专利名称：改良型光传感器的制作方法
技术领域：
本实用新型是关于一种改良型光传感器，特别是指一种藉由镀膜的设计来达到单
纯仅接收不可见光、进而縮小整体体积的光传感器。
背景技术：
光传感器的受光芯片能接收到可见光和不可见光，请参阅图3所示，为公知光传 感器的受光芯片的响应光谱，其横轴为波长(nm)、纵轴为光谱(％ )，可见光为波长400nm 700nm的光，不可见光为波长小于400nm的光以及波长大于700nm的光，而如图3所示的响 应光谱同时包括了可见光和不可见光，显见公知光传感器即因为受光芯片本身在感光上的 限制，而导致可见光与不可见光皆可接收，造成感测结果的错误，而此即为公知光传感器的 第一缺点。而为了让光传感器的响应光谱达到只能接收不可见光、或只能接收可见光的目 标，不同的制造商是各以不同的方式来让自厂的光传感器达成该目标。 请参阅图1所示的公知光传感器l，包括一具有承载部111的第一支架11、一第二 支架12、一设置于该承载部111上的受光芯片13、一电性连接于第一支架11与受光芯片13 之间的第一导线14、一电性连接于第二支架12与受光芯片13之间的第二导线15、以及一 包覆于该承载部111、受光芯片13和第一、二导线14、15上的封胶体16。 请参阅图2所示的公知光传感器2，包括一座体20、一自该座体20 —侧伸出且具 有承载部211的第一支架21、一自该座体20另侧伸出的第二支架22、一设置于该承载部 211上的受光芯片23、一电性连接于第一支架21与受光芯片23之间的第一导线24、一电性 连接于第二支架22与受光芯片23之间的第二导线25、以及一包覆于该座体20上半部、承 载部211、受光芯片23和第一、二导线24、25上的封胶体26。 如上所述的公知第一、二种光传感器1、2，乃利用封胶体16、26来改善上述第一缺 点，但却反而因为该些封胶体16、26而造成第一、二种光传感器1、2均有体积过大以及成本 过高的第二缺点。 再者，第一、二种光传感器1、2还会因为第一、二支架11、12、21、22的存在，而让体 积过大以及成本过高的第二缺点更形严重，其原因除了因为支架本身的长度之外，另一个 原因是第二种光传感器2的第一、二支架21、22虽较第一种光传感器1的第一、二支架11、 1 2短，惟却多了座体20，此一座体20为了能够保留其与各支架21、22间的结合强 度，而导致于厚度无法减至最薄的困扰。 此外，公知第一、二种光传感器1、2即由于体积过大的问题，而导致于无法符合现 今的轻、薄、短、小要求，换言之，须设置光传感器的各式电子产品将会受限于公知第一、二 种光传感器1、2的体积，而无法达到轻薄短小的要求。 因此，如何设计出一种能改善习知光传感器的上述缺点、且还能符合轻薄短小要 求的本实用新型，为本实用新型所欲解决的一大课题。
实用新型内容本实用新型的目的在于提供一种改良型光传感器，由在受光芯片上设置一镀膜，
且不设有封胶体(当然亦可进一步不设有支架)的结构设计，来达到单纯仅能接收不可见 光、以及縮小整体体积(而由进一步不设有支架，则能让整体体积縮得更小)并降低成本的 功效，进而符合现今轻薄短小的要求。 为实现上述目的，本实用新型提供的改良型光传感器，包括一基体、一受光芯片 以及一镀膜。该基体具有一第一电极部和一第二电极部；该受光芯片设置于该基体上，且该 受光芯片还分别与该基体的第一、二电极部彼此电性连接；该镀膜形成于该受光芯片上，且 该镀膜可滤掉可见光而保留不可见光。 由此，本实用新型能达到单纯仅能接收不可见光、以及縮小本实用新型光传感器 的整体体积且成本亦随的降低的功效，完全符合现今轻薄短小的要求。
图1为公知第一种光传感器的剖面图。[0014]图2为公知第二种光传感器的剖面图。[0015]图3为公知光传感器的响应光谱。图4为本实用新型光传感器第一实施例的剖面图。[0017]图5为本实用新型光传感器第二实施例的剖面图。[0018]图6为本实用新型光传感器的响应光谱。[0019]附图中主要组件符号说明公知技术部分1、光传感器11、第一支架111、承载部12、第二支架13、受光芯片14、第一导线15、第二导线16、封胶体2、光传感器20、座体21、第一支架211、承载部22、第二支架23、受光芯片24、第一导线25、第二导线26、封胶体本实用新型部分3、光传感器31、基体311、第一电极部312、第二电极部32、受光芯片321、第一电极322、第二电极33、镀膜34、第一导线35、第二导线4、光传感器41、基体411、第一电极部412、第二电极部42、受光芯片421、电性接触部422、导电极[0039] 43、镀膜 44、导线
具体实施方式为了能够更进一步了解本实用新型的特征、特点和技术内容，请参阅以下有关本 实用新型的详细说明与附图，附图仅提供参考与说明用，非用以限制本实用新型。 本实用新型提供的改良型光传感器，为完全破除了公知光传感器的既有构造窠 臼，以达到单纯仅能接收不可见光、以及整体体积可縮至最小等功效的改良型光传感器。图 4为本实用新型第一实施例的光传感器3，图5为本实用新型第二实施例的光传感器4。 请参阅图4所示，本实用新型第一实施例的光传感器3包括一基体31 、 一受光芯片 32以及一镀膜33。该基体31具有一第一电极部311和一第二电极部312 ;该受光芯片32 设置于基体31上，且受光芯片32还分别与基体31的第一、二电极部311、312彼此电性连 接，该基体31的底侧则由其第一、二电极部311、312来与其它电子组件或其它电子产品电 性连接；至于该镀膜33则形成于受光芯片32上，且该镀膜33能滤掉可见光而保留不可见 光，换言之，该受光芯片32仅能接收到不可见光。 请参阅图4所示的本实用新型第一实施例中，受光芯片32与基体31之间的电性 连接方式包含一第一导线34和一第二导线35，该第一导线34电性连接于受光芯片32的第 一电极321与基体31的第一电极部311之间，该第二导线35则电性连接于受光芯片32的 第二电极322与基体31的第二电极部312之间。 请参阅图5所示的本实用新型第二实施例，是与第一实施例大部分相同，仅在受 光芯片42与基体41之间的电性连接方式有所不同。如图所示，本实用新型第二实施例的 光传感器4亦包括一基体41、一受光芯片42以及一镀膜43，基体41亦具有第一、二电极部 411、412，受光芯片42亦设置于基体41上，且受光芯片42亦分别与基体41的第一、二电极 部411、412彼此电性连接，基体41的底侧亦由其第一、二电极部411、412来与其它电子组 件或其它电子产品电性连接，至于镀膜43亦形成于受光芯片42上，且镀膜43亦能滤掉可 见光而保留不可见光，以使受光芯片42亦仅能接收不可见光。 本实用新型第二实施例中，受光芯片42与基体41之间的电性连接方式(如图5所 示)包含一导线44和一电性接触部421，该导线44电性连接于受光芯片42的导电极422 与基体41的第一电极部411之间，该电性接触部421设于该受光芯片42的底侧，受光芯片 42即由其底侧的电性接触部421而电性接触于基体41的第二电极部412。 其中，本实用新型第一、二实施例中的镀膜33、43包含金属材料(Metal Material)层、聚合物(Polymer Material)层、介电材料(DielectricMaterial)层以及化 合物材料(Compound Material)层中的任一层、或任多数层彼此堆叠；而，其中的化合物材 料(Compound Material)层则包含氮化钛(TiN)层、铟锡氧化物(IT0)层、氧化锌(ZnO) 层以及二氧化钛(Ti02)层中的任一层、或任多数层彼此堆叠。 至于，本实用新型第一、二实施例中的基体31、41可为一电路板，所述受光芯片 32、42电性设置于该电路板上，意即受光芯片32、42能以第一或第二实施例的方式来电性 连接于电路板上的线路(图未示)。 除此之外，亦可在本实用新型 基体31、41上增设一封胶体(图未示)，以具有保护功能(例如保护受光芯片32、42、镀膜33、43、第一导线34、44以及第二导线35、45等等) 或其它功能，所述封胶体包覆于基体31、41、受光芯片32、42、镀膜33、43、第一导线34、44以 及第二导线35、45上(图未示)，且该封胶体为「供光线穿透」的胶体、或为滤掉可见光而保 留不可见光的胶体。 本实用新型光传感器3、4的特点在于 1、由在受光芯片32、42上设置一镀膜33、43，且该镀膜33、43可滤掉可见光而保留 不可见光，从而让本实用新型光传感器3、4达到单纯仅能接收不可见光(如图6所示)的 功效。 2、由不设有封胶体的结构设计，而让本实用新型光传感器3、4的整体体积小于公 知第一、二种光传感器1、2(如图1、图2所示)。当然，本实用新型亦可同时不设有封胶体 且不设有支架，以能进一步让本实用新型光传感器3、4的整体体积再更小于公知第一、二 种光传感器1、2 (如图1、图2所示)，其原因除了是因为省去支架本身的长度之外，另一个 原因是由于本实用新型的基体31、41根本不须结合任何支架，因此不需考虑到结合强度 的问题而可将基体31、41减至最薄，从而让本实用新型基体31、41的厚度能远小于公知第 二种光传感器2的座体20的厚度(如图2所示)。换言之，本实用新型光传感器3、4的整 体体积可縮至最小且还能降低成本，进而符合现今轻薄短小的要求，尤其是在电子产品的 厚度方面确能更薄、更轻。 以上所述，仅为本实用新型的较佳可行实施例而已，非因此即局限本实用新型的 权利范围，举凡运用本实用新型说明书及图式内容所为的等效结构变化，均理同包含于本 实用新型的权利要求范围内。
权利要求一种改良型光传感器，其特征在于，包括一基体，具有一第一电极部和一第二电极部；一受光芯片，设置于该基体上，该受光芯片还分别与该基体的第一、二电极部彼此电性连接；以及一镀膜，形成于该受光芯片上，该镀膜是滤掉可见光而保留不可见光。
2. 如权利要求1所述的改良型光传感器，其特征在于，该受光芯片与基体之间的邻接 侧具有一电性接触部，该电性接触部接触于该基体的第一、二电极部的其中之一，该受光芯 片与该基体的第一、二电极部的其中另一之间电性连接有一导线。
3. 如权利要求1所述的改良型光传感器，其特征在于，该受光芯片与所述第一、二电极 部的其中之一之间连接有一第一导线，该受光芯片与所述第一、二电极部的其中另一之间 连接有一第二导线。
4. 如权利要求1所述的改良型光传感器，其特征在于，该镀膜包含金属材料层、聚合 物层、介电材料层以及化合物材料层中的任一层。
5. 如权利要求4所述的改良型光传感器，其特征在于，该化合物材料层包含氮化钛 层、铟锡氧化物层、氧化锌层以及二氧化钛层中的任一层。
6. 如权利要求4所述的改良型光传感器，其特征在于，该化合物材料层包含氮化钛 层、铟锡氧化物层、氧化锌层以及二氧化钛层中的任多数层且彼此堆叠。
7. 如权利要求1所述的改良型光传感器，其特征在于，该镀膜包含金属材料层、聚合 物层、介电材料层以及化合物材料层中的任多数层且彼此堆叠。
8. 如权利要求7所述的改良型光传感器，其特征在于，该化合物材料层包含氮化钛 层、铟锡氧化物层、氧化锌层以及二氧化钛层中的任一层。
9. 如权利要求7所述的改良型光传感器，其特征在于，该化合物材料层包含氮化钛 层、铟锡氧化物层、氧化锌层以及二氧化钛层中的任多数层且彼此堆叠。
10. 如权利要求1所述的改良型光传感器，其特征在于，其中该基体为一电路板，该受 光芯片电性设置于该电路板上。
11. 如权利要求1所述的改良型光传感器，其特征在于，该基体上进一步包覆有一封胶 体，该封胶体包覆于该基体、受光芯片、镀膜、第一电极部以及第二电极部上，且该封胶体为 供光线穿透的胶体。
12. 如权利要求1所述的改良型光传感器，其特征在于，该基体上进一步包覆有一封胶 体，该封胶体包覆于该基体、受光芯片、镀膜、第一电极部以及第二电极部上，且该封胶体为 滤掉可见光而保留不可见光的胶体。
专利摘要本实用新型是一种改良型光传感器，包括一基体、一受光芯片以及一镀膜。该基体具有第一、二电极部；该受光芯片设置于基体上，且受光芯片还分别与基体的第一、二电极部彼此电性连接；该镀膜形成于受光芯片上，且镀膜能滤掉可见光而保留不可见光。从而达到仅能接收不可见光、以及整体体积可缩至最小的功效。
文档编号H01L31/115GK201478335SQ20092014992
公开日2010年5月19日 申请日期2009年4月22日 优先权日2009年4月22日
发明者周文隆, 朱倪廷 申请人:鼎元光电科技股份有限公司