专利名称：一种电迁移监控结构的制作方法
技术领域：
本发明涉及半导体器件可靠性测试结构，具体涉及集成电路芯片中金属互连引线 的监控，属于半导体技术领域。
背景技术：
在集成电路芯片内部，通常采用腐蚀金属薄膜成条来作为引线进行工作电流的传 导，该工艺即为金属互连。随着芯片集成度的提高，金属互连引线变得更细、更窄、更薄，因 此，其中的电流密度也越来越大。在较高的电流密度作用下，互连引线中的金属原子将会沿 着电子运动方向进行迁移，这种现象就是电迁移(EM)。金属互连引线的电迁移是微电子器件中主要的失效机理之一，电迁移会造成金属 互连线的开路或者短路，使器件漏电流增加，从而引起集成电路器件及芯片的失效，具体表 现为(1)在金属互连引线中形成金属空洞而增加电阻；(2)金属空洞不断变大，最终贯穿 互连引线而形成断路；(3)在金属互连引线中形成晶须而造成层间短路；(4)晶须不断增大 穿透钝化层而产生腐蚀源。在器件尺寸向亚微米、深亚微米发展后，金属互连线的宽度也不断减小，电流密度 不断增加，更易于因发生电迁移现象而失效。因此，随着工艺的进步，金属互连线电迁移的 评价越来越受到重视，为了能够在在线监控过程中及时发现互连引线中形成的金属空洞， 在晶圆上与半导体器件结构同步制备用于电迁移监控的结构，成为提高监控效率、保障器 件性能最常用的手段。图1 图3所示为现有技术中最常见的传统电迁移监控结构，图1所示为传统梳 齿状结构的电迁移监控结构，在与主金属互连引线110垂直的方向上，有若干相互交错的 梳齿状金属互连引线101，金属互连引线101之间为并联关系，且在梳齿状金属互连引线 101与主金属互连引线110之间形成了连续的、较大空腔120 ；图2所示为传统直线条状结 构的电迁移监控结构，由若干相互独立的、直线型的金属互连引线组成，各金属互连引线之 间相互独立且空腔较大；图3为传统曲折形结构的电迁移监控结构，在梳齿状结构的基础 上，在梳齿状金属互连引线301之间引入了蛇形的曲折形结构金属互连引线302，主金属互 连引线310、梳齿状金属互连引线301和蛇形的曲折形结构金属互连引线302共同围成了曲 折形状的连续空腔320。由图1 图3可知，相对于半导体器件间的金属互连引线结构而言，传统电迁移监 控结构中金属互连线的结构较为简单，金属互连引线之间的空腔(如图1示120及图3示 320)是连续的，且间隔尺寸较大，便于腐蚀液的清洗，不会有残留的酸液等造成金属空洞的 物质长时间滞留等情况发生，因此，传统监控结构中金属互连引线内不易受酸液等腐蚀液 的影响形成金属空洞，其结构中产生金属空洞的概率要低于半导体器件结构中的金属互连 引线结构，此外，由于传统电迁移监控结构的金属互连引线通常为较短的独立结构(如图2 所示)或并联的梳齿状结构(如图1所示101或如图3所示301)，监控过程中需要进行多 点测试才能检测到金属空洞，图1及图3所示结构中，由于梳齿状结构的金属互连引线101及301均为并联结构，在监控过程中，需要分别对每根金属线的两端均进行测试，才能确定 其金属互连引线上是否存在金属空洞，因此，处于其上的金属空洞往往由于测试点繁多、腐 蚀液不易滞留而很难被发现，从而不能正确反映半导体芯片内部器件结构的金属互连引线 情况，造成测试结果异常，无法对金属互连引线的质量起到有效监控的作用。
发明内容
本发明要解决的技术问题是提供一种电迁移监控结构，在提高监控效率的同时， 进一步提高监控结果的准确性，使通过对电迁移监控结构的检测，能够准确监控芯片内部 器件结构中金属互连引线的质量，从而实现对金属互连引线质量的有效监控。为解决上述技术问题，本发明提供的电迁移监控结构，由至少一根金属互连引线 构成，其整体结构为长条形，在该电迁移监控结构中，金属互连引线以直角拐角向其旁侧弯 折，在金属互连引线旁侧形成至少一个具有直角拐角的半封闭T型空腔。本发明提供的电迁移监控结构中，金属互连引线的金属成分及其线宽均与半导体 芯片内部位于同一器件层的器件结构中金属互连引线完全一致。此外，位于金属互连引线 旁侧的半封闭T型空腔为独立的半封闭T型空腔或若干半封闭T型空腔的组合，位于同一 金属互连引线上的半封闭T型空腔相互串联，其整体为一独立的、连续的金属互连引线。结 构中任意相邻金属互连引线间的距离均与金属互连引线的线宽大致相当，半封闭T型空腔 任意位置的宽度与金属互连引线的线宽也大致相当，且半封闭T型空腔任意方向长度均为 根据金属互连引线线宽及其间距所能围成的最小尺寸。在本发明提供的方案中，金属互连 引线以直角拐角向旁侧弯折后，可形成的半封闭T型空腔为独立的半封闭T型空腔或若干 半封闭T型空腔的组合，且半封闭T型空腔的开口端方向无限制。本发明提供的电迁移监控结构中，金属互连引线为一根或多根。金属互连引线只 有一根时，半封闭T型空腔位于金属互连引线的同侧或交错分列于其两侧。金属互连引线 为两根或两根以上时，各金属互连引线相互独立，若金属互连引线位于该电迁移监控结构 外侧，则半封闭T型空腔位于靠近其他金属互连引线的一侧或交错分列于金属互连引线的 两侧；若金属互连引线位于该电迁移监控结构内部，则半封闭T型空腔交错分列于金属互 连引线的两侧，且位于相邻两金属互连引线上的半封闭T型空腔相互嵌套，相互嵌套的半 封闭T型空腔在任意方向的间距均与金属互连引线的线宽大致相当。作为较佳技术方案，本发明提供的电迁移监控结构中具有三根相互独立的金属互 连引线，其中，位于电迁移监控结构外侧的金属互连引线上的半封闭T型空腔位于靠近其 他金属互连引线的一侧，位于中间的一根金属互连引线上的半封闭T型空腔交错分列于金 属互连引线的两侧。本发明的技术效果是，通过在金属互连引线旁侧引入相互串联的半封闭T型空 腔，使得酸液等造成金属空洞的物质更容易在半封闭T型空腔的封闭端，特别是封闭端的 角落位置长时间滞留，从而在金属互连引线中产生金属空洞，即本发明所提供的电迁移监 控结构较之芯片内部位于同一器件层上的器件结构中的金属互连引线，更容易受酸液等的 影响而产生金属空洞，从而使金属互连引线的电阻增大，甚至造成开路。换言之，若经检测 该电迁移监控结构的金属互连引线中无金属空洞，则可证明芯片内部器件结构中的金属互 连引线也无金属空洞。此外，由于该电迁移监控结构中，半封闭T型空腔之间相互串联，其4整体为一独立的、连续的金属互连引线，在同一金属互连引线的两端进行测试，即可通过测 得的阻抗值来判断该金属互连引线上所有位置是否存在金属空洞以及是否造成开路，与传 统的单一梳齿状结构相比，大大减少了需要进行测试的检测点，很大程度上提高了监控的 效率。综上所述，根据本发明提供的电迁移监控结构，在提高效率的同时，实现了监控结构 准确性的提高，通过对监控结构的检测，可对芯片内部器件结构中的金属互连引线质量进 行有效监控。
图1为传统梳齿状结构的电迁移监控结构示意图；图2为传统直线条状结构的电迁移监控结构示意图；图3为传统曲折形结构的电迁移监控结构示意图；图4为本发明提供的电迁移监控结构第一具体实施方式
结构示意图，其中，图 4(a)为本发明提供的电迁移监控结构第一具体实施方式
较佳实施例结构示意图，图4(b)、 图4(c)分别为本发明提供的电迁移监控结构第一具体实施方式
的两种可选实施例结构示 意图；图5为本发明提供的电迁移监控结构第二具体实施方式
结构示意图，其中，图 5(a)为本发明提供的电迁移监控结构第二具体实施方式
较佳实施例结构示意图，图5(b) 为本发明提供的电迁移监控结构第二具体实施方式
的可选实施例结构示意图；图6为本发明提供的电迁移监控结构第三具体实施方式
结构示意图。
具体实施例方式为使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚，下面结合附图对本发明作进一步 的详细描述。图4所示为本发明提供的电迁移监控结构第一具体实施方式
结构示意图。如图4所示，本具体实施方式
提供的电迁移监控结构400由一根金属互连引线401 形成，其整体结构为长条形。在该具体实施方式
中，金属互连引线401的金属成分及线宽d41 与同一晶圆上位于同一器件层上的半导体芯片内部器件结构中金属互连引线完全一致。在 该电迁移监控结构400中，金属互连引线401以直角拐角向旁侧弯折，在金属互连引线401 旁侧形成了具有直角拐角的的半封闭T型空腔410。如图4所示，本具体实施方式
提供的电迁移监控结构400中，位于金属互连引线 401上的半封闭T型空腔410相互串联，整体为一独立的、连续的金属互连引线401。电迁 移监控结构400中任意相邻金属互连引线的间距d42与金属互连引线401的线宽d41大致相 当，半封闭T型空腔410任意位置的宽度即为相邻金属互连引线的间距d42，也与金属互连 引线401的线宽d41大致相当，且半封闭T型空腔410任意方向的长度均为根据金属互连引 线410的线宽d41及任意相邻金属互连引线间距d42的限制所能围成的最小尺寸。在本具体实施方式
中，作为较佳实施例，如图4 (a)所示，半封闭T型空腔410位于 金属互连引线401的同侧，且金属互连引线401以垂直拐角向其旁侧弯折，只形成一个独立 的半封闭T型空腔410 ；作为一可选实施例，如图4 (b)所示，半封闭T型空腔410也可交叉 分列位于金属互连引线401的两侧；作为又一可选实施例，如图4(c)所示，金属互连引线401以垂直拐角向其旁侧弯折，形成三个半封闭T型空腔410的组合。根据本具体实施方式
提供的电迁移监控结构400，通过在金属互连引线401旁侧 引入串联的半封闭T型空腔410，使得酸液等造成金属空洞的物质更容易在半封闭T型空腔 410的封闭端，特别是封闭端的角落位置420处长时间滞留，从而在金属互连引线401中产 生金属空洞，即本具体实施方式
所提供的电迁移监控结构400较之位于同一器件层上的芯 片内部器件结构中的金属互连引线，更容易受残留酸液等的影响而产生金属空洞，从而使 金属互连引线的电阻增大，甚至造成开路。换言之，若经检测该电迁移监控结构400的金属 互连引线401中无金属空洞，则可证明位于同一器件层的芯片内部器件结构中的金属互连 引线也无金属空洞。此外，由于该电迁移监控结构400中，半封闭T型空腔410之间相互串 联，即其整体为一独立的、连续的金属互连引线401，在金属互连引线401的两端401a、401b 进行测试，即可通过测得的阻抗值来判断该金属互连引线401上所有位置是否存在金属空 洞以及是否造成开路，与传统的单一梳齿状结构相比，大大减少了需要进行测试的检测点， 很大程度上提高了监控效率，从而同时实现了对监控效率和监控准确性的提高，通过对电 迁移监控结构的检测，有效对芯片内部器件结构的金属互连弓I线质量进行监控。图5所示为本发明所提供的电迁移监控结构第二具体实施方式
结构示意图。如图5所示，本具体实施方式
提供的电迁移监控结构500由金属互连引线501和 金属互连引线502组成，其整体结构为长条形。在该具体实施方式
中，金属互连引线501和 金属互连引线502的金属成分及线金属宽d51与同一晶圆上位于同一器件层上的半导体芯 片内部器件结构中的金属互连引线完全一致。在该电迁移监控结构500中，金属互连引线 501和金属互连引线502均以直角拐角向旁侧弯折，在金属互连引线501和金属互连引线 502旁侧分别形成了具有直角拐角的半封闭T型空腔510a和半封闭T型空腔510b。如图5所示，本具体实施方式
提供的电迁移监控结构500中，位于金属互连引线 501上的半封闭T型空腔510a相互串联，整体为一独立的、连续的金属互连引线501，而位 于金属互连引线502上的半封闭T型空腔510b也相互串联，其整体为一独立的、连续的金 属互连引线502。电迁移监控结构500中，任意相邻金属互连引线的间距与金属互连引 线501/502的线宽d51大致相当，半封闭T型空腔510(510a/510b)任意位置的宽度即为相 邻金属互连引线的间距d52，也与金属互连引线501/502的线宽d51大致相当，且半封闭T型 空腔510(510a/510b)任意方向的长度均为根据金属互连引线501/502的线宽d51及任意相 邻金属互连引线间距d52的限制所能围成的最小尺寸。在本具体实施方式
中，作为较佳实施例，如图5(a)所示，金属互连引线501和金属 互连引线502为两相邻的金属互连引线，金属互连引线501和金属互连引线502以直角拐 角向旁侧弯折，均形成若干独立的半封闭空腔510 (510a/510b)，金属互连引线501上的半 封闭T型空腔510a位于金属互连引线501的同侧，且均位于金属互连引线501靠近金属互 连引线502的一侧，而金属互连引线502上的半封闭T型空腔510b位于金属互连引线502 的同侧，且均位于金属互连引线502靠近金属互连引线501的一侧，在金属互连引线501和 金属互连引线502之间的区域内，半封闭T型空腔510(510a/510b)相互交叉嵌套。作为一 可选实施例，如图5(b)所示，金属互连引线501上相邻两半封闭T型空腔510a分别位于金 属互连引线501的两侧，而金属互连引线502上相邻两半封闭T型空腔510b也分别位于金 属互连引线501的两侧，金属互连引线501上靠近金属互连引线502 —侧的半封闭T型空腔510a和金属互连引线502上靠近金属互连引线501 —侧的半封闭T型空腔510b相互交 叉嵌套。作为又一可选实施例，金属互连引线501和金属互连引线502以直角拐角向旁侧 弯折，形成若干半封闭T型空腔510的任意组合。根据本具体实施方式
提供的电迁移监控结构500，通过在金属互连引线501及金 属互连引线502的旁侧引入相互串联的半封闭T型空腔510 (510a/510b)，使得酸液等造成 金属空洞的物质更容易在半封闭T型空腔510 (510a/510b)的封闭端，特别是封闭端的角落 位置520(520a/520b)处长时间滞留，从而在金属互连引线501和金属互连引线502中产生 金属空洞，即本具体实施方式
所提供的电迁移监控结构500较之位于同一器件层上的芯片 内部结构的金属互连引线，更容易受残留酸液等的影响而产生金属空洞，从而使金属互连 引线的电阻增大，甚至造成开路。换言之，若经检测该电迁移监控结构500的金属互连引线 501和金属互连引线502中均无金属空洞，则可证明位于同一器件层的芯片内部器件结构 中的金属互连引线也无金属空洞。此外，由于该电迁移监控结构500中，位于金属互连引线 501旁侧的半封闭T型空腔510a相互串联，其整体为一独立的、连续的金属互连引线501， 而位于金属互连引线502旁侧的半封闭T型空腔510b也相互串联，其整体为一独立的、连 续的金属互连引线502，在金属互连引线501的两端501a、501b以及金属互连引线502的两 端50h、502b分别进行测试，即可通过测得的阻抗值来判断该金属互连引线501及金属互 连引线502上所有位置是否存在金属空洞以及是否造成开路，与传统的单一梳齿状结构相 比，大大减少了需要进行测试的检测点，很大程度上提高了监控的效率，从而同时实现了对 监控效率和监控准确性的提高，通过对电迁移监控结构的检测，有效对芯片内部器件结构 的金属互连引线质量进行监控。图6所示为本发明所提供的电迁移监控结构第三具体实施方式
结构示意图。如图6所示，本具体实施方式
提供的电迁移监控结构600由金属互连引线601、金 属互连引线602和金属互连引线603三根金属互连引线组成，其整体结构为长条形。在该具体实施方式
中，金属互连引线601、金属互连引线602和金属互连引线603的金属成分及 金属线宽d61与同一晶圆上位于同一器件层上的半导体芯片内部器件结构中的金属互连引 线完全一致。在该电迁移监控结构600中，金属互连引线601、金属互连引线602和金属互 连引线603均以直角拐角向旁侧弯折，在金属互连引线601、金属互连引线602和金属互连 引线603旁侧分别形成了若干具有直角拐角的半封闭T型空腔610a、半封闭T型空腔610b 和半封闭T型空腔610c。如图6所示，本具体实施方式
提供的电迁移监控结构600中，位于金属互连引 线601上的半封闭T型空腔610a相互串联，整体为一独立的、连续的金属互连引线601， 位于金属互连引线602上的半封闭T型空腔610b也相互串联，其整体为一独立的、连续 的金属互连引线602，而位于金属互连引线603上的半封闭T型空腔610c同样相互串联， 其整体为一独立的、连续的金属互连引线603。电迁移监控结构600中，任意相邻金属 互连引线的间距d62与金属互连引线601/602/603的线宽d61大致相当，半封闭T型空腔 610(610a/610b/610c)任意位置的宽度即为相邻金属互连引线的间距d62，也与金属互连引 线601/602/603的线宽d61大致相当，且半封闭T型空腔610 (610a/610b/610c)任意方向的 长度均为根据金属互连引线601/602/603的线宽d61及任意相邻金属互连引线间距d62的限 制所能围成的最小尺寸。7
在本具体实施方式
中，如图6所示，金属互连引线601和金属互连引线603为位于 电迁移监控结构600外侧的两金属互连弓丨线，金属互连引线602为位于电迁移监控结构600 内部的金属互连引线。作为较佳实施例，如图6所示，金属互连引线601、金属互连引线602和金属互连引 线603以直角拐角向旁侧弯折，均形成一独立的半封闭空腔610 (610a/610b/610c)，金属互 连引线601上的半封闭T型空腔510a位于金属互连引线601的同侧，且均位于金属互连引 线601靠近金属互连引线602和金属互连引线603的一侧，金属互连引线603上的半封闭T 型空腔610c也位于金属互连引线603的同侧，且均位于金属互连引线603靠近金属互连引 线601和金属互连引线602的一侧，而金属互连引线602上的任意相邻的两半封闭T型空 腔610b分别位于金属互连引线602的两侧。作为相邻的金属互连引线，金属互连引线601 上的半封闭T型空腔610a和金属互连引线602上靠近金属互连引线601 —侧的半封闭T 型空腔610b相互交叉嵌套；金属互连引线603上的半封闭T型空腔610c和金属互连引线 602上靠近金属互连引线603 —侧的半封闭T型空腔610b相互交叉嵌套。作为一可选实施例，金属互连引线601上相邻两半封闭T型空腔610a分别位于金 属互连引线601的两侧，金属互连引线602上相邻两半封闭T型空腔610b也分别位于金属 互连引线601的两侧，而金属互连引线603上相邻两半封闭T型空腔610c同样分别位于金 属互连引线603的两侧。金属互连引线601上靠近金属互连引线602 —侧的半封闭T型空 腔610a和金属互连引线602上靠近金属互连引线601 —侧的半封闭T型空腔610b相互交 叉嵌套，金属互连引线602上靠近金属互连引线603 —侧的半封闭T型空腔610b和金属互 连引线603上靠近金属互连引线602 —侧的半封闭T型空腔610c相互交叉嵌套。作为又一可选实施例，金属互连引线601、金属互连引线602和金属互连引线603 以直角拐角向旁侧弯折，可形成若干半封闭T型空腔610的任意组合。根据本具体实施方式
提供的电迁移监控结构600，通过在金属互连引线 601、金属互连引线602及金属互连引线603的旁侧引入相互串联的半封闭T型空 腔610(610a/610b/610c)，使得酸液等造成金属空洞的物质更容易在半封闭T型空腔 610(610a/610b/610c)的封闭端，特别是封闭端的角落位置620 (620a/620b/620c)处长时 间滞留，从而在金属互连引线601、金属互连引线602和金属互连引线603中产生金属空洞， 即本具体实施方式
所提供的电迁移监控结构600较之位于同一器件层上的芯片内部结构 的金属互连引线，更容易受残留酸液等的影响而产生金属空洞，从而使金属互连引线的电 阻增大，甚至造成开路。换言之，若经检测该电迁移监控结构600的金属互连引线601、金属 互连引线602和金属互连引线603中均无金属空洞，则可证明位于同一器件层的芯片内部 器件结构中的金属互连引线也无金属空洞。此外，由于该电迁移监控结构600中，位于金属 互连引线601旁侧的半封闭T型空腔610a相互串联，其整体为一独立的、连续的金属互连 引线601，位于金属互连引线602旁侧的半封闭T型空腔610b也相互串联，其整体为一独立 的、连续的金属互连引线602，而位于金属互连引线603旁侧的半封闭T型空腔610c同样 相互串联，其整体为一独立的、连续的金属互连引线603，在金属互连引线601的两端601a、 601b，金属互连引线602的两端6(^a、602b以及金属互连引线603的两端603a、603b分别 进行测试，即可通过测得的阻抗值来判断该金属互连引线601、金属互连引线602及金属互 连引线603上所有位置是否存在金属空洞以及是否造成开路，与传统的单一梳齿状结构相比，大大减少了需要进行测试的检测点，很大程度上提高了监控的效率，从而同时实现了对 监控效率和监控准确性的提高，通过对电迁移监控结构的检测，有效对芯片内部器件结构 的金属互连引线质量进行监控。本发明所提供的电迁移监控结构中，长条形结构的整体长度、金属互连引线的具 体数量以及金属互连引线旁侧的半封闭T型空腔数量、位置等均可根据工艺条件及应用环 境等具体设定，参照不同工艺标准及工艺参数，以可观察且便于监控为准，金属互连引线的 线宽以及任意相邻金属互连引线的距离均与位于同一器件层的芯片内部器件结构的金属 互连引线设置一致，作为较佳实施方案，半封闭T型空腔尽可能设置为多拐角、小容积的空 腔，任意相邻两矩形框半封闭结构的间距尽可能缩小。在不偏离本发明的精神和范围的情况下还可以构成许多有很大差别的实施例。应 当理解，除了如所附的权利要求所限定的，本发明不限于在说明书中所述的具体实施例。
权利要求
1.一种电迁移监控结构，由至少一根金属互连引线组成，其整体结构为长条形，其特征 在于，所述金属互连引线以直角拐角向其旁侧弯折，在所述金属互连引线旁侧形成具有直 角拐角的半封闭T型空腔。
2.根据权利要求1所述的电迁移监控结构，其特征在于，所述金属互连引线的金属成 分及线宽与位于同一器件层的半导体芯片内部器件结构中金属互连引线的金属成分完全 一致。
3.根据权利要求1所述的电迁移监控结构，其特征在于，所述金属互连引线以直角拐 角向旁侧弯折后，形成至少一个独立的半封闭T型空腔。
4.根据权利要求3所述的电迁移监控结构，其特征在于，位于同一金属互连引线上的 所述半封闭T型空腔相互串联。
5.根据权利要求3所述的电迁移监控结构，其特征在于，所述半封闭T型空腔任意位置 的宽度与金属互连引线线宽大致相当。
6.根据权利要求3所述的电迁移监控结构，其特征在于，所述半封闭T型空腔均位于所 述金属互连引线同侧。
7.根据权利要求3所述的电迁移监控结构，其特征在于，所述半封闭T型空腔交错分列 于所述金属互连引线两侧。
8.根据权利要求3所述的电迁移监控结构，其特征在于，所述金属互连引线为两根或 两根以上；所述金属互连引线位于结构外侧，且所述半封闭T型空腔位于靠近其他所述金 属互连引线的一侧。
9.根据权利要求8所述的电迁移监控结构，其特征在于，位于相邻两所述金属互连引 线上的所述半封闭T型空腔相互嵌套。
10.根据权利要求9所述的电迁移监控结构，其特征在于，所述相互嵌套的半封闭T型 空腔任意方向间距均与金属互连引线的线宽大致相当。
全文摘要
一种电迁移监控结构，由至少一根与位于同一器件层的芯片内部金属互连引线成分及线宽完全一致的金属互连引线组成，其整体结构为长条形，且金属互连引线以直角拐角向旁侧弯折形成具有直角拐角的半封闭T型空腔，且位于同一金属互连引线上的半封闭T型空腔相互串联，整体为一独立的、连续的金属互连引线。半封闭T型空腔的引入，使得酸液等造成金属空洞的物质更容易在半封闭结构的空间内长时间滞留，更容易产生金属空洞，在金属互连引线的两端直接测量，即可判断整条金属互连引线上有无金属空洞，对芯片内部金属互连引线质量进行有效监控。
文档编号H01L21/00GK102044526SQ20091019726
公开日2011年5月4日 申请日期2009年10月16日 优先权日2009年10月16日
发明者朱旋, 杨兆宇, 肖玉洁, 谢宝强, 马擎天 申请人:无锡华润上华半导体有限公司, 无锡华润上华科技有限公司