横向双扩散金属氧化物半导体场效应管的制作方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及半导体器件领域，特别是涉及一种横向双扩散金属氧化物半导体场效应管。
【背景技术】
[0002]横向高压功率半导体器件LDMOS (Lateral Double-diffused M0SFET)是指的具有横向沟道结构的高压功率MOS器件。由于这类器件的漏极、源极和栅极都在芯片的表面，易于通过内部连接与低压信号电路集成，故在高压集成电路(HVIC)和功率集成电路(PIC)中作为技术的关键。但在功率MOS器件设计中，导通电阻(Rm)随着击穿电压(BV)以2.5次方的速度增加，使得功率MOS的高压应用受到很大的限制。由于LDMOS工作时的电流在漂移区的表面，所以将LDMOS的表面做成超结Super Junct1n形成SJ-LDMOS结构，能够缓解导通电阻(RJ随击穿电压(BV)快速增加的矛盾。由于SJ-LDMOS受纵向电场的影响而使横向电场分布不均匀，在满足RESURF(Reduced Surface Field)条件时，表面电场分布中会出现分别位于栅边缘和漏极末端有两个明显的电场峰，如何进一步降低这两个电场峰并同时提高中间分布较低的电场值以提高SJ-LDMOS的单位耐压量，就成为优化SJ-LDMOS击穿电压与比导通电阻矛盾的有效途径。
【发明内容】
[0003]本发明提出了一种横向双扩散金属氧化物半导体场效应管，旨在有效优化SJ-LDMOS击穿电压与比导通电阻的矛盾。
[0004]本发明的技术方案如下:
[0005]一种横向双扩散金属氧化物半导体场效应管，包括:
[0006]半导体材料的衬底；
[0007]在所述衬底上外延形成的漂移区；
[0008]在所述漂移区上两端分别形成的基区和漏区；
[0009]在所述基区上利用双扩散技术形成的沟道和与基区短接的源区；
[0010]在沟道表面形成的栅绝缘层；
[0011]分别在沟道栅绝缘层、源区、漏区上形成的栅极、源极和漏极；
[0012]其特殊之处在于:
[0013]还包括在漂移区上基区与漏区之间注入N柱和P柱相间排列形成的超结(SuperJunct1n)；
[0014]在超结表面形成的漂移区绝缘层；以及
[0015]在超结上方隔着漂移区绝缘层从栅极至漏极之间淀积的半绝缘多晶硅(SIPOS)覆盖层，作为电阻场板。
[0016]基于上述基本方案，本发明还进一步做如下优化限定和改进:
[0017]形成超结所注入N柱和P柱的深度I?2 μ m。
[0018]形成超结所注入N柱和P柱的掺杂浓度5?6 X 1016m3。
[0019]形成超结所注入N柱的宽度为I?2 μ m、P柱的宽度I?2 μ m，N柱和P柱的宽度相等。
[0020]半绝缘多晶硅(SIPOS)覆盖层的厚度0.5?I μπι。
[0021]SIPOS薄膜覆盖层具有均匀的方块电阻，最好在101° Ω/ □左右。
[0022]漂移区绝缘层的厚度0.04?0.1 μ m。
[0023]本发明技术方案的有益效果如下:
[0024]在LDMOS漂移区的表面注入N柱和P柱形成Super Junct1n，电流在LDMOS漂移区的表面流通，N柱和P柱(超结)的重掺杂将有效地降低漂移区的导通电阻；并且由于超结在LDMOS漂移区的表面，会消除衬底辅助耗尽效应使得电荷能够完全补偿，保证了器件的高击穿电压。
[0025]在超结上方隔着绝缘层从栅极至漏极之间淀积一层半绝缘多晶硅(SIPOS)覆盖层形成电阻场板，一方面通过调节使SIPOS具有均匀的方块电阻(101° Ω / □左右，这个□单位表示方块的意思)，根据电流连续性原理，电场沿器件横向分布均匀，而SIPOS与漂移区表面只隔一层很薄的绝缘层，因此沿漂移区表面的电场受到电阻场板上均匀电场的调制后也是均匀的，从而提高了器件击穿电压；另一方面在器件正向导通时由于电阻场板的电场调制效应，在漂移区表面产生电荷积累，从而使得导通电阻进一步降低；并且SIPOS也是一种很好的具有钝化作用的表面覆盖层。
【附图说明】
[0026]图1为本发明实施例的结构示意图(正视图)；
[0027]图2为本发明实施例的三维剖视示意图(为了便于标注，对超结、漂移区绝缘层以及SIPOS覆盖层等作了部分立体断面)；
[0028]附图标号说明:
[0029]1-源区；2-栅极；3_(N柱与P柱相间的)超结；4_漂移区绝缘层；5_SIP0S覆盖层；6-漏极；7_漏区；8_漂移区；9-衬底；10_基区；11-源区；12_沟道；44_漂移区绝缘层的厚度；55-SIP0S薄膜覆盖层的厚度。
【具体实施方式】
[0030]如图1所示，本发明横向双扩散金属氧化物半导体场效应管的结构包括:
[0031]半导体材料的衬底9;
[0032]位于衬底的外延表面的漂移区8 ；
[0033]分别位于漂移区8上两端的基区10和漏区7，漏区上面为漏极6.
[0034]位于基区表面的源区11和沟道12。
[0035]源区表面形成源极I，沟道上面为栅绝缘层位于栅极2下方。
[0036]沟道与漏区之间漂移区表面形成N柱和P柱相间排列的超结3。
[0037]超结3上方为漂移区绝缘层4。
[0038]在漂移区绝缘层4上面从栅极至漏极覆盖一层SIPOS薄膜，即SIPOS覆盖层5。
[0039]图2中，55和44表示SIPOS薄膜覆盖层的厚度(0.5?I ym)和漂移区绝缘层的厚度(0.04 ?0.1 μ m) O
[0040]由于Super Junct1n形成在LDMOS漂移区的表面，一方面降低了漂移区的导通电阻；另一方面也消除了衬底辅助耗尽效应，使得器件具有很高的击穿电压。为了进一步提高器件的击穿减压，降低导通电阻。漂移区绝缘层4上面在漂移区表面从源极到漏极覆盖一层高电阻、低电子迀移率并且电阻率均匀的SIP0S。由于SIPOS的电阻率的是均匀，则由电流的连续性原理知，SIPOS上的电场在平行方向也是均匀的，在隔着一层很薄的漂移区绝缘层的情况下，SIPOS上的均匀电场调制超结3上的表面电场，使得超结3表面的电场分布更加均匀，因而提高了器件的击穿电压。又由于SIPOS覆盖层的存在，在器件正向导通时，在超结3表面感应出电荷产生电荷积累，从而降低了器件的的导通电阻。
[0041]以N沟道LDMOS为例，具体可以通过以下步骤进行制备:
[0042]I)半绝缘材料(包括S1、SiC和GaAs等)的衬底上外延N型的缓冲层。
[0043]2)在缓冲层上一端形成P型基区，并在P型基区上利用双扩散技术形成N型沟道和P型与N型短接的源区。
[0044]3)在缓冲层另一端形成N型重掺杂漏区。
[0045]4)通过离子注入技术，从在缓冲层表面从沟道到漏区N柱与P柱相间排列的超结。
[0046]5)相应的，在沟道和超结上面分别形成栅氧化层和漂移区氧化层(如薄S1Jl)。
[0047]6)并在漂移区氧化层上方淀积高电阻、低电子迀移率并且电阻率均匀的SIPOS薄膜层。
[0048]7)在栅氧化层上方淀积多晶硅作为栅极，在漏区上淀积金属形成漏极分别与SIPOS薄膜层相接；在源区上方形成源极。
[0049]当然，本发明中的LDMOS也可以为P型沟道，其结构与N沟道LDMOS等同，在此不再赘述。
[0050]以上所述仅是本发明的优选实施方式，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明技术原理的前提下，还可以做出若干改进和替换，这些改进和替换也应视为本发明的保护范围。
【主权项】
1.一种横向双扩散金属氧化物半导体场效应管，包括: 半导体材料的衬底； 在所述衬底上外延形成的漂移区； 在所述漂移区上两端分别形成的基区和漏区； 在所述基区上利用双扩散技术形成的沟道和与基区短接的源区； 在沟道表面形成的栅绝缘层； 分别在沟道栅绝缘层、源区、漏区上形成的栅极、源极和漏极； 其特征在于: 还包括在漂移区上基区与漏区之间注入N柱和P柱相间排列形成的超结(SuperJunct1n)； 在超结表面形成的漂移区绝缘层；以及 在超结上方隔着漂移区绝缘层从栅极至漏极之间淀积的半绝缘多晶硅(SIPOS)覆盖层，作为电阻场板。
2.根据权利要求1所述的横向双扩散金属氧化物半导体场效应管，其特征在于:形成超结所注入N柱和P柱的深度I?2 μ m。
3.根据权利要求1所述的横向双扩散金属氧化物半导体场效应管，其特征在于:形成超结所注入N柱和P柱的掺杂浓度5?6 X 1016m3。
4.根据权利要求1所述的横向双扩散金属氧化物半导体场效应管，其特征在于:形成超结所注入N柱的宽度为I?2 μπκ P柱的宽度I?2 μπι，N柱和P柱的宽度相等。
5.根据权利要求1所述的横向双扩散金属氧化物半导体场效应管，其特征在于:所述半绝缘多晶硅(SIPOS)覆盖层的厚度0.5?I ym。
6.根据权利要求1所述的横向双扩散金属氧化物半导体场效应管，其特征在于:所述半绝缘多晶硅(SIPOS)覆盖层具有均匀的方块电阻。
7.根据权利要求1所述的横向双扩散金属氧化物半导体场效应管，其特征在于:所述漂移区绝缘层的厚度0.04?0.1 μ m。
【专利摘要】本发明提出了一种在横向双扩散金属氧化物半导体场效应管(LDMOS)在漂移区上基区与漏区之间注入N柱和P柱相间排列形成的超结(Super Junction)，一方面降低了漂移区的导通电阻；另一方面消除了衬底辅助耗尽效应，使得器件具有很高的击穿电压。在器件漂移区上方，隔开一层薄SiO2层，从栅极到漏极淀积一层具有高阻、低电子迁移率的SIPOS覆盖层作为电阻场板。SIPOS覆盖层既优化了漂移区表面电场的分布，使得器件的击穿电压增加；又由于在漂移区表面产生了电荷积累，使得器件的导通电阻降低。
【IPC分类】H01L29-36, H01L29-78
【公开号】CN104733532
【申请号】CN201510112143
【发明人】段宝兴, 曹震, 杨银堂, 袁嵩, 袁小宁
【申请人】西安电子科技大学
【公开日】2015年6月24日
【申请日】2015年3月13日