专利名称：径向倾斜的抛光垫的制作方法
技术领域：
本发明一般涉及用于化学机械抛光的抛光垫领域。具体地说，本发明涉及可用来对磁性基片、光学基片和半导体基片进行化学机械抛光的经过修整的抛光垫。
背景技术：
在集成电路和其他电子器件的制造过程中，将多层导电、半导体和介电材料沉积到半导体晶片表面上，然后又从半导体晶片表面上将其清除。可以使用许多沉积技术沉积导电、半导体和介电材料薄层。现代晶片加工中的常规沉积技术包括物理蒸气沉积(PVD)(也称为溅射)、化学蒸气沉积(CVD)、等离子体辅助的化学蒸气沉积(PECVD)和电化学镀等。常规清除技术包括湿法和干法的各向同性和各向异性蚀刻等。
随着各材料层按照顺序被沉积和蚀刻，晶片的上层表面变得不平坦。由于随后的半导体加工(例如金属化)要求该晶片具有平坦表面，所以需要对晶片进行平坦化。平坦化适合于除去不希望有的表面形貌和表面缺陷，例如粗糙表面、成团材料、晶格损坏、划痕和被污染的层或材料。在晶片规模中，用均匀性来量度平坦化。通常在晶片表面上的几十个至几百个点上测量薄膜厚度，计算标准偏差。还在器件形貌规模测量平坦化。根据凹陷和腐蚀等情况确定其纳米形貌。通常在较高的频率解析纳米图像，但是在较小的区域测量。
化学机械平坦化，即化学机械抛光(CMP)是用来对半导体晶片等工件进行平坦化即抛光的常用技术。在常规CMP中，将晶片载体即抛光头安装在载体组合件上。抛光头固定晶片，使晶片与CMP设备中抛光垫的抛光层接触。载体组合件在晶片和抛光垫之间施加可控的压力。同时，使浆料或其他抛光介质流到抛光垫上，流入晶片和抛光层之间的间隙中。为有效抛光，抛光垫和晶片通常彼此相对旋转。晶片表面因抛光层和表面上抛光介质的化学和机械作用而被抛光、变平。抛光垫在晶片下面旋转时，晶片通常扫过一环形的抛光轨迹，即抛光区域，其中该晶片表面直接面对抛光层。
在抛光垫设计中重要的问题包括抛光介质在抛光层表面上的分布，新鲜抛光介质流入的抛光轨迹，用过的抛光介质从抛光轨迹中流出，以及流过抛光区域而基本上没有用过的抛光介质的量等。解决这些问题的一种方法是使抛光垫具有有凹槽的宏观结构。近年来，已实现了许多不同的凹槽图案和构型。通常的凹槽图案包括径向图案、同心圆状图案、笛卡儿格子状图案和螺旋形状图案等。
凹槽图案和构型除了会影响抛光介质的分布和流动以外，还会影响CMP法的其它重要方面，从而最终影响晶片的平整性，例如抛光速率、边缘效应、凹陷等。另外，凹槽图案和构型还会通过被称为“凹槽图案转移”的现象影响晶片的平整性。这种现象的结果是某些凹槽图案在晶片表面上形成对应于抛光垫上凹槽图案的相关结构(coherent structure)。很重要的是，圆周凹槽(与抛光垫速度切线方向形成小的夹角的凹槽)，即环形凹槽、环形x-y凹槽或螺旋凹槽，比x-y凹槽即径向凹槽产生更为显著的凹槽图案转移效果。
修整抛光垫对于保持稳定的表面抛光性能很重要。随着时间的流逝，抛光垫的表面受到磨损，抛光表面的微结构变平(“磨光(glazing)”)。另外，CMP过程中产生的碎屑会堵塞用来使浆液流过抛光表面的微沟槽(micro channel)。发生该情况时，CMP的抛光速率会降低；这可能导致各晶片间或晶片内抛光不均匀。周期性或连续的“原位”修整在抛光表面上产生新的结构，以有效保持所需的抛光速率和CMP过程中的均匀性。
常规的抛光垫修整是用修整圆盘机械摩擦抛光表面来进行的。所述修整圆盘通常具有由嵌入的金刚石点组成的粗糙修整表面。在CMP过程停止时或在CMP进行中使修整圆盘与抛光表面接触。通常修整圆盘在相对抛光垫旋转轴固定的位置旋转，当抛光垫旋转时扫过一个环形的修整区域。所述的修整过程在修整区域内进行均匀的修整，由于抛光台的线速度超过修整圆盘上任一点的线速度，微沟槽通常沿圆周倾斜取向。
现有技术描述了通过不均匀的修整增加抛光介质在抛光表面上的流动。例如，在Breivogel等的美国专利第5216843号中，揭示了一种具有由金刚石点修整法形成的圆周向大凹槽和径向微凹槽的抛光垫。然而，Breivogel等的抛光垫包括圆周向的凹槽，会造成不希望有的凹槽图案转移。这种凹槽图案转移会产生具有不希望有的相关结构的不均匀晶片，因为这种结构造成某些晶片区域抛光不充分。这种凹槽图案转移造成的相关结构通常高数十纳米或更高，是未来的半导体晶片制造所无法接受的。
需要能够控制抛光介质在CMP过程中的分布和流动，能够制得具有更高平整性的均匀晶片的抛光垫。
发明内容
本发明一个方面包括可用来抛光磁性基片、光学基片和半导体基片中至少一种的抛光垫，该抛光垫包括a)抛光层，该抛光层具有一旋转中心，以及与该旋转中心同心并具有一定宽度的环形抛光轨迹，该环形抛光轨迹的宽度不含非径向凹槽，以减少凹槽图案转移，非径向凹槽是取向与相对于旋转中心的圆周的夹角小于30度的凹槽；b)位于所述环形抛光轨迹宽度内抛光层中的大量径向微沟槽，大部分径向微沟槽主要为径向取向，平均宽度小于50微米。
本发明另一个方面包括可用来抛光磁性基片、光学基片和半导体基片中至少一种的抛光垫，该抛光垫包括a)抛光层，该抛光层具有一旋转中心，以及与该旋转中心同心并具有一定宽度的环形抛光轨迹，该环形抛光轨迹的宽度包含径向凹槽，该径向凹槽具有一定的平均横截面积；b)位于所述环形抛光轨迹宽度内抛光层中的大量径向微沟槽，所述径向微沟槽的平均横截面积至少小于径向凹槽横截面积的十分之一(at a multiple of at least ten)，大部分径向微沟槽主要为径向取向。
本发明另一方面包括在抛光介质的存在下抛光磁性基片、光学基片和半导体基片中至少一种的方法，该方法包括用抛光垫进行抛光，该抛光垫包括抛光层，该抛光层具有一旋转中心，以及与该旋转中心同心并具有一定宽度的环形抛光轨迹，该环形抛光轨迹的宽度不含非径向凹槽，以减少凹槽图案转移，非径向凹槽是取向与相对于旋转中心的圆周的夹角小于30度的凹槽；位于所述环形抛光轨迹宽度内抛光层中的大量径向微沟槽，大部分径向微沟槽的主要为径向取向，平均宽度小于50微米；在抛光过程中修整该抛光垫，引入另外的径向微沟槽。
本发明另一方面包括在抛光介质的存在下抛光磁性基片、光学基片和半导体基片中至少一种的方法，该方法包括用抛光垫进行抛光，该抛光垫包括抛光层，该抛光层具有一旋转中心，以及与该旋转中心同心并具有一定宽度的环形抛光轨迹，该环形抛光轨迹的宽度包含径向凹槽，该径向凹槽具有一定的平均横截面积；位于所述环形抛光轨迹宽度内抛光层中的大量径向微沟槽，所述径向微沟槽的平均横截面积至少小于径向凹槽横截面积的十分之一(at amultiple of at least ten)，大部分径向微沟槽主要为径向取向；在抛光过程中修整该抛光垫，引入另外的径向微沟槽。
图1是本发明具有径向凹槽的抛光垫的平面图；图1A是图1抛光垫的放大平面图；图2是本发明另一具有弯曲的径向凹槽的抛光垫的平面图；图2A是图2抛光垫的放大平面图；图3是本发明另一具有阶梯状径向凹槽的抛光垫的平面图；图3A是图3抛光垫的放大平面图；图4是图1抛光垫的平面示意图，它带有修整板，以利用无凹槽的抛光垫实施本发明的方法。
图4A是图4无凹槽的抛光垫的示意图。
具体实施例方式
本发明涉及具有宏观结构和微结构的抛光垫，所述宏观结构和微结构可减少在制得的抛光基片上的凹槽图案转移影响。已发现径向修整可减少磁性基片、光学基片和半导体基片表面上的不均匀性。出于本说明书的目的，径向方向表示与从抛光垫中心至其圆周的直线(“径向”)之间的夹角小于60°的路径。较佳的是，微沟槽与径向夹角在45°以内，最优选在30°以内。通过修整制得的径向微沟槽能够促进浆料向外的分布，以减少具有凹槽图案转移现象的抛光区域。通常径向取向的微沟槽所占的百分比越大，抛光所产生的抛光不充分的区域越少。出于本说明书的目的，大多数径向倾斜的微沟槽表示线性合计(lineartotal)测得的径向微沟槽总和大于线性合计测得的非径向微沟槽。当用抛光介质抛光基片时，这些径向修整的抛光垫在对应于微沟槽频率的程度上可促进晶片的均匀性。在本说明书中，术语“抛光介质”包括含颗粒的抛光溶液和不含颗粒的溶液，例如无磨料抛光溶液和活性液体抛光溶液。
通常的聚合物抛光垫材料包括聚碳酸酯、聚砜、尼龙、聚醚、聚酯、聚醚-聚酯共聚物、丙烯酸类聚合物、聚甲基丙烯酸甲酯、聚氯乙烯、聚乙烯共聚物、聚丁二烯、聚乙烯亚胺、聚氨酯、聚醚砜、聚醚酰亚胺、聚酮、环氧化物、硅氧烷、它们的共聚物和混合物。较佳的是，该聚合材料是聚氨酯；最优选为交联的聚氨酯，例如Rohn and Haas Electronic Materials CMP Technologies制造的IC1000TM和VisionPadTM抛光垫。这些抛光垫通常包含源自双官能或多官能异氰酸酯的聚氨酯，例如聚醚脲、聚异氰尿酸酯、聚氨酯、聚脲、聚氨酯脲、它们的共聚物和它们的混合物。
这些抛光垫可以是多孔性的或非多孔性的。如果是多孔性的，抛光垫的孔隙率通常至少为0.1体积％。这种孔隙率提高了抛光垫输送抛光液的能力。较佳的是，抛光垫的孔隙率为0.2-70体积％。最佳的是，抛光垫的孔隙率为0.25-60体积％。优选孔或填料颗粒的重均直径为1-100微米。最优选孔或填料颗粒的重均直径为10-90微米。另外，10-30微米(最优选15-25微米)的重均直径可进一步改进抛光性能。膨胀的空心聚合物微球体的标称重均直径通常为10-50微米。可任选地将未膨胀的空心聚合物微球体直接加入液体预聚物混合物中。未膨胀的微球体通常在浇注过程中原位膨胀。
可通过以下方式引入孔隙率浇铸预先膨胀的或原位膨胀的空心微球体；使用化学发泡剂；使用氩气、二氧化碳、氦气、氮气和空气之类的溶解气体，或超临界二氧化碳之类的超临界流体；烧结聚合物颗粒；选择性溶解；机械充气，例如搅拌；或使用粘合剂使聚合物颗粒聚集。
另外，聚合物抛光垫可包括聚合物成膜材料，将该材料制成液体溶剂溶液，对一层这种溶液进行干燥，形成常规的固体聚合物膜(即在常温下为固体)。该聚合物材料可由单一聚合物或其混合物制成，并带有添加剂，所述添加剂如固化剂、着色剂、增塑剂、稳定剂和填料。聚合物的例子包括聚氨酯聚合物、氯乙烯聚合物、聚酰胺、聚酯酰胺、聚酯、聚碳酸酯、聚乙烯醇缩丁醛、聚α-甲基苯乙烯、聚偏二氯乙烯、丙烯酸和甲基丙烯酸的烷基酯、氯磺化聚乙烯、丁二烯和丙烯腈的共聚物、纤维素酯和纤维素醚、聚苯乙烯和它们的组合。较佳的是，多孔凝固的抛光垫具有由聚氨酯聚合物形成的多孔基质(matrix)。最优选的是，多孔抛光垫通过凝聚聚醚氨酯和聚氯乙烯形成，例如Rohm and HaasElectronic Materials CMP Technologies制造的PolitexTM抛光垫。可将凝固的基质沉积在毡型或膜基基质上，例如MylarTM聚邻苯二甲酸乙二酯膜。所述多孔基质具有无纤维抛光层。出于本说明书的目的，抛光层是抛光垫中能够在抛光过程中与基片接触的部分。尽管封闭的孔或非网状结构是可以接受的，但是最优选该结构是其中包含连接这些孔的微孔开口的开放或网状孔结构。该微孔网状结构允许气体从其孔中流过，但是限制浆液渗入抛光垫中，从而在抛光过程中保持更均匀的抛光垫厚度。
通常径向微沟槽的平均宽度小于50微米，但是结合了有力的(aggressive)金刚石修整后，其宽度可高达100、150或200微米。根据金刚石的形状、切割速率和基片，微沟槽的深度通常至少等于微沟槽宽度，或为微沟槽宽度的2倍或3倍。由于伴随抛光的磨损以及连续或半连续的修整，抛光垫将包括具有各种高度和宽度的微沟槽。大多数微沟槽在晶片轨迹中沿径向取向，但是优选至少80％的微沟槽在晶片轨迹中沿径向取向。最优选的是，所有的微沟槽都在晶片轨迹中沿径向取向。尽管通常的CMP抛光可依靠抛光过程中晶片的振动提高均匀性，但是出于本发明的目的，短语“在抛光轨迹中”或“在晶片轨迹中”表示在无振动条件下得到的晶片轨迹。
对于多孔抛光垫基片，抛光垫通常具有长度至少是平均孔径100倍的径向微沟槽。较佳的是，多孔抛光垫具有长度至少是平均孔径10000倍的径向微沟槽。在径向方向长度的增加有助于促进浆液流动、去除碎屑和减少向基片(例如半导体晶片)上的图案转移。
另外，为避免产生与凹槽相关的抛光不充分的(under polished)区域，抛光垫优选在晶片轨迹中不含环形或螺旋形凹槽。最优选的是，抛光垫不含与相对于旋转中心的圆周的夹角在30度以内的凹槽。这避免了产生与最严重的凹槽图案转移问题相关的凹槽结构。为进一步限制凹槽图案转移，抛光垫在环形抛光轨迹内可任选不含平均横截面积(对于矩形凹槽截面，是平均凹槽深度乘以平均凹槽宽度)大于15000平方微米的凹槽。可任选进一步限制以在环形抛光轨迹内除去横截面积大于7500平方微米的凹槽。
除径向微沟槽以外，所述抛光垫优选包括径向大凹槽，例如直的径向凹槽、弯曲的径向凹槽、阶梯状径向凹槽或其它径向倾斜(radical-biased)凹槽。为径向微沟槽添加径向凹槽进一步提高了清除速率，促进了碎屑的清除。引入弯曲的径向凹槽可进一步提高在整个基片上的抛光均匀性。这些弯曲的径向设计在大尺寸抛光中，例如抛光300毫米的半导体晶片时特别有效。在添加径向凹槽时，凹槽的横截面积通常至少比微沟槽的横截面积大10倍。较佳的是，凹槽的横截面积通常至少比微沟槽的横截面积大100倍。出于本说明书的目的，此横截面积比表示在抛光过程中的初始比，不表示在抛光过程结束时的最终比，这是由于修整和抛光垫磨损会显著减小凹槽深度。
现在参见附图，图1显示具有圆周101和旋转中心102的抛光垫100。当在CMP过程中抛光垫100旋转时，固定着与抛光层(图中未显示)保持接触的晶片130扫出一环形抛光轨迹(即晶片轨迹)125，该轨迹具有外边界131，内边界132，宽133。另外，抛光垫可具有凹槽，例如直的径向凹槽120，以增加浆液驻留时间和促进抛光效率。
图1A显示图1抛光垫100中140区域中抛光层的放大图。图中显示具有宽度121的直的径向凹槽120。该宽度可变化，但是较佳的是所有凹槽的宽度121都相同，而且沿沟槽长度的宽度121是均匀的。该直的径向凹槽120还可具有深度，该深度随修整和抛光逐渐减小。在直的径向凹槽120之间的区域是径向微沟槽151、152、153和154。径向微沟槽151、152、153和154也可具有宽度(未显示)。径向微沟槽的宽度和横截面积小于凹槽121的宽度和横截面积。
径向微沟槽可具有许多图案和构型。例如，该径向微沟槽可以是直的径向微沟槽151、152和153，或者可以像径向微沟槽154那样是弯曲的。径向微沟槽可以像径向微沟槽152那样连续地通过抛光轨迹，或者也可是分开的径向微沟槽151或153。径向微沟槽段可以像微沟槽153那样规则分隔、长度均匀，或者也可像微沟槽151那样不均匀分隔、长度不均匀。另外，径向微沟槽在整个抛光轨迹宽度可具有均匀的密度，或者密度也可在径向上、圆周向上、或同时在这两个方向上变化。通常微沟槽密度的增加相当于局部去除速率的提高。径向微沟槽151、152、153和154任选地与凹槽120相交，以促进抛光介质的径向流动，提高对抛光碎屑的去除速率。在另一任选实施方式中，径向微沟槽151、152、153和154不与凹槽120相交。
图中为了简化起见，径向微沟槽151、152、153和154具有相同的形态。尽管本发明的抛光垫，例如抛光垫100在凹槽之间(或不含凹槽的抛光垫中的不同区域)具有不同的微沟槽图案和构型，但是优选的是抛光垫仅有一种微沟槽图案和构型，或者在抛光表面上具有以对称方式设置的多种微沟槽构型。
参见图2，弯曲的径向抛光垫200具有圆周201、旋转中心202、用于抛光晶片230的抛光轨迹225，该轨迹具有外边界231、内边界232，具有宽度233。抛光垫200具有弯曲的径向凹槽220。如图所示，弯曲的径向凹槽220在抛光轨迹232的内边界具有第一端，在圆周201上具有第二端。弯曲的圆周凹槽可特别有用地控制晶片上的去除速率，用来调节中心快和中心慢的抛光。或者，弯曲的径向凹槽220(像本发明的任何径向凹槽一样)可具有靠近旋转中心202或位于抛光轨迹内的第一端。类似地，弯曲的径向凹槽220(或其它凹槽)可具有位于抛光轨迹内或靠近外边界231的第二端。
图2A显示图2区域240中抛光层上微沟槽的放大图。如图所示，弯曲的径向凹槽220具有宽度221。所示径向微沟槽251、252、253和254位于径向凹槽220之间各自的区域内。在一些包含弯曲的径向凹槽220的实施方式中，优选使径向微沟槽，即直的径向微沟槽251或弯曲的径向微沟槽254与凹槽(即弯曲的径向凹槽220)相交。这可促进浆液流动和碎屑去除。在其它实施方式中，优选径向微沟槽的主要引入方式是不与径向凹槽相交，即弯曲的径向微沟槽252和间断的弯曲径向微沟槽253。
在图3中，阶梯式径向凹槽抛光垫300具有圆周301、旋转中心302，晶片330占据着具有外边界331、内边界332和宽度333的抛光轨迹325。抛光垫300具有弯曲的径向凹槽320和321。弯曲的径向凹槽321具有靠近旋转中心302的第一端和位于抛光轨迹325内的第二端。弯曲的径向凹槽320具有位于抛光轨迹325内的第一端和靠近圆周301的第二端。弯曲的径向凹槽320和321可促进抛光介质的抛光效率的提高。此图显示具有相同的图案和取向的弯曲径向凹槽320和321，但是它们可具有不同的图案和取向。例如，任选地可具有两组以上的径向凹槽，各组凹槽之间不需要相间。较佳的是这些凹槽以规则的图案相间(如图所示对于具有两组凹槽的抛光垫而言)。图中弯曲的径向凹槽320和321具有重叠区域310，但并不一定要如此。较佳的是，对于具有几组径向凹槽的抛光垫，重叠区域310大于抛光轨迹325宽度333的20％。最佳的是，重叠310大于抛光轨迹325宽度333的50％。
在图3A中，图3的抛光区域340显示了弯曲的径向凹槽320和321。这些凹槽具有宽度322，凹槽320和321的宽度可相同或不同。在弯曲的径向凹槽320和321之间的区域具有弯曲的径向微沟槽351。弯曲的径向微沟槽351通常沿着凹槽320和321的弧，以免交叉。直线形径向微沟槽352与弯曲的径向凹槽320和321相交。最后，弯曲的微沟槽353具有倾斜着与弯曲的径向凹槽320和321相交的曲率。
参见图4，无凹槽的抛光垫400具有圆周401、旋转中心402，晶片430占据着具有外边界431、内边界432和宽度433的抛光轨迹425。抛光垫400不含常规的凹槽，修整板460沿465方向反复振荡，修整抛光垫400的抛光表面(图中未显示)。修整板465的表面优选包括以一定图案排列的切割装置(图中未显示)，例如金刚石齿。这种切割装置的排列图案可以是规则或不规则的，修整表面内齿的密度可以改变。较佳的是，修整板是楔形的，或具有不同的冲程长度(strokelength)，从而在抛光轨迹425中更均匀地修整。
为修整抛光垫400，至少一部分修整板460与抛光垫400的抛光层接触。然后使修整板沿465方向相对抛光垫运动。图中所示465方向是直的而且是径向的，但是也可采用其它方向。另外，图中所示修整板相对于抛光垫的运动是振动，但是也可为单方向运动。可使用常规的单轴装置，例如枢轴臂或滑块；或常规的多轴装置，例如x-y滑块或可延伸枢轴臂控制该修整板。修整板的运动还可包括垂直运动，使修整板与抛光垫400的抛光层间断性接触。为满足本发明的需要，很重要的是修整板460在平行于抛光垫400抛光层的平面中的运动比抛光垫400的线速度快。
参见图4A，任选的微沟槽图案包括平行径向微沟槽451、径向微沟槽452、弯曲径向微沟槽453、阶梯状或支路状径向微沟槽454和间断的径向微沟槽455。另外，根据所需优选的抛光介质流动方向，这些微沟槽也可具有其它图案和图案密度。这些微沟槽可有益地控制抛光介质小规模的流动。例如，弯曲的径向微沟槽可修正晶片均匀性，例如中心快或中心慢的均匀性问题，阶梯状微沟槽可提高抛光介质的效率。
或者，修整板也可以是可旋转的圆盘。该修整圆盘可以是平的、弯曲的(碗形的，或利用平圆盘的边缘)，或具有大量位于不同平面的平坦表面。例如，可使修整板在与抛光垫所在平面不同的表面内旋转，旋转时使该修整板的至少一部分修整表面与抛光垫的抛光表面接触，以形成径向微沟槽。另外，修整冲程越长、修整板越宽，平行微凹槽的比例会越大。较佳的是，该修整过程依靠增加较窄的修整板的高速冲击的数量来增加径向微沟槽的比例。这些冲击优选不与抛光垫的转速同步，使微沟槽平坦分布在抛光轨迹内。另外，使修整板的轴臂沿抛光垫旋转方向弯曲可进一步提高微沟槽的径向取向。
另外的不使用修整圆盘修整该抛光垫的方法是(例如)使用刮刀之类的刀片或CNC工具之类的磨具摩擦抛光垫的抛光表面。另外，任选使用激光、高压液体或气体喷射机或其它方法擦去或摩擦抛光层的抛光表面，产生微沟槽。最优选的是，在抛光过程中进行连续的原位修整。另外，在一些任选的实施方式中，可在径向修整的同时配以使用旋转圆盘(例如圆形金刚石圆盘)的常规修整。然而，较佳的是，晶片轨迹中大部分微沟槽主要沿径向取向，以减少凹槽图案转移影响。
权利要求
1.一种可用来抛光磁性基片、光学基片和半导体基片中至少一种的抛光垫，该抛光垫包括a)抛光层，该抛光层具有一旋转中心，以及与该旋转中心同心并具有一定宽度的环形抛光轨迹，该环形抛光轨迹的宽度不含非径向凹槽，以减少凹槽图案转移，非径向凹槽是取向为与相对于旋转中心的圆周的夹角在30度以内的凹槽；b)位于所述环形抛光轨迹宽度内的抛光层中的大量径向微沟槽，大部分径向微沟槽主要为径向取向，其平均宽度小于50微米。
2.如权利要求1所述的抛光垫，其特征在于，在所述环形抛光轨迹内，抛光层不含平均横截面积大于15000平方微米的凹槽。
3.一种可用来抛光磁性基片、光学基片和半导体基片中至少一种的抛光垫，该抛光垫包括a)抛光层，该抛光层具有一旋转中心，以及与该旋转中心同心并具有一定宽度的环形抛光轨迹，该环形抛光轨迹的宽度包含径向凹槽，该径向凹槽具有一定的平均横截面积；b)位于所述环形抛光轨迹宽度内的抛光层中的大量径向微沟槽，所述径向微沟槽的平均横截面积至少小于所述径向凹槽平均横截面积的十分之一，大部分径向微沟槽主要为径向取向。
4.如权利要求3所述的抛光垫，其特征在于，大多数所述径向微沟槽不与所述径向凹槽相交。
5.如权利要求3所述的抛光垫，其特征在于，所述抛光层包括弯曲的径向凹槽，所述径向微沟槽包括弯曲的径向微沟槽。
6.如权利要求1所述的抛光垫，其特征在于，在所述环形抛光轨迹内，抛光层不含平均横截面积至少为15000平方微米的凹槽。
7.在抛光介质的存在下抛光磁性基片、光学基片和半导体基片中至少一种的方法，该方法包括用抛光垫进行抛光，所述抛光垫包括抛光层，该抛光层具有一旋转中心，以及与该旋转中心同心并具有一定宽度的环形抛光轨迹，该环形抛光轨迹的宽度不含非径向凹槽，以减少凹槽图案转移，非径向凹槽是取向为与相对于旋转中心的圆周的夹角小于30度的凹槽；位于所述环形抛光轨迹宽度内抛光层中的大量径向微沟槽，大部分径向微沟槽主要为径向取向，平均宽度小于50微米；在抛光过程中修整该抛光垫，引入另外的径向微沟槽。
8.在抛光介质的存在下抛光磁性基片、光学基片和半导体基片中至少一种的方法，该方法包括用抛光垫进行抛光，该抛光垫包括抛光层，该抛光层具有一旋转中心，以及与该旋转中心同心并具有一定宽度的环形抛光轨迹，该环形抛光轨迹的宽度包含径向凹槽，该径向凹槽具有一定的平均横截面积；位于所述环形抛光轨迹宽度内抛光层中的大量径向微沟槽，所述径向微沟槽的平均横截面积至少小于径向凹槽横截面积的十分之一，大部分径向微沟槽主要为径向取向；在抛光过程中修整该抛光垫，引入另外的径向微沟槽。
9.如权利要求8所述的方法，其特征在于，所述修整引入微沟槽，其中大部分径向微沟槽不与径向凹槽相交。
10.如权利要求8所述的方法，其特征在于，所述径向凹槽是弯曲的径向凹槽，所述修整引入弯曲的径向微沟槽。
全文摘要
可用来抛光磁性基片、光学基片和半导体基片的抛光垫。该抛光垫包括抛光层，该抛光层具有一旋转中心，以及与该旋转中心同心并具有一定宽度的环形抛光轨迹。该环形抛光轨迹的宽度不含非径向凹槽。该抛光垫具有位于所述环形抛光轨迹宽度内抛光层中的大量径向微沟槽，大部分径向微沟槽主要为径向取向，其平均宽度小于50微米。
文档编号H01L21/304GK1846940SQ20061007477
公开日2006年10月18日 申请日期2006年4月11日 优先权日2005年4月12日
发明者G·P·马尔多尼 申请人:罗门哈斯电子材料Cmp控股股份有限公司