专利名称：一种通过阀开度判断刻蚀终止点的方法
技术领域：
本发明涉及PECVD设备刻蚀领域，具体为一种通过阀开度判断刻蚀终止点的方法，它是在PECVD设备进行腔体刻蚀清洗时，判断清洗完成的方法。
背景技术：
刻蚀技术(etching technique)，是在半导体工艺中，按照掩模图形或设计要求对半导体衬底表面或表面覆盖薄膜进行选择性腐蚀或剥离的技术。PECVD设备的刻蚀清洗指在PECVD设备进行沉积薄膜工艺后，会有薄膜沉积到腔体内壁以及腔体里面的零部件表面上，当薄膜积累过多时，会脱落到晶圆上，严重影响薄膜工艺。所以需要在薄膜脱落前，将它们用刻蚀的方法清洗掉。刻蚀清洗过程在腔体内通入氧气、C2F6，打开射频，使腔体内产生等离子体，从而发生化学反应，使腔体内壁以及腔体里面的零部件上的薄膜生成气体，排走。现有技术中，判断刻蚀终止点的方法主要有发射光谱法、红外光谱法、RF电压监测法、质谱仪法等，其中(1)发射光谱法的缺点腔体需开孔，增加成本及加工复杂性；刻蚀清洗时需采用腔体内辉光刻蚀，辉光刻蚀已逐步被淘汰。(2)红外光谱法的缺点成本高，有很强的专利限制(US6191864、US6228277, US6582618、US 6081334、US 5888337、US 5780315、US 5552016 和 US6878214 等)；传感器容易脏，影响精确度。(3)RF电压监测法的缺点刻蚀清洗时需采用腔体内辉光刻蚀，辉光刻蚀已逐步被淘汰。(4)质谱仪法的缺点成本极高。
发明内容
本发明的目的在于提供一种通过阀开度判断刻蚀终止点的方法，解决现有技术中存在的成本较高等问题。本发明的技术方案是一种通过阀开度判断刻蚀终止点的方法，需要判断刻蚀终止点的腔体与排气管道连通，排气管道上设有阀，通过排气管道上阀的开度来判断刻蚀终止点。所述的通过阀开度判断刻蚀终止点的方法，刻蚀时，压强不变，通过排气管道上阀的开度来判断刻蚀终止点。所述的通过阀开度判断刻蚀终止点的方法，腔体内压强3t0rr士0. Itorr ；刻蚀过程中，当阀的开度从17 %变为13 %时，刻蚀清洗完毕。本发明的有益效果是1、成本低。在PECVD设备中；带开度的阀是必要的器件，只需监测阀的开度就能判断刻蚀清洗的终止点，不需要增加硬件成本。
2、不受专利限制。3、可靠性高。PECVD工艺的稳定，需要由带开度的阀准确度及稳定可靠来保证。本发明的原理如下当腔体内进行刻蚀清洗时，通入的气体在等离子体态下与腔内的薄膜发生化学反应，这个反应是个放气反应，当反应结束后，若保证腔内的压强不变，需要减小排气管道上阀门的开度来完成。
图1为本发明一个实施例示意图。
具体实施例方式如图1所示，本发明需要判断刻蚀终止点的腔体1与排气管道2连通，排气管道2 上设有阀3。实施例1如图1所示，在PECVD设备进行刻蚀清洗腔体过程中，腔体1内压强保持不变，通过监测排气管道2上阀3的开度，来判断刻蚀清洗完毕的方法。刻蚀流程中，工艺参数如下氧气流量1600sccm；C2F6 流量1600sccm ；腔体内压强3托(torr)；刻蚀过程中，当阀的开度从17%变为13%时，刻蚀清洗完毕。本实施例中，采用阀的控制器可以监测阀的开度。采用本实施例判断刻蚀终止后，试验数据如下表 权利要求
1.一种通过阀开度判断刻蚀终止点的方法，其特征在于需要判断刻蚀终止点的腔体与排气管道连通，排气管道上设有阀，通过排气管道上阀的开度来判断刻蚀终止点。
2.按照权利要求1所述的通过阀开度判断刻蚀终止点的方法，其特征在于刻蚀时，压强不变，通过排气管道上阀的开度来判断刻蚀终止点。
3.按照权利要求2所述的通过阀开度判断刻蚀终止点的方法，其特征在于腔体内压强3torr士0. Itorr ；刻蚀过程中，当阀的开度从17%变为13%时，刻蚀清洗完毕。
全文摘要
本发明涉及PECVD设备刻蚀领域，具体为一种通过阀开度判断刻蚀终止点的方法，它是在PECVD设备进行腔体刻蚀清洗时，判断清洗完成的方法。需要判断刻蚀终止点的腔体与排气管道连通，排气管道上设有阀，通过排气管道上阀的开度来判断刻蚀终止点。刻蚀时，压强不变，通过排气管道上阀的开度来判断刻蚀终止点。本发明方法简单、方便、可靠性高，解决现有技术中存在的成本较高等问题。
文档编号H01L21/66GK102339773SQ20101023871
公开日2012年2月1日 申请日期2010年7月28日 优先权日2010年7月28日
发明者林英浩 申请人:沈阳拓荆科技有限公司