专利名称：管内电缆超导导体接头的制作方法
技术领域：
本实用新型主要涉及超导领域，尤其涉及一种管内电缆超导导体接头。
技术背景管内电缆导体(Cable-in-Conduit Conductor, CICC)以其在机械结构、绝缘性 能、磁体绕制工艺及运行安全性等方面的优势，成为大型超导磁体的首选导体。超导导体接 头技术是CICC导体的关键技术之一，在CICC导体发展的近30年中，开展了多种结构的超 导导体接头的研发。中科院等离子体物理研究所目前正在建设用于ITER计划较正场线圈 (Correction Coil, CC)导体测试装置。为避免使用庞大而昂贵的直流电源以及电流引线 装置，测试装置采用超导变压器来代替传统的电源系统。超导变压器最高可产生50kA的电 流。急需一种能承受大电流要求、且接头电阻小的超导导体接头技术
实用新型内容
本实用新型目的就是为了弥补已有技术的缺陷，提供一种管内电缆超导导体接 头，它能满足超导导体接头技术中大电流、低电阻的要求。本实用新型是通过以下技术方案实现的管内电缆超导导体接头，其特征在于包括有方形的铜基体，铜基体的上端面上设 有条形的凹槽一，铜基体内设有氦通道，所述铜基体上端面上固定焊接有上盖板，上盖板的 下端面上开有与凹槽一对应的凹槽二，凹槽一和凹槽二对合形成锡通道，所述上盖板中心 开有条形安装槽，所述条形安装槽内固定有预压盖板；所述铜基体和上盖板的左端面上固 定有下座，下座上开有与氦通道连通的氦入口以及与锡通道连通的灌锡孔；所述铜基体和 上盖板的右端面上固定有上座，上座上开有与氦通道连通的氦出口以及与锡通道连通的锡 流道，上座的上端面上开有与锡流道导通的出锡口，所述上盖板、预压盖板、上座和下座的 材质均采用不锈钢。超导导体接头技术是建立超导导体测试装置中关键技术之一。降低接头电阻可以 减小接头产生的焦耳热，同时可以增加次级线圈的衰减时间常数(τ =L/R，L为线圈电感， R为电阻)，有利于样品低温超导性能测试。为了有效降低接头电阻，使用本实用新型可采 用灌锡的方法将导体电缆同铜基板焊实。使用本实用新型的操作过程为先将上过锡的电缆插入本实用新型后，对电缆进 行压缩，空隙率控制在25%左右；然后通过下座上的灌锡口将锡灌入，通过上座上端面上 预留的出锡口流出，可控制灌锡的高度。本实用新型中的无氧铜导电基板，其31 值> 100 ； 其中基板与上盖板、基板与上座、上盖板与上座、基板与以及上盖板与下座间均采用钎焊密 封，以保证氦的密封。超导变压器次级线圈和测试短样分别同本实用新型相连接，测试时， 两个终端通过紧固结构卡紧。为了减小接触电阻，可在本实用新型铜面间放入铟片；也可以 直接将本实用新型用焊锡焊起来，焊接时用的锡的温度要低于本实用新型内部锡的熔点温 度。[0008]本实用新型的优点是本实用新型具有减小接触电阻(可小于In Ω )、提高接头传热性能、提高超导导体 接头运行稳定性和安全性的特点。
图1为本实用新型的结构示意图。
具体实施方式
管内电缆超导导体接头，包括有方形的铜基体1，铜基体1的上端面上设有条形的 凹槽一 2，铜基体1内设有氦通道3，所述铜基体1上端面上固定焊接贴合有上盖板4，上盖 板4的下端面上开有与凹槽一 2对应的凹槽二 5，凹槽一 2和凹槽二 5对合形成锡通道，所 述上盖板4中心开有条形安装槽6，所述条形安装槽6内固定有预压盖板7 ；所述铜基体1 和上盖板4的左端面上固定有下座8，下座8上开有与氦通道连通的氦入口 9以及与锡通道 连通的灌锡孔10 ；所述铜基体1和上盖板4的右端面上固定有上座12，上座12上开有与氦 通道连通的氦出口 13以及与锡通道连通的锡流道14，上座12的上端面上开有与锡流道14 导通的出锡口 11，所述上盖板4、预压盖板7、上座12和下座8的材质均采用不锈钢。
权利要求管内电缆超导导体接头，其特征在于包括有方形的铜基体，铜基体的上端面上设有条形的凹槽一，铜基体内设有氦通道，所述铜基体上端面上固定焊接贴合有上盖板，上盖板的下端面上开有与凹槽一对应的凹槽二，凹槽一和凹槽二对合形成锡通道，所述上盖板中心开有条形安装槽，所述条形安装槽内固定有预压盖板；所述铜基体和上盖板的左端面上固定有下座，下座上开有与氦通道连通的氦入口以及与锡通道连通的灌锡孔；所述铜基体和上盖板的右端面上固定有上座，上座上开有与氦通道连通的氦出口以及与锡通道连通的锡流道，上座的上端面上开有与锡流道导通的出锡口，所述上盖板、预压盖板、上座和下座的材质均采用不锈钢。
专利摘要本实用新型公开了管内电缆超导导体接头，包括有铜基体，铜基体的上端面上设有条形的凹槽一，铜基体内设有氦通道，铜基体上端面上固定焊接贴合有上盖板，上盖板的下端面上开有与凹槽一对应的凹槽二，凹槽一和凹槽二对合形成锡通道，上盖板中心开有条形安装槽，条形安装槽内固定有预压盖板；铜基体和上盖板的左端面上固定有下座，下座上开有与氦通道连通的氦入口以及与锡通道连通的灌锡孔；铜基体和上盖板的右端面上固定有上座，上座上开有与氦通道连通的氦出口以及与锡通道连通的锡流道，上座的上端面上开有与锡流道导通的出锡口，上盖板、预压盖板、上座和下座的材质均采用不锈钢。本实用新型具有减小接触电阻、提高接头传热性能、提高超导导体接头运行稳定性和安全性的特点。
文档编号H01R4/68GK201699154SQ20102014389
公开日2011年1月5日 申请日期2010年3月25日 优先权日2010年3月25日
发明者任志斌, 刘华军, 彭晋卿, 武玉, 龙风 申请人:中国科学院等离子体物理研究所