专利名称：一种吸峰电容器的制作方法
技术领域：
本实用新型属于电容器技术领域，具体涉及一种吸峰电容器。
背景技术：
多晶硅是生产半导体和太阳能电池的基础材料，在未来50年内，多晶硅是 电子和光伏产业的主要原材料，目前各国均在发展多晶硅生产能力和装备。太 阳能电池用多晶硅己经占到多晶硅产量的90%以上，而多晶硅还原炉多档调压 器是多晶硅生产的关键设备。调压器所带负载是可控硅棒串联而成的纯电阻负 载，现有技术中存在的问题是可控硅在非工作档承受较大的电压尖峰和较大的 dv/dt (电压随时间的变化率)，使非工作档可控硅误导通至损坏。
实用新型内容
本实用新型的目的是要解决多晶硅还原炉调压器用可控硅易损坏，而现有 可控硅在非工作档需要承受较大的电压尖峰和dv/dt等问题，提供一种縮小电 压尖峰和限制dv/dt的吸峰电容器。
本实用新型的技术方案是以下述方法实现的
本实用新型的吸峰电容器，包括外壳和引线，外壳内设有填充层，填充层 内封装下套，填充层内部设有芯子，芯子两端面设置喷金层，所述芯子包括芯 轴，芯轴外包裹有至少一圈金属化膜层，金属化膜层的一侧设有白膜层I，白膜
层i的一侧设有铝箔层，铝箔层的一侧设有白膜层n。
所述的芯轴外包裹有1~4圈金属化膜层。 所述铝箔层至少包括一片铝箔。 所述铝箔层包括两片铝箔。 所述的金属化膜层由聚丙烯层和铝层组成。 所述白膜层I和白膜层II是聚丙烯材质组成的膜。
现有技术中电容器由白膜层和金属膜层两层缠绕在芯轴上组成，本实用新 型采用铝箔层、白膜层I、金属膜层和白膜层II四层缠绕在芯轴上组成。与现有 电容器相比，本实用新型加上铝箔层后，能吸收较大的电流，采用两层介质白 膜，耐压能力强，能承受较大的电压尖峰和dv/dt。铝箔层由两片或两片以上的 铝箔串联组成，则进一步增强了电容器的耐压能力。电容器的两个极分别采用 聚丙烯金属化膜和铝箔，使电容器既能吸收大电流又具有自愈功能。采用本实
3用新型的电容器并联在可控硅两端，电容器将造成过电压的能量变成电场能量 储存到电容器中，缩小了可控硅两端的电压尖峰，限制了dv/dt，起到了保护 可控硅、防止可控硅误导通而损坏的作用。
图1为本实用新型的剖视示意图2为本实用新型中芯子的主视示意图3为本实用新型中芯子的左视示意图4为实施例1中不带芯轴的芯子的展开示意图5为金属化膜层的展开结构示意图6为实施例2中不带芯轴的芯子的展开示意图。
具体实施方式实施例1
如图1所示，本实用新型包括外壳6和引线1，外壳6内设有填充层5，填 充层5内封装下套4，填充层5内部封装芯子3，芯子3两端面设置喷金层10， 所述两条引线1 一条焊接在喷金层10上，另一条通过芯轴2焊在另一端喷金层 上。
如图2、图3和图4所示，所述芯子3包括芯轴2，芯轴2外包裹有一圈金 属化膜层11，金属化膜层11的一侧设有白膜层I 8，白膜层I 8的一侧设有铝箔 层9，铝箔层9的一侧设有白膜层I113，所述铝箔层9有一片铝箔组成。
所述白膜层I 8和白膜层II 13是聚丙烯材质组成的膜。
如图5所示，所述的金属化膜层11包括聚丙烯层7和铝层12。
所述的芯轴2外包裹的金属化膜层11还可以是两圈、三圈或者四圈。
由于可控硅耐受过电压能力极差，当电路中电压超过其反向击穿电压时， 即使时间极短，可控硅也容易损坏。如果正向电压超过其转折点时，可控硅则 误导通，这种误导通次数频繁时，也可能使元件损坏、可控硅的特性下降。本 实用新型的采用铝箔层、白膜层1、金属膜层和白膜层II四层缠绕在芯轴上组成。 能吸收较大的电流，采用两层介质白膜，耐压能力强，能承受较大的电压尖峰 和dv/dt。电容器的两个极分别采用聚丙烯金属化膜和铝箔，使电容器又具有自 愈功能。将本实用新型并联在可控硅两端，当有反向电压或者电压随时间变化 有较大的电压尖峰时，电容器将造成过电压的能量变成电场能量储存到电容器 中，縮小了加载到电容器两端电压尖峰、限制了dv/dt对可控硅的影响。当电容器两端施加过高的电压时，聚丙烯薄膜被击穿，击穿点阻抗明显降低，流过的 电流密度急剧增大，使金属镀层产生高热，击穿点周围的金属导体迅速蒸发逸 散，形成了金属镀层空白区，击穿点自动回复绝缘，这样电容器自身又具有自 愈功能。进一步确保了与电容器并联的可控硅使用的安全性。
实施例2
如图6所示，所述铝箔层9包括两片铝箔。铝箔层9由两片铝箔串联组成 时，能进一步增强了电容器的耐压能力。或者所述铝箔层由三片铝箔组成，其 它同实施例1。
权利要求1、一种吸峰电容器，包括外壳(6)和引线(1)，外壳(6)内设有填充层(5)，填充层(5)内封装下套(4)，填充层(5)内部设有芯子(3)，芯子(3)两端面设置喷金层(10)，其特征在于所述芯子(3)包括芯轴(2)，芯轴(2)外包裹有至少一圈金属化膜层(11)，金属化膜层(11)的一侧设有白膜层I(8)，白膜层I(8)的一侧设有铝箔层(9)，铝箔层(9)的一侧设有白膜层II(13)。
2、 根据权利要求1所述的吸峰电容器，其特征在于所述的芯轴(2)外包 裹有1 4圈金属化膜层(11)。
3、 根据权利要求1或2之一所述的吸峰电容器，其特征在于所述铝箔层(9) 至少包括一片铝箔。
4、 根据权利要求3所述的吸峰电容器，其特征在于所述铝箔层(9)包括 两片铝箔。
5、 根据权利要求4所述的吸峰电容器，其特征在于所述的金属化膜层(11) 由聚丙烯层(7)和铝层(12)组成。
6、 根据权利要求5所述的吸峰电容器，其特征在于所述白膜层I (8)和白 膜层II (13)是聚丙烯材质组成的膜。
专利摘要本实用新型公开一种吸峰电容器，属于电容器技术领域。包括外壳和引线，外壳内设有填充层，填充层内封装下套，填充层内部设有芯子，芯子两端面设置喷金层，所述芯子包括芯轴，芯轴外包裹有至少一圈金属化膜层，金属化膜层的一侧设有白膜层I，白膜层I的一侧设有铝箔层，铝箔层的一侧设有白膜层II。与现有电容器相比，本实用新型加上铝箔层后，能吸收较大的电流，采用两层介质白膜，耐压能力强，能承受较大的电压尖峰和dv/dt。铝箔层由两片或两片以上的铝箔串联组成，则进一步增强了电容器的耐压能力。电容器的两个极分别采用聚丙烯金属化膜和铝箔，使电容器既能吸收大电流又具有自愈功能。
文档编号H01G4/015GK201413772SQ20092009157
公开日2010年2月24日 申请日期2009年5月27日 优先权日2009年5月27日
发明者向晓琼, 华 彭 申请人:来恩伟业(鹤壁)电子科技有限责任公司