专利名称：荧光体以及发光装置的制作方法
技术领域：
本发明的实施方式涉及荧光体以及发光装置。
背景技术：
突光体粉末例如被用于发光二极管(LED:Light Emitting Diode)等发光装置中。发光装置例如具备:半导体发光元件，其配置于基板上，发射规定颜色的光；和发光部，其在作为密封树脂的透明树脂固化物中包含荧光体粉末，所述荧光体粉末通过从该半导体发光元件发射的紫外光、蓝光等光激发而产生可见光。作为发光装置的半导体发光元件，例如可以使用GaN、InGaN, AlGaN, InGaAlP等。另外，作为荧光体粉末的荧光体，例如可以使用被来自半导体发光元件的发射光激发而分别发射蓝光、绿光、黄光、红光的光的蓝色荧光体、绿色荧光体、黄色荧光体、红色荧光体等。发光装置通过在密封树脂中含有红色荧光体等各种荧光体粉末，能够调节发射光的颜色。即，通过组合使用半导体发光元件、以及吸收由半导体发光元件发射的光并发出规定波长区域的光的荧光体粉末，在由半导体发光元件发射的光和由荧光体粉末发射的光的作用下，能够发出可见光区域的光或白光。以往，作为荧光体，已知有含有锶的铕活化硅铝氧氮陶瓷(sialon) (S1-Al-O-N)结构的荧光体。现有技术文献专利文献专利文献1:国际公开第2007/105631号
发明内容
发明所要解决的课题但是，硅铝氧氮陶瓷(S1-Al-O-N)结构的荧光体在100°C左右的高温区域使用时，与在常温(25°C)区域使用时相比，存在发光强度低的问题。以下，将与在常温区域使用时相比在100°C左右的高温区域使用时荧光体的发光强度不降低或降低的程度小的情况称作温度特性良好。另外，将与在常温区域使用时相比在100°C左右的高温区域使用时荧光体的发光强度降低的程度大的情况称作温度特性差。
本发明鉴于上述情况而完成，其目的在于提供一种温度特性良好的荧光体以及发光装置。用于解决课题的手段实施方式的荧光体以及发光装置通过在特定组成的荧光体中含有特定量的碳，使得温度特性良好，从而完成了本发明。实施方式的荧光体是解决上述问题的荧光体，其特征在于，其是含有下述通式(I)表示的铕活化硅铝氧氮陶瓷晶体、通过被紫外光 蓝光激发而发出绿光的荧光体，该荧光体以Ippm以上且5000ppm以下的比例含有碳，
[化学式I]通式
权利要求
1.一种荧光体，其特征在于，其是含有下述通式(I)表示的铕活化硅铝氧氮陶瓷晶体、通过被紫外光 蓝光激发而发出绿光的荧光体，该荧光体以Ippm以上且5000ppm以下的比例含有碳， 通式:(Sivx，Eux) aSieAlYOsNu (I) 通式中，X为0<x<l、a为O < a彡4, β、Y > δ以及ω是a为3时换算得到的数值满足9 < β彡15、1彡Y彡5,0.5彡δ彡3、10彡ω彡25的数。
2.一种荧光体，其特征在于，其是含有下述通式(2)表示的铕活化硅铝氧氮陶瓷晶体、通过被紫外光 蓝光激发而发出红光的荧光体，该荧光体以Ippm以上且5000ppm以下的比例含有碳， 通式:(Sivx，Eux) aSieAlYOsNu (2) 通式中，X为0<x<l、a为0< a彡3, β、Y > δ以及ω是a为3时换算得到的数值满足5 < β彡9、1彡Y彡5,0.5彡δ ^ 2,5 ^ ω ^ 15的数。
3.根据权利要求1或2所述的荧光体，其特征在于，平均粒径为Iμ m以上且100 μ m以下。
4.根据权利要求1所述的荧光体，其特征在于，通过被在370nm以上且470nm以下的范围内具有峰值波长的紫外光 蓝光激发，从而发出发光峰值波长为500nm以上且540nm以下的绿光。
5.根据权利要求2所述的荧光体，其特征在于，通过被在370nm以上且470nm以下的范围内具有峰值波长的紫外光 蓝光激发，从而发出发光峰值波长为550nm以上且650nm以下的红光。
6.一种发光装置，其特征在于，具备: 基板； 配置在该基板上且发射紫外光 蓝光的半导体发光元件；以及 以覆盖该半导体发光元件的发光面的方式形成且包含被来自所述半导体发光元件的发射光激发而发出可见光的荧光体的发光部， 所述突光体包含权利要求1 5中任一项所述的突光体。
7.根据权利要求6所述的发光装置，其特征在于，所述半导体发光元件为发射在370nm以上且470nm以下的范围内具有峰值波长的光的发光二极管或激光二极管。
全文摘要
本发明的荧光体是含有下述通式(1)表示的铕活化硅铝氧氮陶瓷晶体、且通过被紫外光～蓝光激发而发出绿光的荧光体，该荧光体以1ppm以上且5000ppm以下的比例含有碳，通式(1)(Sr1-x,Eux)αSiβAlγOδNω (1)(通式中，x为0＜x＜1、α为0＜α≤4，β、γ、δ以及ω是α为3时换算得到的数值满足9＜β≤15、1≤γ≤5、0.5≤δ≤3、10≤ω≤25的数)。
文档编号H01L33/50GK103119126SQ20118004444
公开日2013年5月22日 申请日期2011年9月6日 优先权日2010年9月17日
发明者碓井大地, 白川康博, 竹村博文 申请人:株式会社东芝, 东芝高新材料公司