专利名称：可增加强度的芯片及其制造方法
技术领域：
本发明涉及一种芯片结构，尤其涉及一种可强化芯片强度的芯片结构。
背景技术：
在系统芯片化(System On Chip; SOC)普及后，集成电路(integrated circuit; IC)的设计日益复杂且耗电。集成电路形成在芯片上，而芯片形成在 晶片上。当一晶片经过切割程序后，便可得到数以百计的相同芯片。这些芯片 再经封装、测试等程序，而成为集成电路。
为了使具有集成电路的芯片能够应用在小型的可携式电子装置中，一般的 做法在切割晶片前，先对晶片的背面(无集成电路的那一面)进行研磨 (grinding)程序，用以薄化晶片，使得晶片的厚度变薄。然而在研磨程序中， 将在晶片的背面产生许多刮痕。这些刮痕可能平行芯片的短边或长边。
图1为研磨程序的示意图。如图所示，晶片IOO具有许多芯片。在进行研 磨程序时，研磨机以虚线的方向对晶片100的背面进行研磨。图2A为图1所 示的区域110的芯片放大示意图。在区域110中，刮痕211大多平行芯片210 的长边。图2B为图1所示的区域120的芯片放大示意图。在区域120中，刮 痕221大多平行芯片220的短边。
以图2B为例，在对芯片220进行强度测试时，是以芯片220的上下两端 作为支点，然后对芯片220的中间施力。根据施力的大小，便可得知芯片220 的强度。然而，由于刮痕221为平行芯片220的短边，因此，将大幅降低芯片 220的强度，使得芯片220变得易碎。
发明内容
本发明所要解决的技术问题在于提供一种可增加强度的芯片及其制造方 法，以解决现有技术中在研磨时产生刮痕的问题。
为实现上述目的，本发明提供一种可增加强度的芯片，包括一基底、 一金属结构以及一保护层。基底具有一第一表面以及一第二表面。第一表面相对于 第二表面。金属结构设置于第一表面。保护层设置于第二表面。
而且，为实现上述目的，本发明另提供一种可增加强度的芯片制造方法， 包括下列步骤提供一基底，该基底具有一第一及第二表面；形成一金属结构 于该第一表面；以及形成一保护层于该第二表面。
采用本发明，在晶片进行背面研磨程序后，在晶片的背面形成一保护层， 用以填平刮痕，因而，可以避免研磨所产生的刮痕对芯片造成影响。
以下结合附图和具体实施例对本发明进行详细描述，但不作为对本发明的 限定。
图1为研磨程序的示意图2A为图1所示的区域110的芯片放大示意图2B为图1所示的区域120的芯片放大示意图3为本发明的芯片；
图4为本发明的制造方法的示意图。
其中，附图标记
100:晶片；
110、 120:区域；
210、 220、 300:芯片
211、 221:刮痕
310:基底
321、 322:金属结构 330:保护层 S410 S430:步骤
具体实施例方式
为避免研磨所产生的刮痕对芯片造成影响，本发明在晶片进行背面研磨程 序后，在晶片的背面形成一保护层，用以填平刮痕。然后，再对晶片进行切割， 以得到许多芯片。由于保护层可填平刮痕，故可增加芯片的强度。图3为本发明的芯片。由于同一晶片中的芯片都具有相同结构，为方便说
明，以下仅以单一芯片为例。芯片300可为玻璃覆晶封装(Chip on Glass; COG) 的型式。由于COG型式的工艺方法为此领域人士所深知，故以下仅说明本发明 不同于现有技术之处，而不再详细说明COG型式的工艺方法。
如图所示，芯片300具有基底310、金属结构321、 322以及保护层330。 金属结构321及322设置于基底310的上表面(正面)。在本实施例中，金属结 构321及322为金凸块(Au bump)。芯片300具有集成电路(未显示)。集成电 路可通过金属结构(焊垫)321、 322接收或传送信号。
保护层330设置在基底310的下表面(背面)，用以填平基底310的下表面。 保护层330可为一聚合物，如聚亚酰胺(polyimide)。由于在进行研磨程序的 过程中，可能在晶片的背面留下刮痕。因此，可在研磨程序后，在晶片的背面 形成一保护层，以降低刮痕所造成的影响。然后，再对晶片进行切割程序，以 得到许多如图3所示的芯片。
图4为本发明的制造方法的示意图。本发明的制造方法可与C0G的制造方 法相结合。首先，提供一基底(步骤S410)。此基底具有一第一表面以及一第 二表面。第一表面系相对于第二表面。为了将集成电路形成在第一表面的上， 故需对基底的第一表面进行屏蔽、曝光、蚀刻等程序。由于集成电路的形成系 为本领域人所深知，故不再赘述。
在第一表面形成一金属结构(步骤S420)，使得集成电路得以接收外部信 号或是传送信号予外部装置。在本实施例中，金属结构系为金凸块。
在基底的第二表面形成一保护层(步骤S430)。在本实施例中，保护层 (protection layer)为一聚合物，如聚亚酰胺(polyimide)。在一可能实施例 中，可利用涂布的方式，使聚合物覆盖在第二表面。
在另一可能实施例中，可在形成保护层前，对基底的第二表面进行背面研 磨程序，用以薄化基底。在研磨的过程中，可能在基底的第二表面(即晶片的 背面)留下刮痕。因此，若在第二表面形成保护层时，便可填平刮痕，进而降 低刮痕所造成的影响。
在形成保护层之后，切割具有保护层的晶片，便可得到数以百计的芯片。 由于保护层可填平芯片背面的刮痕，因此，当芯片在进行强度测试时，可得到 较佳的测试结果。当然，本发明还可有其它多种实施例，在不背离本发明精神及其实质的情 况下，熟悉本领域的技术人员当可根据本发明作出各种相应的改变和变形，但 这些相应的改变和变形都应属于本发明所附的权利要求的保护范围。
权利要求
1.一种可增加强度的芯片，其特征在于，包括一基底，具有一第一表面以及一第二表面，该第一表面相对于该第二表面；一金属结构，设置于该第一表面；以及一保护层，设置于该第二表面。
2. 根据权利要求1所述的可增加强度的芯片，其特征在于，该金属结构系为一金凸块。
3. 根据权利要求1所述的可增加强度的芯片，其特征在于，该保护层为一聚合物。
4. 根据权利要求3所述的可增加强度的芯片，其特征在于，该聚合物为一聚亚酰胺。
5. —种可增加强度的芯片制造方法，其特征在于，包括下列步骤提供一基底，该基底具有一第一及第二表面；形成一金属结构于该第一表面；以及形成一保护层于该第二表面。
6. 根据权利要求5所述的可增加强度的芯片制造方法，其特征在于，在形成该保护层的步骤前，对该第二表面进行一磨薄程序。
7. 根据权利要求5所述的可增加强度的芯片制造方法，其特征在于，在形成该保护层的步骤后，对该基底进行一切割程序。
8. 根据权利要求5所述的可增加强度的芯片制造方法，其特征在于，该保护层为一聚合物。
9. 根据权利要求8所述的可增加强度的芯片制造方法，其特征在于，该聚合物为一聚亚酰胺。
全文摘要
本发明公开了一种可增加强度的芯片，包括一基底、一金属结构以及一保护层。基底具有一第一表面以及一第二表面。第一表面相对于第二表面。金属结构设置于第一表面。保护层设置于第二表面。
文档编号H01L23/00GK101494203SQ200810000239
公开日2009年7月29日 申请日期2008年1月24日 优先权日2008年1月24日
发明者杜文杰, 林久顺, 王宏倚 申请人:奇景光电股份有限公司