横向扩散金属氧化物半导体场效应管的制造方法
【专利摘要】本发明涉及一种横向扩散金属氧化物半导体场效应管的制造方法，包括步骤：在衬底上形成第一掺杂类型的漂移区；通过光刻版进行光刻，形成注入窗口；通过所述注入窗口注入第二掺杂类型离子形成体区，及注入第一掺杂类型离子形成源极区，控制注入角度和注入能量使所述体区的结深大于所述源极区的结深，宽度大于所述源极区的宽度；形成栅氧化层；淀积并蚀刻多晶硅，形成栅极。本发明制成的LDMOS，沟道长度更短，沟道电阻减小的同时，总尺寸更小，使总的Rdson更低，比传统的LDMOS Rdson可以低10％至30％。LDMOS与低压MOS能够共用同一层POLY，工艺更加简单，节省一道光刻流程，能够降低成本。
【专利说明】
横向扩散金属氧化物半导体场效应管的制造方法
技术领域
[0001]本发明涉及半导体工艺，特别是涉及一种横向扩散金属氧化物半导体场效应管的制造方法。
【背景技术】
[0002]随着横向扩散金属氧化物半导体场效应管(LDM0SFET)在集成电路中的应用越来越广泛，对于off-BV更高，导通电阻(Rdson)更小的LDMOS的需求越来越迫切。
[0003]通常来说，降低LDMOS Rdson的方法，就是在不断提高漂移区浓度的同时，通过各种降低表面电场(RESURF)理论的应用，使其能够完全耗尽，从而获得低Rdson，并维持很高的off-BV。目前通过此方法已经使Rdson与off-BV之间的关系接近了理论极限。
【发明内容】
[0004]基于此，有必要提供一种能够获得低导通电阻的横向扩散金属氧化物半导体场效应管的制造方法。
[0005]—种横向扩散金属氧化物半导体场效应管的制造方法，包括步骤:在衬底上形成第一掺杂类型的漂移区；通过光刻版进行光刻，形成注入窗口 ；通过所述注入窗口注入第二掺杂类型离子形成体区，及注入第一掺杂类型离子形成源极区，控制注入角度和注入能量使所述体区的结深大于所述源极区的结深，宽度大于所述源极区的宽度；形成栅氧化层；淀积并蚀刻多晶硅，形成栅极；所述第一掺杂类型和第二掺杂类型的电性相反。
[0006]在其中一个实施例中，通过所述注入窗口注入第二掺杂类型离子形成体区，及注入第一掺杂类型离子形成源极区，控制注入角度和注入能量使所述体区的结深大于所述源极区的结深，宽度大于所述源极区的宽度的步骤，是使得第二掺杂类型离子的注入方向与衬底法线间的夹角，大于所述第一掺杂类型离子的注入方向与衬底法线间的夹角，且所述第二掺杂类型离子的注入能量大于所述第一掺杂类型离子的注入能量。
[0007]在其中一个实施例中，所述第一掺杂类型为N型，所述第二掺杂类型为P型，所述形成栅氧化层的步骤之前还包括热扩散步骤。
[0008]在其中一个实施例中，所述淀积并蚀刻多晶硅，形成栅极的步骤中，包括形成横向扩散金属氧化物半导体场效应管的栅极和低压金属氧化物半导体场效应管的栅极。
[0009]在其中一个实施例中，通过所述光刻版进行光刻，形成注入窗口的步骤之前，还包括形成隔离结构的步骤。
[0010]在其中一个实施例中，所述隔离结构为浅沟槽隔离结构或场氧层。
[0011]上述横向扩散金属氧化物半导体场效应管的制造方法，P型和N型杂质注入使用的是同一次光刻后留下的光刻胶作为阻挡层，导电沟道的沟长由两次注入的能量和角度来决定，与传统的源极需要再进行一次光刻的技术相比，不受光刻对位偏差的影响，沟长更稳定，使Vt (阈值电压)，Rdson等特性更加稳定。其沟道长度更短，沟道电阻减小的同时，总尺寸更小，使总的Rdson更低，比传统的LDMOS Rdson可以低10%至30%。LDMOS与低压MOS能够共用同一层P0LY，工艺更加简单，节省一道光刻流程，能够降低成本。
【附图说明】
[0012]通过附图中所示的本发明的优选实施例的更具体说明，本发明的上述及其它目的、特征和优势将变得更加清晰。在全部附图中相同的附图标记指示相同的部分，且并未刻意按实际尺寸等比例缩放绘制附图，重点在于示出本发明的主旨。
[0013]图1是一实施例中横向扩散金属氧化物半导体场效应管的制造方法的流程图；
[0014]图2是一实施例中步骤S130在注入第二掺杂类型离子时器件的剖面示意图；
[0015]图3是一实施例中步骤S130在注入第一掺杂类型离子时器件的剖面示意图；
[0016]图4是一实施例中步骤S150完成后器件的剖面示意图；
[0017]图5是一实施例中采用横向扩散金属氧化物半导体场效应管的制造方法制造的NLDMOS的示意图。
【具体实施方式】
[0018]为了便于理解本发明，下面将参照相关附图对本发明进行更全面的描述。附图中给出了本发明的首选实施例。但是，本发明可以以许多不同的形式来实现，并不限于本文所描述的实施例。相反地，提供这些实施例的目的是使对本发明的公开内容更加透彻全面。
[0019]除非另有定义，本文所使用的所有的技术和科学术语与属于本发明的技术领域的技术人员通常理解的含义相同。本文中在本发明的说明书中所使用的术语只是为了描述具体的实施例的目的，不是旨在于限制本发明。本文所使用的术语“及/或”包括一个或多个相关的所列项目的任意的和所有的组合。
[0020]以N沟道LDMOS为例，一种传统的缩短沟道长度的方法是在多晶硅(POLY)刻蚀后，利用POLY自对准注入P型杂质离子形成P型体区(P-body)，然后通过一定的热过程，使P-body横扩形成沟道区。由于POLY自对准注入的区域就是源极(source)端所在区域，此方法可以使靠近源极的沟道区浓度最高，从而在获得较短的沟道长度的同时，保持较高的穿通电压。具体的形成过程是:先使用多晶硅刻蚀的光刻版，形成栅极及POLY搭场部分。然后再使用P-body注入的光刻版，形成P-body注入区。最后经历较长时间热过程后形成NLMD0S。这种方法由于采用POLY自对准注入，受限于POLY厚度，注入能量不可能太高，因此在P-body注入后需要经历较长的热过程，才能形成所需的沟道区。这就使得在制备同时集成了 LDMOS和低压MOSFET的晶圆时，此层POLY只能给LDMOS作为栅极，而不能作为低压MOS的栅极，因为低压器件的Vt注入不适合经历较长的热过程。此外，P-body经历较长的热过程，其横扩后的P型杂质也会使漂移区的N型杂质浓度降低，Rdson升高。
[0021]对此，本发明提出了一种横向扩散金属氧化物半导体场效应管的制造方法，如图1所示，包括下列步骤:
[0022]S110，在衬底上形成第一掺杂类型的漂移区。
[0023]本实施例中以NLDMOS为例进行介绍，可以理解的，本方法同样适用于PLDM0S。对于NLDMOS来说，第一掺杂类型是指N型，第二掺杂类型是指P型。可以采用P型衬底，然后在衬底上形成N阱20作为漂移区。本实施例中还需要在衬底上形成隔离结构40，例如场氧层或浅沟槽隔离结构(STI)，在其他实施例中，横向扩散金属氧化物半导体场效应管也可以为无场氧层或STI的结构。
[0024]S120，通过一光刻版进行光刻，形成注入窗口。
[0025]在本实施例中，是通过P-body注入的光刻版进行光刻，形成光刻胶62。P_body的离子注入和源极的N型离子注入都通过这个注入窗口来进行。
[0026]S130，通过注入窗口进行离子注入，形成体区和源极区，体区的结深和宽度大于源极区。
[0027]在本实施例中，是通过P-body注入的光刻版，分别进行大角度(指与法线的夹角的角度，下同)的P型注入和小角度或O度角的N型注入，如图2和图3所示。利用P型注入和N型注入的角度及能量差异，分别形成一个区域更宽更深的P型区域(作为P型体区30)，和一个相对更窄、更浅的N型区域(作为源极52)。其中图2的箭头为P型离子的注入方向，图3的箭头为N型离子的注入方向。可以理解的，P型注入时应包括两个方向的注入，例如图2中的左、右两侧注入。
[0028]通过大角度注入形成体区、小角度注入形成源极的方法，体区完全通过注入形成沟道区，沟道区的形成不需要经历太多热推阱过程，甚至可以完全没有推阱过程，工艺过程更加简单，而且该POLY可以同时作为低压MOS的栅极。同时，P-body的P型杂质横扩较少，不会导致N型漂移区浓度降低，因此可以获得更低的导通电阻。另外，由于P型和N型杂质注入使用的是同一次光刻后留下的光刻胶62作为阻挡层，导电沟道的沟长完全由两次注入的能量和角度来决定，与传统的源极需要再进行一次光刻的技术相比，不受光刻对位偏差的影响，沟长更稳定，使Vt (阈值电压)，Rdson等特性更加稳定。
[0029]在另一个实施例中，P型和N型杂质注入也可以都使用小角度或O度角注入，在注入完成后，只需经历较短的热过程，利用P型杂质和N型杂质的扩散速度不同的特点，来获得一个较宽、较深的区域和一个较浅、较窄的区域。P型杂质(如硼)扩散速度一般大于N型杂质(如磷、砷、锑等)，因此热扩散后可形成区域更深更宽的P型区，以及区域相对较窄、较浅的N型区，从而同样可以在后续形成的多晶硅下方形成沟长非常稳定的P型沟道区。该方法虽然同样经历了一定的热过程，但该热过程可以放在栅氧生长以及淀积POLY前，因此可以安排在低压MOS相应的离子注入之前，不会对低压MOS的Vt注入产生任何影响，同样可以使LDMOS与低压MOS共用同一层P0LY，工艺更加简单，节省一道光刻流程，能够降低成本。同理，对于PLDMOS的情况，同样可以在步骤S130中分别注入扩散速度较快的N型杂质和较慢的P型杂质，例如磷和铟，来获得所需的体区和源极。
[0030]S140，形成栅氧化层。
[0031]P型体区30和源极52形成完毕后，采用习知的工艺形成栅氧化层(图未示)。
[0032]S150，淀积并蚀刻多晶硅，形成栅极。
[0033]如图4所示，采用习知的工艺，光刻形成光刻胶64后，刻蚀形成栅极70 (及搭场部分)。完成后如图5所示，在图4的基础上进一步形成源极54、体区56以及漏极58。
[0034]利用上述横向扩散金属氧化物半导体场效应管的制造方法制作的横向扩散金属氧化物半导体场效应管，其沟道长度更短，沟道电阻减小的同时，总尺寸更小，使总的Rdson更低。对于工作电压较低、总尺寸较小的LDMOS尤其有效，比传统的LDMOS Rdson可以低10%至 30%。
[0035]以上所述实施例仅表达了本发明的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对本发明专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本发明的保护范围。因此，本发明专利的保护范围应以所附权利要求为准。
【主权项】
1.一种横向扩散金属氧化物半导体场效应管的制造方法，包括步骤: 在衬底上形成第一掺杂类型的漂移区； 通过光刻版进行光刻，形成注入窗口 ； 通过所述注入窗口注入第二掺杂类型离子形成体区，及注入第一掺杂类型离子形成源极区，控制注入角度和注入能量使所述体区的结深大于所述源极区的结深，宽度大于所述源极区的宽度； 形成栅氧化层； 淀积并蚀刻多晶硅，形成栅极；所述第一掺杂类型和第二掺杂类型的电性相反。2.根据权利要求1所述的横向扩散金属氧化物半导体场效应管的制造方法，其特征在于，通过所述注入窗口注入第二掺杂类型离子形成体区，及注入第一掺杂类型离子形成源极区，控制注入角度和注入能量使所述体区的结深大于所述源极区的结深，宽度大于所述源极区的宽度的步骤，是使得第二掺杂类型离子的注入方向与衬底法线间的夹角，大于所述第一掺杂类型离子的注入方向与衬底法线间的夹角，且所述第二掺杂类型离子的注入能量大于所述第一掺杂类型离子的注入能量。3.根据权利要求1所述的横向扩散金属氧化物半导体场效应管的制造方法，其特征在于，所述第一掺杂类型为N型，所述第二掺杂类型为P型，所述形成栅氧化层的步骤之前还包括热扩散步骤。4.根据权利要求1所述的横向扩散金属氧化物半导体场效应管的制造方法，其特征在于，所述淀积并蚀刻多晶硅，形成栅极的步骤中，包括形成横向扩散金属氧化物半导体场效应管的栅极和低压金属氧化物半导体场效应管的栅极。5.根据权利要求1所述的横向扩散金属氧化物半导体场效应管的制造方法，其特征在于，通过所述光刻版进行光刻，形成注入窗口的步骤之前，还包括形成隔离结构的步骤。6.根据权利要求1所述的横向扩散金属氧化物半导体场效应管的制造方法，其特征在于，所述隔离结构为浅沟槽隔离结构或场氧层。
【文档编号】H01L21/266GK105990139SQ201510051574
【公开日】2016年10月5日
【申请日】2015年1月30日
【发明人】韩广涛, 孙贵鹏
【申请人】无锡华润上华半导体有限公司