专利名称：：一种温度补偿型电容器材料的制作方法
技术领域：
：本发明涉及一种电子陶瓷介质材料，尤其涉及一种温度补偿型的电子陶瓷电容器材料。
背景技术：
：温度补偿型陶瓷电容，又称高频陶瓷电容。该类电容器的电容量随温度改变呈线性变化，适用于调谐回路和需要补偿温度效应的电路中，是用量大、重要性高的一类瓷料，性能要求较高，国内已有厂家生产该瓷料，但介电常数系列单一，不能用于某些特定场合。
发明内容本发明的目的是针对现有技术高压陶瓷电容器介质存在的介电常数小、直流耐压强度低、损耗大的问题，提供一种以钛酸锶(SrTiO3)为基料，通过添加部分稀土氧化物，优选组分，进一步促使瓷体细晶化，提高介电常数和直流耐压强度，降低损耗。本发明的目的是通过以下技术方案实现的，一种温度补偿型电容器材料，其组分以重量分表示为钛酸锶(SrTiO3)8090分、钛酸钙(CaTiO3)412分、氧化铋(Bi2O3)28分、氧化钛(TiO2)15分、钛酸镁(Mg2TiO4)O.21分、氧化钬(Ho2O3)0.10.6分。上述温度补偿型电容器材料组分的优选方案为钛酸锶(SrTiO3)8288分、钛酸钙(CaTiO3)610分、氧化铋(Bi2O3)36分、氧化钛(TiO2)24分、钛酸镁(Mg2TiO4)0.40.8分、氧化钬(Ho2O3)0.20.4分。上述温度补偿型电容器材料组分的最佳方案为钛酸锶(SrTiO3)85分、钛酸钙(CaTiO3)8分、氧化铋(Bi203)5分、氧化钛(Ti02)3分、钛酸镁(M&Ti04)0.6分、氧化钬(Ho2O3)0.3分。该发明为SrTiO3基瓷料，通过CaTiOjPTiO2=Bi2O3双重置换作用，将SrTiO3的居里温度从-250°C移至室温附近，从而大大提高了使用温度范围内的介电常数；添加Mg2TiO4，降低烧结温度，达到瓷体细晶化，从而提高了耐压、降低了损耗。本发明的主要特点是用稀土氧化物Ho2O3取代了常用的氧化铈(CeO2)、五氧化二铌(Nb2O5)等组分，在进一步促使瓷体细晶化、提高耐压、降低损耗方面有明显的效果。本发明采用常规的高压陶瓷电容器介质制备工艺，首先进行SrTi03、CaTi03、Mg2TiO3等基料的配料，经过球磨、压滤、干燥、煅烧、粉碎、除铁等工艺，得到SrTi03、CaTi03、Mg2TiO3等基料待用；然后再进行成品料配料，再经过球磨、搅拌磨、混料、喷雾造粒、除铁、混料即得成品料。具体实施例方式为进一步验证本发明配方组分的性能指标，进行了不同配方组分下的性能指标试验。表1各试样的成分配比<table>tableseeoriginaldocumentpage4</column></row><table>表2各配方试样的介电性能<table>tableseeoriginaldocumentpage4</column></row><table>本发明与现有技术相比，具有以下优点1、配方简单，电容温度变化率小，性能稳定，安全性高。2、制备工艺简单，不用特殊的设备和工艺，采用常规的工艺方法即可制备出本发明的温度补偿型电容器材料。3、制备成本低，采用电容级纯即可生产该产品。权利要求一种温度补偿型电容器材料，其特征在于其组分以重量分表示为钛酸锶(SrTiO3)80～90分、钛酸钙(CaTiO3)4～12分、氧化铋(Bi2O3)2～8分、氧化钛(TiO2)1～5分、钛酸镁(Mg2TiO4)0.2～1分、氧化钬(Ho2O3)0.1～0.6分。2.根据权利要求1所述的一种温度补偿型电容器材料，其特征在于该组分的优选方案为钛酸锶(SrTi03)8288分、钛酸钙(CaTi03)610分、氧化铋(Bi203)36分、氧化钛(Ti02)24分、钛酸镁(Mg2Ti04)0.40.8分、氧化钬(Ho203)0.20.4分。3.根据权利要求1所述的一种温度补偿型电容器材料，其特征在于该组分的最佳方案为钛酸锶(SrTi03)85分、钛酸钙(CaTi03)8分、氧化铋(Bi203)5分、氧化钛(Ti02)3分、钛酸镁(Mg2Ti04)0.6分、氧化钬(Ho203)0.3分。全文摘要本发明公开了一种以钛酸锶(SrTiO3)为基料，通过添加部分稀土氧化物制成的温度补偿型电容器材料，较好的解决了现有技术高压陶瓷电容器介质存在的介电常数小、直流耐压强度低、损耗大的问题，提高了陶瓷电容器的介电常数和直流耐压强度，降低了损耗。文档编号H01G4/12GK101830699SQ20101013523公开日2010年9月15日申请日期2010年3月30日优先权日2010年3月30日发明者戴文金,赵华,陈亮申请人:赵华