶体区的塑料膜或涂层。这种塑料的实例包括高密度聚乙烯，低密度聚乙烯，ETFE，聚苯乙烯，和聚丙烯。TIRF可以包括表面光散射结构或透镜元件。
在本发明的另一个备选性的实施方案中，微腔室OLED设备被分成两个或多个各自在法线方向上被调到不同发射波长的亚区域。这将确保从白色OLED装置发出的光可以覆盖整个可见光波长范围。例如，上述区域之一可以被调节为在法线方向上发出红光或红外光。从该区域发出的较高角度的光可以覆盖波长的黄色和绿色区域。第二区域可以被调节为在法线方向上发绿光，并且从该设备发出的较高角度的光可以覆盖蓝色波长范围。通过使用两个或更多个区域，整个可见光波长范围可以被有效地覆盖，且集成的总输出可以被提高到高于使用相同有机EL元件的非微腔室OLED设备之上。为了提高波长覆盖范围，上述亚区域中的一个区域优选被调到发出在法向角的峰值波长大于550纳米的红光。其他区域中的至少一个区域被调到发出在法向角的峰值波长小于550nm的光。此外，可以加入TIRF来提高发光效率并加宽OLED设备的光谱输出。
对于许多需要从设备发出通常均一的白色光的场合来说，单一区域的大小可以被保持得很小。不同的区域可以相互分散开来，这样的话，在通过光集成元件集成之后，从所述白色OLED装置发出的光看来似乎很均匀。
对于被调节到在法线方向上发出不同颜色光的不同区域来说，仍然可以使用常见的发白光的有机EL元件，或者，可以在不同的区域使用具有不同固有发射光谱的发光物质。通过例如改变有机层的总厚度而改变两个反射电极之间的间距，可以实现不同的调节。或者，可以在有机层和一个反射电极之间使用透明的导电相层来调节两个反射电极之间的间距。
现在转向图1，其中示出根据本发明第一实施方案的白色微腔室OLED装置100的剖视图。所述白色OLED装置包括OLED设备10和光集成元件95。OLED设备10至少包括基材20，通常设置作为阳极的底电极30，与底电极30间隔开来的通常设置作为阴极的顶电极90，和发光层50。该OLED设备也可以包括一个或多个TIRF如TIRF 25，透明的导电间隔层35，空穴注入层40，空穴传输层45，电子传输层55，和电子注入层60。如将能看出的，空穴注入层40、空穴传输层45、发光层50、电子传输层55、和电子注入层60包括有机EL元件70。对这些组成部分将进行更详细的描述。
基材20可以是有机固体、无机固体、或有机和无机固体的组合。基材20可以是刚性的或柔性的，并且可以被加工成独立的单一片，如片材或薄片，或加工成连续的卷材。典型的基材材料包括玻璃，塑料，金属，陶瓷，半导体，金属氧化物，半导体氧化物，半导体氮化物，或其组合。基材20可以是材料的均匀混合物，材料的复合物，或多层材料。基材20可以是OLED基材，即，通常用于制备OLED设备的基材，例如有源矩阵低温多晶硅或无定形硅TFT基材。根据目标发光方向，基材20可以是透光的或者不透明的。对于通过基材观察EL发光来说，希望透光性质。在此情况下通常使用透明玻璃或塑料。对于通过顶电极观察EL发光的场合来说，底部载体的传输特性是不重要的，因此可以是透光的、吸光的、或反光的。用于这种情况的基材包括但是不局限于，玻璃，塑料，半导体材料，陶瓷，和电路板材料，或通常用于形成OLED设备的任何其它的材料，其可以是无源矩阵设备或者有源矩阵设备。
TIRF 25是被设计成能够去截留有机EL元件70发出并且截留在OLED设备10中的光的结构。TIRF 25可以是，例如，散射光的光散射元件。在这种情况下，它可以是体积光散射元件，包括分散在基质中的颗粒或空穴，其中所述基质的折射指数与颗粒或空穴不同。许多常见的包含有晶体相且看起来似乎是白色或者是半透明的聚合物都可以是优良的体积散射元件，并可以有效地用作TIRF。聚合物也可以负载有增白剂如TiO2，并被有效地用作TIRF。TIRF也可以是包括散射光的表面特征或组构的表面光散射元件。它可以是连接到并与基材20光学耦合在一起的独立元件，或者它可以是基材的集成部分。对于光通过基材20且金属底电极30是半透明的OLED设备10来说，TIRF 25可以，如图1所示，处于基材20的外表面；或者它可以，如图2所示，配置在基材20和金属底电极30之间。对于具有半透明顶电极90并光通过顶电极90的OLED设备10来说，TIRF 25可以配置在半透明的顶电极90之上。有时候，透明的绝缘膜(在图中未示出)可以配置在TIRF 25和半透明的顶电极90之间。
金属底电极30在基材20之上形成，并且最通常被设置为阳极。底电极30也是反光镜。当通过基材20观察EL发光时，底电极30应该由反射性金属制成，并且应该足够薄以便在发射光的波长下具有有限的部分透光率，这被称为是半透明的。对于实际的设备来说，底电极30，当作为在常见的玻璃或塑料透明基材之上的单一膜测量时，将具有至少30％的反射率，其光密度低于1.0。只有少量的金属，包括Ag或Au和其合金(合金定义为含有至少50原子百分数的至少一种这样的金属)优选用作底电极30。底电极30的厚度范围要受到限制，其选择要使得在来自OLED设备10的预定波长下亮度输出最优。在某些情况下，也可以包括与底电极30中的薄反射金属层结合的透明导电氧化层。因为薄的反射金属层具有侧电导性，因此透明导电氧化层的导电性不必很高。适当的材料包括铟氧化物(InOx)，锡氧化物(SnOx)，锌氧化物(ZnOx)，钼氧化物(MoOx)，钒氧化物(VOx)，锑氧化物(SbOx)，或其混合物。
当通过顶电极90观察EL发光时，底电极30优选是一定厚度的反射金属，其厚度要使得光密度为1.5或更高，这样的话，它基本上是不透明的并且是全反光镜。OLED设备的发射效率随着底电极30的反射率增加而增加。底电极30优选选自Ag或Au，Al，Mg，或Ca，或其合金。
虽然不一定是必需的，但是在有机发光二极管显示器中，在底电极30之上形成空穴注入层40往往是有用的。空穴注入材料可以用来提高后续有机层的成膜性质，并且有助于将空穴注入到空穴传输层中。用于空穴注入层40的适当材料包括，但是不局限于，如美国专利4,720,432所述的卟啉化合物，如美国专利6,208,075所述的等离子体沉积的碳氟聚合物，和无机氧化物，包括钒氧化物(VOx)、钼氧化物(MoOx)、镍氧化物(NiOx)、等。据报道可用于有机EL设备的备选空穴注入材料参见EP 0891121 A1和EP 1029909 A1。
虽然不一定是必需的，但是形成空穴传输层45并使其位于底电极30和顶电极90之间往往是有用的。希望的空穴传输材料可以通过任何适当的方法从给体材料沉积，如蒸发，溅射，化学蒸汽沉积，电化学方式，热传递，或激光热传递。众所周知，用于空穴传输层45的空穴传输材料包括诸如芳族叔胺的化合物，其中后者被理解为包含至少一个仅仅键连到碳原子上的三价氮原子的化合物，其中至少一个所述氮原子是芳环的一员。在一种形式中，所述芳族叔胺可以是芳基胺，如单芳基胺，二芳基胺，三芳基胺，或多芳基胺。示例性的单体三芳基胺参见Klupfel等人的美国专利3,180,730。其他适当的被一个或多个乙烯基基团取代和/或包括至少一个含活性氢的基团的三芳基胺参见Brantley等人的美国专利3,567,450和3,658,520。
更优选类型的芳族叔胺是包括至少两个芳族叔胺片断的那些，如美国专利4,720,432和5,061,569所述。这种化合物包括由结构式A表示的那些 其中Q1和Q2是独立选择的芳族叔胺片断；和G是连接基，如碳-碳键的亚芳基，环亚烷基，或亚烷基基团。
在一个实施方案中，Q1或Q2中的至少一个包含多环稠合的环结构，如萘。当G是芳基时，其通常是亚苯基、亚联苯基、或亚萘片断。
一类有用的满足结构式A并包含两个三芳基胺片断的三芳基胺由结构式B表示 其中R1和R2彼此独立地表示氢原子、芳基、或烷基，或者R1和R2一起表示完整形成环烷基的原子；和R3和R4彼此独立地表示芳基，其又被二芳基取代的氨基取代，如结构式C所示 其中R5和R6是独立选择的芳基。在一个实施方案中，R5或R6中的至少一个包含多环稠环结构，例如，萘。
另一类芳族叔胺是四芳基二胺。所希望的四芳基二胺包括两个通过亚芳基连接的如式C所示的二芳氨基基团。有用的四芳基二胺包括由式D表示的那些 其中每一个Are是独立选择的亚芳基，如亚苯基或亚蒽基片断；n是1-4的整数；和Ar、R7、R8、和R9是独立选择的芳基。
在一个典型的实施方案中，Ar、R7、R8、和R9中的至少一个是多环稠环结构，例如萘。
上述结构式A、B、C、D中的各种烷基、亚烷基、芳基、和亚芳基片断可以各自又被取代。典型的取代基包括烷基，烷氧基，芳基，芳氧基，和卤素如氟、氯和溴。各种烷基和亚烷基片断通常包含1至约6个碳原子。环烷基片断可以包含3至约10个碳原子，但是通常包含5、6、或7个碳原子，例如，环戊基，环己基，和环庚基环结构。芳基和亚芳基片断通常是苯基和亚苯基片断。
OLED设备中的空穴传输层可以由单一芳族叔胺化合物或其混合物形成。具体而言，可以使用三芳基胺(如满足式B的三芳基胺)，与四芳基二胺(如由式D表示的四芳基二胺)的组合。当三芳基胺与四芳基二胺组合使用时，后者作为一个层插入到三芳基胺和电子注入及传输层之间。例证性的有用的芳族叔胺如下所示1，1-双(4-二-对-甲苯氨基苯基)环己烷1，1-双(4-二-对-甲苯氨基苯基)-4-苯基环己烷4，4′-双(二苯氨基)四联苯；双(4-二甲氨基-2-甲基苯基)-苯基甲烷N，N，N-三(对甲苯基)胺4-(二-对-甲苯氨基)-4′-[4-(二-对-甲苯氨基)-苯乙烯基]茋N，N，N′，N′-四-对-甲苯基-4，4′-二氨基联苯N，N，N，N′-四苯基-4，4′-二氨基联苯N-苯基咔唑聚(N-乙烯基咔唑)N，N′-二-1-萘基-N，N′-二苯基-4，4′-二氨基联苯4，4′-双[N-(1-萘基)-N-苯氨基]联苯4，4″-双[N-(1-萘基)-N-苯氨基]对-三联苯4，4′-双[N-(2-萘基)-N-苯氨基]联苯4，4′-双[N-(3-苊基)-N-苯氨基]联苯1，5-双[N-(1-萘基)-N-苯氨基]萘4，4′-双[N-(9-蒽基)-N-苯氨基]联苯4，4″-双[N-(1-蒽基)-N-苯氨基]对-三联苯4，4′-双[N-(2-菲基)-N-苯氨基]联苯4，4′-双[N-(8-荧蒽基)-N-苯氨基]联苯4，4′-双[N-(2-芘基)-N-苯氨基]联苯4，4′-双[N-(2-并四苯基)-N-苯氨基]联苯4，4′-双[N-(2-苝基)-N-苯氨基]联苯4，4′-双[N-(1-晕苯基)-N-苯氨基]联苯2，6-双(二-对-甲苯氨基)萘2，6-双[二-(1-萘基)氨基]萘2，6-双[N-(1-萘基)-N-(2-萘基)氨基]萘
N，N，N′，N′-四(2-萘基)-4，4″-二氨基-对-三联苯4，4′-双{N-苯基-N-[4-(1-萘基)-苯基]氨基}联苯4，4′-双[N-苯基-N-(2-芘基)-氨基]联苯2，6-双[N，N-二(2-萘基)胺]芴1，5-双[N-(1-萘基)-N-苯氨基]萘另一类有用的空穴传输材料包括如EP 1009041所述的多环芳香烃化合物。另外，可以使用聚合物类空穴传输材料，如聚(N-乙烯基咔唑)(PVK)，聚噻吩，聚吡咯，聚苯胺，和共聚物如聚(3，4-亚乙基二氧噻吩)/聚(4-苯乙烯磺酸盐)，也称为PEDOT/PSS。
发光层50响应于空穴-电子的重新组合而产生光。发光层50位于反光镜即底电极30和顶电极90之间，并且在形成的任何其他层如空穴传输层45之上。希望的有机发光材料可以通过任何适当的方法从给体材料沉积，如蒸发，溅射，化学蒸汽沉积，电化学方式，或辐射热传递。有用的有机发光材料众所周知。如美国专利4,769,292和5,935,721中更详细描述的那样，有机EL元件的发光层包括发光或荧光材料，其中由于该区域内电子空穴对的重新组合而产生电致发光。发光层可以由单一材料组成，但是更通常的是，包括掺杂有客体化合物或掺杂物的主体材料，其中发光主要来自于掺杂物。掺杂物的选择要用来产生具有特定光谱的彩色光。发光层中的主体材料可以是如下定义的电子传输材料，如上定义的空穴传输材料，或支持空穴-电子复合的另一种材料。掺杂物通常从高荧光染料中选择，但是磷光化合物，如WO98/55561、WO00/18851、WO00/57676、和WO00/70655中所述的过渡金属配合物也是有用的。掺杂物通常以0.01至10重量％的量涂覆到主体材料中。
用于选择作为掺杂物的染料的一种重要关系是比较带隙势能，其定义为分子最高占据分子轨道和最低空分子轨道之间的能量差。为了实现从主体材料到掺杂物分子的有效能量转移，必要条件是掺杂物的带隙低于主体材料的带隙。
已知可以使用的主体和发光分子包括，但是不局限于，以下美国专利公开的那些4,768,292；5,141,671；5,150,006；5,151,629；5,294,870；5,405,709；5,484,922；5,593,788；5,645,948；5,683,823；5,755,999；5,928,802；5,935,720；5,935,721；和6,020,078。
8-羟基喹啉的金属配合物和类似的衍生物(式E)构成一类有用的能够支持电致发光的主体材料，它们特别适用于500纳米以上波长的发光，如绿色，黄色，橙色，和红色 其中M表示金属；n是1-3的整数；和Z在各种情况下独立地表示完整形成具有至少两个稠合芳环的核的原子。
从上文显而易见，所述金属可以是一价、二价、或三价金属。所述金属可以是，例如碱金属，如锂，钠，或钾；碱土金属，如镁或钙；或土金属，如硼或铝。一般来说，可以使用被公知可用于螯合金属的任何一价、二价、或三价金属。
Z完整形式包含至少两个稠合芳环，其中至少一个芳环是唑或嗪环的一个杂环核。如果需要的话，另外的环，既包括脂肪族环也包括芳环，可以与所需的两个环稠合。为了避免增加分子质量而不提高其功能，环原子的数目通常维持在18个或以下。
例证性的有用的螯合的喔星类(Oxinoid)化合物如下CO-1三喔星铝[别名，三(8-羟基喹啉合)铝(III)]CO-2二喔星镁[别名，三(8-羟基喹啉合)镁(II)]CO-3双[苯并{f}-8-羟基喹啉合]锌(II)CO-4双(2-甲基-8-羟基喹啉合)铝(III)-μ-氧-双(2-甲基-8-羟基喹啉合)铝(III)CO-5三喔星铟[别名，三(8-羟基喹啉合)铟]CO-6三(5-甲基喔星)铝[别名，三(5-甲基-8-羟基喹啉合)铝(III)]CO-7喔星锂[别名，(8-羟基喹啉合)锂(I)]CO-8喔星镓[别名，三(8-羟基喹啉合)镓(III)]CO-9喔星锆[别名，四(8-羟基喹啉合)锆(IV)]9，10-二-(2-萘基)蒽(式F)的衍生物构成一类有用的能够支持电致发光的主体材料，其特别适用于大于400纳米波长的发光，如，蓝色，绿色，黄色，橙色或红色 其中R1，R2，R3，R4，R5，和R6表示一个或多个在各个环上的取代基，其中每一取代基独立地选自以下基团基团1氢，或1-24个碳原子的烷基；基团25至20个碳原子的芳基或取代芳基；基团3对完整形成蒽基、芘基、或苝基的稠合芳环说来必需的4至24个碳原子；基团4对完整形成呋喃基、噻吩基、吡啶基、喹啉基或其他杂环系统的稠合杂芳香环说来必需的5至24个碳原子的杂芳基或取代杂芳基；基团5烷氧基氨基，烷氨基，或1至24个碳原子的芳氨基；和基团6氟，氯，溴或者氰基。
吲哚衍生物(式G)构成另一类有用的能够支持电致发光的主体材料，它们特别适用于400nm以上波长的发光，如蓝色，绿色，黄色，橙色或红色 其中n是3-8的整数；Z是O、NR或S；
R′是氢；1至24个碳原子的烷基，例如，丙基，叔丁基，庚基，等；5至20个碳原子的芳基或杂原子取代的芳基，例如苯基和萘基，呋喃基，噻吩基，吡啶基，喹啉基及其他杂环系统；或卤素如氯，氟；或对完整形成稠合芳环说来必需的原子；和L是连接单元，包括烷基、芳基、取代烷基、或取代芳基，其与多个吲哚共轭或非共轭地连接在一起。
有用的吲哚的例子是2，2′，2″-(1，3，5-亚苯基)三[1-苯基-1H-苯并咪唑]。
所希望的荧光掺杂物包括蒽、并四苯、呫吨、苝、红荧烯、香豆素、若丹明、喹吖啶酮、二氰基亚甲基吡喃化合物、噻喃化合物、聚甲炔化合物、吡喃和噻喃化合物、以及喹诺酮化合物。有用的掺杂物的例证性实例包括，但是不局限于以下所列
其他的有机发光材料可以是聚合物，如Wolk等人在共同转让的美国专利6,194,119B1及其中引用的参考文献中所教导的聚亚苯基亚乙烯基衍生物，二烷氧基-聚亚苯基亚乙烯基，聚对亚苯基衍生物，和聚芴衍生物。
尽管未示出，但所述设备可以另外包括两个或更多个发射层，如果对于所得OLED设备的适当发射性质来说希望这种发射层的话。
虽然不一定是必需的，但是OLED设备10包括在发光层50之上形成的电子传输层55往往是有用的。希望的电子传输材料可以通过任何适当的方法从给体材料沉积，如蒸发，溅射，化学蒸汽沉积，电化学方式，热传递，或激光热传递。优选用于电子传输层55的电子传输材料是金属螯合喔星类化合物，包括喔星本身(通常也称为8-喹啉醇或8-羟基喹啉)的螯合物。这种化合物有助于注入和传输电子以及既显示高水平的性能同时也很容易制造成薄膜。预期的喔星类化合物的例子是先前所述满足结构式E的那些。
其他的电子传输材料包括如美国专利4,356,429公开的各种丁二烯衍生物和如美国专利4,539,507所述的各种杂环光学增亮剂。满足结构式G的吲哚也是有用的电子传输材料。
其他的电子传输材料可以是聚合物，如聚亚苯基亚乙烯基衍生物，聚对亚苯基衍生物，聚芴衍生物，聚噻吩，聚乙炔，及其他导电聚合物有机材料，如在导电分子和聚合物手册，第1-4卷中所列的那些，编者，H.S.Nalwa，John Wiley and Sons，Chichester(1997)。
很清楚，如本领域中常见的，一些上述的层可以具有一种以上的功能。例如，发光层50可以具有空穴传输性质或电子传输性质，如果OLED设备性能需要的话。空穴传输层45或电子传输层55，或两者都可以具有发光性质。在这种情况下，较少的层可以足以满足希望的发射性质。
有众多的可以成功实施本发明的有机EL介质层结构。发白光的有机EL介质层的实例参见，例如，EP 1187235；美国专利申请出版物2002/0025419 A1；EP 1182244，美国专利5,683,823；5,503,910；5,405,709；和5,283,182。如EP1187235 A2所示，在可见光谱区具有基本上连续光谱的发白光的有机EL介质可以通过包含以下层来实现处于阳极之上的空穴注入层40；处于空穴注入层40之上并且掺杂有用于在黄色光谱区发光的红荧烯化合物的空穴传输层45；掺杂有发蓝光的化合物且处于空穴传输层45之上的发光层50；和电子传输层55。
上述的有机EL介质材料通过汽相方法，如升华来适当沉积，但是也可以由流体，例如，由含有用于改善成膜能力的任选粘合剂的溶剂来沉积。如果所述材料是聚合物的话，可以用溶剂沉积，但是也可以使用其他的方法，如溅射或从给体片材上进行热传递。将要通过升华来沉积的材料可以从常常由钽材料组成的升华″船″蒸发，如美国专利6,237,529中所述，或者可以首先涂层到给体片材上然后在更接近于基材处升华。具有材料混合物的层可以使用独立的升华船或所述材料可以预先混合然后由单一船或给体片材来涂覆。
电子注入层60也可以存在于阴极和电子传输层之间。电子注入材料的实例包括碱金属或碱土金属，卤化碱金属盐，如上述的LiF，或碱金属或碱土金属掺杂的有机层。
如果不使用电子传输层的话，在电子传输层55上或者在发光层50上形成顶电极90。顶电极90也是反光镜。当光通过底电极30时，顶电极90的材料优选是一定厚度的反射金属，其厚度要使得光密度为1.5或更高，这样的话，它基本上是不透明的并且是反射性的。OLED设备的发射效率随着顶电极90的反射率增加而增加。顶电极90优选选自Ag，Au，Al，Mg，或Ca，或其合金。
当通过顶电极90观察发光时，它需要包括足够薄得以使它对于所发出的光来说是半透明的反射金属。它优选选自Ag或Au，或其合金。顶电极90的厚度范围要受到限制，并且需要选择以优化OLED设备10的预定波长下的发光输出。在某些情况下，也可以包括透明导电氧化层与顶电极90中的薄反射金属层的结合。因为薄的反射金属层具有侧电导性，因此透明导电氧化层的导电性不必很高。适当的材料包括铟氧化物(InOx)，锡氧化物(SnOx)，锌氧化物(ZnOx)，钼氧化物(MoOx)，钒氧化物(VOx)，锑氧化物(SbOx)，或其混合物。
阴极材料可以通过蒸发、溅射、或化学蒸汽沉积进行沉积。必要时，可以通过许多众所周知的方法形成图案，所述方法包括但不限于，通过掩模沉积，如美国专利5,276,380和EP 0732868所述的整体遮光，激光烧蚀，以及选择性的化学蒸汽沉积。
现在转到图2，其示出根据本发明另一个实施方案的OLED设备的剖视图。该实施方案与上述实施方案相似，不同之处是TIRF 25配置在基材20之上且在底电极30之下。
现在转到图3，其示出根据本发明第三个实施方案的发白光OLED装置的剖视图。在该实施方案中，没有离散的TIRF层。在基材20的波状表面上形成的底电极85起到TIRF的作用，用来散射和去截留从有机EL元件70发出的光。
图4是上述OLED设备10的剖视图，示意性地示出在微腔室中的发光效果。微腔室OLED设备在现有技术中已有报道，它用来提高色度和发射效率。尽管OLED设备10显示为从底部发光(即，底部发光装置)，但很清楚，在一些实施方案中，OLED设备10可以是顶部发光装置。
根据本发明，可以改变有机EL元件70的厚度以便调节微腔室共振波长。可以使用透明导电间隔层35作为用于调节微腔室共振波长的另外的方式。透明的导电间隔层35可以配置在金属电极之一和发光层50之间。它需要能透过发射光，并且需要能有助于在金属电极和发光层50之间传导电荷。因为只有通过膜导电是重要的，因此，体电阻率低于约108欧姆-厘米足矣。可以使用许多金属氧化物例如，但不限于，铟-锡氧化物(ITOx)，锌-锡氧化物(ZTOx)，锡氧化物(SnOx)，铟氧化物(InOx)，钼氧化物(MoOx)，碲氧化物(TeOx)，锑氧化物(SbOx)，和锌氧化物(ZnOx)。
在该实施方案中，光显示为在空穴传输层45和发光层50的界面上发出。光105沿着反射顶电极90的方向发射，并以反射光110的形式被反射。光115沿半透明底电极30的方向发射，并且一部分以部分反射光120的形式被反射，一部分以部分透射光125的形式传输。部分透射光140表示由OLED设备10发出在不同方向上的光。发出的光130是从OLED设备实际发出到空气中的光。
因为希望被半透明的金属反射底电极30吸收的光尽可能的低，因此，在半透明的金属底电极30和基材20之间加入一个减吸收层是有用的。该层的目的是在半透明底电极30本身内减少由光波产生的电场(并因此减少光波的吸收)。为了进行确切的近似，这一结果最好通过用传递到设备外的光的电场破坏性地干涉并因此部分抵消从减吸收层和基材20之间的界面反射回的光波的电场来实现。此时，基本的光学研究意味着当大致满足以下公式时将出现这一情况(对于折射指数比基材更高的减吸收层来说)2nALA+2nTLT＝(mA+1/2)λ 方程2其中nA和LA分别是减吸收层的折射指数和厚度；nT和LT分别是半透明阳极的折射指数和厚度的实数部分；和mA是非负整数。
优选mA尽量小，一般是0且通常低于2。
对于光通过顶电极90的OLED设备来说，减吸收层配置在顶电极90之上。
在备选性的设备结构中，底电极30可以是阴极，顶电极90可以是阳极。在这种情况下，将有机EL元件70适当地取向以便空穴注入和空穴传输层更接近于阳极，而电子注入和电子传输层更接近于阴极。
为完全覆盖可见光谱，可能希望提供两个或更多个具有不同发射光谱的不同微腔室。现在转到图5，其示出根据本发明OLED设备的平面图。OLED设备200包括第一颜色发射体210和第二颜色发射体220的带。第一和第二颜色发射体210和220可以是如上所述的单一OLED设备，其中微腔室已经被调节到各自能得到特定的互补颜色。例如，第一颜色发射体210可以具有提高红光发光的微腔室，而第二颜色发射体220则可以如上所述具有提高绿光发光的微腔室。例如，可以对一个发射体(如红色)提供透明的导电性间隔层35而对另一个发射体(如绿色)不提供这种间隔层。或者，另一个层如空穴传输层45的厚度可以发生变化以获得相同的效果。如果两个发射体足够接近且光集成元件充分，那么总的发射光将被感知为白色。TIRF 25可以进一步用来提高发光输出和白色OLED装置的光谱范围。
本领域技术人员将会懂得，有许多种方式能获得发白光的有机EL元件。特别令人感兴趣的用于大面积照明场合的一种方式是使用叠层OLED结构。叠层OLED在美国专利6,107,734；6,337,492；和6,274,980的现有技术中已经描述过。它包括两个或更多个垂直层叠在一起的OLED单元。每一个OLED单元具有它自己的有机EL元件，并且在一对OLED单元之间存在用于将电子供应到一个设备的电子传输层(ETL)中和将空穴供应到所述那一对单元中的另一个设备的空穴传输层(HTL)中的连接元件。所有这些单元均可以设计成能发出相同的白光光谱或者，它们可以各自被设计成能发出一部分可见光谱，并且在组合时它们能够产生白光。例如，这些单元中的一个可以被设计成能发红光，另一个能发绿光，这样的话，在一个非微腔室设备中，叠层的OLED设备组合发出白光。根据本发明，叠层OLED设备被构造成具有含两个反射金属电极的微腔室结构。所述微腔室的叠层OLED设备发出具有角依赖性的窄带光。然后，该微腔室的叠层OLED设备与光集成元件，和任选TIRF结合在一起，以获得白色OLED装置。
很清楚，其他的设备结构，如单块集成串联结构，例如Yuan-ShengTyan在2002年8月7日提交的、发明名称为“包括一系列OLED设备的OLED装置”、系列号为10/213,853的共同转让的美国专利申请中公开的；Ronald S.Cok等人于2002年8月7日提交的、发明名称为“串联连接的用于大面积照明的OLED设备”、系列号为10/214,035的共同转让的美国专利申请中公开的(其公开全部在此引入作为参考)以及Appl.Phys.Lett.，82，2580(2003)中公开的单块集成串联结构都可有效地与本发明组合使用。根据本发明，包括两个或更多个单一的单块串联连接的OLED元件的OLED设备与光集成器结合来得到白色OLED装置。设备中每一个单一OLED元件都构造成具有处于两个金属反射电极之间的白色有机EL元件的微腔室OLED设备。所有在前对于微腔室OLED设备的讨论也都适用于所述设备中的单一OLED元件。
在如下实施例中举例说明本发明使用微腔室来提高OLED设备输出的有效性。
实施例1(常规的OLED-对比例)根据以下所述制备常规的非微腔室OLED将涂有透明ITO导电层的1mm厚的玻璃基材用工业用玻璃洗涤器具洗净并干燥。ITO的厚度大约为42纳米，ITO的表面电阻大约为68Ω/平方。随后，用氧化性等离子体处理ITO表面以将该表面调节为阳极。通过在RF等离子体处理室中分解CHF3而将1纳米厚的CFx聚氟烃层沉积在干净的ITO表面上作为空穴注入层。然后，将基材转移到真空沉积室中以在基材顶上沉积所有其他层。通过从加热的船中在约10-6托的真空下升华而按以下顺序沉积以下层1)空穴传输层，107纳米厚，包括N，N′-二(萘-1-基)-N，N′-二苯基-联苯胺(NPB)；2)电子传输层(也起到发射层的作用)，62纳米厚，包括三(8-羟基喹啉)铝(III)(Alq)；3)电子注入层，1纳米厚，包括Li；和4)阴极，大约50纳米厚，包括Ag。
在沉积了这些层之后，将设备由沉积室转移到用于包封的干燥箱中。整个设备结构表示为玻璃/ITO(42)/CFx(1)/NPB(107)/Alq(62)/Li(1)/Ag(50)。
这一底部发光设备需要8.2V的驱动电压来传递20mA/cm2(的电流)，其发光效率是4.35cd/A，FWHM带宽是100纳米，色彩座标是CIE-x＝0.352，CIE-y＝0.562。在20mA/cm2下的发射光谱示于图6。发光几乎是Lambertian，几乎不具有角依赖性。Alq基OLED设备不是白色的，具有绿色发光，但是发射光谱宽，覆盖从450nm到650nm以上的范围。它通常用于举例说明本发明的实用性。
实施例2(常规的微腔室OLED设备)根据以下所述制造常规的微腔室OLED在玻璃基材上涂覆半透明的阳极层，22.5纳米厚，包括银，是通过在约4毫托氩气压力下进行DC溅射过程来涂覆的。使用热蒸发在真空室中将0.5纳米厚的氧化钼MoO3层作为空穴注入层沉积在Ag阳极层的表面上。通过从加热的船中在约10-6托的真空下升华而按以下顺序沉积以下层1)空穴传输层，430纳米厚，包括N，N′-二(萘-1-基)-N，N′-二苯基-联苯胺(NPB)；2)电子传输层(也起到发射层的作用)，70纳米厚，包括三(8-羟基喹啉)铝(III)(Alq)；3)电子注入层，1纳米厚，包括Li；和4)阴极，大约75纳米厚，包括Ag。
在沉积了这些层之后，将设备由沉积室转移到用于包封的干燥箱中。整个设备结构表示为玻璃/Ag(22.5)/MoO3(0.5)/NPB(430)/Alq(70)/Li(1)/Ag(75)。
在20mA/cm2下，该设备需要10.1伏特的驱动电压。在垂直于该设备的方向上，发光输出效率是1.7cd/A，色彩座标是CIE-x＝0.454，CIE-y＝0.351。在10mA/cm2下的发射光谱在图7中被表明为角度的函数。发光是角度的强函数，在每一角度下，发射光都包括两个窄峰。微腔室结构将Alq的宽带发射转变为角依赖性的窄带发射。该发射性能代表常规的微腔室OLED设备的发射性能。因此，常规的OLED设备明显不适合于白光场合。
实施例3对比的实施例2的微腔室OLED设备用来构成该实施例中的宽带发光OLED装置。将一片0.125毫米厚的特氟隆箔用真空脂光学连接至实施例2的微腔室OLED设备的玻璃基材外表面上。在不同角度得到的输出光谱示于图8。发光被表明几乎与角不相关且光谱输出类似于如实施例1和图6所示的Alq发射体的光谱输出。在所有角度上的总集成输出预计显示类似的形状并覆盖从450纳米至650纳米的宽波长范围。因为绿色Alq有机EL元件用于该实施例中，因此，所得的输出是绿色而不是白色。但是，所述OLED装置再现发射体光谱输出的能力很清楚地表明，如果使用发白光的有机EL元件，则会产生发白光的OLED装置。在该实施例中，0.125毫米的特氟隆箔既起到集成元件的作用，又起到TIFR的作用。它将装置的光谱输出变宽并降低了其角依赖性。
部件明细表10OLED设备20基材25总的-内部-反射阻挠元件30底电极35透明的导电间隔层40空穴注入层45空穴传输层50发光层55电子传输层60电子注入层70有机EL元件85底电极90顶电极95光集成元件100 白色微腔室OLED装置105 光110 反射光115 光120 部分反射光125 部分透射光130 发射光140 部分透射光200 OLED设备210 第一颜色发射体220 第二颜色发射体
权利要求
1.一种发白光的OLED装置，其包括微腔室OLED设备和光集成元件，其中所述微腔室OLED设备具有发白光的有机EL元件并且其被构造得具有角依赖性窄带发射，所述光集成元件将来自于微腔室OLED设备的不同角度的角依赖性窄带发射集成形成白光发射。
2.权利要求1的发白光OLED装置，其中所述微腔室OLED设备被调节得在法线方向上具有大于600纳米或低于500nm的峰值发射波长。
3.权利要求1的发白光OLED装置，其中所述微腔室OLED设备包括a)具有第一表面和第二表面的基材；b)位于基材的第一表面之上的金属底电极；c)与金属底电极间隔开来的金属顶电极；d)位于金属顶电极和金属底电极之间的发白光有机EL元件，其中金属电极之一是半透明的，另一个是基本不透明且反射光的；和e)其中金属电极形成微腔室结构，该结构将白光发射转化为角依赖性窄带光。
4.权利要求3的发白光OLED装置，其中用于半透明电极层的材料包括Ag或Au，或其合金。
5.权利要求3的发白光OLED装置，其中用于反射电极层的材料包括Ag、Au、Al、Mg、或Ca，或其合金。
6.权利要求1的发白光OLED装置，其中所述有机EL元件包括多个发光层。
7.权利要求1的发白光OLED装置，其中所述有机EL元件具有叠层结构。
8.权利要求1的发白光OLED装置，其中所述光集成元件与微腔室OLED设备被间隔开来。
9.权利要求1的发白光OLED装置，其中所述光集成元件连接到微腔室OLED设备上。
10.权利要求1的发白光OLED装置，其中所述光集成元件具有光散射结构。
11.权利要求1的发白光OLED装置，其中所述光集成元件包括分散在基质中的夹杂物，其中所述夹杂物的折射指数与基质的折射指数不同。
12.权利要求1的发白光OLED装置，其中所述光集成层元件包括负载有一种或多种白色颜料的塑料基质。
13.权利要求12的发白光OLED装置，其中所述白色颜料是TiO2。
14.权利要求1的发白光OLED装置，其中所述光集成元件包括具有不同折射指数的晶体和非晶体区的塑料层。
15.权利要求1的发白光OLED装置，其中所述光集成元件包括选自高密度聚乙烯、低密度聚乙烯、ETFE、聚苯乙烯、和聚丙烯的塑料层。
16.权利要求1的发白光OLED装置，其中所述光集成元件包括表面光散射结构。
17.权利要求1的发白光OLED装置，其中光集成元件包括透镜元件。
18.权利要求1的发白光OLED装置，其中所述光集成元件包括漫反射元件。
19.权利要求1的发白光OLED装置，其中所述微腔室OLED设备包括总的-内部-反射-阻挠元件。
20.权利要求19的发白光OLED装置，其中所述总的-内部-反射-阻挠元件包括光散射元件。
21.权利要求19的发白光OLED装置，其中所述微腔室OLED设备是底部发光的，且总的-内部-反射-阻挠元件位于基材的第二表面之上。
22.权利要求19的发白光OLED装置，其中总的-内部-反射-阻挠元件位于所述OLED设备的半透明电极的附近。
23.权利要求19的发白光OLED装置，其中所述总的-内部-反射-阻挠元件包括分散在基质中的夹杂物，其中所述夹杂物的折射指数与基质的折射指数不同。
24.权利要求19的发白光OLED装置，其中所述总的-内部-反射-阻挠元件包括负载有一种或多种白色颜料的塑料基质。
25.权利要求24的发白光OLED装置，其中所述白色颜料是TiO2。
26.权利要求19的发白光OLED装置，其中所述总的-内部-反射-阻挠元件包括具有不同折射指数的晶体和非晶体区的塑料层。
27.权利要求1的发白光OLED装置，其中所述总的-内部-反射-阻挠元件包括选自高密度聚乙烯、低密度聚乙烯、ETFE、聚苯乙烯、和聚丙烯的塑料层。
28.权利要求1的发白光OLED装置，其中所述总的-内部-反射-阻挠结构包括表面光散射结构。
29.权利要求1的发白光OLED装置，其中所述总的-内部-反射-阻挠结构包括透镜元件。
30.权利要求1的发白光OLED装置，其中所述总的-内部-反射-阻挠结构包括漫反射元件。
31.权利要求19的发白光OLED装置，其中所述总的-内部-反射-阻挠元件也起到光集成元件的作用。
32.权利要求1的发白光OLED装置，其中所述微腔室OLED设备具有单块集成串联结构。
33.权利要求1的发白光OLED装置，其中所述微腔室OLED设备具有两个或更多发光区，其中每一个都调节得发出不同的角度依赖性窄带发射光谱。
34.权利要求1的发白光OLED装置，其中所述微腔室OLED设备具有两个或更多个发光区域，其中有至少一个区域具有大于550纳米的峰值发射波长，一个区域具有低于550nm的峰值发射波长。
全文摘要
一种发白光的OLED装置包括微腔室OLED设备和光集成元件，其中所述微腔室OLED设备具有发白光的有机EL元件并且其被构造得具有角依赖性窄带发射，所述光集成元件将来自于微腔室OLED设备的不同角度的角依赖性窄带发射集成形成白光发射。
文档编号H01L51/52GK1864283SQ200480029144
公开日2006年11月15日 申请日期2004年9月29日 优先权日2003年10月7日
发明者Y·-S·田, S·A·范斯利克, J·D·肖尔, G·法鲁加, T·R·库什曼 申请人:伊斯曼柯达公司