荧光体及其制造方法及使用荧光体的发光装置和显示装置的制作方法

专利名称：荧光体及其制造方法及使用荧光体的发光装置和显示装置的制作方法
技术领域：
本发明涉及一种荧光体(phosphor )，并且特别是涉及一种包括 作为基材(base material)的(Sr^, Bax)3Si05和作为活化剂的铕(Eu ) 并发射橙色荧光的荧光体，用于制造该荧光体的方法，以及〗吏用该 荧光体的发光装置和显示装置。
背景技术：
近年来，已经开发并广泛4吏用了主要由可以有效地发射在蓝光 波长范围中光的氮化镓构成的蓝色发光二极管(LED)。通过使这 样的蓝色LED与黄色荧光体结合已经开发了白色发光装置(白色 LED )，该黄色荧光体在用由蓝色LED辐射的蓝光波长范围内的光 激发下发射黄色荧光。由于白色LED具有覆盖宽波长范围的光谱， 因此考虑可见度曲线的亮度很高。因此，白色LED被用于诸如连 接至便携式电话或便携式摄像机的显示装置的光学装置。其还被用作液晶显示器的背光作为用于现有小型灯或荧光灯等的替z氏品。例
如，使用(Y， Gd)3(Al, Ga)sOi2:Ce作为黄色荧光体。
通过使蓝色LED与黄色荧光体结合获得的白色LED具有的问 题在于由于缺少红光发射，在红色区域中的显色性(color rendering)较低。因此，当用在蓝光波长范围内的光激发时，发射 红色荧光的红色荧光体和发射橙色荧光的橙色荧光体被有效地开 发。然而，具有600 nm以上的发射波长的红色荧光体在其晶体结 构中必然具有高比例的共价键。因此，仅少数晶体是可利用的，并 且石克化物和氮化物是大多数才艮道为红色荧光体的晶体。
存在一些关于由碱土金属的硅酸盐构成的橙色荧光体的报道。
题为"PHOSPHOR AND TEMPERATURE SENSOR USING THE SAME"的曰本未审查专矛J申"i青z^开号2005-68269 (第0010
至0014 >a)(专利文献i) ^是供以下描述。
构成根据专利文献1的发明的荧光体的基材是碱土金属的硅酸
盐并且由通式Mx(SiOn)y表示，其中n是3以上的整数，优选3~5。 换句话说，优选三氧化硅(Si03)、四氧化硅(Si04)和五氧化硅(Si05) 作为硅酸盐。这可能是因为它们可以形成适合作为荧光体的基材的
晶体结构。
在该通式中，M表示一种或多种碱土金属元素。；咸土金属的实 例包4舌4美(Mg)、钙(Ca)、名愁(Sr)、钡(Ba)和4雷(Ra )。在这 些石成土金属之中，Sr和Ba是Y尤选的，因为它们可以形成适合作为 荧光体的基材的晶体结构。碱土金属M可以特别地由(Ba^a, Sra) 表示，其中a是混合晶体比(0SaS 1)。在该通式中，x和y各自 表示1以上的整数，并且x根据n和y来确定。在该通式中y = 1 的情况下，x》l是优选的。这意味着，对于均包含在基材中的碱土金属与硅酸盐基于摩尔数进行比较，碱土金属的摩尔数大于或等于 硅酸盐的摩尔数。这可能是因为这样的组成是形成适合作为荧光体 的基材的晶体结构所必需的。
满足上述条件的碱土金属的硅酸盐的实例包括Ba3Si05、 Sr3SiOs、 (Ba,.a, Sra)3SiOs、 Ba2Si04和0t陽BaSiO3。在它们之中，Ba3SiOs、 Sr3SiOs和(Bara, Sra)3SiOs具有正方晶系Cs3CoCl5型晶体结构。
该荧光体包括作为基材的碱土金属的石圭酸盐和作为活化剂的 镧系元素离子，并且由通式La:Mx(SiOn)y表示，其中La是镧系元素。 镧系元素是铕(Eu)和铈(Ce)中的一种，并且例如如果其是Eu 则通过采取E」+的形式并且如果其是Ce则通过采取Ce"的形式被 包含在荧光体中。将Eu或Ce作为氧化物加入到基材中，如果其是 Eu则通过采耳又Eu203的形式并且如果其是Ce则通过采取Ce02的 形式。在这种情况下，优选加入相对于1原子的碱土金属(M)的 0.001至0.2原子百分比的镧系元素(La)。在小于0.001原子百分 比的情况下，发光强度降低并且不能获得足够的亮度。在大于0.2 原子百分比的情况下，可能会发生称为浓度猝灭的光猝灭。
焚光体的实例包括Eu2+:Ba3SiOs、 Ce3+:Ba3Si05、 Eu2+:Sr3Si05、 Ce3+:Sr3Si05 、 Eu2+:(Bai_a ,Sra)3Si05 、Ce3+:(Bai_a,Sra)3Si05 、 Eu2+:Ba2Si04、 Ce3+:Ba2Si04、 Eu2+:BaSi03和Ce3+:BaSi03。
在曰本未审查专禾寸申{青/>开号2006-36943 (第0012 — 0014 ^: 和第0019 ~ 0020段)(专利文献2)以及日本未审查专利申i青乂〉开 号2007-227928 (第0017和0027 ,殳以及图4 )(专矛J文献3 )中， 描述了 Sr3SiOs荧光体，并且题为"ORANGE PHOSPHOR (橙色荧 光体)"的专利文献2提供了以下描述。
7才艮据专利文献2的发明的橙色荧光体具有由通式(Sr^， Eux)3Si05 (0 < x S 0.10)表示的单相晶体结构并且显示出具有在580 nm附近的峰的高强度橙色光发射。
在1300°C以上的烧成温度下或当在高于1300。C下进行烧成 时，获得了具有与在粉末衍射标准联合委员会(JCPDS)卡片号 26-984中记录的Sr3Si05的粉末X-射线衍射图相匹配的单相晶体结 构的荧光体。这种荧光体显示出具有在580 nm附近的峰的高强度
橙色光发射。
橙色荧光体具有Sr3SiOs的晶体结构以及一部分Sr用Eu代替 (置换)作为活化剂的结构。Sr用Eu代^办的比率为大于Sr的原子 量的0%但不大于10%。这是因为如果Sr没有用Eu代替，则不能 发生光发射。而且，如果大于10%的Sr用Eu代替，则由于由浓度 猝灭、多相晶体结构的形成等引起的在紫外线范围到可见光范围中 的光激发，焚光体并不呈现出高强度光发射。
在非专利文献1 ( J. K. Park et al， "Embodiment of the warm white-light-emitting diodes by using a Ba codoped Sr3SiO5:Eu phosphor", Appl. Phys. Lett., 88, 043511-1至-3 (2006)(图1和 043511-1右栏第12 4亍至043511-2右栏第15《亍))中，描述了作为 Ba2+浓度的函数的Sr3SiOs:Eu样品((Sr2.93-X， Bax)Si05:Euo.。7 (x = 0.0、 0.05、 0.10和0.20))的焚光光谦。在该描述中，随着Ba2+浓度增力口， 整个光^普偏移到更长的波长，并且峰值波长/人570 nm偏移到585 nm。此夕卜，当Ba2+浓度超过0.5 molo/o时，形成第二相BaSi409。
非专利文献2 ( H. S. Jang, W. B. Im and D. Y. Jeon: "Luminescent properties of (Sr^MxhSiO^Eu(M = Ca, Ba) phosphor for white emitting light source using blue/near UV LEDs，' Proc. IDW/AD'05 (2005) pp. 539-pp. 542)(图3、图4、摘要、结果和讨论、结论))提供了以下描述。当在Sr3SiOs主晶格中的Eu"离子 数增加时，实际上观察到发光波长偏移到较长的波长。在具有0 mol%、 20 mol%、 40 mol%、 60 molo/o和80 molo/o的Ba浓度的(Sr", Bax)3SiOs:Eu2+的光致发光(PL)光谱中，当Si"2+位置用20 mol。/o的 Ba"替代时，发射带偏移到较长的波长，即，发生红移。当Ba浓 度超过20mol。/o时，发射带偏移到较短的波长。

发明内容
在通过结合蓝色LED和黄色荧光体而获得的白色LED中，由 于缺少红光发射，因此在红色区域中的显色性低。为了改善显色性， 期望开发一种通过吸收蓝光波长范围(400-480 nm)内的光而发 射橙色到红色焚光的荧光体。举例说明硫化物荧光体和氮化物焚光 体作为具有600 nm以上的发射波长的红色荧光体。然而，H2S气体 对于合成石克化物焚光体是必需的。在高温和高压下、在昂贵的高温 高压烧成炉和复杂的合成工艺中烧成是合成氮化物荧光体所必需 的，其增加制造成本。由于易于受水影响的氮化物净皮用作合成氮化 物荧光体的原料，因此在手套箱中对这样的材料进行干混。因此， 关注每一 细节对于合成来说是必需的。
在非专利文献l中，描述了(Sr2.9k, Bax)Si05:Euo.o7荧光体(x: 0.0、 0.05、 0.10和0.20)。在该描述中，随着Sr3SiOs:Eu中Ba"浓 度的增力口，峰值波长乂人570 nm偏移到585 nm,并且偏移4亭止于585 nm处。此外，当Ba2+浓度超过0.5molo/o时，形成了 BaSi409。
假定，在非专利文献1中描述的(Sr2.93.x， Bax)Si05:Euo.Q7中， Ba位置用Eu替代。于是，荧光体的基材由(Sr2.93-x， Bax+o.。7)Si05 表示。在(l) x = 0.2的情况下，荧光体的基材由(Sr2.73, Ba027)SiO5 表示。在(2) x = 0.5的情况下，荧光体的基材由(Sr2.43, Ba0.57)SiO5 表示。如果(1 )和(2)的基材由(Sr!-x， Bax)3SiOs表示，则在(1 )的基才才中4寻到x = 0.27/3 =0.09，而在(2 )的基才才中4f到x = 0.57/3 = 0.19。
非专利文献1描述了一种包括7 mol。/。用作活化剂的Eu的 (Sr2.93_x， Bax)3Si05:Euo.o7荧光体，^f旦是没有记载除了 7 mol。/。以外的 Eu浓度的焚光体。非专利文献1并没有教导具有超过585 nm的峰 值波长(发光中心波长)的荧光体或包括作为由(Sr^， Bax)3Si05 表示的基材的(SiVx， Bax)3Si05 (其中x 2 0.1)以及作为活化剂的 Eu的荧光体。而且，没有描述包括作为基材的(Sr^， Bax)3Si05(其 中x 2 0.2 )和4乍为活4b剂的Eu的荧光体。
非专利文献2披露了当Eu浓度改变为0.5 mol%、 1.0 mol%、 1.5 mol%、 2.0 molo/。和3.0 mol。/o时，在405 nm激发下Sr3Si05:Eu2+ 的PL光谱，并且随着Eu浓度增加，发射波长偏移到较长的波长。 非专利文献2还教导了 ，在具有0 mol%、 20 mol%、 40 mol%、 60 mol。/。和80 mol。/o的Ba浓度的(Sru， Bax)3Si05:Eu21々PL光i普中， 当Ba浓度为20 mol。/。时发射带偏移到较长的波长，并且当Ba浓度 超过20 mol。/。时发射带偏移到较短的波长。
然而，非专利文献2并没有教导具有超过600 nm的峰值波长 (发光中心波长)并包括作为由(Sn-x, Bax)3Si05表示的基材的(Sr,-x， Bax)3Si05 (其中x S 0.1 )以及3 mol% ~ 6 mol。/o的^f乍为活4匕剂的Eu 的荧光体。
因此，期望提供一种包括作为基材的(Sn.x， Bax)3SiOs(其中1> x^O.l)和作为活化剂的铕(Eu)并发射橙色焚光的荧光体，用于 制造该荧光体的方法，以及使用该荧光体的发光装置和显示装置。
本发明的实施方式提供了一种荧光体，其包括作为基材的 (Sr!-x， Bax)3Si05,其中l〉x^0.1;以及作为活化剂的铕(Eu )。基
10于Sr、 Ba和Eu的组成比，将该荧光体的发光中心波长4空制为600 nm以上。
本发明的实施方式还提供了 一种用于制造包括作为基材的 (Sr.x， Ba》3Si05和作为活化剂的铕(Eu)的荧光体的方法，包括以 下步骤制备分别包括Sr、 Ba、 Si和Eu的化合物的混合物，使得 Sr、 Ba和Si的摩尔比为Sr:Ba:Si = 3(1 -x):3x:l (其中1 >x^0.1 ), 并且Eu的摩尔凄t与Sr、 Ba和Eu的总摩尔凄t的比率为0.02 -0.08; 以及在1300。C~ 1700。C的温度下烧制(烧成)该混合物。在该方 法中，基于Sr、 Ba和Eu的组成比，将发光中心波长控制为600 nm 以上。
本发明的实施方式还提供了一种使用上述荧光体的发光装置。
本发明的实施方式还提供了 一种具有使用上述荧光体的发光 装置作为用于照射显示部的光源的显示装置。
根据本发明实施方式的荧光体包括作为基材的(Sr", Bax)3Si05 (其中1 > x 2 0.1 )和作为活4匕剂的铕(Eu)，并且基于Sr、 Ba和 Eu的组成比，将其发光中心波长控制为600nm以上。因此，可以 提供一种发射橙色荧光并可以改善在红色区域中的显色性的荧光体。
才艮据本发明的实施方式，用于制造荧光体的方法包括以下步 骤制备分别包括Sr、 Ba、 Si和Eu的化合物的混合物，使得Sr、 Ba和Si的摩尔比为Sr:Ba:Si = 3(l - x):3x:l (其中1 〉x^0.1 ),并 且Eu的摩尔凄t与Sr、 Ba和Eu的总摩尔凄史的比率为0.02-0.08; 以及在1300。C- 1700。C的温度下烧制该混合物。因此，可以提供 一种用于制造荧光体的方法，该荧光体包括作为基材的(Sr", Bax)3SiOs和作为活化剂的Eu，具有基于Sr、 Ba和Eu的组成比控制的600 nm以上的发光中心波长，发射橙色荧光，并且可以改善 在红色区域中的显色性。在比率为0.02-0.08的情况下，该荧光体 的发光强度是该比率为0.1的荧光体的发光强度的约1.8倍至约2倍。
由于根据本发明实施方式的发光装置使用上述荧光体，因此可 以提供一种可以改善显色性的发光装置。
由于根据本发明实施方式的显示装置包括使用上述荧光体的 发光装置作为用于照射显示部的光源，因此可以提供一种显色性被 改善的显示装置。


图1是示出了在本发明的实施例中(Sr^x, Bax)3Si05:Eu荧光体
的荧光光谱的曲线图2A和图2B是示出了在本发明的实施例中(Sr!-x，Bax)3Si05:Eu 荧光体的组成x和荧光特性之间的相互关系的曲线图3是示出了在本发明的实施例中在用各种Eu浓度合成(Sr^， Bax)3Si05:Eu荧光体(x = 0.5 )中混合的原料的量的图表；
图4是示出了在本发明的实施例中发光强度作为(Sr"， Bax)3Si05:Eu焚光体(x = 0.5 )的Eu浓度的函数的曲线图5是示出了在本发明的实施例中在合成(Sr^， Bax)3Si05:Eu 荧光体(x^0.25、 0.5和0.75; Eu = 8 mol% )中；昆合的原泮+的量的
图表；图6是示出了在本发明的实施例中Ba3SiOs:Eu荧光体的测量的 X射线衍射图(主要部分)的曲线图7是示出了在本发明的实施例中(Sro.25, Bao.75)3Si05:Eu荧光 体的测量的X射线衍射图(主要部分)的曲线图8是示出了在本发明的实施例中(Sr。.5， Ba0.5)3SiO5:Eu荧光体 的测量的X射线衍射图(主要部分)的曲线图9是示出了在本发明的实施例中(Sro.7s, Ba0.25)3SiO5:Eu荧光 体的测量的X射线衍射图(主要部分)的曲线图10是示出了在本发明的实施例中Sr3Si05:Eu荧光体的测量 的X射线书f射图(主要部分)的曲线图11是示出了在本发明的实施例中(SiVx, Bax)3Si05:Eu荧光体 的组成x与测量的X射线衍射图(主要部分)之间的相互关系的曲 线图12是示出了在本发明的实施例中(Sr!-x, Bax)3Si05:Eu荧光体 的组成x与由测量的X射线衍射图导出的晶格常数之间的相互关系 的曲线图；以及
图13是在本发明的实施方式中白色发光装置的截面图。
具体实施例方式
在才艮据本发明实施方式的荧光体中，优选x2 0.2。当x 2 0.2 时，可以获得具有600 nm以上的发光中心波长并可以改善在红色 区域中的显色性的荧光体。尤其是在x^0.5的情况下，可以获得具 有的荧光强度高于发射黄色荧光的黄色4乙铝石榴石(YAG)荧光体
13((YL5， GdL5)(Al2， Ga3)On:Ce)并具有606 nm以上的发光中心波长 以及可以改善在红色区域中的显色性的荧光体。在0.5 2x2 0.1的 情况下，(Sr"， Bax)3SiOs:Eu荧光体的荧光强度是黄色YAG荧光体 的荧光强度的约1.07至约1.20倍。
优选0.8 2x。当0.8 2x时，可以获4寻具有600nm以上的发光
x S 0.5的情况下，该荧光体具有比黄色YAG荧光体更高的荧光强 度。在0.5 2x20.1的情况下，(Sr!-x, Bax)3Si05:Eu荧光体的荧光强 度是黄色YAG荧光体的荧光强度的约1.07至约1.20倍。
优选0.5 2x。当0.5Sx时，可以获得具有的荧光强度高于黄色 YAG荧光体并具有600 nm以上的发光中心波长以及可以改善在红 色区域中的显色性的焚光体。在0.5 2 x 2 0.1的情况下，(SiVx， Bax)3Si05:Eu荧光体的荧光强度是黄色YAG荧光体的荧光强度的约 1.07至约1.20倍。
活化剂的浓度优选为2 mol%~8 mol%。在这样的浓度下，荧 光体的发光强度是具有10 molQ/。活化剂浓度的荧光体的发光强度高 的约1.8至约2倍。因此，可以获得具有高荧光强度并可以改善在 红色区域中的显色性的荧光体。
活化剂的浓度优选为6 mol%~8 mol%。在这样的浓度下，荧 光体的发光强度是具有10 moin/。活化剂浓度的荧光体的发光强度的 约1.9至约2倍。因此，可以获得具有较高荧光强度并可以改善在 红色区域中的显色性的焚光体。
当用蓝光激发时荧光体优选发射荧光。这样的焚光体可以通过 发射蓝光的发光元件来激发。可以通过混合蓝光和由荧光体发射的 橙色荧光来构造白色发光装置。此外，可以获得使用该发光装置作为用于照射显示部的光源的显示元件。这里提及的"蓝光"是指"在
蓝光波长范围内的光"，其具有400至480nm的波长(这同冲羊适用 于下文)。
焚光体优选通过在1300。C ~ 1700°C的温度下烧制分别包括Sr、 Ba、 Si和Eu的4匕合物的混合物来合成，制备该混合物^吏得Sr、 Ba 和Si的摩尔比为Sr:Ba:Si = 3(1 - x):3x:l其中1 〉 x 2 0.1，并且Eu 的摩尔凄t与Sr、 Ba,口Eu的总摩尔凄史的比率为0.02 — 0.08。在l〉x 之O.l并且比率为0.02-0.08的情况下，焚光体的发光强度是在比率 为0.1的情况下的约1.8至约2倍。因此，可以获4寻具有高焚光强 度、发射发光中心波长为600 nm以上的橙色荧光，并且可以 文善 在红色区域中的显色性的荧光体。
0.2。当x》0.2时，可以^是供一种用于制造具有600 nm以上的发光 中心波长并且可以改善在红色区域中的显色性的荧光体的方法。尤 其是在x S 0.5的情况下，可以提供一种用于制造具有比黄色YAG 荧光体更高的荧光强度并具有606 nm以上的发光中心波长以及可 以改善在红色区i或中的显色性的荧光体的方法。在0.5 2 x 2 0.1的 情况下，(Sr^， Bax)3Si05:Eu荧光体的荧光强度是黄色YAG荧光体 的荧光强度的约1.07至约1.20倍。
优选0.8 2 x。当0.8 kx时，可以才是供一种用于制造具有600 nm 以上的发光中心波长并且可以改善在红色区域中的显色性的荧光 体的方法。尤其是在x^0.5的情况下，可以提供一种用于制造具有 比黄色YAG荧光体更高的荧光强度的荧光体的方法。在0.5 2 x 2 0.1的情况下，(SiVx, Bax)3Si05:Eu荧光体的荧光强度是黄色YAG 荧光体的荧光强度的约1.07至约1.20倍。
15优选0.5^x。当0.52x时，可以提供一种用于制造具有比黄色 YAG荧光体更高的荧光强度、具有600 nm以上的发光中心波长以 及可以改善在红色区域中的显色性的焚光体的方法。在0.5 2x2 0.1 的情况下，(Sr^， Bax)3SiOs:Eu荧光体的荧光强度是黄色YAG荧光 体的约1.07至约1.20倍。
活化剂的浓度优选为2 mol°/t)~8 mol%。在这样的浓度下，该 荧光体的发光强度是具有10 mol。/。活化剂浓度的荧光体的约1.8至 约2倍。因此，可以获得一种用于制造具有高荧光强度并且可以改 善在红色区i^中的显色性的焚光体的方法。
活化剂的浓度优选为6 mol%~8 mol%。在这样的浓度下，荧 光体的发光强度是具有10 moP/。活化剂浓度的荧光体的约1.9至约2 倍。因此，可以获得一种用于制造具有较高荧光强度并且可以改善 在红色区域中的显色性的荧光体的方法。
当用蓝光激发时荧光体优选发射荧光。在这种情况下，可以提 供一种用于制造可以通过发射蓝光的发光元件激发的荧光体的方 法。在该方法中，可以通过混合蓝光和由荧光体发射的橙色荧光来 构造白色发光装置。此外，可以获得一种使用该发光装置作为用于 照射显示部的光源的显示元件以及一种可以改善在红色区域中的 显色性的荧光体。
在根据本发明实施方式的发光装置中，荧光体优选通过发射蓝 光的发光元件来激发。在这种情况下，当用由发光元件发射的蓝光 激发时，荧光体发射橙色荧光，并且使该橙色荧光与蓝光混合以实 现发射显色性改善的白光的发光装置。
在根据本发明实施方式的显示装置中，荧光体优选通过发射蓝 光的发光元件来激发。在这种情况下，当用由发光元件发射的蓝光激发时，荧光体发射橙色荧光，并且使该橙色荧光与蓝光混合以实 现发射显色性改善的白光的发光装置。由于显示装置包括这样的发 光装置，因此可以获得在红色区域中具有强光的显示装置。
关于包括作为基材的(Sr^， Bax)3SiOs和作为活化剂的Eu的五 氧化-圭荧光体，基于Sr、 Ba和Eu的组成比，由用蓝光激发产生的 其荧光光谱特性被认为显著不同。换句话说，认为荧光光镨的宽度、 发光中心波长、以及峰值荧光强度不仅基于Sr和Ba的组成比而且 基于Eu的《且成比而不同。
在本发明中，检测了基于Sr、 Ba和Eu的组成比，五氧化硅荧 光体的荧光光谱特性的变化。因此，可以获得这样的荧光体，该荧 光体具有在橙色光波长范围内具有高峰值荧光强度的荧光光谱， 600 nm以上的发光中心波长，以及/人黄光波长范围到红光波长范围 的宽分布。可以发现，可以通过4吏用这种荧光体来改善在红色区域 中的显色性。
才艮据本发明实施方式的荧光体包4舌作为基材的(SrVx， Bax)3Si05 (其中1 >x^0.1 )和4乍为活4匕剂的Eu。该荧光体具有基于Sr、 Ba 和Eu的组成比控制的600 nm以上的发光中心波长，通过在蓝光波 长范围(蓝光；400至480 nm)内的光来激发，发射具有600 nm 以上的发光中心波长的高强度橙色荧光，并且可以改善在红色区域 中的显色性。更优选地，x2 0.2。优选地，0.8 2 x，并且更优选0.5 > x。
活化剂的浓度优选为2 mol% ~ 8 mol°/o,更优选为6 mol% ~ 8 mol%。在0.5 2 x 2 0.1的情况下，(Sr,-x, Bax)3Si05:Eu焚光体的荧 光强度是黄色YAG荧光体(Y!.5， Gdi5)(Al2, Ga3)012:Ce的荧光强度 高的约1.07至约1.20倍。在活化剂的浓度为2 mol。/。以上8 mol。/o以 下的情况下，荧光体的发光强度是具有10mol。/。活化剂浓度的荧光体的发光强度的约1.8至约2倍。在活化剂的浓度为6mol。/。以上8 mol。/。以下的情况下，荧光体的发光强度是具有10mol。/。活化剂浓度 的荧光体的发光强度的约1.9至约2倍。
在根据本发明的实施方式的荧光体中，称取分别包括Sr、 Ba、 Si和Eu的化合物使得金属元素Sr、 Ba和Si的摩尔比(或原子比) 为Sr:Ba:Si = 3(l -x):3x:l其中1 〉x^0.1，并且Eu的摩尔数NEu(或 原子数)与Sr、 Ba和Eu的总摩尔数Ni (NT = 3)(或荧光体的化学式 中的总原子数)的比率(=NEu/NT)(摩尔比或原子比)为0.02 ~ 0.08, 优选0.06~0.08。然后由该化合物合成荧光体。NSr、 N^和Neu分 别表示Sr、 Ba和Eu的摩尔凄丈，并且NT = NSr + NBa + NEu = 3。
在上述比率为0.02以上0.08以下的情况下，该焚光体的发光 强度是其比率为0.1的荧光体的发光强度的约1.8至约2倍。在上 述比率为0.06以上0.08以下的情况下，该荧光体的发光强度是其 比率为0.1的荧光体的发光强度的约1.9至约2倍。
即，称取分别包括Sr、 Ba、 Si和Eu的化合物的粉末使得所得 的荧光体包括作为基材的(Sr!.x， Bax)3Si05 (其中1 > x 2 0.1 )以及 作为活化剂的Eu,其中Eu浓度(摩尔百分比或原子百分比)为2% ~ 8%( 0.02 S (NEu/NT) S 0.08 )，优选6% ~ 8%( 0.06《(NEu/NT) S 0.08 )。 对粉末进行混合并粉碎以制备混合物。
在1300。C以上1700°C以下的温度下烧制该混合物以合成焚光 体。为了获得具有期望组成的荧光体，伊O选在1600°C下在包含4% 以下氢(基于体积)的惰性气体气氛中烧制该混合物。
分别包括Sr、 Ba、 Si和Eu的化合物主要是氧化物、碳酸盐、 草酸盐等，但并不限于这些。该化合物可以是其他无才几盐或有才几化 合物诸如有一几盐。物4吏得基于Sr、 Ba和Eu的组成比，发光中心波长^皮控制为600 nm 以上；金属元素Sr、 Ba和Si的摩尔比(或原子比)为Sr:Ba:Si = 3(1 -x):3x:l其中l>x^0.1;并且Eu的摩尔数Neu(或原子凄丈)与Sr、 Ba和Eu的总摩尔数NT (NT = 3)(或荧光体的化学式中的总原子数) 的比率(=NEu/NT)(摩尔比或原子比)为0.02 ~ 0.08，优选0.06 ~ 0.08。 然后烧制该混合物以合成荧光体。
换句话说，用于制造荧光体的方法包括称取分别包括Sr、 Ba、 Si和Eu的化合物使得Eu浓度(摩尔百分比或原子百分比)为2% ~ 8%，优选6%~8%,然后通过混合并粉石f该化合物来制备混合物的 原料制备步骤；以及在1300°C以上1700。C以下的温度下烧制该混 合物的烧制步-骤。在该方法中，基于Sr、 Ba和Eu的组成比将发光 中心波长控制为600 nm以上。
在烧制步骤中，优选在1600°C下在包含4%以下的氬(基于体 积)的惰性气体气氛中烧制该混合物4小时。结果，可以制造包括 作为基材的(SrVx, Bax)3SK)5和作为活化剂的Eu，发射具有600 nm 以上的发光中心波长的高强度橙色荧光，并且可以改善在红色区域 中的显色性的荧光体。
通过上述方法制造的具有2%以上8%以下的Eu浓度的荧光体 的发光强度是具有10%的Eu浓度的荧光体的发光强度的约1.8至 约2倍。具有6%以上8%以下的Eu浓度的荧光体的发光强度是具 有10%的Eu浓度的荧光体的发光强度的约1.9至约2倍。
现在，将参照附图详细地描述本发明的实施方式。
19实施方式
才艮据本发明实施方式的荧光体通过在400至480 nm的蓝光波 长范围内的光来激发，具有600 nm以上的发光中心波长，并包括 作为基材的(Sr^， Bax)3SiOs其中1 > x 2 0.1和作为活4匕剂的Eu。 伊C选i也，x2 0.2，更伊C选0.8 2x，更优选0.5 2x。在0.5>乂2 0.1 的情况下，(Sr!-x， Bax)3Si05:Eu荧光体的荧光强度是黄色YAG荧光 体(Yls， Gd!.5)(Al2, Ga3)012:Ce的荧光强度的约1.07至约1.20倍。
才艮据本发明实施方式的荧光体可以适当i也用于发光装置和显 示装置。尤其是，荧光体可以适当地用于使用发光装置(如白色 LED)的显示装置(如液晶显示装置)。
在下文的描述中，包括作为基材的(S巧-x, Bax)3Si05( 1 >x》0.1 ) 和作为活化剂的Eu的荧光体由(SiVx， Bax)3SiOs:Eu表示，其中x 表示基材的组成。Eu浓度由Eu的摩尔数NEu(或原子数)与Sr、 Ba 和Eu的总摩尔数NT (NT = 3)(或荧光体的化学式中的总原子数) 的比率—Neu/Nt)(摩尔百分比或原子百分比)表示。尤其是当荧光 体的元素组成^皮清楚i也描述时，荧光体由(Sra， Bab)SiO5:Euc(a>0, b>0， c>0， a + b + c二3)表示。
图13是在本发明的实施方式中使用荧光体的白色发光装置(发 光装置，白色LED)的截面图。
在白色发光装置10中，如图13所示，InGaN蓝色LED 14安 装在i殳置在壳体11中的反射杯的底部上，并且蓝色LED 14通过4妄 合线15连接至端子电极13。反射杯具有带反射面的凹部以通过反 射改善光发射的方向性。端子电极13连接至外部电源(未示出)。例如，将蓝色LED 14密封在包含透明环氧树脂以及分散的才艮 据本发明实施方式的橙色荧光体的模制部分16中。用于调节发射 光的发散角的透镜可以设置在模制部分16和壳体11的上表面上。
当用在由蓝色LED 14发射的蓝光波长范围内的光激发时，橙 色荧光体发射橙色荧光。使橙色荧光与在由蓝色LED 14发射的蓝 光波长范围内的光混合，并且白色发光装置10产生白光。由通过 使蓝色LED与发射黄色荧光的YAG焚光体结合获得的现有白色发 光装置发射的白光包括较少的红光成分，并且在红色区域中呈现出 低显色性。
由于由通过使蓝色LED与根据本发明实施方式的橙色荧光体 结合获得的白色发光装置发射的白光通过混合在由蓝色LED发射 的蓝光波长范围内的光与由橙色荧光体发射的橙色荧光而产生，因 此可以增加红光成分并且可以改善显色性。这才羊的白色发光装置可 以适当地被用作液晶显示器的背后照明。
此外，根据本发明实施方式的橙色荧光体可以与发射黄色荧光 的YAG焚光体混合。换句话说，可以混合根据本发明实施方式的 橙色荧光体和发射黄色荧光的YAG荧光体并且例如分散在构成图 13所示的才莫制部分16的树脂诸如透明环氧树脂中。这可以进一步 增加红光成分并改善显色性以获得具有低色温的白色发光装置。通 过使用这样的白色发光装置作为液晶显示器的背后照明，可以获得 在红色区域中具有更明亮的光的液晶显示器。
实施例
图1是示出了在本发明的实施例中(Sr^， Bax)3Si05:Eu荧光体 (基才才的纟且成x^0.0、 0.25、 0.5、 0.75和1.0 )的焚光光"i普的曲纟戋图。在图1中，横坐标表示波长(nm)而纵坐标表示相对荧光强度。 在该曲线图中，(a)是Ba3SiOs:Eu荧光体(x=1.0)的荧光光谱，
(b)是(Sro.25, Bao.75)3Si05:Eu荧光体(x = 0.75)的荧光光谱，(c) 是(Sro.s， Bao.5)3Si05:Eu荧光体(x = 0.5 )的荧光光语，(d ) A(Sr0.75, Ba0 25)3SiO5:Eu荧光体(x = 0.25)的荧光光谱，(e)是Sr3Si05:Eu 荧光体(x = 0.0)的焚光光i普，以及(f)是黄色YAG荧光体的荧 光光谱。
黄色YAG荧光体是商业上可获得的构成其基材的元素的比率 为Y:Gd二l:l禾口 Al:Ga = 2:3的(Y, Gd)3(Al， Ga)5012:Ce,即(Y,.s， Gd15)(Al2， Ga3)012:Ce。在图1中，各荧光体的Eu浓度为8 mol%， 并且下面描述用于合成焚光体(a)至(e)的方法(参照关于图3 和图5的描述)。
在图1中，激发波长为450 nm。如图1的下部空间所示，荧光 体(a)至(f)的焚光光谱的峰值波长(发光中心波长)分别为595 nm、 602 nm、 610 nm、 608 nm、 588 nm和565 nm。矛J用可由JOBIN YVON获得的使用Xe作为激发光源的测量系统Florog 3来测量荧 光光谦。
(b) (Sr0.25, Bao.75)3Si05:Eu、 (c) (Sr0.5, Bao.5)3Si05:Eu和(d) (Sr0 75, Bao.25)3Si05:Eu的荧光光i普的各发光中心波长X为600 nm以 上，其在橙色光波长范围内。包含黄光波长范围和红光波长范围的 波长成分的荧光光谱较宽。
图2A和图2B是示出了在本发明的实施例中基材的组成x与 (Srvx, Bax)3Si05:Eu荧光体的荧光性能之间的相互关系的曲线图， 其通过整理图1所示的结果来描绘。图2A示出了作为基材的组成x的函数的荧光光谱的峰值波长 (发光中心波长)。图2B示出了作为基材的组成x的函数的荧光光 语的相对焚光强度。相对荧光强度作为相对值给出使得不同荧光体 的荧光强度可以相互比较。因此，任何荧光体的峰值强度可以被用
作基准。
如图2A所示，随着组成x乂人x-O.O增力口， (Sn陽x, Bax)3Si05:Eu 荧光体的荧光光谱的峰值波长X (发光中心波长)从588 nm偏移到 更长的波长。在约x-0.4时，偏移量达到其峰值并且获得了约610 nm的最大峰值波长。随着x进一步增加至x = 1.0,发射波长从最 大峰值波长偏移到较短的波长。在x = 1.0时，X为595 nm。
在1 > x之0.1的情况下，(Sr,-x， Bax)3Si05:Eu焚光体的荧光光 谱的各发光中心波长人均比Ba3Si05:Eu和Sr3Si05:Eu荧光体的荧光 光谱的发光中心波长人要长，并且X大于595 nm且最大峰值波长为 610nm。在0.8 2x20.1的情况下，荧光光谱的各发光中心波长入为 600 nm以上并且最大峰值波长为610 nm。在0.62 2 x 2 0.2的情况 下，荧光光i普的各发光中心波长X为606nm以上并且最大峰值波长 为610 nm 。
如图2B所示，随着组成x /人x = 0.0增加，(Srk， Bax)3Si05:Eu 荧光体的相对荧光强度增加，并且在x-0.25时达到其峰值。随着 x进一步增力a至x-l.O,相对荧光强度降低，并且最后，Ba3Si05:Eu 荧光体的相对荧光强度变得低于Sr3Si05:Eu荧光体。在x = 0.25的 情况下，(Sr!-x， Bax)3SiOs:Eu焚光体的荧光强度是黄色YAG荧光体 (Yl5, Gd,.5)(Ab， Ga3)012:Ce的焚光强度的约1.20倍。
在基材的组成x为0.5 2x^0.1的情况下，(SiVx, Bax)3Si05:Eu 荧光体的荧光光i普的相对荧光强度高于Ba3Si05:Eu和Sr3Si05:Eu荧 光体的相对荧光强度，并且还高于黄色YAG荧光体的相对荧光强
23度(用虚线表示)。即，在0.5 2x20.1的情况下，荧光光谱的各发 光中心波长X为600 nm以上，并且荧光光谱的相对荧光强度高于 Ba3SiOs:Eu焚光体、Sr3Si05:Eu荧光体以及黄色YAG荧光体中的4壬 一种的相对荧光强度。
在0.5 2x2 0.2的情况下，荧光光"i普的各发光中心波长X为606 nm以上，并且荧光光i普的相对荧光强度高于黄色YAG荧光体的相 对荧光强度。在0.5 2x20.1的情况下，(Sr-x, Bax)3Si05:Eu荧光体 的荧光强度是黄色YAG荧光体的荧光强度的约1.07至约1.20倍。
如上所述，具有在冲登色光波长范围内的600 nm以上的发光中 心波长并且具有从黄光波长范围到红光波长范围的宽分布的荧光 光i普的荧光体通过控制Sr和Ba的组成比来获得。利用这种荧光体， 可以改善红色区i或中的显色性。
现在，将描述(Sr,-x， Bax)3Si05:Eu荧光体的荧光强度的活化剂 浓度依赖性(Eu浓度依赖性)。
浓度)合成(SiVx， Bax)3Si05:Eu荧光体(x = 0.5 )中混合的原料的
量的表。
合成包括作为基材的(SiVx, Bax)3SiOs的x = 0.5的(Sro.s， Ba05)3SiO5:Eu荧光体，使得金属元素Sr、 Ba和Si的化学计量比(组 成比)(摩尔比或原子比)为Sr:Ba:Si = 1.5:1.5:1并且Eu浓度为2 mol%、 4mol%、 6mol%、 8 moP/o和10 mol%。
如图3所示，使用碳酸锶、碳酸钡、二氧化硅和氧化铕作为分 别包括Sr、 Ba、 Si和Eu的化合物。称取并混合这些化合物的粉末以制备〉'昆合物。4吏用可由Kojundo Chemical Laboratory Co. ， Ltd.获
得的碳酸锶、碳酸钡、二氧化硅和氧化铕。
称取并混合各粉末以合成(Sro.5, Bao.5)2.94Si05:Euo.o6、 (Sr0.5 ， Ba0 5)2.88SiO5:Eu012 、(Sr0.5 ,Ba0.5)2.82SiO5:Eu0.18 、(Sr0.5 , Ba0.5)2.76SiO5:Eu0.24和(Sro.s， Bao.5)2.70Si05:Eu0.30, W支定用活4匕剂Eu 同等地代替作为基材的(Sro.s， Bao.5)3Si05中的Sr和Ba。
图4是示出了在本发明的实施例中作为(SiVx， Bax)3Si05:Eu荧 光体(x = 0.5)的Eu浓度的函凄t的相对发光强度的曲线图。
在图4中，坤黄坐标表示Eu浓度(mol% )而纵坐标表示在450 nm 的激发波长处的相对发光强度(峰值荧光光谱强度)。利用用于测 量上述图1所示的焚光光i普的激发光源和荧光分光计来测量在它 们的荧光光谱的峰值波长(发光中心波长)处的荧光体的相对发 光强度。i口图4所示，随着Eu ;农度乂人2 moP/o变4匕到8 mol%,才目 对发光强度緩慢增加。在这些Eu浓度下的发光强度是在10mol% 的Eu浓度处的发光强度的约1.8至约2倍。在Eu浓度超过8 mol% 之后，相对发光强度快速降低。
因此，如上所述，由于峰值荧光光"i普强度耳又决于Eu的组成比， 因此Eu浓度优选为2 mol% ~ 8 mol%，更l尤选6 mol% ~ 8 mol%。 在Eu浓度为6 mol。/。以上8 mol。/。以下的情况下，荧光体的发光强 度是具有10 mol。/。的Eu浓度的荧光体的发光强度的约1.9至约2倍。
现在，将描述用于合成(Sr!-x， Bax)3Si05:Eu荧光体的方法。在 8mol。/。的Eu浓度下，合成了(Sr!-x, Bax)3Si05:Eu荧光体，其中x-0.0、 0.25、 0.5、 0.75和1.0。图5是示出了在本发明的实施例中在合成(Sr^x, Bax)3Si05:Eu 荧光体(乂 = 0.25、 0.5和0.75; Eu = 8 mol% )中混合的原泮牛的量的表。
合成包括作为基材的(Sr^， Bax)3Si05,其中x = 0.25、 0.5和0.75 的(Sr，-x， Bax)3Si05:Eu荧光体，使得金属元素Sr、 Ba和Si的摩尔 比(或原子比)为Sr:Ba:Si = 3(l - x):3x:l，并且Eu浓度为8 mol%。
如图5所示，使用碳酸锶、碳酸钡、二氧化硅和氧化铕作为分 别包括Sr、 Ba、 Si和Eu的化合物。称取并混合这些化合物的粉末 以制备';昆合4勿。 <吏用可由Kojundo Chemical Laboratory Co. ， Ltd.获 得的碳酸锶、碳酸钡、二氧化硅和氧化铕。
称取并混合各4分末以合成Ba2.76Si05:Euo.24 、 (Sr0.21 , Ba0.71)3SiO5:Eu0.24、 (Sr046, Ba0.46)3SiO5:Eu0.24、 (Sr0.71, Bao.2i)3Si05:Eu0.24 和Sr2.76Si05:Eu。.24，假定用活化剂Eu同等地代替作为基材的(Sr"x， Bax)3Si05中的Sr和Ba 。省略了在合成Ba2.76SiO5:Eu0.24和 Sr2.76Si05:Euo.24中混合的原泮牛的量。
如下合成包括作为基材的(Sr^， Bax)3SiOs和作为活化剂的Eu 的荧光体。在将20 g通过称取和混合如图3和图5所示的化合物制 备的混合物》文入到500 mL塑泮+并瓦中之后，向该混合物中力口入200 ml 的乙醇和200 g的5 (t)氧4匕4告J求。然后以50 rpm进4亍3求磨混合持续 3 0分钟。对球磨的混合物进行抽滤并在80。C下干燥3小时。
以1 L/min供应混合气体(forming gas)(包含4安体积计4%以 下的氢的惰性气体(氩气、氮气等))，并以300。C/min升高温度来 产生干燥混合物周围的气氛。在1600。C下在上述混合气体气氛中 烧制混合物4小时。粉石卒所得的烧制产物，4吏用可由Rigaku Co.,
26Ltd.获得的具有Ni过滤器和CuKa射线(波长0.1541 nm)的X射线4汙 射仪(RADIII)来测量得到图6至图10所示的粉末X-射线衍射图。
图6是示出了在本发明的实施例中包括作为基材的Ba3Si05:Eu (x = 1.0 )的焚光体的测量的X-射线衍射图(主要部分)的曲线图。
图7是示出了在本发明的实施例中包括作为基材的(Sro.25， Ba0.75)3SiO5:Eu (x = 0.75)并通过〉'昆合图5所示的原并+而合成的荧 光体的测量的X-射线衍射图(主要部分)的曲线图。
图8是示出了在本发明的实施例中包括作为基材的(Sro.5， Ba05)3SiO5:Eu (x = 0.5 )并通过混合图5所示的原料而合成的焚光 体的测量的X-射线彩f射图(主要部分)的曲线图。
图9是示出了在本发明的实施例中包括作为基材的(Sro.75, Ba025)3SiO5:Eu (x = 0.25)并通过混合图5所示的原津牛而合成的荧 光体的测量的X-射线衍射图(主要部分)的曲线图。
图IO是示出了在本发明的实施例中包括作为基材的Sr3SiOs:Eu 其中x = 0.0的荧光体的测量的X-射线衍射图(主要部分)的曲线图。
在图6至图10中，横坐标表示衍射角2e (度)而纵坐标表示
相对衍射强度。晶格常数a和c按如下使用图6至图10所示的X-射线布于射图来确定，4艮定(SrA， Bax)3Si05:Eu荧光体为正方晶系。
4汙射角2e的单位为度。
在Ba3Si05:Eu荧光体中，根据图6 4吏用在书f射角29 = 28.45 ((h,k,l) = (2，1，1))、 29 = 29.15 ((h，k,l) = (2,0,2))、 26 = 31.8。 ((h,k，l)=(0,0,4))和20 = 34.7o ((h,k，l) = (2，2,0))处的衍射峰获得a = 7.302 nm和 c = 11.24 nm。
在(Sr。.25， Bao.75)3Si05:Eu荧光体中，根据图7使用在衍射角26= 28.65 ((h，k,l) = (2，1,1))、20 = 29.40 ((h，k,l) = (2，0，2))和26 = 32.05 ((h,k，l) =(0,0，4))处的衍射峰获得a = 7.25 nm和c = 11.13 nm。
在(Sr。.5， Ba05)3SiO5:Eu荧光体中,根据图8使用在衍射角20 = 29.35 ((h,k，l) = (2,1，1))、2e = 30.05 ((h,k,l) = (2，0,2))和2e = 32.60 ((h，k,l) =(0,0,4》处的书亍射峰获得a = 7.08 nm和c = 10.96 nm。
在(Sro.7s, Ba0.25)3SiO5:Eu荧光体中，才艮据图9使用在衍射角20 =29.60 ((h，k，l) = (2,1,1》、20 = 30.25 ((h,k,l) = (2,0，2))和20 = 32.75 ((h,k,l) = (0，0，4))处的衍射峰获得a = 7.02 nm和c = 10.94 nm。
在Sr3Si05:Eu荧光体中，根据图10使用在书f射角20 = 29.90 ((h,k,l) = (2，1,1))、 26 = 30.6。 ((h,k，l) = (2，0，2))和26 = 33.3。 ((h,k，l)= (0,0,4))处的^亍射峰获得a = 6.95 nm和c = 10.76 nm。
图11是示出了在本发明的实施例中(Sr"， Bax)3Si05:Eu荧光体 的组成x(x二O.O、 0.5和1.0)与测量的X射线衍射图(主要部分) 之间的相互关系的曲线图。
在图11中，在图6 (Ba3Si05:Eu荧光体)、图8 ( (Sr0.5 ， Ba05)3SiO5:Eu荧光体)和图10 ( Sr3Si05:Eu荧光体)所示的在27° 至34。的衍射角2e处测量的X射线衍射图;f皮此重叠。图11中的圆 形、三角形和方形分别表示来自Ba3Si05:Eu荧光体、(Sr0.5 ， Baa5)3Si05:Eu荧光体和Sr3Si05:Eu荧光体的衍射峰。参照图11， (Sro.s, Bao.5)3Si05:Eu荧光体的衍射峰存在于 Sr3Si05:Eu荧光体的衍射峰与Ba3Si05:Eu荧光体的衍射峰之间。因 此，在这种情况下Vegard定4聿有效，并且具有所期望的组成比，即 i人为已合成出Sr:Ba=l:l的焚光体。
图12是示出了在本发明的实施例中(Sr"， Bax)3Si05:Eu荧光体 的纟且成x(x二O,O、 0.25、 0.5、 0.75和1.0)与由测量的X射线书亍射 图导出的晶格常数a和c之间的相互关系的曲线图。
图12示出了作为(Sr,.x， Bax)3Si05:Eu荧光体的组成x的函凌t的 导出的晶格常数a和c (nm)。如图12所示，晶格常数a和c在图 中的虚线附近绘制出，并且随组成x线性变化。因此，在这种情况 下Vegard定4聿有凌丈，并且i人为已合成出具有所期望的组成x的 (Sr!—x, Bax)3Si05:Eu荧光体。
虽然已经描述了本发明的实施方式， <旦本发明并不限于上述实 施方式。在本发明的技术构思内可以进4亍各种更改。
本领域的普通才支术人员应当理解，可以才艮据i殳计要求和其它因 素进行各种变更、组合、子组合、以及改变，只要它们在所附权利 要求或其等同物的范围内。
29
权利要求
1.一种荧光体，包括作为基材的(Sr1-x，Bax)3SiO5，其中1＞x≥0.1，以及作为活化剂的铕(Eu)，其中，基于Sr、Ba和Eu的组成比将发光中心波长控制为600nm以上。
2. 才艮据权利要求1所述的焚光体，其中，x2 0.2。
3. 根据权利要求1所述的荧光体，其中，0.82x。
4. 根据权利要求1所述的荧光体，其中，0.5 2x。
5. 根据权利要求1所述的荧光体，其中，所述活化剂的浓度为2 mol% ~ 8 mol%。
6. 根据权利要求1所述的荧光体，其中，所述活化剂的浓度为6 mol% ~ 8 mol%。
7. 根据权利要求1所述的荧光体，当用蓝光激发时所述荧光体发 射荧光。
8. 根据权利要求1所述的荧光体，所述荧光体通过在1300。C~ 1700°C的温度下烧制分别包括Sr、 Ba、 Si和Eu的化合物的 混合物而合成，所制备的所述混合物中Sr、 Ba和Si的摩尔比 为Sr:Ba:Si = 3(1 - x):3x:l，其中l〉x20.1,并且Eu的摩尔 凌t与Sr、 Ba和Eu的总摩尔凄t的比率为0.02-0.08。
9. 一种荧光体制造方法，所述荧光体包括作为基材的(Sr!-x, Ba^3Si05和作为活化剂的铕(Eu)，该方法包括以下步骤制备分别包括Sr、 Ba、 Si和Eu的化合物的混合物， <吏得 Sr、 Ba和Si的摩尔比为Sr:Ba:Si = 3(l - x):3x:l，其中l〉x^ 0.1，并且Eu的摩尔数与Sr、 Ba和Eu的总摩尔数的比率为 0.02 — 0.08;以及在1300°C~ 1700°C的温度下烧制所述混合物，其中，基于Sr、 Ba和Eu的组成比，将发光中心波长控 制为600 nm以上。
10. 根据权利要求9所述的荧光体制造方法，其中，x2 0.2。
11. 根据权利要求9所述的荧光体制造方法，其中，0.8 2 x。
12. 根据权利要求9所述的荧光体制造方法，其中，0.5 2x。
13. 根据权利要求9所述的荧光体制造方法，其中，所述活化剂的 浓度为2 mol% ~ 8 mol%。
14. 根据权利要求9所述的荧光体制造方法，其中，所述活化剂的 浓度为6 mol% ~ 8 mol°/o。
15. 根据权利要求9所述的荧光体制造方法，当用蓝光激发时所述 荧光体发射荧光。
16. —种发光装置，该发光装置使用根据权利要求1至8中任一项 所述的荧光体。
17. 根据权利要求16所述的发光装置，其中，所述焚光体通过发 射蓝光的发光元件来激发。
18. —种显示装置，该显示装置包括使用4艮据权利要求1至8中任 一项所述的荧光体的发光装置作为用于照射显示部的光源。
19. 根据权利要求18所述的显示装置，其中，所述荧光体通过发射蓝光的发光元件来激发。
全文摘要
本发明提供了一种荧光体，其制造方法，以及使用该荧光体的发光装置和显示装置。该荧光体包括作为基材的(Sr_1-x，Ba_x)₃SiO₅其中1＞x≥0.1和作为活化剂的铕(Eu)。基于Sr、Ba和Eu的组成比将荧光体的发光中心波长控制为600nm以上。
文档编号H01L33/50GK101586025SQ20091014298
公开日2009年11月25日 申请日期2009年5月20日 优先权日2008年5月21日
发明者五十岚崇裕, 楠木常夫 申请人:索尼株式会社