专利名称：一种深度调制的高速衰减调制组件的制作方法
技术领域：
本实用新型涉及一种深度调制的高速衰减调制组件，属于微波技术领域。
背景技术：
衰减器和调制器是微波领域，射频仿真，电子对抗中常用的器件。国内外应用均比 较广泛。衰减器主要用于微波系统的自动增益控制、功率电路的幅度控制、放大器增益变化 的温度补偿等。调制器常用于对连续波信号进行脉冲通断调制、收/发电路的隔离保护等。在微波及电子对抗的系统中，通常都要使用到衰减和调制这两种功能。而且这两 种功能都会放在发射机的前端，衰减器用来对宽带微波信号的幅度进行配平及发射机的输 入电平的控制，同时在目标模拟中用来模拟方向图。系统的收/发电路的隔离保护、输出信 号的通断等则有调制器来完成。从使用的角度、时序控制等方面可以对两种功能的器件进 行集成，特别是在系统对体积要求比较高的场合下，不仅做到了小型化还提高了性能和可 靠性。
实用新型内容所要解决的技术问题针对以上问题本实用新型提供了一种将衰减器和调制器集成到一个器件中，在一 个器件的中实现两种功能，通过使用MMIC的衰减芯片、PIN开关管芯减小衰减调制组件的 体积，改善其调制深度和反应速度的深度调制的高速衰减调制组件。技术方案—种深度调制的高速衰减调制组件包括5个并联的开关PIN 二极管、两片串联的 衰减器芯片、微带线、SMA接头、电源及控制走线槽、微带腔体、组件壳体；5个并联的开关 PIN二极管1和两片串联的衰减器芯片通过微带线相连，且位于组件壳体内；壳体的两端设 有SMA接头，壳体上设有电源及控制走线槽，壳体内设有微带腔体。所述的衰减器芯片采用HITTITE公司生产的频率为DC-13GHZ，衰减动态范围为 31. 5dB 的芯片。所述的微带线宽为0. 75mm。有益效果本实用新型在同一个器件中实现两种功能，即衰减功能和调制功能；使用微波集 成后实现了功能模块的小型化，同时提高了可靠性、匹配性；利用时序控制提高了衰减调制 组件的调制深度等性能，调制深度可以到90dB。
图1为深度调制的高速衰减调制组件的结构示意图。
具体实施方式
以下结合附图和具体实施方式
对本实用新型作进一步详细地说明。如图1所示，一种深度调制的高速衰减调制组件包括5个并联的开关PIN 二极管 1、两片串联的衰减器芯片2、微带线3、SMA接头4、电源及控制走线槽5、微带腔体6、组 件壳体7 ；5个并联的开关PIN 二极管1和两片串联的衰减器芯片2通过微带线3相连，且 位于组件壳体7内；壳体7的两端设有SMA接头4，壳体7上设有电源及控制走线槽5，壳体 7内设有微带腔体6。衰减器芯片2采用HITTITE公司生产的频率为DC-13GHZ，衰减动态范围为31. 5dB 的芯片；微带线3宽约为0. 75mm。虽然本实用新型已以较佳实施例公开如上，但它们并不是用来限定本实用新型， 任何熟悉此技艺者，在不脱离本实用新型之精神和范围内，自当可作各种变化或润饰，因此 本实用新型的保护范围应当以本申请的权利要求保护范围所界定的为准。
权利要求1.一种深度调制的高速衰减调制组件，其特征在于包括5个并联的开关PIN 二极管 (1)、两片串联的衰减器芯片(2)、微带线(3)、SMA接头(4)、电源及控制走线槽(5)、微带腔 体(6)、组件壳体(7) ；5个并联的开关PIN 二极管(1)和两片串联的衰减器芯片(2)通过微 带线(3)相连，且位于组件壳体(7)内；壳体(7)的两端设有SMA接头(4)，壳体(7)上设有 电源及控制走线槽(5)，壳体(7)内设有微带腔体(6)。
2.根据权利要求1所述的一种深度调制的高速衰减调制组件，其特征在于所述的衰 减器芯片(2)采用HITTITE公司生产的频率为DC-13GHZ，衰减动态范围为31. 5dB的芯片。
3.根据权利要求1所述的一种深度调制的高速衰减调制组件，其特征在于所述的微 带线(3)宽为0. 75mm。
专利摘要本实用新型涉及一种深度调制的高速衰减调制组件包括开关PIN二极管(1)、衰减器芯片(2)、微带线(3)、SMA接头(4)、电源及控制走线槽(5)、微带腔体(6)、组件壳体(7)；5个并联的开关PIN二极管(1)和两片串联的衰减器芯片(2)通过微带线(3)相连，且位于组件壳体(7)内；壳体(7)的两端设有SMA接头(4)，壳体(7)上设有电源及控制走线槽(5)，壳体(7)内设有微带腔体(6)。本实用新型在同一个器件中实现两种功能，即衰减功能和调制功能；使用微波集成后实现了功能模块的小型化，同时提高了可靠性、匹配性；利用时序控制提高了衰减调制组件的调制深度等性能，调制深度可以到90dB。
文档编号H01P1/22GK201838687SQ20102059996
公开日2011年5月18日 申请日期2010年11月10日 优先权日2010年11月10日
发明者任加进, 冯华林, 曾小红 申请人:中国电子科技集团公司第十四研究所