专利名称：一种全氧化物异质结场效应管的制作方法
技术领域：
本发明涉及一种场效应管器件，特别是涉及一种全氧化物异质结场效应管。
背景技术：
锗硅p-n结的发现，尤其是以三极管和场效应管为基础元件的半导体集成 电路的发展，使人类的生产、工作和生活均发生了革命性的巨大变化。尽管硅 半导体场效应管在电子学元件和集成电路中已得到非常广泛的应用，但锗和硅
场效应管都是由p型和n型的同质锗或硅组成，因而不仅结构比较单一，而且功 能也主要局限于电和光的特性。如文献l:《微电子学概论》，张兴等编著， (北京大学出版社2000年版)中所介绍的；文献2:《半导体器件物理与工艺》， (美)施敏著，赵鹤鸣等译，苏州大学出版社2002年版；和文献3:《半导体 器件》(日)正田英介主编，春木弘编著，科学出版社2001年版)，已难以满 足飞速发展的信息技术的要求。尽管人们也在探索氧化物的场效应管(文献4: Field effect transistor based on KTa03 Perovskite, K. Ueno， et al, Appl. Phys. Lett., 84, 3726 (2004);文献5: Field effect transistor on Sti03 with sputtered A1203 gate insulator, L Ueno， et al, 83, 1755 (2003);文 献5 :Characterization of HfTa03 films for gate oxide and metal-ferroelectrie—insulator-silicon device applicat ion, Xu-bing Lu， et al, J. Appl. Phys., 103， 004105 (2008))，但到目前为止,其特性较差，距应用的要求还相差甚远。
发明内容
本发明的目的是克服上述锗硅场效应管结构和功能单一的缺陷；和难以在 较高温度条件下工作的不足，从而提供一种采用衬底、源极和漏极均是用4丐钬 矿氧化物材料制作的全氧化物异质结场效应管。
本发明提供的全氧化物异质结场效应管包括衬底l、源极2、漏极3、 栅绝缘材料4、源电极5、漏电极6和栅电极7;其特征在于，所述的衬底l、 源极2和漏极3均是用n型或p型钓钛矿氧化物材料制作；
其中在所述的n型或p型村底1上生长一 p型或n型4丐钬矿氧化物材料 层，即如果衬底1是n型掺杂的4丐钛矿氧化物材料，源极2和漏极3就是p 型的钙钬矿氧化物材料；如果衬底1是p型的钙钛矿氧化物材料，源极2和漏 极3就是n型的钙钛矿氧化物材料；并在所述的源极2和漏极3p型或n型钓 钛矿氧化物材料层上刻蚀一槽，该槽作为场效应管的沟道；该沟道一侧的4丐钛 矿氧化物材料层为源极2，另一侧的钩钛矿氧化物材料层为漏极3;在所述源 极2、漏极3和所述的沟道上沉积所述的栅绝缘材料层4,并且在位于源极2 和漏极3之上的栅绝缘材料层4分别刻蚀一源电极引线孔和漏电极引线孔，在 该源电极引线孔内制备所述的源电极5,在漏电极引线孔内制备所述的漏电极 6，在所述的栅绝缘材料层4上制备所述的栅电极7; 所述的^H色缘材料层4为非晶的Si02材料； 所述的源电极5、漏电极6和栅电极7为导电金属层。本发明提供的全氧化物异质结场效应管包括普通型和功能增强型两种，普通型的源极和漏极是仅由一层4丐钬矿氧化物材料组成。增强型的源极和漏极是由两层，或两层以上的p型或n型4丐钛矿氧化物交替生长在一起组成的p-n结的异质结材料。
在上述技术方案中，所述的n型和p型掺杂的钩钛矿氧化物材料包括掺杂的SrTi03、掺杂的BaTi03、掺杂的锰酸盐和BiFe03。
所述的n型掺杂SrTi03是SrAxTih03或SiVxLaJi03,其中A是Nb或Sb或Ta。
所述的p型掺杂SrTi03是SrB;Tih03,其中B是In或Mn; n型掺杂BaTi03是BaCxTi卜x03或BanLa;n03，其中C是Nb或Sb或Ta。
所述的p型BaTi03是BaDJih03,其中D是In或Mn; n型掺杂锰酸盐是Lai-xExMn03,其中E是Te或Nb或Sb或Ta。
所述的p型掺杂锰酸盐是La^FxMn03，其中F是Sr或Ca或Ba或Pr。所有x的取值范围为O. 005-0. 5。
在上述技术方案中，所述的源电极5、漏电极6和栅电极7的导电金属层由金、银、铜或銦等导电金属制作。
下面对制作全氧化物异质结场效应管的具体做法做进一步的说明
对于普通型的全氧化物场效应管，是用n型的钙钬矿氧化物单晶基片或薄膜材料做衬底l,在n型的衬底l上外延生长一层p型4丐钬矿氧化物薄膜，同样，也可以用p型的钙钬矿氧化物单晶基片或薄膜材料做衬底，在p型衬底上外延生长一层n型钙钛矿氧化物薄膜；然后釆用化学腐蚀或离子束刻蚀的方法，在外
6延生长的P型钾钛矿氧化物薄膜上制作出沟道，沟道两边的P型钾钛矿氧化物薄
膜分别做源极2和漏极3，再在制作了沟道的源极2、漏极3和衬底1上沉积非晶的Si02做栅绝缘材料层4;在沉积了非晶的Si02栅绝缘材料层4后，再采用化学腐蚀或离子束刻蚀的方法，腐蚀或刻蚀出源极2和漏极3的电极引线孔；最后在表面上蒸镀金属薄膜，腐蚀或刻蚀出源电极5、漏电极6和栅极电极7。制作普通型全氧化物场效应管。
对于功能增强型的全氧化物场效应管，是用n型的钙钛矿氧化物单晶基片或薄膜材料做衬底，在n型衬底1上外延生长两层或两层以上的p型和n型交替叠层的钙钛矿氧化物薄膜，或用p型钙钬矿氧化物单晶基片或薄膜材料做衬底，在p型衬底上外延生长两层或两层以上的n型和p型交替叠层的钩钛矿氧化物薄膜；然后采用化学腐蚀或离子束刻蚀的方法，把在n型村底上外延生长的多层钙钛矿氧化物p-n异质结制作出沟道，沟道两边的多层4丐钛矿氧化物p-n异质结材料分别做源极和漏极。再在制作了沟道的多层钩钬矿氧化物和衬底上沉积非晶的Si02做栅绝缘材料。在沉积非晶的Si(M册绝缘材料层4后，再采用化学腐蚀或离子束刻蚀的方法，腐蚀或刻蚀出源极和漏极的电极引线孔。最后在表面上蒸镀金属薄膜，腐蚀或刻蚀出源电极、漏电极和栅极电极，制作功能增强型全氧化物异质结场效应管。本发明的优点在于
本发明提供的全氧化物异质结场效应管，是一种具有功能特性的异质结氧化物场效应管，由于钙钬矿结构氧化物材料具有介电、铁电、光电、压电、热电、超导、巨磁电阻及非线性光学等特性和效应，因而，本发明提供的全氧化物异质结场效应管，可按要求和需要设计不同结构，使得该场效应管具有不同功能的特性。特别是可以按照不同功能特性的要求，选取不同掺杂的氧化物材料制作具有不同功能的功能增强型的全氧化物异质结场效应管。该全氧化物异质结场效应管在电子学和控制与探测等方面具有广泛的应用。另外，由于钓钛矿氧化物材料的禁带宽度比较大，熔点也比较高，因而该全氧化物异质结场效应管也可工作在较高温度等特殊环境条件下。
图l是本发明一种全氧化物异质结场效应管(普通型)结构示意图
图2是本发明实施例22制作的一种全氧化物异质结场效应管(功能增强型)结构示意图
图3是本发明一种用n型SrNb。.。Ji。j03做衬底，p型Baln。.Ji。.滅源极和漏极，非晶Si(M故栅绝缘材料制作的全氧化物异质结场效应管的I-V曲线图面i兌明如下
1、衬底 2、源极 3、漏极 4、栅绝缘材料层
5、源电才及 6、漏电才及 7、栅电招_
下面结合附图及实施例对本发明做进一 步详细地说明具体实施方式
实施例1
参考图1,制作一种源极和漏极由一层p型钩钬矿氧化物层做成的、具有功能特性的普通型全氧化物异质结场效应管。具体结构如下
选用5mmxl0mmx0. 5mm (宽x长x厚)的n型SrNb。.。/Ti。.9903单晶基片做衬底 1，在衬底1上外延生长厚度为300nm的p型Baln。.Ji。.903薄膜，用离子束刻 蚀方法，在沿10mm (长)方向中心处的Baln。.Ji。.903薄膜上刻蚀30^m宽的一 个槽，该槽作为场效应管的沟道，该沟道两边的Baln。.Ji。.903薄膜分别做源极 2和漏极3;再在刻蚀了沟道的Baln。.Ji。.,03薄膜和SrNb。.。/H。.9903衬底1上沉 积300nm厚的非晶Si(M故栅绝缘材料层4;然后在^"绝缘材料层4上刻蚀出源 极2和漏极3的电极引线孔，再用热蒸发方法蒸镀金膜，并刻蚀出源电极5、 漏电极6和栅电极7。把制备的样品沿沟道垂直的方向切割为lmmx5mm的管芯， 即制作普通型全氧化物异质结场效应管。
按常规的测试方法测量所制备全氧化物场效应管的I-V特性，如图3所示， 从图3可以看出，所制备的全氧化物异质结场效应管具有很好的I-V特性。
实施例2
按实施例l的结构制作，只是源极2和漏极3采用Srln。.sTi。.503薄膜，代 替实施例1中使用的BalnuTi。.90w薄膜做源极2和漏极3,制作普通型全氧化 物异质结场效应管。
实施例3
按实施例1的结构制作，用SrMn。.。。5Ti。，03薄膜代替Baln。.Ji。.A薄膜做 源极2漏极3，制作普通型全氧化物异质结场效应管。 实施例4
9按实施例1的结构制作，用BaMn。.2Ti。.s03薄膜代替BaIno.ZTio.A薄膜做源 极2和漏极3，制作普通型全氧化物异质结场效应管。 实施例5
按实施例1的结构制作，用La。.85Sru5Mn03薄膜代替Baln。./Ti。.903薄膜做源 极2和漏极3，制作普通型全氧化物场效应管。由于Lau5Sr。jMn03薄膜具有磁 电阻特性，因此这是一个具有》兹特性的全氧化物异质结场效应管。
实施例6
按实施例1的结构制作，用La。.sGa。.2Mn03薄膜代替Balno」Ti。,903薄膜做源 极2和漏极3，制作普通型全氧化物场效应管。由于La。.sGauMn03薄膜具有磁 电阻特性，因此这是一个具有磁特性的全氧化物异质结场效应管。
实施例7
按实施例1的结构制作，用La。.7Pr。.3Mn03薄膜代替Baln。./Ti。.9()3薄膜做源 极2和漏极3，制作普通型全氧化物场效应管。由于La。.7Pr。.3Mn03薄膜具有磁 电阻特性，因此这是一个具有》兹特性的全氧化物异质结场效应管。
实施例8
参考图1,用脉冲激光沉积方法，用10mmx20mmx0. 5mm的p型La。.8Ga。.2Mn03 做衬底1,在衬底1上外延生长厚度为200nm的n型SrNbuTi。.A薄膜。用化 学腐蚀方法，在沿10mm的方向，距边缘5mm的SrNb。.iTio03薄膜上，腐蚀间 距10mm宽20,的两条沟道，沟道两边的SrNb。.Ji。.903薄膜分别做源极2和漏 极3。再用常规的半导体工艺在腐蚀了沟道的SrNb。./n。.,03薄膜和La。.8Ga。.2Mn03衬底1上沉积300mn厚的非晶Si(M故栅绝缘材料层4。然后用化学腐蚀方法在 Si02上腐蚀出源极2和漏极3的电极引线孔，再用热蒸发方法蒸镀铝膜，并腐 蚀出源电极5、漏电极6和栅电极7。先把制备的样品沿平行于沟道的方向切 割为两半，然后分别在沿垂直于沟道的方向切割为lmmxlOmm的管芯，制作普 通型全氧化物场效应管。由于La。.sGauMn03薄膜具有磁电阻特性，因此这是一 个具有磁特性的全氧化物异质结场效应管。 实施例9
按实施例8的结构制作，用Sr。.6La。./Ti03薄膜代替SrNb。.Ti。.903薄膜做源 极2和漏极3，制作普通型全氧化物场效应管。由于La。.sGa。.2Mn03薄膜具有磁 电阻特性，因此这是一个具有磁特性的全氧化物异质结场效应管。
实施例10
按实施例8的结构制作，用SruSbuTi03薄膜代替SrNb。.Ji。.9()3薄膜做源 极2和漏极3，制作普通型全氧化物场效应管。由于La。.8Ga。」Mn03薄膜具有磁 电阻特性，因此这是一个具有^i特性的全氧化物异质结场效应管。
实施例11
按实施例8的结构制作，用Sr。.Ja。.。5Ti03薄膜代替SrNb。./n。.903薄膜做源 极2和漏极3，制作普通型全氧化物场效应管。由于La。.sGa。.2Mn03薄膜具有磁 电阻特性，因此这是一个具有》兹特性的全氧化物异质结场效应管。
实施例12
按实施例8的结构制作，用Ba。.95Ta。.Ji03薄膜代替SrNb。.Ji。.,03薄膜做源
ii极2和漏极3,制作普通型全氧化物场效应管。由于LauGa。,2Mn03薄膜具有磁 电阻特性，因此这是一个具有》兹特性的全氧化物异质结场效应管。 实施例13
按实施例8的结构制作，用Ba。.9Sb。./H03薄膜代替SrNW,Tio.A薄膜源极 2和漏极3，制作普通型全氧化物场效应管。由于La。.sGa。.2Mn03薄膜具有磁电 阻特性，因此这是一个具有石兹特性的全氧化物异质结场效应管。
实施例14
按实施例8的结构制作，用Ba。.9Nb。.Ji03薄膜代替SrNb。./Ti。.903薄膜源极 2和漏极3,制作普通型全氧化物场效应管。由于La。.sGa。.2Mn03薄膜具有磁电 阻特性，因此这是一个具有磁特性的全氧化物异质结场效应管。
实施例15 —
按实施例8的结构制作，用La。.Je。」Ti03薄膜代替SrNbuTio03薄膜做源 极2和漏极3，制作普通型全氧化物场效应管。由于La。.8Ga。.2Mn03薄膜和 La。.9Te。.Ji03薄膜都具有磁电阻特性，因此这是一个具有磁特性的全氧化物异 质结场效应管。
实施例16
按实施例8的结构制作，用La。.sNb。.iTi03薄膜代替SrNb。.Ji。.A薄膜做源 极2和漏极3，制作普通型全氧化物场效应管。由于La。.sGa。.2Mn03薄膜具有磁 电阻特性，因此这是一个具有-兹特性的全氧化物异质结场效应管。
实施例17按实施例8的结构制作，用La。.9Sb。.rii03薄膜代替SrNb。.Ji。.,03薄膜源极 2和漏极3,制作普通型全氧化物场效应管。由于La。.sGa。.2Mn03薄膜具有磁电 阻特性，因此这是一个具有i兹特性的全氧化物异质结场效应管。
实施例18
按实施例8的结构制作，用La。.,Ta。.!Ti03薄膜代替SrNbuTUA薄膜做源 极2和漏极3,制作普通型全氧化物场效应管。由于La。.sGa。.2Mn03薄膜具有磁 电阻特性，因此这是一个具有磁特性的全氧化物异质结场效应管。
实施例19
按实施例8的结构制作，用BiFe03薄膜代替SrNbuTi。.A薄膜做源极2和 漏极3,制作普通型全氧化物场效应管。由于La。.sGa。」Mn03薄膜具有磁电阻特 性，BiFe03薄膜具有多铁特性，因此这是一个具有多铁性的全氧化物异质结场 效应管。
实施例20
按实施例8的结构制作，用在10mmx20mmx0. 5隱的SrTi03基片上外延生 长250nm的La。.8Ga。.2Mn03薄膜代替La。.8Ga。.2Mn03做衬底1,制作普通型全氧化物 异质结场效应管。
实施例21
按实施例1的结构制作，用在5mmxlOmmx0. 5隱的Zr02基片上外延生长 250mn的BaNbuTi。.s03薄膜代替SrNb。.Ji。.w03做衬底1,制作普通型全氧化物 异质结场效应管。
13实施例22
参考图2,制作一种由4层n型或p型钩钛矿氧化物层交替生长在一起组 成的源4l和漏极的、具有功能增强特性的全氧化物异质结场效应管。具体结构 如下
选5mmxl0mmx0. 5,的n型3函。.01" 0.9903单晶基片做衬底1，在衬底1上 依次外延生长厚度为100nm的p型La。.S5Sr。.15Mn03、 50nm的n型SrNb。.Ji。.903、 100nm的p型La。.85Sr。.15Mn03、 50咖的n型SrNb^T"^四层薄膜，在四层薄膜 之上用离子束刻蚀方法，在沿衬底IO隱方向的中心，在四层La。.85Sr。.15Mn0^p SrNb。.；n。.903薄膜上刻蚀40,宽的沟道，沟道两边的四层La。.85Sr。.15Mn03* SrNbuTiu03薄膜分别做源极2和漏极3。再用常规的半导体工艺在刻蚀了沟 道的四层La0.85Sr0.15Mn(Mp SrNW/Tia.A薄膜和SrNWJi^O;衬底1上沉积 350nm厚的非晶Si02做栅绝缘材料层4。然后用离子束刻蚀方法在Si02上刻蚀 出源极2和漏极3的电极引线孑L，再用热蒸发方法在源才及2和漏极3的电极引 线孔内蒸镀铜膜，并刻蚀出源电极5、漏电极6和栅电极7。把制备的样品沿 沟道垂直的方向切割为lmmx5mm的管芯，制作功能增强型的全氧化物场效应 管。
由于La。.85Sr。.isMn03薄膜具有磁电阻特性，SrNb。」Ti。.903和LaQ.85SrQ.15Mn(M^j 界面对其磁特性具有增强效应，因此这是一个具有磁特性增强功能的全氧化物 场效应管。
实施例23参考图2，制作一种在Mg02基片作为衬底1上，由4层n型或p型钙钛矿 氧化物层叠层生长在一起，组成的源极和漏极层的具有功能增强特性的全氧化 物异质结场效应管；具体结构如下
用激光分子束外延，用在5mmxl0mmx0, 5mm的Mg02基片作为村底1上外延 生长250nm的BaNWJU^薄膜做衬底1，在衬底1上依次外延生长厚度为 100nm的p型La。.85Sr。.15Mn03、 50nm的n型SrNbJH lOOnm的p型 La。.85Sr。.15Mn03、 50nm的n型SrNbuTi。.力3四层薄膜,用离子束刻蚀方法，在沿 衬底10mm方向的中心，在四层La。.8sSr。."Mn03和SrNb。.Ji。.903薄膜上刻蚀40|uin 宽的沟道，沟道两边的四层La。.S5Sr0.15MnO》SrNb。./Ti。.903薄膜分别做源极2和 漏极3。再用常^见的半导体工艺在刻蚀了沟道的四层La。.85Sr。.15Mn03和 SrNb。.Ji。.9()3薄膜和SrNb請TU,A村底1上沉积350nm厚的非晶Si02做栅绝缘 材料层4。然后用离子束刻蚀方法在Si02上刻蚀出源极2和漏极3的电极引线 孔，再用热蒸发方法蒸镀银膜，并刻蚀出源电极5、漏电极6和栅电极7。把 制备的样品沿沟道垂直的方向切割为lmmx5mm的管芯，制作功能增强型的全氧 化物异质结场效应管。
由于La。.8sSr。.i5Mn03薄膜具有磁电阻特性,SrNbuTi。.9。3和La。.85Sr。.15Mn03W 界面对其^f兹特性具有增强效应，因此这是一个具有-兹特性增强功能的全氧化物 异质结场效应管。
实施例24
参考图2,制作一种p型La。.sGa。.2Mn03单晶做衬底1上，由6层n型或p型钙钬矿氧化物层叠层生长在一起，组成的源极和漏极层的具有功能增强特性
的全氧化物异质结场效应管；具体结构如下
用脉冲激光沉积方法，用5mmxl0mmx0. 5mm的p型La。8Ga。.2Mn03单晶做衬 底1,在衬底1上依次外延生长厚度为50nm的BiFe03、 50nm的LaQ.8GaQ.2Mn03、 50nm的BiFe03、 50nm的La。.8Ga。.2Mn03、 50nm的BiFe03、 50nm的La。.8Ga。.2Mn03 六层薄膜，用离子束刻蚀方法，在沿衬底lOmm方向的中心，在六层BiFe03和 La。.8Ga。.2MnO3薄膜上刻蚀40卩加宽的沟道，沟道两边的六层BiFeO3和LauGa。.2Mn03 薄膜分别做源极2和漏极3。再用常规的半导体工艺在腐蚀了沟道的BiFe03 与LauGauMn03薄膜和1^0.^0.御3衬底1上沉积500皿厚的非晶Si(M故栅绝 缘材料层4。然后用化学腐蚀方法在Si02上腐蚀出源极2和漏极3的电极引线 孔，再用热蒸发方法蒸镀金膜，并腐蚀出源电极5、漏电极6和栅电极7。把 制备的样品沿沟道垂直的方向切割为l鹏x5mm的管芯，制作功能增强型全氧化 物异质结场效应管。
由于La。.sGa。.2Mn03薄膜具有磁电阻特性，BiFe03具有多铁性，LaQ.8Ga。.2Mn03 和BiFe03的界面具有对其特性增强的效应，因此这是一个具有特性增强功能 的全氧化物异质结场效应管。
在上述实施例中所列举的衬底1、源极2、漏极3、栅绝缘材料层4、源 电极5、漏电极6和栅电极7的厚度，以及源电极5、漏电极6和栅电极7的 导电金属层，只是对本发明的全氧化物异质结场效应管的一些说明，本专业 制备场效应管中的厚度和已有的导电金属对本发明都适用。
1权利要求
1、一种全氧化物异质结场效应管包括衬底(1)、源极(2)、漏极(3)、栅绝缘材料层(4)、源电极(5)、漏电极(6)和栅电极(7)；其特征在于，所述的衬底(1)、源极(2)和漏极(3)均是用n型或p型钙钛矿氧化物材料制作；其中在所述的n型或p型衬底(1)上相应生长一p型或n型钙钛矿氧化物材料层，并在所述的p型或n型钙钛矿氧化物材料层上刻蚀出一个槽，该槽作为场效应管的沟道，所述的沟道一侧的钙钛矿氧化物材料层为源极(2)，另一侧的钙钛矿氧化物材料层为漏极(3)，在所述源极(2)、漏极(3)和所述的槽上沉积所述的栅绝缘材料(4)，并且在位于源极(2)和漏极(3)之上的栅绝缘材料(4)上分别刻蚀一源电极引线孔和漏电极引线孔，在该源电极引线孔内制备所述的源电极(5)，在漏电极引线孔内制备所述的漏电极(6)，在所述的栅绝缘材料层4上制备所述的栅电极(7)；所述的栅绝缘材料层(4)为非晶的SiO2材料；所述的源电极(5)、漏电极(6)和栅电极(7)为导电金属层。
2、 按权利要求1所述的全氧化物异质结场效应管，其特征在于还包 括所述的源极(2)和漏极(3)为由两层，或两层以上的n型或p型钧钬矿 氧化物交替生长在 一起组成的异质结材料做成的。
3、 权利要求1所述的全氧化物异质结场效应管，其特征在于所述的 钙钛矿氧化物材料包括n型或p型掺杂的SrTi03、n型或p型掺杂的BaTi03、 n型或p型掺杂的锰酸盐和或BiFe03。
4、 按权利要求3所述的全氧化物异质结场效应管，其特征在于所述的n型掺杂SrTi03是SrAxTin03或Sn-丄a;Ti03，其中A是Nb或Sb或Ta;, 所述的p型掺杂SrTi03是SrBJi!—x03，其中B是In或Mn。
5、 按权利要求5所述的全氧化物异质结场效应管，其特征在于所述 的n型掺杂BaTi。3是BaCxTi』3或Bajajm,其中C是Nb或Sb或Ta;所述的p型BaTi03是BaDxTih03,其中D是In或Mn。
6、 按权利要求1所述的全氧化物异质结场效应管，其特征在于所述 的n型掺杂锰酸盐是Lai-xExMn03,其中E是Te或Nb或Sb或Ta;所述的p型掺杂锰酸盐是Lai-xFxMn03，其中F是Sr或Ca或Ba或Pr。所 有x的取值范围为0. 005-0. 5。
全文摘要
本发明涉及全氧化物异质结场效应管，包括在n型或p型衬底上生长一p型或n型钙钛矿氧化物材料层，并在p型或n型钙钛矿氧化物材料层上刻蚀一槽，该槽作为场效应管的沟道，该沟道一侧的钙钛矿氧化物材料层为源极，另一侧的钙钛矿氧化物材料层为漏极，在源极、漏极和槽上沉积栅绝缘材料层，并且在位于源极和漏极之上的栅绝缘材料层上分别刻蚀一源电极引线孔和漏电极引线孔，在该源电极引线孔内制备源电极，在漏电极引线孔内制备漏电极，在栅绝缘材料上制备栅电极。由于本发明提供的全氧化物场效应管不仅具有功能特性，而且，由于钙钛矿氧化物材料的禁带宽度比较大，熔点也比较高，因而该全氧化物异质结场效应管也可工作在较高温度等特殊环境条件下。
文档编号H01L29/78GK101651150SQ20081011811
公开日2010年2月17日 申请日期2008年8月12日 优先权日2008年8月12日
发明者萌 何, 吕惠宾, 芳 杨, 杨国桢, 金奎娟 申请人:中国科学院物理研究所