专利名称：改善晶圆边缘显影效果的方法
技术领域：
本发明涉及一种改善晶圆边缘显影效果的方法，涉及半导体生产工艺。
背景技术：
晶圆制造流程中的图片边缘工艺往往因为前层工艺的影响，使得晶圆边缘显影能力不够造成边缘缺失。而前层的影响主要来自于衬底的不平坦和形貌的不稳定。图片边缘之前的最后一道工序是IMD-CMP，而IMD-CMP后的表面形貌是变换不定的。影响图片边缘曝光显影效果的重要参数项是焦距，而图片在现有工艺中的焦距条件是固定不变的。对于变化的表面形貌，图片边缘无法保持始终一致并且最佳的曝光显影效果，当遇到前层衬底表面形貌和图片的条件不匹配的时候，就会造成局部显影失效，出现边缘缺失。
发明内容
针对现有技术的不足，本发明解决的技术问题是提供一种改善晶圆边缘显影效果的方法，提出了一种可以提高图片边缘窗口，消除晶圆边缘缺失的新方法。本发明的目的通过提供以下技术方案实现一种改善晶圆边缘显影效果的方法，其中，包括以下步骤首先，将晶圆表面形貌和光刻条件参数相关联；其次，借助计算机系统，自动选取和所述表面形貌相匹配的光刻条件；再次，曝光所述晶圆。进一步地，所述光刻条件为光刻焦距。在所述晶圆表面相对较厚的部分，选取更负的焦距；在所述晶圆表面相对较薄的部分，选取更正的焦距。 再进一步地，先所述将晶圆经过CMP或CVD工序，再将所述晶圆表面形貌和光刻条件参数相关联。与现有技术相比，本发明的有益效果是使晶圆各部分都能得到最佳的瀑光显影效果，消除晶圆边缘或其它局部的边缘缺失。
下面结合附图对本发明作进一步说明图1为本发明测量图片的示意图。
具体实施例方式以下参照
本发明的最佳实施方式。本发明针对以上问题，通过前后工序的关联，提出了一种解决图片边缘缺失的方法。即在IMD-CMP之后测量每批产品的边缘厚度，如图1所示，计算机将其形貌自动进行分类，在本发明最佳实施方式中，计算机将其形貌分为3类，第一类100，在χ方向突出图片的；第二类200，在y方向突出图片的；第三类300，在图片内，靠近图片边缘的。针对每一类的表面边缘形貌，计算机自动调用一种最匹配的边缘图片条件，即给晶圆边缘增加或减小焦距(在晶圆边缘相对较厚的部分调用更负的焦距，在晶圆边缘相对较薄的部分调用更正的焦距)，使每批产品在最合适的边缘光刻条件下，得到最佳的瀑光显影效果，从而可以消除晶圆边缘(或其他局部)的边缘缺失。本发明的关键点在于将IMD-CMP后的表面形貌和光刻条件相关联，优选地，所述光刻条件为光刻焦距，并借助计算机系统，自动选取和CMP实际形貌相匹配的光刻条件，即实现了及时变化的图片条件，从而使每一批晶圆产品在曝光时都能获得最佳的曝光显影效果，局部边缘缺失得以消除。值得一提的是该方法可以应用到晶圆制造中的各个图片工序，不一定是CMP之后，也可以是CVD之后；另外，图片的可变参数也可以扩展到焦距以外的其它参数。尽管为示例目的，已经公开了本发明的优选实施方式，但是本领域的普通技术人员将意识到，在不脱离由所附的权利要求书公开的本发明的范围和精神的情况下，各种改进、增加以及取代是可能的。
权利要求
1.一种改善晶圆边缘显影效果的方法，其特征在于，包括以下步骤将晶圆表面形貌和光刻条件参数相关联；晶圆边缘曝光时，计算机系统根据当前位置的晶圆表面形貌自动选取与表面形貌相匹配的光刻条件；曝光所述晶圆。
2.根据权利要求1所述的改善晶圆边缘显影效果的方法，其特征在于，所述光刻条件为光刻焦距。
3.根据权利要求2所述的改善晶圆边缘显影效果的方法，其特征在于，在曝光晶圆表面形貌相对较厚的边缘部分，选取更负的光刻焦距；在曝光晶圆表面形貌相对较薄的边缘部分，选取更正的光刻焦距。
4.根据权利要求1所述的改善晶圆边缘显影效果的方法，其特征在于，先所述将晶圆经过化学机械抛光或化学气相沉积工序，再将所述晶圆表面形貌和光刻条件参数相关联。
5.根据权利要求1-4任意一项所述的改善晶圆边缘显影效果的方法，其特征在于，所述将晶圆表面形貌和光刻条件参数相关联的步骤包括将晶圆边缘部分分区，对每一分区的边缘部分测量厚度，计算机系统根据厚度将分区的表面形貌进行分类。
全文摘要
本发明提供了一种改善晶圆边缘显影效果的方法，其中，包括以下步骤首先，将晶圆表面形貌和光刻条件参数相关联；其次，借助计算机系统，自动选取和所述表面形貌相匹配的光刻条件；再次，曝光所述晶圆。与现有技术相比，本发明的有益效果是使晶圆各部分都能得到最佳的瀑光显影效果，消除晶圆边缘或其它局部的边缘缺失。
文档编号H01L21/02GK102566328SQ20101057809
公开日2012年7月11日 申请日期2010年12月8日 优先权日2010年12月8日
发明者李健, 胡骏 申请人:无锡华润上华科技有限公司