专利名称：一种led芯片角度快速调校方法
技术领域：
本发明涉及LED芯片分选技术领域，特别是涉及一种LED芯片角度快速调校方法。
背景技术：
通常的，在LED芯片分选过程中由于芯片分选前的芯片膜在扩片时膜上粘结力及芯片间粘合力等会造成部分芯片产生偏转角度，该偏转角度是相对于机床标准坐标系的角度。然而LED芯片分选后要求将芯片按照类型，以方片的形式整齐排列于芯片膜上，只允许小角度的偏差以便于LED芯片的封装。如果芯片出现角度偏差，则需要通过角度校正来实现。但是由于任何一颗芯片的角度校正都需要转动整个芯片膜，这将导致芯片膜上其它所有芯片的位置都会随之发生改变，给后续芯片的精确定位带来很大困难。因此，在LED芯片分选过程中进行芯片角度校正，以确保芯片角度校正的准确性，提高芯片角度校正的效率，使得芯片能够整齐排列是LED芯片分选工艺中的一个难题。
因此，亟需提供一种既能够使芯片准确、快速地调校，同时又能够有效地减少整体芯片的校正次数和提高芯片角度调校效率，从而提高芯片的分选速度的LED芯片角度快速调校方法。
发明内容
基于现有技术的不足，本发明需要解决的问题是提供一种既能够使芯片准确、快速地调校，同时又能够有效地减少整体芯片的校正次数和提高芯片角度调校效率，从而提高芯片的分选速度的LED芯片角度快速调校方法。
为解决上述问题，本发明提供了一种LED芯片角度快速调校方法，其包括以下步骤 A、驱动图像识别系统对芯片膜进行识别，获取所述芯片膜上芯片i的原始位置坐标Xi，Yi及偏转角度θi，其中，i＝1，2，3...n，n为所述芯片膜上芯片的总颗数； B、获取所述芯片膜的旋转中心的位置坐标Ox，Oy； C、以所述芯片膜上芯片i的原始位置坐标Xi，Yi、偏转角度θi及所述芯片膜的旋转中心的位置坐标Ox，Oy，反算所述芯片i理论旋转后的理论位置坐标X′i，Y′i； D、在某一预定的芯片角度偏转范围内，以角度间隔值对其划分角度区间，将所述芯片i的偏转角度θi归入所述角度区间内，设所述角度区间的数量为s； E、获取s角度区间中的上限值和下限值，计算所述s角度区间中的上限值和下限值之间的中间值为该角度区间的旋转中心角度； F、判断所述s角度区间中是否存在旋转中心角度为0°的角度区间，若是，则选取旋转中心角度为0°的角度区间作为第p角度区间，其中，p＝1；否则，选取所述s角度区间中的其中一个角度区间作为第p角度区间，并将所述芯片膜按照该角度区间的旋转中心角度进行实际旋转，其中，p＝1； G、选取所述第p角度区间中的芯片m，其中，m＝1，设该角度区间中所包含的芯片总颗数为h； H、将所述第p角度区间中的芯片m以该芯片理论旋转后的理论位置坐标X′m，Y′m进行移动定位，并驱动图像识别系统对该芯片进行识别，获取该芯片理论旋转后的理论位置坐标X′m，Y′m与该芯片实际旋转后的实际位置坐标间的偏差λx，λy； 其中，m为所述第p角度区间中所有芯片中的其中一颗芯片； I、判断所述步骤H中的偏差λx，λy是否大于某一阈值，若是，则根据所述偏差λx，λy对所述步骤B中获取的芯片膜的旋转中心的位置坐标Ox，Oy进行修正，再按照修正后的旋转中心的位置坐标O′x，O′y，重新反算修正后的该芯片理论旋转后的理论位置坐标X″m，″m，并按照修正后的该芯片理论旋转后的理论位置坐标X″m，Y″m移动进行芯片位置校正；否则，按照该芯片理论旋转后的理论位置坐标X′m，Y′m移动进行芯片位置校正； J、判断m是否等于h，若是，则结束该角度区间的所有芯片的角度调校，继续步骤K；否则，m＝m+1，直接返回步骤H； K、继续判断p是否等于s，若是，则结束该芯片膜上全部芯片的角度调校；否则，将所述芯片膜旋转所述角度间隔值，且p＝p+1，直接返回步骤G。
其中，上述步骤B具体包括 B1、标定所述芯片膜上的其中一颗芯片为特定芯片； B2、驱动所述芯片膜旋转不同的角度，分别记录每次旋转时所述特定芯片的位置坐标，并将所述位置坐标存储至样本集，其中，所述样本集为相对于所述芯片膜的旋转中心的圆上坐标； B3、根据所述步骤B2中的样本集，利用最小二乘法计算所述芯片膜的拟合圆方程，从而获取所述芯片膜的旋转中心的位置坐标Ox，Oy。
其中，上述步骤C具体包括 判断所述芯片i的偏转角度θi； 若θi为正，进一步判断所述芯片i相对于所述芯片膜的旋转中心的位置坐标Ox，Oy所在的象限； 若在第一象限，设 则当θk≤90°时，X′i＝Ox+Ri×cos(θk)，Yi′＝Oy+Ri×sin(θk)； 当θk＞90°时，X′i＝Ox-Ri×sin(θk-90°)，Yi′＝Oy+Ri×cos(θk-90°)； 若在第二象限，设 则当θk≥0°时，X′i＝Ox-Ri×cos(θk)，Yi′＝Oy+Ri×sin(θk)； 当θk＜0°时，X′i＝Ox-Ri×cos(0°-θk)，Yi′＝Oy-Ri×sin(0°-θk)； 若在第三象限，设 则当θk≤90°时，X′i＝Ox-Ri×cos(θk)，Yi′＝Oy-Ri×sin(θk)； 当θk＞90°时，X′i＝Ox+Ri×sin(θk-90°)，Yi′＝Oy-Ri×cos(θk-90°)； 若在第四象限，设 则当θk≥0°时，X′i＝Ox+Ri×cos(θk)，Yi′＝Oy-Ri×sin(θk)； 当θk＜0°时，X′i＝Ox+Ri×cos(0°-θk)，Yi′＝Oy+Ri×sin(0°-θk)； 若θi为负，进一步判断所述芯片i相对于所述芯片膜的旋转中心的位置坐标Ox，Oy所在的象限； 若在第一象限，设 则当θk≥0°时，X′i＝Ox+Ri×cos(θk)，Yi′＝Oy+Ri×sin(θk)； 当θk＜0°时，X′i＝Ox+Ri×cos(0°-θk)，Yi′＝Oy-Ri×sin(0°-θk)； 若在第二象限，设 则当θk≤90°时，X′i＝Ox-Ri×cos(θk)，Yi′＝Oy+Ri×sin(θk)； 当θk＞90°时，X′i＝Ox+Ri×sin(θk-90°)，Yi′＝Oy+Ri×cos(θk-90°)； 若在第三象限，设 则当θk≥0°时，X′i＝Ox-Ri×cos(θk)，Yi′＝Oy-Ri×sin(θk) 当θk＜0°时，X′i＝Ox-Ri×cos(0°-θk)，Yi′＝Oy+Ri×sin(0°-θk)； 若在第四象限，设 则当θk≥0°时，X′i＝Ox+Ri×cos(θk)，Yi′＝Oy-Ri×sin(θk)； 当θk＜0°时，X′i＝Ox-Ri×cos(θk-90°)，Yi′＝Oy-Ri×sin(θk-90°)； 若θi为0°时，所述芯片i理论旋转后的理论位置坐标X′i，Yi′为该芯片的原始位置坐标Xi，Yi； 继续步骤D； 其中，Ri为所述芯片i到所述芯片膜的旋转中心Ox，Oy的距离，所述芯片i到所述芯片膜的旋转中心Ox，Oy的距离Ri通过以下公式 进行计算。
其中，上述步骤I中根据所述偏差λx，λy对所述步骤B中获取的芯片膜的旋转中心的位置坐标Ox，Oy进行修正的步骤具体为 I01、设定所述芯片m的原始位置坐标为Xm，Ym，所述芯片m理论旋转后的理论位置坐标为X′m，Y′m； I02、根据所述偏差λx，λy和芯片m理论旋转后的理论位置坐标X′m，′m，标示所述芯片m实际旋转后的实际位置坐标为X′m-λx，Y′m-λy； I03、利用以下公式对所述芯片膜的旋转中心的位置坐标Ox，Oy进行修正，设修正后的所述芯片膜的旋转中心的位置坐标为O′x，O′x
其中，R′m为第m颗芯片到修正后的所述芯片膜的旋转中心O′x，O′y的距离，所述第m颗芯片到修正后的所述芯片膜的旋转中心O′x，O′y的距离R′m通过以下公式 进行计算。
其中，上述角度间隔值为芯片进行芯片封装工艺中角度偏差的允许值。
本发明中，获取芯片膜上芯片i的原始位置坐标Xi，Yi及偏转角度θi；获取芯片膜的旋转中心的位置坐标Ox，Oy；反算芯片i理论旋转后的理论位置坐标X′i，Y′i；在某一预定的芯片角度偏转范围内，以角度间隔值对其划分角度区间，将芯片i的偏转角度θi归入角度区间内，设所述角度分类的数量为s；获取s角度区间的旋转中心角度；判断s角度区间中是否存在旋转中心角度为0°的角度区间，若是，则选取旋转中心角度为0°的角度区间作为第p角度区间；否则，选取s角度区间中的其中一个角度区间作为第p角度区间，并将芯片膜按照该角度区间的旋转中心角度进行旋转，其中，p＝1；选取第p角度区间中的芯片m，其中m＝1，设该角度区间中所包含的芯片总颗数为h；将第p角度区间中的芯片m以该芯片理论旋转后的理论位置坐标X′m，Y′m进行移动定位，并驱动图像识别系统对该芯片进行识别，获取该芯片理论旋转后的理论位置坐标X′m，Y′m与该芯片实际旋转后的实际位置坐标间的偏差λx，λy；判断偏差λx，λy是否大于某一阈值，若是，则根据偏差λx，λy对旋转中心的位置坐标Ox，Oy进行修正，并按照修正后的旋转中心的位置坐标O′x，O′y，重新反算修正后的该芯片理论旋转后的理论位置坐标X″m，Y″m，并按照该修正后的该芯片理论旋转后的理论位置坐标X″m，Y″m移动进行芯片位置校正；否则，按照该芯片理论旋转后的理论位置坐标X′m，Y′m进行芯片位置校正；判断m是否等于h，若是，则结束该角度区间的所有芯片的角度调校，继续以下步骤；否则，m＝m+1，直接返回步骤H；继续判断p是否等于s，若是，则结束该芯片膜上全部芯片的角度调校；否则，将所述芯片膜旋转所述角度间隔值，且p＝p+1，直接返回步骤G。
本发明是基于图像识别芯片位置拟合芯片膜的旋转中心，并通过拟合的旋转中心坐标反求芯片理论旋转后的理论位置坐标，基于基本的旋转台，无需外界设备辅助，根据算法计算和图像处理，完成芯片的角度调校；同时提出了基于角度分类的方法，有效的减少了整体芯片的校正次数，提高了芯片校正的精度和效率。除此之外，本发明还通过对芯片膜的旋转中心进行修正的方法，从而提高了芯片角度调校的准确性。与现有技术相比，本发明既能够使芯片准确、快速地调校，同时又能够有效地减少整体芯片的校正次数和提高芯片角度调校效率，从而提高芯片的分选速度。
利用附图对本发明作进一步说明，但附图中的实施例不构成对本发明的任何限制。
图1为本发明的一种LED芯片角度快速调校方法的方法流程图。
具体实施例方式 结合以下实施例对本发明作进一步描述 本发明的一种LED芯片角度快速调校方法的实施例如图1所示，包括以下步骤 步骤101.驱动图像识别系统对芯片膜进行识别，获取所述芯片膜上芯片i的原始位置坐标Xi，Yi及偏转角度θi，其中，i为所述芯片膜上的其中一颗芯片，i＝1，2，3...n，n为所述芯片膜上芯片的总颗数。该步骤中获取的是所述芯片膜上所有芯片的原始位置坐标Xi，Yi及偏转角度θi。该芯片i在芯片膜上的坐标以及相对于机床标准坐标系的偏转角度固定。
步骤102.获取所述芯片膜的旋转中心的位置坐标Ox，Oy。芯片膜上的芯片i相对于机床坐标系的偏转角度θi是固定，但是由于芯片膜整体旋转时所绕的旋转中心在机床坐标系中的位置是无法测量，所以需利用图像识别并结合数据拟合的方法求取该芯片膜的旋转中心的位置。
步骤103.以所述芯片膜上芯片i的原始位置坐标Xi，Yi、偏转角度θi及所述芯片膜的旋转中心的位置坐标Ox，Oy，反算所述芯片i理论旋转后的理论位置坐标X′i，Yi′。该步骤103具体为通过判断芯片i的偏转角度θi以及芯片i的偏转角度θi相对于所述芯片膜的旋转中心的位置坐标Ox，Oy所在的象限，运用预定的计算公式对所述芯片i理论旋转后的理论位置坐标X′i，Yi′进行反算。该芯片i理论旋转后的理论位置坐标X′i，Yi′是芯片角度快速调校系统预先计算得到的坐标数据而非实际旋转的实际坐标值。
步骤104.在某一预定的芯片角度偏转范围内，以角度间隔值对其划分角度区间，将所述芯片i旋转后的偏转角度θi归入所述角度区间内，设所述角度区间的数量为s。可以设定芯片角度快速调校系统中的预定的芯片角度偏转范围为-15°至15°，角度间隔值可以选择2°，这样将芯片角度偏转范围-15°至15°分为15个角度区间。如-15°～-13°、-13°～-11°、-11°～-9°、-9°～-7°、-7°～-5°、-5°～-3°、-3°～-1°、-1°～+1°……、+13°～+15°。
步骤105.获取s角度区间中的上限值和下限值，计算所述s角度区间中的上限值和下限值之间的中间值为该角度区间的旋转中心角度。如在某一预定的芯片角度偏转范围-15°至15°内按照预定的角度间隔值2°对其分类，可以分为15个角度区间，当芯片的一个角度区间范围为-15°～-13°时，该角度区间的旋转中心角度为-14°；同理，当芯片的下一角度区间范围为-13°～-11°时，该角度区间的旋转中心角度为-12°，依次类推。
步骤106.判断所述s角度区间中是否存在旋转中心角度为0°的角度区间，若是，则选取旋转中心角度为0°的角度区间作为第p角度区间，其中，p＝1；否则，选取所述s角度区间中的其中一个角度区间作为第p角度区间，并将所述芯片膜按照该角度区间的旋转中心角度进行旋转，其中，p＝1。
步骤107.选取所述第p角度区间中的芯片m，其中，m＝1，设该角度区间中所包含的芯片总颗数为h。
步骤108.将所述第p角度区间中的芯片m按照该芯片理论旋转后的理论位置坐标X′m，Y′m进行移动定位，并驱动图像识别系统对该芯片进行识别，获取该芯片理论旋转后的理论位置坐标X′m，Y′m与该芯片实际旋转后的实际位置坐标间的偏差λx，λy； 其中，m为所述第p角度区间中所有芯片中的其中一颗芯片，且
其中，根据所述第p角度区间中的芯片m理论旋转后的理论位置坐标X′m，Y′m进行定位，即移动至芯片m理论旋转后的理论位置坐标X′m，Y′m的位置定位。
步骤109.判断所述步骤109中的偏差λx，λy是否大于某一阈值，若是，则根据所述偏差λx，λy对所述步骤102中获取的芯片膜的旋转中心的位置坐标Ox，Oy进行修正，再按照修正后的旋转中心的位置坐标O′x，O′y，重新反算修正后的该芯片理论旋转后的理论位置坐标X″m，Y″m，并按照修正后的该芯片理论旋转后的理论位置坐标X″m，Y″m移动进行芯片位置校正；否则，按照该芯片理论旋转后的理论位置坐标X′m，Y′m移动进行芯片位置校正。进行芯片位置校正后即可执行芯片的拾取。
步骤110.判断m是否等于h，若是，则结束该角度区间的所有芯片的角度调校，继续步骤111；否则，m＝m+1，直接返回步骤108。当第一个角度区间中的所有芯片调校完时，进行第二个角度区间中的芯片调校时，只需将芯片膜旋转预定的角度间隔值，而无需按照第二个角度区间的旋转中心角度进行旋转，这是由于识别的偏转角度值以及计算的角度区间的旋转中心角度坐标都是基于机床坐标系的绝对坐标，且扫描识别获得的数据都为绝对坐标。例如当第一角度区间的旋转中心角度为14°时，第二角度区间的旋转中心角度为12°时，当按照第一角度区间的旋转中心角度14°旋转后，由于旋转中心角度值都是绝对坐标，所以芯片膜只需旋转2°即可完成第二角度区间的角度调校。
步骤111.继续判断p是否等于s，若是，则结束该芯片膜上全部芯片的角度调校；否则，将所述芯片膜旋转所述角度间隔值，且p＝p+1，直接返回步骤107。
本实施例中，上述步骤102具体包括 B1、标定所述芯片膜上的其中一颗芯片为特定芯片。
B2、驱动所述芯片膜旋转不同的角度，分别记录每次旋转时所述特定芯片的位置坐标，并将所述位置坐标存储至样本集，其中，所述样本集为相对于所述芯片膜的旋转中心的圆上坐标。
B3、根据所述步骤B2中的样本集，利用最小二乘法计算所述芯片膜的拟合圆方程，从而获取所述芯片膜的旋转中心的位置坐标Ox，Oy。该求取芯片膜的旋转中心采用图像视觉识别与运动相结合的方法对同一芯片旋转不同旋转角度位置提取并拟合近似圆心的方法。
另，可以将求取的芯片膜的旋转中心的位置坐标记录到LED芯片角度快速调校系统中作为系统设备的基本参数存储。
需要拟合芯片膜旋转中心的位置坐标，首先要得到一组以芯片膜旋转中心的位置坐标为圆心的圆上的坐标。方法提出利用芯片图像识别的方法对同一芯片进行位置记录，每当记录一个位置，芯片膜旋转固定角度，同时结合运动控制实时保证芯片在识别区域内。得到一组相对于芯片旋转中心的圆上坐标，最后利用这组数据进行最小二乘法拟合圆曲线具体计算过程如下 假设样本集(Xi，Yi)，i∈(1，2，3...30)共30个点到圆心的距离为di 点集到圆心距离与圆半径的平方差为 则目标函数Q(a，b，c)为点集到圆心距离与圆半径的平方差的平方和 以目标函数Q(a，b，c)最小为目标，求参数a，b，c使目标函数Q(a，b，c)的值最小，从而求得芯片膜的拟合圆方程，从而获得圆心坐标。
本实施例中，上述步骤103具体包括 判断所述芯片i的偏转角度θi； 若θi为正时，需要逆时针旋转；进一步判断所述芯片i相对于所述芯片膜的旋转中心的位置坐标Ox，Oy所在的象限； 若在第一象限，设 则当θk≤90°时，X′i＝Ox+Ri×cos(θk)，Yi′＝Oy+Ri×sin(θk)； 当θk＞90°时，X′i＝Ox-Ri×sin(θk-90°)，Yi′＝Oy+Ri×cos(θk-90°)； 若在第二象限，设 则当θk≥0°时，X′i＝Ox-Ri×cos(θk)，Yi′＝Oy+Ri×sin(θk)； 当θk＜0°时，X′i＝Ox-Ri×cos(0°-θk)，Yi′＝Oy-Ri×sin(0°-θk)； 若在第三象限，设 则当θk≤90°时，X′i＝Ox-Ri×cos(θk)，Yi′＝Oy-Ri×sin(θk)； 当θk＞90°时，X′i＝Ox+Ri×sin(θk-90°)，Yi′＝Oy-Ri×cos(θk-90°)； 若在第四象限，设 则当θk≥0°时，X′i＝Ox+Ri×cos(θk)，Yi′＝Oy-Ri×sin(θk)； 当θk＜0°时，X′i＝Ox+Ri×cos(0°-θk)，Yi′＝Oy+Ri×sin(0°-θk)； 若θi为负，需要顺时针旋转；进一步判断所述芯片i相对于所述芯片膜的旋转中心的位置坐标Ox，Oy所在的象限； 若在第一象限，设 则当θk≥0°时，X′i＝Ox+Ri×cos(θk)，Yi′＝Oy+Ri×sin(θk)； 当θk＜0°时，X′i＝Ox+Ri×cos(0°-θk)，Yi′＝Oy-Ri×sin(0°-θk)； 若在第二象限，设 则当θk≤90°时，X′i＝Ox-Ri×cos(θk)，Yi′＝Oy+Ri×sin(θk)； 当θk＞90°时，X′i＝Ox+Ri×sin(θk-90°)，Yi′＝Oy+Ri×cos(θk-90°)； 若在第三象限，设 则当θk≥0°时，X′i＝Ox-Ri×cos(θk)，Yi′＝Oy-Ri×sin(θk) 当θk＜0°时，X′i＝Ox-Ri×cos(0°-θk)，Yi′＝Oy+Ri×sin(0°-θk)； 若在第四象限，设 则当θk≥0°时，X′i＝Ox+Ri×cos(θk)，Yi′＝Oy-Ri×sin(θk)； 当θk＜0°时，X′i＝Ox-Ri×cos(θk-90°)，Yi′＝Oy-Ri×sin(θk-90°)； 若θi为0°时，所述芯片i理论旋转后的理论位置坐标X′i，Yi′为该芯片的原始位置坐标Xi，Yi； 继续步骤104； 其中，Ri为所述芯片i到所述芯片膜的旋转中心Ox，Oy的距离，所述芯片i到所述芯片膜的旋转中心Ox，Oy的距离Ri通过以下公式 进行计算。
本实施例中，由于在图像识别系统对芯片的识别中，以及芯片膜的旋转中心的拟合计算中会存在识别误差和拟合误差，而且还包括有计算时的舍入误差等，使得以数值计算方法所获得的芯片膜的旋转中心为近似值，由此提出对旋转中心进行修正。所以上述步骤110中根据所述偏差λx，λy对所述步骤102中获取的芯片膜的旋转中心的位置坐标Ox，Oy进行修正的步骤具体为 I01、设定所述芯片m的原始位置坐标为Xm，Ym，所述芯片m理论旋转后的理论位置坐标为X′m，Y′m。
I02、根据所述偏差λx，λy和芯片m理论旋转后的理论位置坐标为X′m，Y′m，标示所述芯片m实际旋转后的实际位置坐标为X′m-λx，Y′m-λy。
I03、利用以下公式对所述芯片膜的旋转中心的位置坐标Ox，Oy进行修正，设修正后的所述芯片膜的旋转中心的位置坐标为O′x，O′y
其中，R′m为第m颗芯片到修正后的所述芯片膜的旋转中心O′x，O′y的距离，所述第m颗芯片到修正后的所述芯片膜的旋转中心O′x，O′y的距离R′m通过以下公式 进行计算。利用上述方法求得芯片膜的旋转中心的位置坐标后，可以将此坐标作为LED芯片角度调校系统的参数储存。
本实施例中，上述角度间隔值为芯片进行芯片封装工艺中角度偏差的允许值。
本实施例中，步骤110中的再按照修正后的旋转中心的位置坐标O′x，O′y，重新反算修正后的该芯片旋转后的新位置坐标X″i，Y″i的步骤与步骤103中的反算过程的原理相同，以所述芯片膜上该芯片的原始位置坐标Xm，Ym、偏转角度θm及所述修正后的旋转中心的位置坐标O′x，O′y，反算修正后的芯片m理论旋转后的理论位置坐标X″m，Y″m。该步骤具体为通过判断芯片m的偏转角度θm以及芯片m的偏转角度θm相对于所述修正后的芯片膜的旋转中心的位置坐标O′x，O′y所在的象限，运用预定的计算公式对所述修正后的芯片m理论旋转后的理论位置坐标X″m，Y″m进行反算。具体为 判断所述芯片m的偏转角度θm； 若θm为正，进一步判断所述芯片m相对于所述修正后的旋转中心的位置坐标O′x，O′y所在的象限； 若在第一象限，设 则当θk≤90°时，X″m＝Ox′+Ri×cos(θk)，Y″m＝Oy′+Ri×sin(θk)； 当θk＞90°时，X″m＝Ox′-Ri×sin(θk-90°)，Y″m＝Oy′+Ri×cos(θk-90°)； 若在第二象限，设 则当θk≥0°时，X″m＝Ox′-Ri×cos(θk)，Y″m＝Oy′+Ri×sin(θk)； 当θk＜0°时，X″m＝Ox′-Ri×cos(0°-θk)，Y″m＝Oy′-Ri×sin(0°-θk)； 若在第三象限，设 则当θk≤90°时，X″m＝Ox′-Ri×cos(θk)，Y″m＝Oy′-Ri×sin(θk)； 当θk＞90°时，X″m＝Ox′+Rm′×sin(θk-90°)，Y″m＝Oy′-Rm′×cos(θk-90°)； 若在第四象限，设 则当θk≥0°时，X″m＝Ox′+Rm′×cos(θk)，Y″m＝Oy′-Rm′×sin(θk)； 当θk＜0°时，X″m＝Ox′+Rm′×cos(0°-θk)，Y″m＝Oy′+Rm′×sin(0°-θk)； 若θm为负，进一步判断所述芯片m相对于所述修正后的旋转中心的位置坐标O′x，O′y所在的象限； 若在第一象限，设 则当θk≥0°时，X″m＝Ox′+Rm′×cos(θk)，Y″m＝Oy′+Rm′×sin(θk)； 当θk＜0°时，X″m＝Ox′+Rm′×cos(0°-θk)，Y″m＝Oy′-Rm′×sin(0°-θk)； 若在第二象限，设 则当θk≤90°时，X″m＝Ox′-Rm′×cos(θk)，Y″m＝Oy′+Rm′×sin(θk)； 当θk＞90°时，X″m＝Ox′+Rm′×sin(θk-90°)，Y″m＝Oy′+Rm′×cos(θk-90°)； 若在第三象限，设 则当θk≥0°时，X″m＝Ox′-Rm′cos(θk)，Y″m＝Oy′-Rm′×sin(θk) 当θk＜0°时，X″m＝Ox′-Rm′×cos(0°-θk)，Y″m＝Oy′+Rm′×sin(0°-θk)； 若在第四象限，设 则当θk≥0°时，X″m＝Ox′+Rm′×cos(θk)，Y″m＝Oy′-Rm′×sin(θk)； 当θk＜0°时，X″m＝Ox′-Rm′×cos(θk-90°)，Y″m＝Oy′-Rm′×sin(θk-90°)； 若θm为0°时，所述芯片m理论旋转后的理论位置坐标X″m，Y″m为该芯片的原始位置坐标Xm，Ym； 其中，Rm′为所述芯片m到所述修正后的旋转中心O′x，O′y的距离，所述芯片m到所述修正后的旋转中心O′x，O′y的距离Rm′通过以下公式 进行计算。
最后应当说明的是，以上实施例仅用以说明本发明的技术方案，而非对本发明保护范围的限制，尽管参照较佳实施例对本发明作了详细地说明，本领域的普通技术人员应当理解，可以对本发明的技术方案进行修改或者等同替换，而不脱离本发明技术方案的实质和范围。
权利要求
1.一种LED芯片角度快速调校方法，其特征在于，包括以下步骤
A、驱动图像识别系统对芯片膜进行识别，获取所述芯片膜上芯片i的原始位置坐标Xi，Yi及偏转角度θi，其中，i＝1，2，3...n，n为所述芯片膜上芯片的总颗数；
B、获取所述芯片膜的旋转中心的位置坐标Ox，Oy；
C、以所述芯片膜上芯片i的原始位置坐标Xi，Yi、偏转角度θi及所述芯片膜的旋转中心的位置坐标Ox，Oy，反算所述芯片i理论旋转后的理论位置坐标X′i，Y′i；
D、在某一预定的芯片角度偏转范围内，以角度间隔值对其划分角度区间，将所述芯片i的偏转角度θi归入所述角度区间内，设所述角度区间的数量为s；
E、获取s角度区间中的上限值和下限值，计算所述s角度区间中的上限值和下限值之间的中间值为该角度区间的旋转中心角度；
F、判断所述s角度区间中是否存在旋转中心角度为0°的角度区间，若是，则选取旋转中心角度为0°的角度区间作为第p角度区间，其中，p＝1；否则，选取所述s角度区间中的其中一个角度区间作为第p角度区间，并将所述芯片膜按照该角度区间的旋转中心角度进行实际旋转，其中，p＝1；
G、选取所述第p角度区间中的芯片m，其中，m＝1，设该角度区间中所包含的芯片总颗数为h；
H、将所述第p角度区间中的芯片m以该芯片理论旋转后的理论位置坐标X′m，Y′m进行移动定位，并驱动图像识别系统对该芯片进行识别，获取该芯片理论旋转后的理论位置坐标X′m，Y′m与该芯片实际旋转后的实际位置坐标间的偏差λx，λy；
其中，m为所述第p角度区间中所有芯片中的其中一颗芯片；
I、判断所述步骤H中的偏差λx，λy是否大于某一阈值，若是，则根据所述偏差λx，λy对所述步骤B中获取的芯片膜的旋转中心的位置坐标Ox，Oy进行修正，再按照修正后的旋转中心的位置坐标O′x，O′y，重新反算修正后的该芯片理论旋转后的理论位置坐标X″m，Y″m，并按照修正后的该芯片理论旋转后的理论位置坐标X″m，Y″m移动进行芯片位置校正；否则，按照该芯片理论旋转后的理论位置坐标X′m，Y′m移动进行芯片位置校正；
J、判断m是否等于h，若是，则结束该角度区间的所有芯片的角度调校，继续步骤K；否则，m＝m+1，直接返回步骤H；
K、继续判断p是否等于s，若是，则结束该芯片膜上全部芯片的角度调校；否则，将所述芯片膜旋转所述角度间隔值，且p＝p+1，直接返回步骤G。
2.根据权利要求1所述的LED芯片角度快速调校方法，其特征在于，所述步骤B具体包括
B1、标定所述芯片膜上的其中一颗芯片为特定芯片；
B2、驱动所述芯片膜旋转不同的角度，分别记录每次旋转时所述特定芯片的位置坐标，并将所述位置坐标存储至样本集，其中，所述样本集为相对于所述芯片膜的旋转中心的圆上坐标；
B3、根据所述步骤B2中的样本集，利用最小二乘法计算所述芯片膜的拟合圆方程，从而获取所述芯片膜的旋转中心的位置坐标Ox，Oy。
3.根据权利要求2所述的LED芯片角度快速调校方法，其特征在于，所述步骤C具体包括
判断所述芯片i的偏转角度θi；
若θi为正，进一步判断所述芯片i相对于所述芯片膜的旋转中心的位置坐标Ox，Oy所在的象限；
若在第一象限，设
则当θk≤90°时，X′i＝Ox+Ri×cos(θk)，Y′i＝Oy+Ri×sin(θk)；
当θk＞90°时，X′i＝Ox-Ri×sin(θk-90°)，Y′i＝Oy+Ri×cos(θk-90°)；
若在第二象限，设
则当θk≥0°时，X′i＝Ox-Ri×cos(θk)，Y′i＝Oy+Ri×sin(θk)；
当θk＜0°时，X′i＝Ox-Ri×cos(0°-θk)，Y′i＝Oy-Ri×sin(0°-θk)；
若在第三象限，设
则当θk≤90°时，X′i＝Ox-Ri×cos(θk)，Y′i＝Oy-Ri×sin(θk)；
当θk＞90°时，X′i＝Ox+Ri×sin(θk-90°)，Y′i＝Oy-Ri×cos(θk-90°)；
若在第四象限，设
则当θk≥0°时，X′i＝Ox+Ri×cos(θk)，Y′i＝Oy-Ri×sin(θk)；
当θk＜0°时，X′i＝Ox+Ri×cos(0°-θk)，Y′i＝Oy+Ri×sin(0°-θk)；
若θi为负，进一步判断所述芯片i相对于所述芯片膜的旋转中心的位置坐标Ox，Oy所在的象限；
若在第一象限，设
则当θk≥0°时，X′i＝Ox+Ri×cos(θk)，Y′i＝Oy+Ri×sin(θk)；
当θk＜0°时，X′i＝Ox+Ri×cos(0°-θk)，Y′i＝Oy-Ri×sin(0°-θk)；
若在第二象限，设
则当θk≤90°时，X′i＝Ox-Ri×cos(θk)，Y′i＝Oy+Ri×sin(θk)；
当θk＞90°时，X′i＝Ox+Ri×sin(θk-90°)，Y′i＝Oy+Ri×cos(θk-90°)；
若在第三象限，设
则当θk≥0°时，X′i＝Ox-Ri×cos(θk)，Y′i＝Oy-Ri×sin(θk)
当θk＜0°时，X′i＝Ox-Ri×cos(0°-θk)，Y′i＝Oy+Ri×sin(0°-θk)；
若在第四象限，设
则当θk≥0°时，X′i＝Ox+Ri×cos(θk)，Y′i＝Oy-Ri×sin(θk)；
当θk＜0°时，X′i＝Ox-Ri×cos(θk-90°)，Y′i＝Oy-Ri×sin(θk-90°)；
若θi为0°时，所述芯片i理论旋转后的理论位置坐标X′i，Y′i为该芯片的原始位置坐标Xi，Yi；
继续步骤D；
其中，Ri为所述芯片i到所述芯片膜的旋转中心Ox，Oy的距离，所述芯片i到所述芯片膜的旋转中心Ox，Oy的距离Ri通过以下公式
进行计算。
4.根据权利要求3所述的LED芯片角度快速调校方法，其特征在于，所述步骤I中根据所述偏差λx，λy对所述步骤B中获取的芯片膜的旋转中心的位置坐标Ox，Oy进行修正的步骤具体为
I01、设定所述芯片m的原始位置坐标为Xm，Ym，所述芯片m理论旋转后的理论位置坐标为X′m，Y′m；
I02、根据所述偏差λx，λy和芯片m理论旋转后的理论位置坐标X′m，Y′m，标示所述芯片m实际旋转后的实际位置坐标为X′m-λx，Y′m-λy；
I03、利用以下公式对所述芯片膜的旋转中心的位置坐标Ox，Oy进行修正，设修正后的所述芯片膜的旋转中心的位置坐标为O′x，O′y
其中，R′m为第m颗芯片到修正后的所述芯片膜的旋转中心O′x，O′y的距离，所述第m颗芯片到修正后的所述芯片膜的旋转中心O′x，O′y的距离R′m通过以下公式
进行计算。
5.根据权利要求1至4任意一项所述的LED芯片角度快速调校方法，其特征在于，所述角度间隔值为芯片进行芯片封装工艺中角度偏差的允许值。
全文摘要
一种LED芯片角度快速调校方法，主要包括将芯片归入角度区间；获取角度区间旋转中心角度；选取第p角度区间，并将芯片膜按照该角度区间旋转中心角度进行旋转，其中，p＝1；将芯片m按照其理论旋转后的理论位置坐标X′m，Y′m进行定位，并获取X′m，Y′m与该芯片实际旋转后的实际位置间的偏差λx，λy；判断λx，λy是否大于某一阈值，若是，则根据λx，λy对Ox，Oy进行修正，并进行芯片位置校正；否则，按照该芯片理论旋转后的理论位置坐标X′m，Y′m进行芯片位置校正；判断第p角度区间中的芯片是否选取完，若是，则结束该角度区间芯片的角度调校；继续下一角度区间中芯片的角度调校。本发明能够提高芯片角度校正的准确性，同时能够有效地减少整体芯片的校正次数和提高芯片角度校正效率，从而提高芯片分选速度。
文档编号H01L33/00GK101777610SQ201010019539
公开日2010年7月14日 申请日期2010年1月21日 优先权日2010年1月21日
发明者李斌, 吴涛, 黄禹, 李海洲, 龚时华, 王龙文, 林康华, 李文杰 申请人:东莞华中科技大学制造工程研究院, 东莞市华科制造工程研究院有限公司