专利名称：改良的发光型热电效应芯片的制作方法
技术领域：
本实用新型涉及一种发光型热电效应芯片，尤其是一种以蓝宝石(A1203) 基板作为冷区的改良的发光型热电效应芯片。
背景技术：
发光热电效应芯片工作时总是伴随着热量的产生，发光区的温度过高时， 不仅会影响其工作，还会降低发光二极管(LED)的寿命，进而影响到整个芯片。 为此，现有致冷技术如图1中普遍采用将单个LED串接在一起，再在其下设置 一片致冷晶片，使LED及陶瓷基板A作为冷区，陶瓷基板B作为热区的技术方 案。这种技术方案的缺点是致冷晶片需额外电源提供，因此较无致冷晶片之使 用耗电.
实用新型内容
本实用新型要解决的技术问题是提供一种结构相对简单、不需要外加配有 额外电源的致冷晶片、可实现模块化生产的改良的发光型热电效应芯片。
为解决上述技术问题，本实用新型采用如下技术方案 一种改良的发光型
热电效应芯片，包括陶瓷基底和由蓝宝石(A1A)基板、N型接触层、P型接触 层、发光层以及P型电极和N型电极组成的标准LED芯片单元，其特征在于 所述的改良的发光型热电效应芯片包含若干个标准LED芯片单元，该热电效应 芯片以陶瓷基底作为热区，AU)3基板作为冷区，Al203基板将各LED芯片单元的 N型接触层连接在一起，陶瓷基底连接导电金属板，导电金属板将前一LED芯片 单元的N型电极和后一 LED芯片单元的P型电极连接在一起，从而将各LED芯 片单元串接在一起，并由P型焊垫和N型焊垫封闭构成整个所述的改良的发光型热电效应芯片。所述的P型焊垫从Al203基板延伸至导电金属板，N型焊垫从 八1203基板延伸至N型接触层。
本实用新型去掉了现有技术中的作为冷区的陶瓷基底，代之直接以A1A基 板作为冷区，从而节省了材料，降低了成本，并且不需要外加配有额外电源的 致冷晶片来致冷;本实用新型的LED芯片单元采用共同的A1A基板，即通过A1A 基板将各LED芯片单元的N型接触层连接在一起，相连的LED芯片单元的N电 极和P电极则由导电金属板连接，从而将各LED芯片单元串接在一起，而传统 发光热电效应芯片的内部采用单个的独立LED芯片，因此本实用新型的结构相 对简单，可以实现模块化生产。
图1为现有技术热电效应芯片的结构示意图 图2为本实用新型的结构示意图。 图3为标准LED的结构示意图。
图中，l为陶瓷基底，2为A1A基板，3为P型焊垫，4为N型焊垫，5为N 型接触层，6为发光层，7为P型接触层，8为P型电极，9为导电金属板，10 为N型接触层。
具体实施方式
本实施例中，参照图2和图3，所述的改良的发光型热电效应芯片，包括陶 瓷基底1和由蓝宝石(A1203)基板2、 N型接触层5、 P型接触层7、发光层6以 及P型电极8和N型电极10组成的标准LED芯片单元。所述的改良的发光型热 电效应芯片包含若干个标准LED芯片单元，该热电效应芯片以陶瓷基底1作为 热区，八1203基板2作为冷区，AU)3基板2将各LED芯片单元的N型接触层5连 接在一起，陶瓷基底1连接导电金属板9，导电金属板9将前一LED芯片单元的
N型电极10和后一 LED芯片单元的P型电极8连接在一起，从而将各LED芯片 单元串接在一起，并由P型焊垫3和N型焊垫4封闭构成整个所述的改良的发 光型热电效应芯片。其中，P型焊垫3从Al203基板2延伸至导电金属板9， N型 焊垫4从Ah03基板2延伸至N型接触层10。陶瓷基底热区在芯片封装时连接到 散热片，LED发光所产生的热量传递到陶瓷基底和散热片发散。
权利要求1.一种改良的发光型热电效应芯片，包括陶瓷基底和由蓝宝石(Al2O3)基板、N型接触层、P型接触层、发光层以及P型电极和N型电极组成的标准LED芯片单元，其特征在于所述的改良的发光型热电效应芯片包含若干个标准LED芯片单元，该热电效应芯片以陶瓷基底作为热区，Al2O3基板作为冷区，Al2O3基板将各LED芯片单元的N型接触层连接在一起，陶瓷基底连接导电金属板，导电金属板将前一LED芯片单元的N型电极和后一LED芯片单元的P型电极连接在一起，从而将各LED芯片单元串接在一起，并由P型焊垫和N型焊垫封闭构成整个所述的改良的发光型热电效应芯片。
2. 根据权利要求l所述的改良的发光型热电效应芯片，其特征在于所述 的P型焊垫从Al203基板延伸至导电金属板，N型焊垫从A1A基板延伸至N型接 触层。
专利摘要本实用新型公开了一种改良的发光型热电效应芯片，包括陶瓷基底和由蓝宝石(Al<sub>2</sub>O<sub>3</sub>)基板、N型接触层、P型接触层、发光层以及P型电极和N型电极组成的标准LED芯片单元。本实用新型去掉了现有技术中的作为冷区的陶瓷基底，代之直接以Al<sub>2</sub>O<sub>3</sub>基板作为冷区，从而节省了材料，并降低了成本，并且不需要外加配有额外电源的致冷晶片来致冷；本实用新型的LED芯片单元采用共同的Al<sub>2</sub>O<sub>3</sub>基板，即通过Al<sub>2</sub>O<sub>3</sub>基板将各LED芯片单元的N型接触层连接在一起，相连的LED芯片单元的N电极和P电极则由导电金属板连接，从而将各LED芯片单元串接在一起，而传统发光热电效应芯片的内部采用单个的独立LED芯片，因此本实用新型结构相对简单，可以实现模块化生产。
文档编号H01L25/00GK201066689SQ200720121549
公开日2008年5月28日 申请日期2007年7月19日 优先权日2007年7月19日
发明者余其俊, 张孝严, 许耀宗 申请人:东莞高埗佰鸿电子厂