屏蔽电缆的制作方法

专利名称：屏蔽电缆的制作方法
技术领域：
本发明整体涉及包括一个或多个EMI吸收层的电缆。
背景技术：
用于传输电信号的电缆是众所周知的。一种通用型的电缆是同轴电缆。同轴电缆通常包括由绝缘体围绕的电导线。导线和绝缘体由屏蔽件所围绕，并且导线、绝缘体和屏蔽件被护套围绕。另一种通用型的电缆是包括一个或多个例如由金属箔形成的屏蔽层围绕的绝缘信号导体的屏蔽电缆。

发明内容
一般来讲，本发明涉及屏蔽电缆。在一个实施例中，屏蔽电缆包括多个导体组，该多个导体组沿着电缆的长度延伸并且沿着电缆的宽度彼此间隔开。每一个导体组包括一个或多个绝缘导体；以及设置在电缆的相对的第一和第二侧上的第一和第二屏蔽膜。第一膜和第二膜包括覆盖部分和压紧部分，这些部分经布置使得在横截面中，该第一膜和该第二膜的覆盖部分结合起来基本上围绕每一个导体组，并且该第一膜和该第二膜的压紧部分结合起来在每一个导体组的每一侧上形成电缆的压紧部分。每个导体组还包括设置在电缆第一侧上的第一 EMI吸收层；以及在电缆的压紧部分中将第一屏蔽膜粘合到第二屏蔽膜上的第一粘合剂层。该多个导体组包括第一导体组，该第一导体组包括相邻的第一绝缘导体和第二绝缘导体，并具有第一屏蔽膜和第二屏蔽膜的对应第一覆盖部分以及在第一导体组的一侧上形成电缆的第一压紧区域的第一屏蔽膜和第二屏蔽膜的对应第一压紧部分；该第一屏蔽膜和第二屏蔽膜的第一覆盖部分之间的最大间距为D。第一屏蔽膜和第二屏蔽膜的第一压紧部分之间的最小间距为屯。d/D小于0.25。在第一绝缘导体和第二绝缘导体之间的区域中，第一屏蔽膜和第二屏蔽膜的第一覆盖部分之间的最小间距为d2。d2/D大于0.33。在一些情况下,d/D小于0.1。在一些情况下，第一 EMI吸收层设置在第一屏蔽膜与多个导体组之间。在一些情况下，第一屏蔽膜设置在第一 EMI吸收层与多个导体组之间。在一些情况下，电缆还包括设置在电缆的第二侧上的第二 EMI吸收层。在另一个实施例中，屏蔽电缆包括多个导体组，该多个导体组沿着电缆的长度延伸并沿着电缆的宽度彼此间隔开。每一个导体组包括一个或多个绝缘导体；以及设置在电缆的相对的第一侧和第二侧上的第一屏蔽膜和第二屏蔽膜。第一膜和第二膜包括覆盖部分和压紧部分，这些部分经布置使得在横截面中，该第一膜和该第二膜的覆盖部分结合起来基本上围绕每一个导体组，并且该第一膜和该第二膜的压紧部分结合起来在每一个导体组的每一侧上形成电缆的压紧部分。每个导体组还包括设置在电缆第一侧上的第一 EMI吸收层；以及在电缆的压紧部分中将第一屏蔽膜粘合到第二屏蔽膜上的第一粘合剂层。多个导体组包括第一导体组，该第一导体组包括相邻的第一绝缘导体和第二绝缘导体，并具有第一屏蔽膜和第二屏蔽膜的对应第一覆盖部分以及在第一导体组的一侧上形成第一压紧电缆部分的第一屏蔽膜和第二屏蔽膜的对应第一压紧部分。该第一屏蔽膜和第二屏蔽膜的第一覆盖部分之间的最大间距为D。第一屏蔽膜和第二屏蔽膜的第一压紧部分之间的最小间距为屯。(V!)小于0.25。第一绝缘导体相对于第二绝缘导体的高频电隔离基本上小于第一导体组相对于相邻的导体组的高频电隔离。在一些情况下,Cl1/!)小于0.1。在一些情况下，第一绝缘导体相对于第二导体的高频隔离为在3至15GHz的指定频率范围和I米的长度下的第一远端串扰Cl，第一导体组相对于相邻的导体组的高频隔离为指定频率下的第二远端串扰C2，并且C2比Cl低至少10dB。在一些情况下，第一屏蔽膜和第二屏蔽膜的覆盖部分组合起来通过包围每一个导体组的周边的至少70%而基本上围绕每一个导体组。 在另一个实施例中，屏蔽电缆包括多个导体组，该多个导体组沿着电缆的长度延伸并沿着电缆的宽度彼此间隔开。每一个导体组包括一个或多个绝缘导体；以及第一屏蔽膜和第二屏蔽膜，该第一屏蔽膜和第二屏蔽膜包括同心部分、压紧部分和过渡部分，该同心部分、该压紧部分和该过渡部分被布置为使得在横截面中，同心部分与每一个导体组的一个或多个末端导体基本上同心，第一屏蔽膜和第二屏蔽膜的压紧部分组合起来在导体组的两侧上形成电缆的压紧部分，并且过渡部分提供同心部分与压紧部分之间的逐渐过渡。每一个导体组还包括设置在该多个导体组上的第一 EMI吸收层。每一个屏蔽膜包括导电层。过渡部分中的第一过渡部分靠近该一个或多个末端导体中的第一末端导体，并具有横截面积A1，该面积被定义为第一屏蔽膜和第二屏蔽膜的导电层、同心部分与靠近第一末端导体的压紧部分中的第一压紧部分之间的区域。A1小于第一末端导体的横截面积。每一个屏蔽膜的横截面可以用沿着电缆宽度变化的曲率半径来表征。在电缆的整个宽度上每一个屏蔽膜的曲率半径为至少100微米。在一些情况下，横截面积A1包括第一压紧部分的边界作为一条边界。该边界由沿着第一压紧部分的位置限定，在该位置处，第一屏蔽膜和第二屏蔽膜之间的间距d为在第一压紧部分处第一屏蔽膜与第二屏蔽膜之间的最小间距Cl1的约1.2至约1.5倍。在一些情况下,横截面积A1包括具有在第一屏蔽膜的拐点处的第一端点的线段作为一条边界。在一些情况下，该线段具有在第二屏蔽膜的拐点处的第二端点。在另一个实施例中，屏蔽电缆包括多个导体组，该多个导体组沿着电缆的长度延伸并沿着电缆的宽度彼此间隔开。每一个导体组包括一个或多个绝缘导体；以及第一屏蔽膜和第二屏蔽膜，该第一屏蔽膜和第二屏蔽膜包括同心部分、压紧部分和过渡部分，该同心部分、该压紧部分和该过渡部分被布置为使得在横截面中，同心部分与每一个导体组的一个或多个末端导体基本上同心，第一屏蔽膜和第二屏蔽膜的压紧部分组合起来在导体组的两侧上形成电缆的压紧区域，并且过渡部分提供同心部分与压紧部分之间的逐渐过渡。每一个导体组还包括设置在该多个导体组上的第一 EMI吸收层。两个屏蔽膜中的一者包括同心部分中的第一同心部分、压紧部分中的第一压紧部分，以及过渡部分中的第一过渡部分。第一过渡部分将第一同心部分连接至第一压紧部分。第一同心部分具有曲率半径R1，过渡部分具有曲率半径A。札/^在〗至15范围内。


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结合附图考虑对本发明的各种实施例所做的以下详细描述将有利于更完整地理解和体会本发明，其中:图1为屏蔽电缆的示例性实施例的透视图；图2a_2g为屏蔽电缆的七个示例性实施例的正面剖视图；图3a_3d为屏蔽电缆的四个其他示例性实施例的正面剖视图；图4a_4c为屏蔽电缆的三个其他示例性实施例的正面剖视图；图5a_5e和图5f_5g分别为示出制备屏蔽电缆的示例性方法的透视图和正面剖视图；图6a_6c为示出制备屏蔽电缆的示例性方法的细节的正面剖视图；图7a_7b分别为根据本发明的方面的屏蔽电缆的另一个示例性实施例的正面剖视图和对应的细部图；图8a_8b为根据本发明的方面的屏蔽电缆的两个其他示例性实施例的正面剖视图；图9a_9b为屏蔽电缆的两个其他示例性实施例的正面剖视图」图1Oa-1Oc为屏蔽电缆的三个其他示例性实施例的正面剖视图；图1la-1lg为示出屏蔽电缆的平行部分的七个示例性实施例的正面剖视细部图；图12a_12b为屏蔽电缆的平行部分的另一个示例性实施例的正面剖视细部图；图13为成弯曲构型的屏蔽电缆的另一个示例性实施例的正面剖视细部图；图14为屏蔽电缆的另一个示例性实施例的正面剖视细部图；图15a_15f为示出屏蔽电缆的平行部分的六个其他示例性实施例的正面剖视细部图；图16a_16b为屏蔽电缆的两个其他示例性实施例的正面剖视图；图17为屏蔽电缆的另一个示例性实施例的正面剖视图；图18为屏蔽电缆的另一个示例性实施例的正面剖视图；图19为屏蔽电缆的另一个示例性实施例的正面剖视图；图20a_20d为屏蔽电缆的四个其他示例性实施例的正面剖视图；图21为屏蔽电缆的另一个示例性实施例的正面剖视图；图22a_22d为屏蔽电缆的四个其他示例性实施例的正面剖视图；图23a_23d为屏蔽电缆的四个其他示例性实施例的正面剖视图24a为示例性电缆构造的透视图；和图24b为图24a的示例性电缆构造的剖视图。在说明书中，多个附图中使用的相同附图标记是指具有相同或类似特性和功能的相同或类似元件。
具体实施例方式本发明整体涉及包括多个间隔开的导体组和一个或多个EMI吸收层的电缆，该EMI吸收层通过主要吸收电磁场来防止或降低相邻导体组之间的串扰。图1为屏蔽电缆2的示意性三维视图，它包括多个导体组4，它们沿着电缆2的沿着I轴的宽度w的全部或一部分彼此间隔开并沿着电缆2的沿着X轴的长度L延伸。电缆2可以大致布置成如图1中所示的平面构型，或者可以在沿着其长度和/或宽度的一个或多个位置处折叠为折叠构型。在一些情况下，电缆2的一些部分可以布置成平面构型，而电缆的其他部分可以折叠。在一些情况下，电缆2的导体组4中的至少一个包括两个沿着电缆
2的长度L延伸的绝缘导体6,其中每个绝缘导体包括被绝缘体6b包围的导体6a。导体组4的两个绝缘导体6可被布置成沿着电缆2的长度L的全部或一部分基本上平行。绝缘导体6可以包括绝缘的信号线、绝缘的电源线或绝缘的地线。两个屏蔽膜8设置在电缆2的相对的第一侧和第二侧。第一屏蔽膜和第二屏蔽膜8被布置为使得在横截面内，电缆2包括覆盖区域14和压紧区域18。在电缆2的覆盖区域14中，第一屏蔽膜和第二屏蔽膜8的覆盖部分7在横截面内基本上围绕每一个导体组4。例如，屏蔽膜的覆盖部分可以共同包围任何给定导体组的周边的至少75%、或至少80%、或至少85%或至少90%。第一屏蔽膜和第二屏蔽膜的压紧部分9在每一个导体组4的每一侧上形成电缆2的压紧区域18。在电缆2的压紧区域18中，屏蔽膜8中的一个或两个为挠曲的，从而促使屏蔽膜8的压紧部分9更接近。在一些情况下，如图1所示，屏蔽膜8中的两者在压紧区域18中均是挠曲的，使得压紧部分9更靠近。在一些情况下，屏蔽膜中的一者在电缆为平面或未折叠构型时可在压紧区域18中保持相对平坦，且电缆相对侧上的其他屏蔽膜可以是挠曲的使屏蔽膜的压紧部分更靠近。导体和/或地线可包含任何合适的导电材料并可具有多种横截面形状和尺寸。例如，在橫截面中，导体和/或地线可为圆形、椭圆形、矩形或任何其他形状。电缆中的一个或多个导体和/或地线可具有与电缆中的其他一个或多个导体和/或地线不同的一种形状和/或尺寸。导体和/或地线可为实心线或绞合线。电缆中的全部导体和/或地线可为绞合线，全部可为实心线，或一些可为绞合线且一些为实心线。绞合的导体和/或地线可呈现不同的尺寸和/或形状。可以在连接器和/或地线上涂布或电镀多种金属和/或金属材料(包括金、银、锡和/或其他材料)。用于使导体组的导体绝缘的材料可为获得电缆所需的电气性能的任何合适的材料。在一些情况下，所使用的绝缘材料可为发泡绝缘材料(其包括空气)以减小电缆的介电常数和总厚度。屏蔽膜中的一者或两者可以包括导电层和非导电聚合物层。导电层可以含有任何合适的导电材料，包括但不限于铜、银、铝、金及其合金。屏蔽膜可以具有在0.01_至0.05mm范围内的厚度,并且电缆的总厚度可以为小于2mm或小于1mm。电缆2也可以包括设置在至少压紧部分9之间的屏蔽膜8之间的粘合剂层10。粘合剂层10使屏蔽膜8的压紧部分9在电缆2的压紧区域18中彼此粘合。粘合剂层10可以存在或不存在于电缆2的覆盖区域14中。在一些情况下，导体组4的横截面(yz平面)具有基本上曲线形的包层或周边，并且屏蔽膜8设置在导体组4周围，从而沿着至少一部分并且优选地沿着基本上全部的电缆2的长度L基本上适形于并保持横截面形状。通过保持该横截面形状，可以保持导体组4中的设计中所预期的导体组4的电特性。其优于一些传统屏蔽电缆的优点在于:围绕导体组设置导电屏蔽件改变了导体组的横截面形状。虽然在图1所示实施例中，每一个导体组4具有两个绝缘导体6，但在其他实施例中，导体组的一些或全部可以仅包括一个绝缘导体，或者可以包括超过两个绝缘导体6。例如，设计上与图1类似的可供选择的屏蔽电缆可以包括具有八个绝缘导体6的一个导体组，或各自仅具有一个绝缘导体6的八个导体组。导体组和绝缘导体布置的这种灵活性使得本发明所公开的屏蔽电缆可以采用适用于众多预期应用的方式而构造。例如，导体组和绝缘导体可被构造用于形成:多双轴电缆，即，多个导体组各自具有两个绝缘导体；多同轴电缆，即，多个导体组各自只具有一个绝缘导体；或它们的组合。在一些实施例中，导体组还可以包括围绕一个或多个绝缘导体设置的导电屏蔽件(未示出)和围绕导电屏蔽件设置的绝缘护套(未示出)。在图1所示的实施例中，屏蔽电缆2还包括任选的接地导体12。接地导体12可以包括地线或排扰线。接地导体12可与绝缘导体6间隔开并且在与绝缘导体6基本上相同的方向上延伸。屏蔽膜8可围绕接地导体12设置。在接地导体12两侧上的压紧部分9中，粘合剂层10可以使屏蔽膜8彼此粘结。接地导体12可以电接触屏蔽膜8中的至少一个。屏蔽电缆2还任选地包括设置在电缆2两侧的EMI吸收层15。EMI吸收层15主要通过吸收电磁场使电磁场衰减。屏蔽膜8通过反射电磁场使电磁场衰减。通常，电缆2可以没有或具有一个或多个屏蔽膜8和/或没有或具有一个或多个EMI吸收层15。在一些情况下，屏蔽膜8和EMI吸收层15结合起来(但不是单独地)将相邻导体组4之间的串扰降至合格和预定的水平。在此类情况下，屏蔽膜8和EMI吸收层15中的每一个将串扰降至大于预定和所需水平的水平，但它们结合起来将串扰降至等于或小于预定和所需水平的水平。EMI吸收层15可以包括能够主要通过吸收使电磁场衰减的任何类型的材料。例如，在一些情况下，EMI吸收材料可以是在所需频率范围内具有大于1、或大于2、或大于3的磁导率的电介质材料，并且其表现出不可忽略的磁损耗角正切。EMI吸收材料的例子包括EMI吸收剂AB-2000系列或EMI吸收剂AB-5000系列，两者均可从明尼苏达州圣保罗3M公司(3M Company, St.Paul, Minn)商购获得。EMI吸收剂AB-2000系列包括薄的柔性背衬和丙烯酸类压敏粘合剂,薄的柔性背衬由硅胶和磁性材料制成。EMI吸收剂AB-5000系列包括聚合物树脂中的柔性的软金属薄片填料以及丙烯酸类树脂粘合剂体系和可移除的离型纸。EMI吸收材料的例子包括铁磁体材料，如铁酸盐材料。铁酸盐材料可以由包括Fe2O3和/或Fe3O4以及其他金属氧化物的非导电铁、氧化物化合物形成。在一些情况下，EMI吸收材料可被形成为包括铁磁体粉末的聚合物树脂。在一些情况下，可以选择EMI吸收材料的组成和结构来吸收通常与由导体组产生的电磁场相关的一个或多个频率的电磁波。在一些情况下，复合的EMI吸收材料可以吸收一个频率范围内的电磁波。
图2a_2g的剖视图可以表示各种屏蔽电缆、或电缆的部分。在图2a中，屏蔽电缆102a包括单个导体组104。导体组104沿着X轴或方向沿着电缆的长度延伸，并只具有单个绝缘导体106。如果需要，可以将电缆102a制成包括沿着y轴沿着电缆102a的整个宽度彼此间隔开并沿着电缆的长度延伸的多个导体组104。两个屏蔽膜108设置在电缆的相对侧上。此外，两个EMI吸收层115设置在电缆的相对的第一侧和第二侧上的屏蔽膜上。此夕卜，两个EMI吸收层115设置在电缆的相对侧上的屏蔽膜上。电缆102a包括覆盖区域114和压紧区域118。在电缆102a的覆盖区域114中，屏蔽膜108包括覆盖导体组104的覆盖部分107。在yz平面中的横截面中，覆盖部分107结合起来基本上围绕导体组104。在电缆102a的压紧区域118中，屏蔽膜108包括导体组104的每一侧上的压紧部分109。在示例性的电缆102a中，屏蔽膜设置在EMI吸收层与导体组之间。在一些情况下，EMI吸收层可以设置在屏蔽膜与导体组之间。在一些情况下，图2a中未明确示出，屏蔽膜可以设置在电缆同一侧上的两个EMI吸收层之间，或者EMI吸收层可以设置在电缆同一侧上的两个屏蔽膜之间。在一些情况下，电缆可以包括屏蔽膜和EMI吸收层的交替的层。任选的粘合剂层110可以设置在屏蔽膜108之间。屏蔽电缆102a还包括任选的接地导体112。接地导体112与绝缘导体106间隔开并在与绝缘导体112基本上相同的方向上(X轴)延伸。导体组104和接地导体112可以被布置成使得它们大致位于平面内，如xy平面，如图2a所示。屏蔽膜108的第二覆盖部分113围绕接地导体112设置并覆盖接地导体112。在接地导体112的两侧上，粘合剂层110可以使屏蔽膜108彼此粘结。接地导体112可以电接触屏蔽膜108中的至少一个。在图2a中，绝缘导体106和屏蔽膜108被有效地布置成在导体组的两侧具有延伸部分的同轴电缆构型。图2a的同轴电缆构型可用于单端电路布置方式中。如图2a的横截面图所示,屏蔽膜108的覆盖部分107之间存在最大间距D，屏蔽膜108的压紧部分109之间存在最小间距屯。图2a示出了粘合剂层110，其在电缆102a的压紧区域118中设置在屏蔽膜108的压紧部分109之间，以及在电缆102a的覆盖区域114中设置在屏蔽膜108的覆盖部分107和绝缘导体106之间。在该布置方式中，粘合剂层110在电缆的压紧区域118中使屏蔽膜108的压紧部分109粘结在一起，并且在电缆102a的覆盖区域114中将屏蔽膜108的覆盖部分107粘结至绝缘导体106。图2b的屏蔽电缆102b与图2a的电缆102a类似，其中类似的元件用类似的附图标号表示。在图2b中，在电缆102b的覆盖区域114中，屏蔽膜108的覆盖部分107与绝缘导体106之间不存在任选的粘合剂层110。在该布置方式中，粘合剂层110在电缆的压紧区域118中使屏蔽膜108的压紧部分109粘结在一起，但是粘合剂层110在电缆102b的覆盖区域114中不会将屏蔽膜108的覆盖部分107粘结至绝缘导体106。参见图2c，屏蔽电缆202c类似于图2a的屏蔽电缆102a。电缆202c具有单个导体组204，其具有两个绝缘导体206。如果需要，电缆202c可以被制成包括多个导体组204，该导体组在整个电缆202c的宽度上间隔开，并且沿着电缆的长度延伸。绝缘导体206大致布置在单个平面(xy平面)内，并且有效地布置成双轴构型。图2c的双轴电缆构型可用于差分对电路布置方式或单端电路布置方式中。
两个屏蔽膜208和EMI吸收层115设置在导体组204的相对侧上。电缆202c包括覆盖区域214和压紧区域218。在电缆202c的覆盖区域214中，屏蔽膜208包括覆盖导体组204的覆盖部分207。在横截面中，覆盖部分207组合起来基本上围绕导体组204。在电缆202c的压紧区域218中，屏蔽膜208包括导体组204每一侧上的压紧部分209。任选的粘合剂层210c可以设置在屏蔽膜208之间。屏蔽电缆202c还包括任选的接地导体212。接地导体212与绝缘导体206沿着x轴间隔开，并且在与绝缘导体206基本上相同的方向上延伸。导体组204和接地导体212可以被布置成使得它们大致位于平面内，如xy平面，如图2c所示。如图2c的横截面所示，屏蔽膜208的覆盖部分207之间具有最大间距D ;屏蔽膜208的压紧部分209之间具有最小间距Cl1 ;并且绝缘导体206之间的屏蔽膜208之间具有最小间距d2。电缆202c可以通过屏蔽膜108的覆盖部分107之间的最大间距D、屏蔽膜108的覆盖部分107之间的最小间距d2和屏蔽膜108的压紧部分109之间的最小间距Cl1来表征。在一些情况下，比率VD小于0.25或小于0.1。在一些情况下，d2/D大于0.33。图2c示出了粘合剂层210c，其在电缆202的压紧区域218中设置在屏蔽膜208的压紧部分209之间，以及在电缆202c的覆盖区域214中设置在屏蔽膜208的覆盖部分207和绝缘导体206之间。在该布置方式中，粘合剂层210c在电缆202c的压紧区域218中使屏蔽膜208的压紧部分209粘结在一起，并且在电缆202c的覆盖区域214中将屏蔽膜208的覆盖部分207粘结至绝缘导体206。图2d的屏蔽电缆202d类似于图2c的电缆202c，其中类似元件用类似附图标号标识，不同的是在电缆202d中，电缆的覆盖区域214中的屏蔽膜208的覆盖部分207和绝缘导体206之间不存在任选的粘合剂层210d。在该布置方式中，粘合剂层210d在电缆的压紧区域218中使屏蔽膜208的压紧部分209粘结在一起，但是在电缆202d的覆盖区域214中不会将屏蔽膜208的覆盖部分207粘结至绝缘导体206。现在参见图2e，我们看到，屏蔽电缆302的横截面图在许多方面类似于图2a的屏蔽电缆102a。然而，其中电缆102a包括仅具有单个绝缘导体106的单个导体组104，而电缆302包括具有两个沿着X轴或方向沿着电缆302的长度延伸的绝缘导体306的单个导体组304。电缆302可以被制成具有多个导体组304，该导体组在整个电缆302的宽度上彼此间隔开，并且沿着电缆302的长度延伸。绝缘导体306有效地布置成缠绕的成对电缆构造，这样绝缘导体306互相扭绞并沿着X轴或方向沿着电缆302的长度延伸。图2f示出了另一个屏蔽电缆402，该屏蔽电缆也在许多方面与图2a的屏蔽电缆102a类似。然而，电缆102a包括仅具有单个绝缘导体106的单个导体组104，而电缆402包括具有沿着X轴或方向沿着电缆402的长度延伸的四个绝缘导体406的单个导体组404。可以将电缆402制成具有沿着y轴沿着电缆302的宽度彼此间隔开并沿着x轴沿着电缆302的长度延伸的多个导体组404。绝缘导体406被有效地布置成四芯电缆布置方式，这样当绝缘导体406沿着x方向沿着电缆402的长度延伸时，绝缘导体406可以互相扭绞也可以不互相扭绞。重新参照图2a_2f，屏蔽电缆的其他实施例可以包括大致布置在单个平面内的多个间隔开的导体组104、204、304、或404、或它们的组合。任选地，屏蔽电缆可以包括多个接地导体112，该接地导体与导体组的绝缘导体间隔开，并且大致在与导体组的绝缘导体相同的方向上延伸。在某些构型中，导体组和接地导体可以大致布置在单个平面内。图2g示出此类屏蔽电缆的示例性实施例。参见图2g，屏蔽电缆502包括大致布置在xy平面中的多个间隔开的导体组504a、504b，其中每个导体组包括一个或两个绝缘导体506。屏蔽电缆504还包括设置在导体组504a、504b之间并且位于屏蔽电缆502的两侧或边缘处的任选的接地导体112。第一屏蔽膜和第二屏蔽膜508设置在电缆502的相对的第一侧和第二侧上，并且被布置为使得在yz平面中的横截面中，电缆502包括覆盖区域524和压紧区域528。在电缆的覆盖区域524中，第一屏蔽膜和第二屏蔽膜508的覆盖部分517在横截面中基本上围绕每一个导体组504a、504b。例如，第一屏蔽膜和第二屏蔽膜的覆盖部分组合起来通过包围每一个导体组的周边的至少70%而基本上围绕每一个导体组。第一屏蔽膜和第二屏蔽膜508的压紧部分519在每一个导体组504a、504b的两侧上形成压紧区域518。屏蔽膜508设置在接地导体112周围。任选的粘合剂层510设置在屏蔽膜208之间，并且在每一个导体组504a、504b两侧上的压紧区域528中使屏蔽膜508的压紧部分519彼此粘结。屏蔽电缆502包括同轴电缆布置(导体组504a)和双轴电缆布置(导体组504b)的组合，并且因此可以被称为混合电缆布置方式。在一些情况下，电缆502可以包括设置在电缆的一侧或两侧上的导体组上的一个或多个EMI吸收层，图2g中未明确示出。本发明所公开的屏蔽电缆中所用的屏蔽膜可以具有多种构型并可以用多种方法制备。图7a_7d示出根据本发明的方面的屏蔽电缆的四个示例性实施例。图3a_3d示出屏蔽电缆的屏蔽膜的构造的各种实例。在一方面，至少一个屏蔽膜可以包括导电层和非导电聚合物层。导电层可以含有任何合适的导电材料，包括但不限于铜、银、铝、金及其合金。非导电聚合物层可以包括任何合适的聚合物材料，包括但不限于聚酯、聚酰亚胺、聚酰胺-酰亚胺、聚四氟乙烯、聚丙烯、聚乙烯、聚苯硫醚、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚碳酸酯、硅橡胶、乙烯丙烯二烯橡胶、聚氨酯、丙烯酸酯、硅树脂、天然橡胶、环氧树脂和合成橡胶粘合剂。非导电聚合物层可以含有一种或多种添加剂和/或填料，用于提供适于预期应用的特性。在另一方面，至少一个屏蔽膜可以包括设置在导电层和非导电聚合物层之间的层合粘合剂层。对于具有设置在非导电层上的导电层的屏蔽膜，或具有一个导电的主外表面和基本上不导电的相对的主外表面的屏蔽膜而言，可以根据需要以若干不同的取向将屏蔽膜结合到屏蔽电缆中。在一些情况下，例如，导电表面可以面对绝缘线和地线的导体组，并且在一些情况下，非导电表面可以面对那些元件。如果电缆的相对侧上使用两个屏蔽膜，膜可以被取向为使得它们的导电表面彼此面对，并且各自面对导体组和地线，或者它们可以被取向为使得它们的非导电表面彼此面对并各自面对导体组和地线，或者它们可以被取向为使得一个屏蔽膜的导电表面面对导体组和地线，而另一个屏蔽膜的非导电表面面对电缆另一侧的导体组和地线。在一些情况下，屏蔽膜中的至少一者可以包括独立导电膜，如适形的或柔性的金属箔。可以基于适于预期应用的多个设计参数(例如柔性、电性能)和屏蔽电缆的配置(例如，是否存在接地导体和接地导体的位置)来选择屏蔽膜的构造。在一些情况下，屏蔽膜具有一体地形成的构造。在一些情况下，屏蔽膜可以具有0.0lmm至0.05mm范围内的厚度。屏蔽膜有利地在导体组之间提供绝缘、屏蔽和精确间距，并允许进行自动化更高和成本更低的电缆制造过程。此外，屏蔽膜为导电片材，可防止名为“信号吸出”或共振的现象，从而在特定频率范围内出现高信号衰减。这种现象通常出现在导电屏蔽件为卷绕在导体组周围的带的常规屏蔽电缆中。图3a为整个屏蔽电缆802的宽度上的剖视图，该图示出了单个导体组804。导体组804包括沿着X轴沿着电缆802的长度延伸的两个绝缘导体806。电缆802可以包括沿着I轴在电缆802的整个宽度上彼此间隔开的多个导体组804。两个屏蔽膜808设置在电缆802的相对面上，其中每个屏蔽膜包括设置在非导电聚合物层808b上的导电层808a。非导电聚合物层808b面对绝缘导体806。可以使用任何合适的方法将导电层808a沉积到非导电聚合物层808b上。在yz平面中的横截面内，屏蔽膜808的覆盖部分807组合起来基本上在电缆802的覆盖区域814中围绕导体组804。例如，第一屏蔽膜和第二屏蔽膜的覆盖部分组合起来通过包围每一个导体组的周边的至少70%而基本上围绕每一个导体组。屏蔽膜808的压紧部分809在导体组804的每一侧上形成电缆802的压紧区域818。屏蔽膜808可以包括任选的粘合剂层810a、810b，该粘合剂层在电缆802的压紧区域818内使屏蔽膜808的压紧部分809彼此粘结。粘合剂层810a设置在非导电聚合物层808b中的一者上，并且粘合剂层810b设置在非导电聚合物层808b中的另一者上。粘合剂层810a、810b可以存在或不存在于电缆802的覆盖区域814中。如果存在，粘合剂层810a、810b可以完全或部分在屏蔽膜808的覆盖部分807的整个宽度上延伸，从而使屏蔽膜808的覆盖部分807粘结到绝缘导体806。 在该实例中，绝缘导体806和屏蔽膜808大致布置在单个平面内，如xy平面，并实际上布置成可用于单端电路布置方式或差分对电路布置方式中的双轴构型。图3b为整个屏蔽电缆902的宽度上的剖视图，该图示出了单个导体组904。导体组904包括沿着X轴沿着电缆902的长度延伸的两个绝缘导体906。电缆902可以包括多个导体组904，该导体组沿着y轴在整个电缆902的宽度上彼此间隔开，并且沿着电缆902的长度延伸。两个屏蔽膜908设置在电缆902的相对侧上，其中每个屏蔽膜包括设置在非导电聚合物层908b上的导电层908a。导电层908a面对绝缘导体906。可以使用任何合适的方法将导电层908a沉积到非导电聚合物层908b上。在横截面内，屏蔽膜908的覆盖部分907组合起来基本上在电缆902的覆盖区域914中围绕导体组904。屏蔽膜908的压紧部分909在导体组904的每一侧上形成电缆902的压紧区域918。一个或多个任选的粘合剂层910a、910b在导体组904两侧上的压紧区域918内使屏蔽膜908的压紧部分909彼此粘结。粘合剂层910a、910b可以完全或部分在整个屏蔽膜908的覆盖部分907的宽度上延伸。绝缘导体906大致布置在单个平面内，并且有效地形成双轴电缆构型，并且可用于单端电路布置方式或差分对电路布置方式。图3c为整个屏蔽电缆1002的宽度上的剖视图，该图示出了单个导体组1004。导体组1004包括沿着X轴沿着电缆1002的长度延伸的两个绝缘导体1006。电缆1002可以包括多个导体组1004，该导体组沿着y轴在整个电缆1002的宽度上彼此间隔开，并且沿着电缆1002的长度延伸。两个屏蔽膜1008设置在电缆1002的相对侧上并且包括覆盖部分1007。在横截面内，覆盖部分1007组合起来基本上在电缆1002的覆盖区域1014中围绕导体组1004。屏蔽膜1008的压紧部分1009在导体组1004的每一侧上形成电缆1002的压紧区域1018。电缆1002包括一个或多个任选的粘合剂层1010a、1010b，它们在导体组1004两侧上的压紧区域1018中将屏蔽膜1008的压紧部分1009彼此粘合。粘合剂层1010a、IOlOb可以完全或部分在整个屏蔽膜1008的覆盖部分1007的宽度上延伸。绝缘导体1006大致布置在单个平面内，如xy平面，并有效地布置成双轴电缆构型，其可用于单端电路布置方式或差分对电路布置方式。屏蔽膜1008包括独立式导电膜。图3d为屏蔽电缆1102的剖视图，该图示出了单个导体组1104。导体组1104包括沿着X轴沿着电缆1102的长度延伸的两个绝缘导体1106。电缆1102可以包括多个导体组1104，该导体组沿着y轴在整个电缆1102的宽度上彼此间隔开，并且沿着电缆1102的长度延伸。两个屏蔽膜1108设置在电缆1102的相对侧上并且包括覆盖部分1107。在横截面内，覆盖部分1107组合起来基本上在电缆1102的覆盖区域1114中围绕导体组1104。屏蔽膜1108的压紧部分1109在导体组1104的每一侧上形成电缆1102的压紧区域1118。屏蔽膜1108包括一个或多个任选的粘合剂层IllOa和1110b，该粘合剂层在导体组1104两侧上的压紧区域1118中使屏蔽膜1108的压紧部分1109彼此粘结。粘合剂层1010a、IOlOb可以完全或部分在整个屏蔽膜1108的覆盖部分1107的宽度上延伸。绝缘导体1106被大致布置在单个平面内，如xy平面，并有效地布置成双轴电缆构型。双轴电缆构型可用于单端电路布置方式或差分电路布置方式中。屏蔽膜1108包括导电层1108a、非导电聚合物层1108b，以及设置在导电层1108a和非导电聚合物层1108b之间的层合粘合剂层1108c，由此将导电层1108a层合至非导电聚合物层1108b。导电层1108a面对绝缘导体1106。如本文其他地方所述，电缆构造中可以使用粘合剂材料在电缆的覆盖区域处将一个或两个屏蔽膜粘合到导体组中的一个、一些或所有，和/或可以用粘合剂材料在电缆的压紧区域处将两个屏蔽膜粘合在一起。粘合剂材料层可以设置在至少一个屏蔽膜上，在电缆的相对侧上使用两个屏蔽膜的情况中，粘合剂材料层可以设置在两个屏蔽膜上。在后一种情况下，一个屏蔽膜上使用的粘合剂优选地与另一个屏蔽膜上使用的粘合剂相同，但如果需要也可以不同。给定的粘合剂层可以包含电绝缘粘合剂，并可以提供两个屏蔽膜之间的绝缘粘合。此外，给定的粘合剂层可以提供屏蔽膜中的至少一个与导体组中的一个、一些或所有的绝缘导体之间，以及屏蔽膜中的至少一个与接地导体中的一个、一些或所有(如果有的话)之间的绝缘粘合。或者，给定的粘合剂层可以包含导电粘合剂，并可以提供两个屏蔽膜之间的导电粘合。此外，给定的粘合剂层可以提供屏蔽膜中的至少一个与接地导体中的一个、一些或所有(如果有的话)之间的导电粘合。合适的导电粘合剂包括导电颗粒，从而提供电流的流动。导电颗粒可以是当前所使用的任何类型的颗粒，如球体、薄片、棒、立方体、无定形或其它颗粒形状。它们可以是固体或基本为固体的颗粒，如炭黑、碳纤维、镍球体、带镍涂层的铜球体、带金属涂层的氧化物、带金属涂层的聚合物纤维或其它类似的导电颗粒。这些导电颗粒可以由被镀覆或涂覆有诸如银、铝、镍或铟锡氧化物之类的导电材料的电绝缘材料制成。这些带金属涂层的绝缘材料可以是基本中空的颗粒，如中空玻璃球体，或者可以包括固体材料，如玻璃微珠或金属氧化物。导电颗粒可以是约数十微米至纳米级的材料，如碳纳米管。合适的导电粘合剂还可以包括导电性聚合物基质。当用于给定电缆构造时，粘合剂层优选地相对于电缆的其他元件在形状上基本上适形，并适形于电缆的弯曲运动。在一些情况下，给定的粘合剂层可以是基本上连续的，如沿着给定屏蔽膜的给定主表面的基本上整个长度和宽度延伸。在一些情况下，粘合剂层可以为基本上不连续的。例如，粘合剂层可以只存在于沿着给定屏蔽膜的长度或宽度的某些部分中。不连续的粘合剂层可以例如包括多个纵向粘合剂条，它们设置在如每一个导体组两侧上的屏蔽膜的压紧部分之间和接地导体(如果有的话)旁边的屏蔽膜之间。给定粘合剂材料可以是或包括压敏粘合剂、热熔性粘合剂、热固性粘合剂和固化性粘合剂中的至少一种。粘合剂层可以被构造用于提供比一个或多个绝缘导体与屏蔽膜之间的粘合显著更强的屏蔽膜之间的粘合。这可以例如通过适当地选择粘合剂制剂来实现。这种粘合剂构型的优点是易于将屏蔽膜从绝缘导体的绝缘部分剥离。在其他情况下，粘合剂层可以被构造用于提供强度基本上相等的屏蔽膜之间的粘合和一个或多个绝缘导体与屏蔽膜之间的粘合。这种粘合剂构型的优点是在屏蔽膜之间锚接绝缘导体。当具有该构造的屏蔽电缆弯曲时，允许进行极小的相对运动，从而减小了屏蔽膜翘曲的可能性。可以基于预期应用来选择合适的粘合强度。在一些情况下，可以使用厚度为小于约0.13mm的适形的粘合剂层。在示例性的实施例中，粘合剂层具有小于约0.05mm的厚度。给定的粘合剂层可以适形，以实现所需的屏蔽电缆的机械性能和电性能特性。例如，粘合剂层可以适形，以便使导体组之间的区域中的屏蔽膜之间更薄，这可以至少增强屏蔽电缆的横向柔韧性。这样可以更易于将屏蔽电缆设置到曲线型外侧护套中。在一些情况下，粘合剂层可以适形，以便使紧邻导体组的区域中更厚并基本上适形于导体组。这可以提高机械强度并能够在这些区域中形成大致曲线形状的屏蔽膜，从而可以例如在折曲电缆时提高屏蔽电缆的耐久性。另外，这有助于沿着屏蔽电缆的长度保持绝缘导体相对于屏蔽膜的位置和间距，从而可以使屏蔽电缆获得更均匀的阻抗和更佳的信号完整性。给定的粘合剂层可以适形，以便有效地将其从导体组之间的区域中(如电缆压紧区域中)的屏蔽膜之间部分地或完全移除。因此，在这些区域中屏蔽膜可以彼此电接触，这可以提高电缆的电性能。在一些情况下，粘合剂层可以适形，以便有效地将其从屏蔽膜中的至少一个与接地导体之间部分地或完全移除。因此，在这些区域中，接地导体可以电接触屏蔽膜中的至少一个，这可以提高电缆的电性能。即使在薄粘合剂层保留在屏蔽膜中的至少一个与给定接地导体之间的情况下，接地导体上的突起物可以穿透薄粘合剂层，从而按照预期建立电接触。图4a_4c为屏蔽电缆的三个示例性实施例的剖视图，示出了屏蔽电缆中的接地导体的布置方式的实例。屏蔽电缆的一个方面是屏蔽件的正确接地，此类接地可以用多种方法实现。在一些情况下，给定接地导体可以与屏蔽膜中的至少一个电接触，使得将给定接地导体接地也可以使屏蔽膜接地。此类接地导体也可以被称为“排扰线”。屏蔽膜与接地导体之间的电接触的特征可在于相对较低的直流电阻，如，小于10 Ω、或小于2 Ω或基本上为0Ω的直流电阻。在一些情况下，给定接地导体不与屏蔽膜电接触，但可以是电缆构造中的单独元件，它独立地端接到任何合适的端接元件的任何合适的单独的接触元件上，例如印刷电路板、背板或其他装置的导电路径或其他接触元件。此类接地导体也可以称为“地线”。图4a示出了示例性的屏蔽电缆，其中接地导体设置在屏蔽膜的外部。图4b_4c示出了这样的实施例，其中接地导体设置在屏蔽膜之间，并可以包含在导体组中。可以将一个或多个接地导体放置在屏蔽膜的外部、屏蔽膜之间或这二者的组合的任何合适的位置上。参见图4a，屏蔽电缆1202包括沿着x轴沿着电缆1202的长度延伸的单个导体组1204。导体组1204包括两个绝缘导体1206，即一对绝缘导体。电缆1202可以包括多个导体组1204，该导体组沿着X轴在整个电缆的宽度上彼此间隔开，并且沿着电缆1202的长度延伸。两个屏蔽膜1208设置在电缆1202的相对的第一侧和第二侧上，并包括覆盖部分1207和压紧部分1209。在横截面中，覆盖部分1207组合起来基本上围绕导体组1204。任选的粘合剂层1210设置在屏蔽膜1208的压紧部分1209之间，并且使屏蔽膜1208在导体组1204两侧上彼此粘结。绝缘导体1206大致布置在单个平面内，如xy平面，并有效地布置成双轴电缆构型，其可用于单端电路布置方式或差分对电路布置方式。屏蔽电缆1202还包括多个设置在屏蔽膜1208外部的接地导体1212。接地导体1212被设置在导体组1204之上、之下和两侧上。可任选地，屏蔽电缆1202包括围绕屏蔽膜1208和接地导体1212的保护膜1220。保护膜1220包括保护层1220a和将保护层1220a粘结至屏蔽膜1208和接地导体1212的粘合剂层1220b。或者，可以使用外部导电屏蔽件(例如，导电编织物)和外部绝缘护套(未示出)围绕屏蔽膜1208和接地导体1212。在一些情况下，至少一个保护层1220a和粘合剂层1220b可以是导电的。参见图4b，屏蔽电缆1302包括沿着x轴沿着电缆1302的长度延伸的单个导体组1304。导体组1304包括两个绝缘导体1306。电缆1302可以包括沿着y轴在电缆1302的整个宽度上彼此间隔开并沿着电缆1302的长度延伸的多个导体组1304。两个屏蔽膜1308设置在电缆1302的相对的第一侧和第二侧上，并包括覆盖部分1307和压紧部分1309。在横截面中，覆盖部分组合起来基本上围绕导体组1304。任选的粘合剂层1310设置在屏蔽膜1308的压紧部分1309之间，并且使屏蔽膜1308在导体组1304的两侧上彼此粘结。绝缘导体1306大致布置在单个平面内并且有效地布置成双轴或差分对电缆布置方式。屏蔽电缆1302还包括设置在屏蔽膜1308之间的多个接地导体1312。接地导体1312中的两个被包括在导体组1304中，并且接地导体1312中的两个与导体组1304间隔开。参见图4c，屏蔽电缆1402包括沿着x轴沿着电缆1402的长度延伸的单个导体组1404。导体组1404包括两个绝缘导体1406。电缆1402可以包括沿着y轴在电缆1402的整个宽度上彼此间隔开并沿着电缆1402的长度延伸的多个导体组1304。两个屏蔽膜1408设置在电缆1402的相对的第一侧和第二侧上，并包括覆盖部分1407和压紧部分1409。在横截面中，覆盖部分1407组合起来基本上围绕导体组1404。任选的粘合剂层1410设置在屏蔽膜1408的压紧部分1409之间，并且使屏蔽膜1408在导体组1408的两侧上彼此粘结。绝缘导体1406大致布置在单个平面内并且有效地布置成双轴或差分对电缆布置方式。屏蔽电缆1402还包括设置在屏蔽膜1408之间的多个接地导体1412。所有的接地导体1412被包括在导体组1404中。接地导体1412和绝缘导体1406中的两者被大致布置在单个平面内，如xy平面。屏蔽电缆1402还包括设置在电缆两侧上的屏蔽膜1408和导体组1404上的EMI吸收层1450。图5a_5g示出了制备可基本上与图1中所示出的屏蔽电缆相同的屏蔽电缆的示例性方法。在图5a所示的步骤中，使用任何合适的方法(例如挤出)形成绝缘导体6，或者说是提供绝缘导体6。绝缘导体6包括被绝缘体6b围绕的导体6a并可以具有任何合适长度。然后，可以提供如此的绝缘导体6或者将其切割成期望的长度。可以使用类似的方式形成和提供接地导体12 (参见图5c)。在图5b所示的步骤中，形成了一个或多个屏蔽膜8。可以使用任何合适的方法例如连续宽幅材处理法来形成单层或多层幅材。每个屏蔽膜8可以形成为任何合适的长度。然后，可以提供如此的屏蔽膜8或者将其切割成期望的长度和/或宽度。可以将屏蔽膜8预形成为具有横向部分折叠，以增强纵向上的柔韧性。屏蔽膜8中的一个或两个可以包括适形的粘合剂层10，可以用任何合适的方法，例如层合、涂覆或溅射法在屏蔽膜8上形成适形的粘合剂层10。在图5c所示的步骤中，提供多个绝缘导体6、接地导体12和屏蔽膜8。提供了成形工具24。成形工具24包括一对成形辊26a、26b，这对成形辊具有与屏蔽电缆2的所需横截面形状相对应的形状，成形工具还包括辊缝28。根据所需屏蔽电缆2(例如本文所示和/或所述的任何电缆)的构型布置绝缘导体6、接地导体12和屏蔽膜8，并且将它们设置在成形辊26a、26b附近，然后将它们同时送入成形辊26a、26b的辊缝28中，并且设置在成形辊26a、26b之间。成形工具24围绕导体组4和接地导体12形成屏蔽膜8，并且在每一个导体组4和接地导体12的两侧上将屏蔽膜8彼此粘结。可以施加热以便于进行粘合。尽管在此实施例中，在单次操作中形成围绕导体组4和接地导体12的屏蔽膜8并使屏蔽膜8在每一个导体组4和接地导体12的两侧上彼此粘结，在其他实施例中，可以以单独的一些操作来进行这些步骤。送入成形辊26a和26b的辊缝28内的构造中可以包括其他层。例如，一个或多个EMI吸收层、一个或多个保护层和/或一个或多个套层可以包括在该布置方式中或者被送入辊缝28内。图5d示出了通过成形工具24形成的屏蔽电缆2。在图5e所示的任选步骤中，在导体组4之间形成纵向缝隙18。可以使用任何合适的方法在屏蔽电缆2中形成缝隙18，例如使用激光切割或冲压。在图5f所示的另一个任选步骤中可以沿着压紧区域将屏蔽电缆2的屏蔽膜8多次纵向折叠成束，并且可以用任何合适的方法在折叠的束周围提供外部导电性屏蔽件30。如在图5g示意性示出，也可以用任何合适的方法例如挤压围绕外部导电屏蔽件30提供外侧护套32。在一些实施例中，可以省略外部导电屏蔽件30，并且可以在折叠的屏蔽电缆周围提供外侧护套32。图6a_6c示出了制备屏蔽电缆的示例性方法的详情。图6a_6c示出了在形成和粘合屏蔽膜的过程中可如何将一个或多个粘合剂层适形地成形。在图6a所示出的步骤中，提供了绝缘导体1606、与绝缘导体1606间隔开的接地导体1612和两个屏蔽膜1608。屏蔽膜1608各自包括适形的粘合剂层1610。在图6b_6c所示的步骤中，围绕绝缘导体1606和接地导体1612形成屏蔽膜1608，并且屏蔽膜彼此粘结。最初，如图6b所示，粘合剂层1610仍具有其原始厚度。当进行形成并粘结屏蔽膜1608的过程时，适形的粘合剂层1610适形，以实现屏蔽电缆1602期望的机械和电性能特性(图6c)。如图6c所示，粘合剂层1610适形，以在绝缘导体1606和接地导体1612两侧上的屏蔽膜1608之间较薄；从这些区域移走粘合剂层1610的一部分。另外，适形的粘合剂层1610适形，以在紧邻绝缘导体1606和接地导体1612的区域中较厚，并且基本上适形于绝缘导体1606和接地导体1612 ;粘合剂层1610的一部分被移入这些区域。另外，适形的粘合剂层1610适形，以便有效地将其从屏蔽膜1608和接地导体1612之间移除；将适形的粘合剂层1610从这些区域移除，使得接地导体1612电接触屏蔽膜1608。
在一些方法中，可使用较厚的金属或金属材料作为屏蔽膜来形成半刚性电缆。例如，可在此方法中使用铝或其他金属而无需聚合物背衬膜。使铝(或其他材料)通过成形模以在铝中产生形成覆盖部分和压紧部分的皱褶。将绝缘导体置于形成覆盖部分的皱褶中。如果使用排扰线，则可形成较小的皱褶以用于排扰线。使绝缘导体和任选的排扰线夹在相对的皱褶铝层之间。例如，铝层可用粘合剂结合在一起或焊接。上部和下部的皱褶铝屏蔽膜之间的连接可穿过不绝缘的排扰线。或者，可压印、进一步压紧和/或冲压穿透铝的压紧部分以在皱褶的屏蔽层之间提供正接触。在示例性的实施例中，屏蔽电缆的覆盖区域包括同心区域和设置在给定导体组一侧或两侧上的过渡区域。同心区域中的给定屏蔽膜的部分被称为屏蔽膜的同心部分，过渡区域中的屏蔽膜的部分被称为屏蔽膜的过渡部分。过渡区域可以被构造用于提供屏蔽电缆的高可制造性并消除张力和应力。使过渡区域沿着屏蔽电缆的长度保持基本上一致的构型(包括，如，尺寸、形状、容量和曲率半径等方面)可有助于使屏蔽电缆具有基本上一致的电性能，例如，高频隔离、阻抗、偏差、插入损耗、反射、模式变换、眼图张开度和抖动。另外，在某些实施例中，例如在其中导体组包括两个沿着电缆长度延伸、大致布置在单个平面内并且有效地布置成可以差分对电路布置方式连接的双轴电缆的绝缘导体的实施例中，通过使过渡部分沿着屏蔽电缆的长度保持基本一致的构型，可以有利地为导体组中的两个导体提供偏离理想同心情况的基本上相同的电磁场偏差。因此，小心控制该过渡部分沿着屏蔽电缆长度的构型能有助于使电缆获得有利的电性能和特性。图7a_9b示出了屏蔽电缆的多个示例性实施例，其包括设置在导体组一侧或两侧上的屏蔽膜的过渡区域。图7a和7b的剖视图中所示的屏蔽电缆1702包括沿着X轴沿着电缆1702长度延伸的单个导体组1704。屏蔽电缆1702可以被制成具有多个导体组1704，该导体组沿着y轴沿着电缆1702的宽度彼此间隔开，并且沿着电缆1702的长度延伸。虽然图7a中仅示出了一个绝缘导体1706，但如果需要，导体组1704中可以包括多个绝缘导体。最靠近电缆压紧区域的导体组的绝缘导体被视为导体组的末端导体。如图所示，导体组1704具有单个绝缘导体1706，它也是末端导体，因为它的位置最靠近屏蔽电缆1702的压紧区域1718。第一屏蔽膜和第二屏蔽膜1708设置在电缆的相对侧上并且包括覆盖部分1707。在横截面中，覆盖部分1707基本上围绕导体组1704。任选的粘合剂层1710设置在屏蔽膜1708的压紧部分1709之间，并使屏蔽膜1708在导体组1704两侧上的电缆1702的压紧区域1718中彼此粘结。任选的粘合剂层1710可以部分或完全延伸穿过屏蔽膜1708的覆盖部分1707，如，从导体组1704 —侧上的屏蔽膜1708的压紧部分1709延伸至导体组1704另一侧上的屏蔽膜1708的压紧部分1709。电缆1702还包括设置在电缆两侧上的导体组1704和屏蔽膜1708上的EMI吸收层1750。绝缘导体1706被有效地布置成可以用于单端电路布置方式的同轴电缆。屏蔽膜1708可以包括导电层1708a和非导电聚合物层1708b。在一些实施例中，如图7a和7b所示，导电层1708a面向绝缘导体。或者，屏蔽膜1708中的一个或两个的导电层的取向可以反转，如本文其他地方所述。屏蔽膜1708包括与导体组1704的末端导体1706基本上同心的同心部分。屏蔽电缆1702包括过渡区域1736。电缆1702的过渡区域1736中的屏蔽膜1708的部分为屏蔽膜1708的过渡部分1734。在一些实施例中，屏蔽电缆1702包括设置在导体组1704两侧上的过渡区域1736，并且在一些实施例中，过渡区域1736可以仅设置在导体组1704的一侧上。过渡区域1736由屏蔽膜1708和导体组1704限定。过渡区域1736中的屏蔽膜1708的过渡部分1734提供屏蔽膜1708的同心部分1711与压紧部分1709之间的逐渐过渡。与例如直角过渡或过渡点(与过渡部分相对)的急剧过渡形成对照，逐渐或平滑的过渡(例如大致S形过渡)消除了过渡区域1736中的屏蔽膜1708的张力和应力，并且防止了当使用屏蔽电缆1702时(例如当横向或轴向弯曲屏蔽电缆1702时)屏蔽膜1708受损。这种受损可能包括例如导电层1708a的断裂和/或导电层1708a和非导电聚合物层1708b之间失去粘结。另外，逐渐过渡防止了在制备屏蔽电缆1702的过程中屏蔽膜1708受损，这种受损可能包括例如导电层1708a和/或非导电聚合物层1708b的开裂或断开。在屏蔽带状电缆中的导体组中的一个、一些或所有的一侧或两侧上使用本发明所公开的过渡区域代表着脱离了常规的电缆构型，例如，屏蔽件通常连续地设置在单个绝缘导体周围的典型同轴电缆，或者屏蔽件连续设置在一对绝缘导体周围的典型的常规双轴电缆。根据本发明所公开的屏蔽电缆中的至少一些的一个方面，通过减小过渡区域的电冲击，如，通过减小过渡区域的尺寸和/或仔细控制过渡区域沿着屏蔽电缆长度的构型，可以获得合格的电性能。通过减小过渡区域的尺寸减小了电容偏差并且减小了多个导体组之间所需的间距，从而减小导体组间距和/或增大导体组之间的电隔离。仔细控制过渡区域沿着屏蔽电缆长度的构型有助于获得可预期的电性能和一致性，这可供高速传输线使用，从而可以更可靠地传输电数据。当过渡部分的尺寸接近尺寸下限时，仔细控制过渡区域沿着屏蔽电缆长度的构型是一个因素。通常考虑到的电特性是传输线的特征阻抗。沿着传输线长度的任何阻抗变化可能造成功率反射回到源，而不是被发送到目标。理想的是，沿着传输线的长度，传输线将没有阻抗变化，但是，根据预期应用，高达5%-10%的变化可能是可接受的。在双轴电缆(采用不同方式驱动)中通常考虑的另外的电特性是成对的两个传输线沿着其至少部分长度的有偏差或不相等的传输速度。偏差使差分信号转化为可以被反射回到源的共模信号，降低已发送信号的强度，产生电磁辐射并且会急剧增加比特误差率，特别是抖动。理想的是，一对传输线将没有偏差，但是根据预期应用，高达所关注频率(例如，6GHz)的小于-25至-30dB的差分S-参数S⑶21或S⑶12的值(代表传输线的一端与另一端的差分-共模转换)可能是可接受的。作为另外一种选择，可以在时域中测量偏差并且将其与所需规格进行比较。例如，本文所述的屏蔽电缆在高达约IOGbps的数据传输速度下可实现小于约20皮秒/米(ps/m)或小于约10ps/m的偏差值。再次参见图7a_7b，为了在一定程度上帮助获得合格的电性能，屏蔽电缆1702的过渡区域1736各自可包括横截面过渡区域1736a。过渡区域1736a小于绝缘导体1706的横截面区域1706a。如图7b最佳示出的，过渡区域1736的横截面过渡区域1736a由过渡点1734，和 1734” 限定。在屏蔽膜偏离与导体组1704的末端绝缘导体1706基本上同心的位置的地方出现过渡点1734’。过渡点1734’为屏蔽膜1708的拐点，屏蔽膜1708的曲率在该点处改变正负号。例如，参照图7b，在示为上部过渡点1734’的拐点处，上部屏蔽膜1708的弯曲从向下凹过渡为向上凹。在示为过渡点1734’的下部拐点处，下部屏蔽膜1708的弯曲从向上凹过渡为向下凹。在屏蔽膜1708的压紧部分1709之间的间距超过压紧部分1709的最小间距屯预定的系数(如约1.2至约1.5)的地方出现另一个过渡点1734’’。另外，每个过渡区域1736a可以包括空隙区域1736b。导体组1704任一侧上的空隙区域1736b可以基本上相同。另外，粘合剂层1710可以在屏蔽膜1708的同心部分1711处具有厚度Ta。，并在屏蔽膜1708的过渡部分1734处具有大于厚度Tae的厚度。相似地，粘合剂层1710可以在屏蔽膜1708的压紧部分1709之间具有厚度Tap，以及在屏蔽膜1708的过渡部分1734处具有大于厚度Tap的厚度。粘合剂层1710可以表示横截面过渡区域1736a的至少25%。在过渡区域1736a中，特别是在厚度大于厚度Tae或厚度Tap处存在粘合剂层1710，有助于提高过渡区域1736中电缆1702的强度。仔细控制屏蔽电缆1702的多个元件的制备工艺和材料特性，可以减少过渡区域1736中的空隙区域1736b和适形的粘合剂层1710的厚度的变化，这又可以减少横截面过渡区域1736a的电容的变化。屏蔽电缆1702可以包括设置在导体组1704 —侧或两侧上的过渡区域1736，其包括基本上等于或小于导体1706的横截面区域1706a的横截面过渡区域1736a。屏蔽电缆1702可以包括设置在导体组1704—侧或两侧上的过渡区域1736，其包括沿着导体1706的长度基本上相同的横截面过渡区域1736a。例如，横截面过渡区域1736a在I米长度内的变化可以为小于50%。屏蔽电缆1702可以包括位于导体组1704两侧上的过渡区域1736，其各自包括横截面过渡区域，其中横截面区域1734a的总和沿着导体1706的长度基本上相同。例如，横截面区域1734a的总和在I米长度内的变化可以为小于50%。屏蔽电缆1702可以包括位于导体组1704两侧上的过渡区域1736，其各自包括横截面过渡区域1736a，其中横截面过渡区域1736a基本上相同。屏蔽电缆1702可以包括位于导体组1704两侧上的过渡区域1736，其中过渡区域1736基本上一致。绝缘导体1706具有绝缘体厚度Ti,并且过渡区域1736可以具有比绝缘体厚度Ti小的横向长度Lt。绝缘导体1706的中央导体具有直径D。，并且过渡区域1736可以具有比直径D。小的横向长度Lt。上述各种构型可以提供保持在所需范围内的特性阻抗，例如在给定长度例如I米内的目标阻抗值(例如50欧姆)的5%-10%内。举例来说，可以影响过渡区域1736沿着屏蔽电缆1702长度的构型的因素包括制备工艺、导电层1708a和非导电聚合物层1708b的厚度、粘合剂层1710、以及绝缘导体1706与屏蔽膜1708之间的粘结强度。在一个方面，导体组1704、屏蔽膜1708和过渡区域1736按照阻抗控制关系协同构造。阻抗控制关系意味着，导体组1704、屏蔽膜1708和过渡区域1736被协同构造用于控制屏蔽电缆的特性阻抗。图8a_8b以横截面示出在导体组中具有两个绝缘导体的屏蔽电缆的两个示例性实施例。参见图8a,屏蔽电缆1802大致位于xy平面内并包括单个导体组1804,该导体组包括沿着X轴沿着电缆1802的长度延伸的两个单独绝缘导体1806。两个屏蔽膜1808设置在电缆1802的相对侧上，并且组合起来基本上围绕导体组1804。任选的粘合剂层1810设置在屏蔽膜1808的压紧部分1809之间，并使屏蔽膜1808在导体组1804两侧上在电缆1802的压紧区域1818中彼此粘结。绝缘导体1806可以被大致布置在单个平面内，如xy平面，并有效地布置成双轴电缆构型。双轴电缆构型可用于差分对电路布置方式或单端电路布置方式。屏蔽膜1808可以包括导电层1808a和非导电聚合物层1808b,或者可以包括导电层1808a，但没有非导电聚合物层1808b。图8a示出了面向绝缘导体1806的导电层1808a，但在可供选择的实施例中，该屏蔽膜中的一个或两个可以具有颠倒的取向。电缆1802还包括EMI吸收层1850，其设置在电缆两侧上的导体组1804和屏蔽膜1808上。屏蔽膜1808中的至少一个的覆盖部分1807包括与导体组1804的相应末端导体1806基本上同心的同心部分1811。在电缆1802的过渡区域1836中，屏蔽膜1808的过渡部分1834在屏蔽膜1808的同心部分1811与压紧部分1809之间。过渡部分1836设置在导体组1804的两侧上，并且每个此类部分包括横截面过渡区域1836a。横截面过渡区域1836a的总和优选地沿着导体1806的长度基本上相同。例如，横截面区域1836a的总和在I米长度内的变化可以小于50%。另外，两个横截面过渡区域1836a可以基本上相同和/或基本上一致。过渡区域的这种构型有助于将每个导体1806 (单端端接)的特性阻抗以及差分阻抗均保持在所需范围内，例如在给定长度(例如，I米)内的目标阻抗值的5%-10%内。另外，过渡区域1836的这种构型可以将两个导体1806沿着其长度的至少一部分的偏差降至最低。当电缆为未折叠的平面构型时，每个屏蔽膜的横截面可以用在电缆1802的整个宽度上变化的曲率半径来表征。屏蔽膜1808的最大曲率半径可以出现在(例如)图8a中所示的电缆1802的压紧部分1809处或多导体电缆组1804的覆盖部分1807的中心点附近。在这些位置处，膜可以是大致平的，并且曲率半径可以是基本上无穷大。屏蔽膜1808的最小曲率半径可以出现在(例如)屏蔽膜1808的过渡部分1834处。在一些实施例中I屏蔽膜在电缆的整个宽度上的曲率半径为至少约50微米，S卩，曲率半径的大小在电缆的边缘之间沿着电缆宽度的任何点处都不为小于50微米。在一些实施例中，对于包括过渡部分的屏蔽膜而言，屏蔽膜的过渡部分的曲率半径相似地为至少约50微米。图8a中示出，在未折叠的平面构型中，包括同心部分和过渡部分的屏蔽膜1808用同心部分的曲率半径R1和/或过渡部分的曲率半径A来表征。在一些实施例中，R1ZV1为在2至15范围内。参见图8b，屏蔽电缆1902在一些方面与屏蔽电缆1802类似。屏蔽电缆1802具有各个绝缘导体1806，而屏蔽电缆1902具有结合在一起的绝缘导体1906。尽管如此，过渡区域1936基本上类似于过渡区域1836，并且为屏蔽电缆1902提供相同有益效果。图9a_9b示出过渡部分的位置和构型的变化。在这些示例性实施例中，屏蔽膜2008、2108具有不对称构型，相对于图8a所示的更对称的实施例，该图中的过渡部分的位置有所改变。屏蔽电缆2002 (图9a)和2102 (图9b)具有屏蔽膜2008、2108的压紧部分2009，其位于相对于绝缘导体2006、2106的对称平面偏移的平面内。因此，过渡区域2036、2136具有相对于其他示出的实施例稍微偏移的位置和构型。然而，通过确保过渡区域2036,2136的位置相对于对应的绝缘导体2006、2106 (如，相对于导体2006、2106之间的垂直平面)基本上对称，并确保仔细控制过渡区域2036、2136沿着屏蔽电缆2002、2102长度的构型，屏蔽电缆2002、2102可以被构造为仍然能提供合格的电性能。电缆2002还包括EMI吸收层2050，其设置在电缆两侧上的导体组2004和屏蔽膜2008上。电缆2102还包括EMI吸收层2150，其设置在电缆两侧上的导体组2104和屏蔽膜2108上。图10a_10c、13和14示出屏蔽电缆的另外的示例性实施例。图lla-llg、12a_12b和15a_15f不出屏蔽电缆的压紧部分的若干不例性实施例。图10a_15f不出压紧部分的实例，该压紧部分被构造为电隔离屏蔽电缆的导体组。导体组可以与相邻的导体组电隔离(例如，用于使相邻的导体组之间的串扰最小，图1Oa-1Oc和lla-llg)或者与屏蔽电缆的外部环境电隔离(例如，用于使从屏蔽电缆逸出的电磁辐射最小并且使外部源带来的电磁干扰最小，图14和图15a-15f)。在这两种情况下，压紧部分均可以包括用于改变电隔离的各种机械结构。举例来说，这些实例包括屏蔽膜非常靠近，屏蔽膜之间的高介电常数材料，直接或间接电接触屏蔽膜中的至少一个的接地导体，相邻的导体组之间的延伸距离，相邻的导体组之间的物理断裂，屏蔽膜彼此直接纵向、横向或既纵向又横向地间歇接触，缩短EMI吸收层之间的间距以及导电粘合剂。在一个方面，屏蔽膜的压紧部分被限定为没有覆盖导体组的屏蔽膜的一部分 。图1Oa示出了屏蔽电缆2202的剖视图，其包括两个沿着y轴在整个电缆2202的宽度上彼此间隔开并沿着X轴沿着电缆2202的长度纵向延伸的导体组2204a、2204b。每一个导体组2204a、2204b包括两个绝缘导体2206a、2206b。两个屏蔽膜2208设置在电缆2202的相对侧上。此外，两个EMI吸收层2250设置在电缆2202相对侧上的屏蔽膜上。在横截面内，屏蔽膜2208的覆盖部分2207在电缆2202的覆盖区域2214中基本上围绕导体组2204a、2204b。例如，通过包围每一个导体组2204a、2204b的周边的至少70%，屏蔽膜2208的覆盖部分2207组合起来基本上围绕每一个导体组2204a、2204b。在导体组2204a、2204b的两侧上的电缆2202的压紧区域2218中，屏蔽膜2208包括压紧部分2209。当电缆2202为平面和/或未折叠布置方式时，在屏蔽电缆2202中，屏蔽膜2208的压紧部分2209和绝缘导体2206大致布置在单个平面内。设置在导体组2204a、2204b之间的压紧部分2209被构造用于将导体组2204a、2204b彼此电隔离。当布置成大致为平面的未折叠布置方式时，如图1Oa所示，导体组2204中第一绝缘导体2206a相对于导体组2204中第二绝缘导体2206b的高频电隔离基本上小于第一导体组2204a相对于第二导体组2204b的高频电隔离。例如,第一绝缘导体相对于第二导体的高频隔离为在3至15GHz的指定频率和I米的长度下的第一远端串扰Cl，第一导体组相对于相邻的导体组的高频隔离为指定频率下的第二远端串扰C2，并且其中C2比Cl低至少IOdB0如图1Oa的剖视图所示，电缆2202可以通过屏蔽膜2208的覆盖部分2207之间的最大间距D、屏蔽膜2208的覆盖部分2207之间的最小间距d2和屏蔽膜2208的压紧部分2209之间的最小间距Cl1来表征。在一些实施例中，d/D为小于0.25或小于0.1。在一些实施例中，d2/D为大于0.33。如图所示，屏蔽膜2208的压紧部分2209之间可以包括任选的粘合剂层2210。粘合剂层2210可以是连续或不连续的。在一些实施例中，粘合剂层完全或部分地在电缆2202的覆盖区域2214中延伸，如，在屏蔽膜2208的覆盖部分2207与绝缘导体2206a、2206b之间延伸。粘合剂层2210可以设置在屏蔽膜2208的覆盖部分2207上，并且可以完全或部分地从导体组2204a、2204b —侧上的屏蔽膜2208的压紧部分2209延伸至导体组2204a、2204b另一侧上的屏蔽膜2208的压紧部分2209。屏蔽膜2208可以通过整个电缆2202宽度上的曲率半径R和/或通过屏蔽膜的过渡部分2212的曲率半径Γι和/或通过屏蔽膜的同心部分2211的曲率半径r2来表征。
在过渡区域2236中，屏蔽膜2208的过渡部分2212可以被布置用于提供屏蔽膜2208的同心部分2211与屏蔽膜2208的压紧部分2209之间的逐渐过渡。屏蔽膜2208的过渡部分2212从第一过渡点2221 (其为屏蔽膜2208的拐点并标志着同心部分2211的结束)延伸至第二过渡点2222，在此处，屏蔽膜之间的间距超出压紧部分2209的最小间距(I1预定的系数。在一些实施例中，电缆2202包括至少一个屏蔽膜，其在整个电缆的宽度上具有至少约50微米的曲率半径R和/或屏蔽膜2202的过渡部分2212的最小曲率半径为至少约50微米。在一些实施例中，同心部分的最小曲率半径与过渡部分的最小曲率半径的比率r2/ri为在2至15的范围内。图1Ob为屏蔽电缆2302的剖视图，其包括两个导体组2304，它们沿着y轴在电缆2302的整个宽度上彼此间隔开并沿着X轴沿着电缆2302的长度纵向延伸。每个导体组2304包括一个绝缘导体2306、设置在电缆2302相对侧上的两个屏蔽膜2308和两个EMI吸收层2350。在横截面中，屏蔽膜2308的覆盖部分2307组合起来基本上在电缆2302的覆盖区域2314中围绕导体组2304的绝缘导体2306。在导体组2304两侧上的电缆2302的压紧区域2318中，屏蔽膜2308包括压紧部分2309。当电缆2302为平面和/或未折叠布置方式时，在屏蔽电缆2302中，屏蔽膜2308的压紧部分2309和绝缘导体2306可大致布置在单个平面内。屏蔽膜2308的覆盖部分2307和/或电缆2302的压紧部分2309被构造用于将导体组2304彼此电隔离。如图1Ob的剖视图所示，电缆2302可以通过屏蔽膜2308的覆盖部分2307之间的最大间距D和屏蔽膜2308的压紧部分2309之间的最小间距Cl1来表征。在一些实施例中，d/D为小于0.25或小于0.1。屏蔽膜2308的压紧部分2309之间可以包括任选的粘合剂层2310。粘合剂层2310可以是连续或不连续的。在一些实施例中，粘合剂层2310完全或部分地在电缆的覆盖区域2314中延伸，如，在屏蔽膜2308的覆盖部分2307与绝缘导体2306之间延伸。粘合剂层2310可以设置在屏蔽膜2308的覆盖部分2307上，并且可以完全或部分地从导体组2304 —侧上的屏蔽膜2308的压紧部分2309延伸至导体组2304另一侧上的屏蔽膜2308的压紧部分 2309。屏蔽膜2308可以通过整个电缆2302宽度上的曲率半径R和/或通过屏蔽膜2308的过渡部分2312的最小曲率半径Γι和/或通过屏蔽膜2308的同心部分2311的最小曲率半径rb来表征。在电缆2302的过渡区域2236中，屏蔽膜2302的过渡部分2312可被构造用于提供屏蔽膜2308的同心部分2311与屏蔽膜2308的压紧部分2309之间的逐渐过渡。屏蔽膜2308的过渡部分2312从第一过渡点2321 (其为屏蔽膜2308的拐点并标志着同心部分2311的结束)延伸至第二过渡点2322，在此处，屏蔽膜之间的间距等于压紧部分2309的最小间距(I1或超出(I1预定的系数。在一些实施例中，屏蔽膜在电缆的整个宽度上的曲率半径R为至少约50微米，和/或屏蔽膜的过渡部分中的最小曲率半径为至少50微米。图1Oc示出了屏蔽电 缆2402的剖视图，它包括两个导体组2404a、2404b，它们沿着I轴在电缆2402的整个宽度上彼此间隔开并沿着X轴沿着电缆2402的长度纵向延伸。每一个导体组2404a、2404b包括两个绝缘导体2206a、2206b。两个屏蔽膜2408a、2408b和两个EMI吸收层2450a、2450b设置在电缆2402的相对侧上。在横截面内，屏蔽膜2408a、2408b的覆盖部分2407组合起来基本上在电缆2402的覆盖区域2414中围绕导体组2404a、2404b。在电缆2402的压紧区域2418中，导体组2404a、2404b的两侧上，上部和下部屏蔽膜2408a、2408b包括压紧部分2409。当电缆2402为平面和/或未折叠布置方式时，在屏蔽电缆2402中，屏蔽膜2408的压紧部分2409和绝缘导体2406a、2406b大致布置在不同平面内。屏蔽膜2408b中的一个基本上为平的。本文将电缆2402的压紧区域2418中大致平坦的屏蔽膜2408b部分称为压紧部分2409，即使屏蔽膜2408b在压紧区域2418存在很小或没有超过平面偏差。当电缆2402为平面或未折叠构型时，屏蔽膜2408b的同心部分2411、过渡部分2412和压紧部分2407基本上共面。导体组2404a、2404b之间的电缆2402的覆盖部分2407和/或压紧部分2409被构造用于将导体组2404a、2404b彼此电隔离。当布置成大致为平面的未折叠布置方式时，如图1Oc所示，第一导体组2404a中的第一绝缘导体2406a相对于第一导体组2404a中的第二绝缘导体2406b的高频电隔离基本上小于第一导体组2404a中的任一导体2406a、2406b相对于第二导体组2404b中的任一导体2406a、2406b的高频电隔离，如上所述。如图1Oc的剖视图所示，电缆2402可以通过屏蔽膜2408a、2408b的覆盖部分2407之间的最大间距D，屏蔽膜2408a、2408b的覆盖部分2407之间的最小间距d2和屏蔽膜2408a、2408b的压紧部分2409之间的最小间距(I1来表征。在一些实施例中，d/D为小于0.25或小于0.1。在一些实施例中，d2/D为大于0.33。任选的粘合剂层2410可以设置在屏蔽膜2408a、2408b的压紧部分2409之间。粘合剂层2410可以是连续或不连续的。在一些实施例中I粘合剂层2410完全或部分地在电缆2402的覆盖区域2414中延伸，如，在屏蔽膜2408a、2408b中一者或多者的覆盖部分2407与绝缘导体2406a、2406b之间延伸。粘合剂层2410可以设置在一个或多个屏蔽膜2408a、2408b的覆盖部分2407上，并且可以完全或部分地从导体组2404a、2404b —侧上的屏蔽膜2408a,2408b的压紧部分2409延伸至导体组2404a、2404b另一侧上的屏蔽膜2408a、2408b的压紧部分2409。弯曲屏蔽膜2408a的过渡部分2412提供屏蔽膜2408a的同心部分2411与屏蔽膜2408a的压紧部分2409之间的逐渐过渡。屏蔽膜2408a的过渡部分2412从第一过渡点2421a (其为第一屏蔽膜2408a的拐点)延伸至第二过渡点2422a，在此处，屏蔽膜之间的间距等于压紧部分2409的最小间距Cl1或超出Cl1预定的系数。基本上平坦的屏蔽膜2808b的过渡部分从第一过渡点2421b延伸至第二过渡点2422b，在此处，屏蔽膜之间的间距等于压紧部分2409的最小间距Cl1或超出Cl1预定的系数。第一过渡点2421b由垂直于大致平坦的屏蔽膜2408b，与屏蔽膜2408a的第一过渡点2421a相交的线限定。弯曲屏蔽膜2408a可以通过整个电缆2402宽度上的曲率半径R和/或通过屏蔽膜2408a的过渡部分2412的最小曲率半径和/或通过屏蔽膜的同心部分2411的最小曲率半径1*2来表征。在一些实施例中，电缆2402包括至少一个屏蔽膜2408，其在整个电缆的宽度上具有至少约50微米的曲率半径和/或具有屏蔽膜的过渡部分的至少约50微米的最小曲率半径在一些实施例中，屏蔽膜的同心部分的最小曲率半径1"2与屏蔽膜的过渡部分的最小曲率半径A之比r2/ri为在2至15的范围内。
在图1la中，屏蔽电缆2502包括压紧区域2518，其中屏蔽膜2508间隔开一定距离。间隔开的屏蔽膜2508，S卩，不使屏蔽膜2508沿着其接缝连续直接电接触，增大了压紧区域2518的强度。具有相对较薄和易损坏的屏蔽膜的屏蔽电缆在制造过程中如果被迫使沿着其接缝连续地进行直接电接触就可能破裂或裂开。如果不使用有效的装置来降低发生串扰的可能性，间隔开的屏蔽膜2508会使得相邻的导体组之间发生串扰。降低串扰涉及遏制一个导体组的电场和磁场，使得它们不作用于相邻的导体组。在图1la所示实施例中，通过在屏蔽膜2508之间提供较低的直流电阻，实现对串扰的有效屏蔽。可通过将屏蔽膜2508定向为非常接近，实现较低的直流电阻。例如，屏蔽膜2508的压紧部分2509可以在压紧区域2518的至少一个位置间隔开小于约0.13mm。所得的屏蔽膜2508之间的直流电阻可以为小于约15 Ω，并且所得的相邻导体组之间的串扰可以为小于约_25dB。在一些情况下，电缆2502的压紧区域2518的最小厚度为小于约0.13mm。屏蔽膜2508可被间距介质间隔开。该间距介质可以包括适形的粘合剂层2510。例如，间距介质可以具有至少1.5的介电常数。高介电常数使屏蔽膜2508之间的阻抗减小，由此增强电隔离并减少相邻的导体组之间的串扰。屏蔽膜2508可以在压紧区域2518’的至少一个位置中彼此直接电接触。可以在选定位置中迫使屏蔽膜2508压在一起，从而减小选定位置中适形的粘合剂层2510的厚度。可通过如下方法在选定位置中迫使屏蔽膜压在一起，例如，用图案形成工具使这些位置中的屏蔽膜2508之间间歇挤压接触。可以沿纵向或横向将这些位置形成图案。在一些情况下，间距介质可以导电，使得屏蔽膜2508之间能够进行直接电接触。还可以通过包括设置在电缆2502两侧的屏蔽膜2508上的EMI吸收层2550来降低相邻导体组之间的串扰。在图1lb中，屏蔽电缆2602包括压紧区域2618，其中压紧区域包括设置在屏蔽膜2608之间并沿着X轴沿着电缆2602的长度延伸的接地导体2612。接地导体2612可以与两个屏蔽膜2608均间接电接触，如，屏蔽膜2608之间的直流电阻较低但不为O。在一些情况下，接地导体2612可以在压紧区域2618的至少一个位置中与屏蔽膜2608中的至少一个直接或间接电接触。屏蔽电缆2602可以包括适形的粘合剂层2610，该粘合剂层设置在屏蔽膜2608之间并且被构造用于提供屏蔽膜2608中的至少一个和接地导体2612的受控的间距。适形的粘合剂层2610可以具有不均匀的厚度，这种厚度使得接地导体2612在选定位置中与屏蔽膜2608中的至少一个直接或间接电接触。在一些情况下，接地导体2612可以包括表面粗糙部分或可变形线，例如绞线，以使接地导体2612和屏蔽膜2608中的至少一个之间形成受控的电接触。还可以通过包括设置在电缆2602两侧的屏蔽膜2608上的EMI吸收层2650来降低相邻导体组之间的串扰。在图1lc中，屏蔽电缆2702包括压紧区域2718。接地导体2712设置在屏蔽膜2708之间并且与两个屏蔽膜2708均直接电接触。在图1ld中，屏蔽电缆2802包括压紧区域2818，其中屏蔽膜2808通过任何合适的装置如(例如)导电元件2844彼此直接电接触。举例来说，导电元件2844可以包括带导电镀层的通孔或通道、填充有导电物的通孔或通道、或导电粘合剂。还可以通过包括设置在电缆电缆2802两侧的屏蔽膜2808上的EMI吸收层2850来降低相邻导体组之间的串扰。在图1le中，屏蔽电缆2902包括压紧区域2918，在压紧区域2918的至少一个位置处具有开口 2936，其中开口 2936包括屏蔽膜2908和EMI吸收层2950中的开口。换句话讲，压紧区域2918是不连续的。开口 2936可以包括孔、穿孔、狭缝和任何其他合适的元件。开口 2936提供了至少一些水平的物理间距，这有助于压紧区域2918的电隔离性能并且至少增强屏蔽电缆2902的横向柔韧性。该间距可以沿着压紧区域2918的长度不连续，并且可以在整个压紧区域2918的宽度上不连续。在图1lf中，屏蔽电缆3002包括压紧区域3018，在此处，屏蔽膜3008中的至少一个在压紧区域3018的至少一个位置中包括断裂3038。换句话讲，屏蔽膜3008中的至少一个为不连续的。在一些情况下，断裂3038还包括两个EMI吸收层3050中的至少一者中的中断。断裂3038可以包括孔、穿孔、狭缝和任何其他的合适元件。断裂3038提供了至少一些水平的物理间距，这有助于压紧区域3018的电隔离性能并且至少增强屏蔽电缆3002的横向柔韧性。这个间距沿着压紧区域的长度可以是不连续的或连续的，并且在整个压紧部分3018的宽度上可以是不连续的。在图1lg中，屏蔽电缆3102包括压紧区域3118，该压紧区域是成折叠构型的分段平面。在所有其他条件相等的情况下，分段平坦的压紧区域具有比具有相同投影宽度的平坦压紧区域大的实际表面积。如果压紧区域的表面积远大于屏蔽膜3108之间的间距，则直流电阻降低，从而提高压紧区域3118的电隔离性能。在一个实施例中，小于5Ω至10Ω的直流电阻导致良好的电隔离。在一个实施例中，屏蔽电缆3102的压紧部分3118的实际宽度与最小间距之比至少为5。在一个实施例中，压紧区域3118预先弯曲，由此至少增强了屏蔽电缆3102的横向柔韧性。压紧区域3118可以是成任何其他合适构型的分段平面。在一些情况下，EMI吸收层3150在压紧区域3118中也是分段平面。图12a_12b示出示例性屏蔽电缆的制造过程中与压紧区域相关的细节。屏蔽电缆3202包括两个屏蔽膜3208和两个EMI吸收层3250并且包括压紧区域3218，其中屏蔽膜3208可以是大致平行的。屏蔽膜3208包括非导电聚合物层3208b、设置在非导电聚合物层3208b上的导电层3208a和设置在导电层3208a上的阻挡层3208d。适形的粘合剂层3210设置在阻挡层3208d上。压紧区域3218包括设置在屏蔽膜3208之间的纵向接地导体3212。迫使屏蔽膜一起包围接地导体后，接地导体3212与屏蔽膜3208的导电层3208a形成间接电接触。通过由阻挡层3208d提供受控的导体层3208a和接地导体3212的间距，使得能够进行这种间接电接触。在一些情况下，阻挡层3208d可以为或包括非导电聚合物层。如图所示，使用外部压力(参见图12a)将导电层3208a压到一起并迫使适形的粘合剂层3210围绕接地导体适形(图12b)。因为阻挡层3208d至少在相同的加工条件下不会适形，所以它可以防止接地导体3212与屏蔽膜3208的导电层3208a之间发生直接电接触，但可实现间接电接触。可以选择阻挡层3208d的厚度和介电性能，以实现较低的目标直流电阻，即间接型电接触。在一些实施例中，接地导体与屏蔽膜之间的特性直流电阻可以例如为小于10Ω，或小于5Ω，但大于0Ω，以实现所需的间接电接触。在一些情况下，希望给定接地导体与一个或两个屏蔽膜之间形成直接电接触，因此此类接地导体与此类(多个)屏蔽膜之间的直流电阻可以基本上为OΩ。图13示出了折叠的屏蔽电缆3302。屏蔽电缆3302包括两个围绕间隔开的导体组3304设置的屏蔽膜3308。屏蔽电缆3302还包括EMI吸收层3350，它设置在电缆一侧上的导体组3304和屏蔽膜3308上。屏蔽膜3308设置在电缆3302的相对侧上并且包括导体组3304每一侧上的压紧区域3318。压紧区域3318被构造为以至少30°的角度α横向弯曲。压紧区域3318的这种横向柔韧性使得屏蔽电缆3302可以折叠为任何合适的构型，例如可用于圆形电缆的构型(参见(如)图5g)。在一个实施例中，具有相对薄的单独层的屏蔽膜3308增强了压紧区域3318的横向柔韧性。为了保持这些单独层尤其在弯曲条件下的完整性，优选地它们间的粘合保持不受损。例如，压紧区域3318的最小厚度可以为小于约
0.13mm,并且在加工或使用过程中热暴露之后单独层之间的粘合强度为至少17.86g/mm (I磅/英寸)。在一个方面，对屏蔽电缆的电性能有益的是，压紧区域在导体组的两侧上具有大致相同的尺寸和形状。任何尺寸上的改变或不平衡会导致沿着平行部分长度的电容和电感不平衡。这又会造成沿着压紧区域长度的阻抗差和相邻导体组之间的阻抗不平衡。至少出于这些原因，可能需要控制屏蔽膜之间的间距。在一些情况下，导体组两侧上的电缆压紧区域中的屏蔽膜的压紧部分彼此间隔约0.05mm以内的距离。在图14中，屏蔽电缆3402包括:两个导体组3404，每一个导体组包括两个绝缘导体3406 ;以及两个大致平行的屏蔽膜3408和两个EMI吸收层3450，其围绕导体组3404设置在电缆3402的相对侧上。屏蔽膜3408包括压紧部分3418。压紧部分3418设置在屏蔽电缆3402的边缘处或附近，其被构造用于将导体组3404与外部环境电隔离。在屏蔽电缆3402中，屏蔽膜3408的压紧部分3418和绝缘导体3406大致布置在单个平面内。在图15a中，屏蔽电缆3502包括压紧区域3518，其中屏蔽膜3508的压紧部分3509为间隔开的。压紧区域3518类似于上文所述和图1la所示的压紧区域2518。压紧区域2518设置在导体组之间，而压紧区域3518设置在屏蔽电缆3502的边缘处或附近。在图15b中，屏蔽电缆3602包括压紧区域3618，其包括设置在屏蔽膜3608之间的纵向接地导体3612。压紧区域3618类似于上文所述和图1lb所示的压紧区域2618。压紧区域2618设置在导体组之间，而压紧区域3618设置在屏蔽电缆3602的边缘处或附近。在图15c中，屏蔽电缆3702包括压紧区域3718，其包括设置在屏蔽膜3708之间的纵向接地导体3712。压紧区域3718类似于上文所述和图1lc所示的压紧区域2718。压紧区域2718设置在导体组之间，而压紧区域3718设置在屏蔽电缆3702的边缘处或附近。在图15d中，屏蔽电缆3802包括压紧区域3818，其中屏蔽膜3808的压紧部分3809通过任何合适的装置如(例如)导电元件3844彼此直接电接触。举例来说，导电元件3844可以包括带导电镀层的通孔或通道、填充有导电物的通孔或通道、或者导电粘合剂。压紧区域3818类似于上文所述和图1ld所示的压紧区域2818。压紧区域2818设置在导体组之间，而压紧区域3818设置在屏蔽电缆3802的边缘处或附近。在图15e中，屏蔽电缆3902包括压紧区域3918，该压紧区域是成折叠构型的分段平面。压紧区域3918类似于上文所述和图1lg所示的压紧区域3118。压紧区域3118设置在导体组之间，而压紧区域3918设置在屏蔽电缆3902的边缘处或附近。在图15f中，屏蔽电缆4002包括压紧区域4018，该压紧区域为弯曲构型的分段平面并且设置在屏蔽电缆4002的边缘处或附近。在一些情况下，屏蔽电缆3502-4002中的一者或多者可以包括设置在导体组上的一个或多个EMI吸收层。根据本发明的方面的屏蔽电缆可以包括:至少一个纵向接地导体；电制品，其沿着与接地导体基本上相同的方向延伸；以及两个屏蔽膜和两个EMI吸收层，其设置在屏蔽电缆的相对侧。在横截面中，屏蔽膜和EMI吸收层基本上围绕接地导体和电制品。在该构型中，屏蔽膜、EMI吸收层和接地导体被构造用于电隔离电制品。接地导体可以延伸超出屏蔽膜的至少一个端部，例如，以将屏蔽膜端接至任何合适端接点的任何合适的单个接触元件，如(例如)该端接点是印刷电路板上的接触元件或电连接器的电触点。有利地，电缆构造只需要有限数量的接地导体，这些接地导体可以与屏蔽膜一起完成电制品的电磁屏蔽罩。电制品可以包括沿着电缆的长度延伸的至少一个导体、沿着电缆的长度延伸的至少一个导体组(包括一个或多个绝缘导体)、柔性印制电路或需要电隔离的任何其他合适的电制品。图16a-16b示出了这种屏蔽电缆构造的两个示例性实施例。在图16a中，屏蔽电缆4102包括:两个间隔开的接地导体4112，其沿着x轴沿着电缆4102的长度延伸；电制品4140，其设置在接地导体4112之间并沿着与接地导体4112大致相同的方向延伸；以及设置在电缆相对侧上的两个屏蔽膜4108和两个EMI吸收层4150。在横截面中，屏蔽膜4108和EMI吸收层4150组合起来基本上围绕接地导体4112和电制品4140。电制品4140包括三个导体组4104，它们沿着y轴在电缆4102的整个宽度上间隔开。每一个导体组4104包括两个沿着电缆长度延伸的基本上绝缘的导体4106。接地导体4112可以与两个屏蔽膜4108形成间接电接触，从而导致接地导体4112与屏蔽膜4108之间的阻抗较低但不为O。在一些情况下，接地导体4112可以在屏蔽膜4108的至少一个位置中与屏蔽膜4108中的至少一个形成直接或间接电接触。在一些情况下，粘合剂层4110设置在屏蔽膜4108之间，并且使屏蔽膜4108在接地导体4112和电制品4140的两侧上彼此粘结。粘合剂层4110可被构造用于提供屏蔽膜4108中的至少一个与接地导体4112的受控间距。在一个方面，这意味着，粘合剂层4110具有不均匀的厚度，这种厚度使得接地导体4112在所选的位置中直接或间接电接触屏蔽膜4108中的至少一个。接地导体4112可以包括表面粗糙部分或可变形线，例如绞线，以使接地导体4112和屏蔽膜4108中的至少一个之间形成这种受控的电接触。在屏蔽膜4108的至少一个位置中，屏蔽膜4108可间隔开最小间距，其中接地导体4112的厚度大于最小间距。例如，屏蔽膜4108可以具有小于约0.025mm的厚度。在图16b中，屏蔽电缆4202包括:两个间隔开的接地导体4212，其沿着x轴沿着电缆4202的长度延伸；电制品4240，其设置在接地导体4212之间并沿着与接地导体4212大致相同的方向延伸；以及两个屏蔽膜4208和两个EMI吸收层4250，其设置在电缆4202的相对侧上。在横截面中，屏蔽膜和EMI吸收层组合起来基本上围绕接地导体4212和电制品4240。屏蔽电缆4202在一些方面类似于上文所述和图16a所示的屏蔽电缆4102。在屏蔽电缆4102中，电制品4140包括三个导体组4104,每一个导体组包括两个基本上平行的纵向绝缘导体4106，而在屏蔽电缆4202中，电制品4240包括具有三个导体组4242的柔性印刷电路。在一些情况下，单个屏蔽膜可以为给定应用提供可接受的电磁干扰(EMI)隔离水平，并可以减小邻近效应，从而降低信号衰减。图17示出了只包括一个屏蔽膜的此类屏蔽电缆的一个例子。图17中所示的屏蔽电缆4302包括两个间隔开的导体组4304和单个屏蔽膜4308以及单个EMI吸收层4350。每个导体组4304包括单个绝缘导体4306，其沿着x轴沿着电缆4302的长度延伸。绝缘导体4306大致布置在单个平面内，如xy平面，并有效地布置成可用于单端电路布置方式中的同轴电缆构型。电缆4302包括压紧区域4318。在压紧区域4318中，屏蔽膜4308包括从每一个导体组4304的两侧延伸的压紧部分4309。压紧区域4318协同限定大致为平面的屏蔽膜。屏蔽膜4308包括两个覆盖部分4307，每个覆盖部分部分地覆盖导体组4304。每个覆盖部分4307包括与对应导体4306基本上同心的同心部分4311。屏蔽膜4308包括导电层4308a和非导电聚合物层4308b。导电层4308a面向绝缘导体4306。电缆4302可以任选地包括非导电载体膜4346。载体膜4346包括从每一个导体组4304的两侧延伸的压紧部分4346’ ’和屏蔽膜4308的相对压紧部分4309。载体膜4346包括两个覆盖部分4346’ ’ ’，每个覆盖部分在屏蔽膜4308的覆盖部分4307的相对侧部分地覆盖导体组4304。每个覆盖部分4346’ ’ ’包括与对应导体4306基本上同心的同心部分4346’。载体膜4346可以包括任何合适的聚合物材料，包括但不限于聚酯、聚酰亚胺、聚酰胺-酰亚胺、聚四氟乙烯、聚丙烯、聚乙烯、聚苯硫醚、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚碳酸酯、硅橡胶、乙烯丙烯二烯橡胶、聚氨酯、丙烯酸酯、硅树脂、天然橡胶、环氧树脂和合成橡胶粘合剂。载体膜4346可以包括一种或多种添加剂和/或填充剂，从而得到适合于预期应用的特性。载体膜4346可用于完成导体组4304的物理覆盖并增加屏蔽电缆4302的机械稳定性。参见图18，屏蔽电缆4402在一些方面类似于上文所述和图17所示的屏蔽电缆4302。屏蔽电缆4302包括导体组4304，每一个导体组包括单个绝缘导体4306，而屏蔽电缆4402包括导体组4404，其具有两个绝缘导体4406。绝缘导体4406大致布置在单个平面内，并且有效地布置为双轴电缆构型，该构型可用于单端或差分对电路布置方式。参见图19，屏蔽电缆4502在一些方面类似于上文所述和图18所示的屏蔽电缆4402。屏蔽电缆4402具有单独的绝缘导体4406，而屏蔽电缆4502具有结合在一起的绝缘导体4506。在一个方面，如在图17-19中可见，屏蔽膜在相邻导体组之间内曲。换句话讲，屏蔽膜包括设置在相邻导体组之间的压紧部分。该压紧部分被构造为将相邻导体组彼此电隔离。压紧部分可消除对位于相邻导体组之间的接地导体的需要，其尤其简化电缆构造并增强电缆柔韧性。压紧部分可位于大于绝缘导体的直径的约三分之一的深度屯(图17)处。在一些情况下，压紧部分可位于大于绝缘导体的直径的约二分之一的深度d3处。根据相邻导体组之间的间距、传输距离和信号传输方案(差分对单端)，屏蔽膜的该内曲构型非常充分地将导体组彼此电隔离。可以将导体组和屏蔽膜按照阻抗控制关系协同构造。在一个方面，这意味着，在沿着屏蔽电缆的长度的所需的几何形状一致性的情况下实现屏蔽膜对导体组的部分覆盖，以便提供适合于预期应用的可接受的阻抗变化。在一个实施例中，沿着代表性电缆长度(例如，Im),该阻抗变化为小于5 Ω，并优选地小于3 Ω。在另一方面，如果绝缘导体被有效地布置成双轴和/或差分对电缆布置方式，则这意味着在一对中的绝缘导体之间的所需的几何形状一致性的情况下实现屏蔽膜对导体组的部分覆盖，以便提供适合于预期应用的可接受的阻抗变化。在一些情况下，沿着代表性的电缆长度(例如，Im),阻抗变化为小于2 Ω，并优选地小于0.5Ω。图20a_20d示出了用屏蔽膜和/或EMI吸收层部分覆盖导体组的多个例子。屏蔽膜和EMI吸收层的覆盖量在不同实施例中有所不同。在图20a所示的实施例中，导体组具有最多覆盖率。在图20d所示的实施例中，导体组具有最少覆盖率。在图20a和20b所示的实施例中，导体组周边的一半以上被屏蔽膜和EMI吸收层覆盖。在图20c和20d所示的实施例中，导体组周边的一半以下被屏蔽膜和EMI吸收层覆盖。较大的覆盖量提供更佳的电磁干扰(EMI)隔离和减小的信号衰减(由于邻近效应的减小)。参见图20a，屏蔽电缆4602包括导体组4604和屏蔽膜4608以及EMI吸收层4650。导体组4604包括两个绝缘导体4606，其沿着x轴沿着电缆4602的长度延伸。屏蔽膜4608和EMI吸收层4650包括从导体组4604两侧延伸的压紧部分4609。压紧部分4609共同限定大致为平面的屏蔽膜和EMI吸收层。屏蔽膜4608还包括部分覆盖导体组4604的覆盖部分4607。覆盖部分4607包括与导体组4604的对应末端导体4306基本上同心的同心部分4611。屏蔽电缆4602还可以具有任选的非导电载体膜4646。载体膜4646包括压紧部分4646’ ’，其从导体组4604两侧延伸并设置在与屏蔽膜4608的压紧部分4609的相对侧。载体膜4646还包括覆盖部分4646’ ’ ’，其在屏蔽膜4608的覆盖部分4607的相对侧部分地覆盖导体组4604。屏蔽膜4608的覆盖部分4607覆盖导体组4604的顶侧以及整个左侧和右侦U。载体膜4646的覆盖部分4646’ ’ ’覆盖导体组4604的底侧，从而完成导体组4604的基本封装。在该实施例中，载体膜4646的压紧部分4646’ ’和覆盖部分4646’ ’ ’基本上共面。参见图20b，屏蔽电缆4702在一些方面类似于上文所述和图20a所示的屏蔽电缆4602。然而，在屏蔽电缆4702中，屏蔽膜4708和EMI吸收层4750的覆盖部分4707覆盖导体组4704的顶侧以及左侧和右侧的一半以上。载体膜4746的覆盖部分4746’ ’ ’覆盖导体组4704的底侧以及左侧和右侧的剩余部分(小于一半)，从而完成导体组4704的基本封装。载体膜4746的覆盖部分4746’ ’ ’包括与对应导体4706基本上同心的同心部分4746’。参见图20c，屏蔽电缆4802在一些方面类似于上文所述和图20a所示的屏蔽电缆4602。在屏蔽电缆4802中，屏蔽膜4808和EMI吸收层4850的覆盖部分4807覆盖导体组4804的底侧以及左侧和右侧的不到一半。载体膜4846的覆盖部分4846’ ’ ’覆盖导体组4804的顶侧以及左侧和右侧的剩余部分(大于一半)，从而完成导体组4804的封装。参见图20d，屏蔽电缆4902类似于上文所述和图20a所示的屏蔽电缆4602。然而，在屏蔽电缆4902中，屏蔽膜4908和EMI吸收层4950的覆盖部分4907覆盖导体组4904的底侧。载体膜4946的覆盖部分4946’ ’ ’覆盖导体组4904的顶侧以及整个左侧和右侧，从而完成导体组4904的基本封装。在一些情况下，屏蔽膜4908的压紧部分4909和覆盖部分4907基本上共面。类似于包括两个屏蔽膜和一个或多个EMI吸收层(围绕导体组和/或围绕多个间隔开的导体组设置在电缆的相对侧)的屏蔽电缆的实施例，包括单个屏蔽膜和单个EMI吸收层的屏蔽电缆的实施例可以包括至少一个纵向接地导体。在一个方面，该接地导体有利于屏蔽膜与任何合适端接点的任何合适的单独接触元件(例如，印刷电路板上的接触元件或电连接器的电接触点)的电接触。接地导体可延伸超出屏蔽膜的至少一个末端，以有利于这种电接触。接地导体可以在沿着其长度的至少一个位置中与屏蔽膜直接或间接电接触，且可设置在屏蔽电缆的合适位置中。图21示出了屏蔽电缆5002，它只有一个屏蔽膜5008和EMI吸收层5050。绝缘导体5006被布置在两个导体组5004中，每一个导体组仅具有一对绝缘导体,但还可以想到如本文所述具有其他数量的绝缘导体的导体组。示出的屏蔽电缆5002包括在多个示例性位置中的接地导体5012，但如果需要，可以省略接地导体5012中的任何者或全部，或者可以包括另外的接地导体。接地导体5012在与导体组5004的绝缘导体5006基本上相同的方向上延伸，并设置在屏蔽膜5008和载体膜5046之间。屏蔽膜5008和EMI吸收层5050的压紧部分5009中包括一个接地导体5012，并且导体组5004中包括三个接地导体5012。这三个接地导体5012中的一个设置在绝缘导体5006和屏蔽膜5008之间，并且这三个接地导体5012中的两个和绝缘导体5006大致布置在单个平面内。图22a_22d示出根据本发明的方面的屏蔽电缆的各种示例性实施例的剖视图。图22a-22d示出了在不存在载体膜的情况下屏蔽膜和EMI吸收层对导体组的部分覆盖的多个例子。屏蔽膜和EMI吸收层的覆盖量在不同实施例中有所不同。在图22a所示的实施例中，导体组具有最多覆盖率。在图22d所示的实施例中，导体组具有最少覆盖率。在图22a和22b所示的实施例中，导体组周边的一半以上被屏蔽膜和EMI吸收层覆盖。在图22c所示的实施例中，导体组周边的大约一半被屏蔽膜和EMI吸收层覆盖。在图22d所示的实施例中，导体组周边的不到一半被屏蔽膜和EMI吸收层覆盖。较大的覆盖量提供更佳的电磁干扰(EMI)隔离和减小的信号衰减(由于邻近效应的减小)。虽然在这些实施例中，导体组包括两个基本上平行的纵向绝缘导体，但在其他实施例中，导体组可以包括一个或两个以上的基本上平行的纵向绝缘导体。参见图22a，屏蔽电缆5102包括导体组5104和屏蔽膜5108以及EMI吸收层5150。导体组5104包括两个绝缘导体5106，其沿着X轴沿着电缆5102的长度延伸。屏蔽膜5108和EMI吸收层5150包括从导体组5104两侧延伸的压紧部分5109。压紧部分5109共同限定xy平面中的大致为平面的屏蔽膜。屏蔽膜5108还包括部分覆盖导体组5104的覆盖部分5107。覆盖部分5107包括与导体5104的对应末端导体5106基本上同心的同心部分5111。在图22a中，屏蔽膜5108的覆盖部分5107覆盖导体组5104的底侧以及整个左侧和右侧。参见图22b，屏蔽电缆5202在一些方面类似于上文所述和图22a所示的屏蔽电缆5102。然而，在屏蔽电缆5202中，屏蔽膜5208和EMI吸收层5250的覆盖部分5207覆盖导体组5204的底侧以及左侧和右侧的一半以上。参见图22c，屏蔽电缆5302类似于上文所述和图22a所示的屏蔽电缆5102。然而，在屏蔽电缆5302中，屏蔽膜5308和EMI吸收层5350的覆盖部分5307覆盖导体组5304的底侧以及左侧和右侧的大约一半。参见图22d，屏蔽电缆5402在一些方面类似于上文所述和图22a所示的屏蔽电缆5102。然而，在屏蔽电缆5402中，屏蔽膜5408和EMI吸收层5450的覆盖部分5411覆盖导体组5404的底侧以及左侧和右侧的不到一半。举例而言，作为对载体膜的替代，根据本发明的方面的屏蔽电缆可包括任选的非导电支承件。该支承件可用于完成对导体组的物理覆盖，且增加屏蔽电缆的机械稳定性。图23a-23d示出了根据本发明的方面的包括非导电支承件的屏蔽电缆的各种示例性实施例的剖视图。虽然在这些实施例中，非导电支承件是与包括两个绝缘导体的导体组一起使用，但在其他实施例中，非导电支承件可以与包括一个或两个以上基本上平行的纵向绝缘导体的导体组一起使用或与接地导体一起使用。支承件可以包含任何合适的聚合物材料，包括但不限于聚酯、聚酰亚胺、聚酰胺-酰亚胺、聚四氟乙烯、聚丙烯、聚乙烯、聚苯硫醚、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚碳酸酯、硅橡胶、乙烯丙烯二烯橡胶、聚氨酯、丙烯酸酯、硅树脂、天然橡胶、环氧树脂和合成橡胶粘合剂。支承件可以包含一种或多种添加剂和/或填充剂，从而得到适合于预期应用的特性。参见图23a，屏蔽电缆5502类似于上文所述和图22a所示的屏蔽电缆5102，但还包括非导电支承件5548，该支承件在屏蔽膜5508和EMI吸收层5550的覆盖部分5507的相对侧部分地覆盖导体组5504。支承件5548可覆盖导体组5504的顶侧，以包封绝缘导体5506。支承件5548包括大致为平面的顶部表面5548a。屏蔽膜5508的顶部表面5548a和压紧部分5509是基本上共面的。参见图23b，屏蔽电缆5602类似于上文所述和图22b所示的屏蔽电缆5202，但还包括非导电支承件5648，该支承件在屏蔽膜5608和EMI吸收层5650的覆盖部分5607的相对侧部分地覆盖导体组5604。支承件5648仅部分覆盖导体组5604的顶侧，从而使绝缘导体5606部分暴露。参见图23c，屏蔽电缆5702类似于上文所述和图22c所示的屏蔽电缆5302，但还包括非导电支承件5748，该支承件在屏蔽膜5708和EMI吸收层5750的覆盖部分5707的相对侧部分地覆盖导体组5704。支承件5748大致覆盖导体组5704的整个顶侧，从而大致完全包封绝缘导体5706。支承件5748的至少一部分与绝缘导体5706基本上同心。支承件5748的一部分设置在绝缘导体5706和屏蔽膜5708之间。参见图23d，屏蔽电缆5802类似于上文所述和图22d所示的屏蔽电缆5402，但还包括非导电支承件5848，该支承件在屏蔽膜5808和EMI吸收层5850的覆盖部分5807的相对侧部分地覆盖导体组5804。支承件5848仅部分覆盖导体组5804的顶侧，从而使绝缘导体5806部分暴露。支承件5848的一部分设置在绝缘导体5806与屏蔽膜5808之间。现在参见图24a和24b，其分别以透视图和剖视图示出了根据本发明的示例性实施例的电缆构造。一般来讲，带状电缆20102包括一个或多个导体组20104。每一个导体组20104包括两个或更多个沿着X轴沿着电缆20102的长度从一端延伸至另一端的导体(如，导线)20106。每个导体20106沿着电缆的长度被第一电介质20108包围。导体20106固定到第一膜20110和第二膜20112上，其中第一膜和第二膜从电缆20102的一端延伸至另一端并设置在电缆20102的相对侧上。沿着电缆20102的长度在每一个导体组20104的导体20106的第一电介质20108之间保持一致的间距20114。第二电介质20116设置在间距20114内。电介质20116可以包括气隙/空隙和/或某些其他材料。可以使导体组20104的构件之间的间距20114足够一致，使得电缆20102具有与标准包裹双芯同轴电缆相同或比标准包裹双芯同轴电缆更佳的电特性，以及更易于端接并具有更好的端接信号完整性。膜20110、20112可以包括屏蔽材料(如金属箔)和/或EMI吸收材料，并且膜20110、20112可以适形地被成形用于基本上围绕导体组20104。在示出的实例中，膜20110、20112被压紧在一起以形成沿着导体组20104外侧和/或之间的电缆20102的纵长方向延伸的平坦部分20118。在平坦部分29118中，膜20110、20112基本上围绕导体组20104，如，围绕导体组20104的周边，除了膜20110、20112彼此连接的(如，绝缘体和/或粘合剂的)小层部分。例如，屏蔽膜的覆盖部分可以总共包围任何指定的导体组的周边的至少75%、或至少80%、或至少85%或至少90%。虽然此处(和本文其他地方)示出的膜20110、20112可为单独块的膜，但本领域的技术人员将会知道，膜20110、20112也可以替代地由单一薄片的膜形成，如，在纵向路径/线路周围折叠，以便包围导体组20104。
电缆20102还可以包括另外的结构，例如一条或多条排扰线20120。排扰线20120可以沿着电缆20102的长度连续地或在离散的位置处电连接到屏蔽膜20110、20112。通常排扰线20102在电缆的一端或两端处提供使屏蔽材料电端接(如，接地)的便利接入。排扰线20120还可以被构造用于在膜20110、20112之间提供一定程度的直流耦合，如，在膜20110、20112均包括屏蔽材料和EMI吸收材料的情况下。项I是屏蔽电缆，其包括:多个导体组，该多个导体组沿着电缆的长度延伸并沿着电缆的宽度彼此间隔开，每一个导体组包括一个或多个绝缘导体；第一屏蔽膜和第二屏蔽膜，该第一屏蔽膜和该第二屏蔽膜设置在电缆的相对的第一侧和第二侧上，该第一屏蔽膜和该第二屏蔽膜包括覆盖部分和压紧部分，该覆盖部分和该压紧部分被布置为使得在横截面中，该第一屏蔽膜和该第二屏蔽膜的覆盖部分组合起来基本上围绕每一个导体组，并且该第一屏蔽膜和该第二屏蔽膜的压紧部分组合起来在每一个导体组的每一侧上形成电缆的压紧部分；第一 EMI吸收层，该第一 EMI吸收层设置在电缆的第一侧上；和第一粘合剂层，该第一粘合剂层在电缆的压紧部分中将第一屏蔽膜粘合至第二屏蔽膜；其中:多个导体组包括第一导体组，该第一导体组包括相邻的第一绝缘导体和第二绝缘导体，并具有第一屏蔽膜和第二屏蔽膜的对应第一覆盖部分以及在第一导体组的一侧上形成电缆的第一压紧区域的第一屏蔽膜和第二屏蔽膜的对应第一压紧部分；第一屏蔽膜和第二屏蔽膜的第一覆盖部分之间的最大间距为D ；第一屏蔽膜和第二屏蔽膜的第一压紧部分之间的最小间距为Cl1 ；d/D 为小于 0.25;在该第一绝缘导体和第二绝缘导体之间的区域中，该第一屏蔽膜和第二屏蔽膜的第一覆盖部分之间的最小间距为d2 ;并且(12/1)为大于0.33。项2是根据项I所述的电缆，其中(VD为小于0.1。项3是根据项I所述的电缆，其中第一 EMI吸收层设置在第一屏蔽膜和多个导体组之间。项4是根据项I所述的电缆，其中第一屏蔽膜设置在第一 EMI吸收层和多个导体组之间。项5是根据项I所述的电缆，还包括设置在电缆的第二侧上的第二 EMI吸收层。项6是屏蔽电缆，其包括:多个导体组，该多个导体组沿着电缆的长度延伸并沿着电缆的宽度彼此间隔开，每一个导体组包括一个或多个绝缘导体」第一屏蔽膜和第二屏蔽膜，该第一屏蔽膜和该第二屏蔽膜设置在电缆的相对的第一侧和第二侧上，该第一屏蔽膜和该第二屏蔽膜包括覆盖部分和压紧部分，该覆盖部分和该压紧部分被布置为使得在横截面中，该第一屏蔽膜和该第二屏蔽膜的覆盖部分组合起来基本上围绕每一个导体组，并且该第一屏蔽膜和该第二屏蔽膜的压紧部分组合起来在每一个导体组的每一侧上形成电缆的压紧部分；第一 EMI吸收层，该第一 EMI吸收层设置在电缆的第一侧上；和第一粘合剂层，该第一粘合剂层在电缆的压紧部分中将第一屏蔽膜粘合至第二屏蔽膜；其中:多个导体组包括第一导体组，该第一导体组包括相邻的第一绝缘导体和第二绝缘导体，并具有该第一屏蔽膜和该第二屏蔽膜的对应第一覆盖部分以及在该第一导体组的一侧上形成电缆的第一压紧电缆部分的第一屏蔽膜和第二屏蔽膜的对应第一压紧部分；第一屏蔽膜和第二屏蔽膜的第一覆盖部分之间的最大间距为D ；第一屏蔽膜和第二屏蔽膜的第一压紧部分之间的最小间距为Cl1 ；d/D 为小于 0.25 ;和第一绝缘导体相对于第二绝缘导体的高频电隔离基本上小于第一导体组相对于相邻的导体组的高频电隔离。项7是根据项6所述的电缆，其中(VD为小于0.1。项8是根据项6所述的电缆，其中第一绝缘导体相对于第二导体的高频隔离为在3至15GHz的指定频率范围和I米的长度下的第一远端串扰Cl，并且第一导体组相对于相邻导体组的高频隔离为在该指定频率下的第二远端串扰C2，并且其中C2比Cl低至少10dB。项9是根据项6所述的电缆，其中第一屏蔽膜和第二屏蔽膜的覆盖部分组合起来通过包围每一个导体组周边的至少70%而基本上围绕每一个导体组。项10是屏蔽电缆，其包括:多个导体组，该多个导体组沿着电缆的长度延伸并沿着电缆的宽度彼此间隔开，每一个导体组包括一个或多个绝缘导体；第一屏蔽膜和第二屏蔽膜，该第一屏蔽膜和该第二屏蔽膜包括同心部分、压紧部分和过渡部分，该同心部分、该压紧部分和该过渡部分被布置为使得在横截面中，该同心部分与每一个导体组的一个或多个末端导体基本上同心，该第一屏蔽膜和该第二屏蔽膜的压紧部分组合起来在该导体组的两侧上形成电缆的压紧部分，并且该过渡部分提供该同心部分与该压紧部分之间的逐渐过渡；和第一 EMI吸收层，该第一 EMI吸收层设置在多个导体组上；其中每一个屏蔽膜包括导电层；过渡部分中的第一过渡部分靠近一个或多个末端导体中的第一末端导体，并具有被限定为第一屏蔽膜和第二屏蔽膜的导电层、同心部分与靠近第一末端导体的压紧部分中的第一压紧部分之间的区域的横截面积A1，其中A1小于第一末端导体的横截面积；并且每一个屏蔽膜的横截面以在该电缆的整个宽度上改变的曲率半径来表征，屏蔽膜中的每一个在该电缆的整个宽度上的曲率半径为至少100微米。项11是根据项10所述的电缆，其中横截面积A1包括第一压紧部分的边界作为一条边界，该边界由沿着第一压紧部分的位置限定，在该位置处，第一屏蔽膜和第二屏蔽膜之间的间距d为在第一压紧部分处第一屏蔽膜和第二屏蔽膜之间的最小间距Cl1的约1.2至约1.5倍。项12是根据项11所述的电缆，其中横截面积Al包括线段作为一条边界，该线段具有在第一屏蔽膜的拐点处的第一端点。项13是根据项11所述的电缆，其中线段具有在第二屏蔽膜的拐点处的第二端点。项14是屏蔽电缆，其包括:多个导体组，该多个导体组沿着电缆的长度延伸并沿着电缆的宽度彼此间隔开，每一个导体组包括一个或多个绝缘导体；第一屏蔽膜和第二屏蔽膜，该第一屏蔽膜和该第二屏蔽膜包括同心部分、压紧部分和过渡部分，该同心部分、该压紧部分和该过渡部分被布置为使得在横截面中，该同心部分与每一个导体组的一个或多个末端导体基本上同心，该第一屏蔽膜和该第二屏蔽膜的压紧部分组合起来在该导体组的两侧上形成电缆的压紧区域，并且该过渡部分提供该同心部分与该压紧部分之间的逐渐过渡；和第一 EMI吸收层，该第一 EMI吸收层设置在多个导体组上；其中两个屏蔽膜中的一者包括同心部分中的第一同心部分、压紧部分中的第一压紧部分，以及过渡部分中的第一过渡部分，该第一过渡部分将第一同心部分连接至第一压紧部分；第一同心部分具有曲率半径R1,过渡部分具有曲率半径;并且IVr1在2至15范围内。本文出于说明优选实施例的目的对本公开所论述的实施例进行了图示和描述，但本领域的普通技术人员应当理解，在不脱离本发明的范围的前提下，各种旨在达到相同目的的替代和/或等同形式的具体实施可以取代图示和描述的具体实施例。机械、机电以及电气领域的技术人员将很容易理解到，本发明可以在众多实施例中实施。本专利申请旨在涵盖本文所讨论的优选实施例的任何修改形式或变型形式。因此，显而易见，本发明仅受本发明权利要求书及其等同物的限制。
权利要求
1.一种屏蔽电缆，包括: 多个导体组，所述多个导体组沿着所述电缆的长度延伸并沿着所述电缆的宽度彼此间隔开，每一个导体组包括一个或多个绝缘导体； 第一屏蔽膜和第二屏蔽膜，所述第一屏蔽膜和所述第二屏蔽膜设置在所述电缆的相对的第一侧和第二侧上，所述第一屏蔽膜和所述第二屏蔽膜包括覆盖部分和压紧部分，所述覆盖部分和所述压紧部分被布置为使得在横截面中，所述第一屏蔽膜和所述第二屏蔽膜的覆盖部分组合起来基本上围绕每一个导体组，并且所述第一屏蔽膜和所述第二屏蔽膜的压紧部分组合起来在每一个导体组的每一侧上形成所述电缆的压紧部分； 第一 EMI吸收层，所述第一 EMI吸收层设置在所述电缆的所述第一侧上；和第一粘合剂层，所述第一粘合剂层在所述电缆的压紧部分中将所述第一屏蔽膜粘合至所述第二屏蔽膜； 其中: 所述多个导体组包括第一导体组，所述第一导体组包括相邻的第一绝缘导体和第二绝缘导体，并具有所述第一屏蔽膜和所述第二屏蔽膜的对应第一覆盖部分以及在所述第一导体组的一侧上形成所述电缆的第一压紧区域的所述第一屏蔽膜和所述第二屏蔽膜的对应第一压紧部分； 所述第一屏蔽膜和所述第二屏蔽膜的所述第一覆盖部分之间的最大间距为D ； 所述第一屏蔽膜和所述第二屏蔽膜的所述第一压紧部分之间的最小间距为Cl1 ； VD为小于0.25 ； 在所述第一绝缘导体和所述第二绝缘导体之间的区域中，所述第一屏蔽膜和所述第二屏蔽膜的所述第一覆盖部分之间的最小间距为d2 ;并且d2/D为大于0.33。
2.根据权利要求1所述的电缆，其中(V!)为小于0.1。
3.根据权利要求1所述的电缆，其中所述第一EMI吸收层设置在所述第一屏蔽膜和所述多个导体组之间。
4.根据权利要求1所述的电缆，其中所述第一屏蔽膜设置在所述第一EMI吸收层和所述多个导体组之间。
5.根据权利要求1所述的电缆，还包括设置在所述电缆的所述第二侧上的第二EMI吸收层。
6.一种屏蔽电缆，包括: 多个导体组，所述多个导体组沿着所述电缆的长度延伸并沿着所述电缆的宽度彼此间隔开，每一个导体组包括一个或多个绝缘导体； 第一屏蔽膜和第二屏蔽膜，所述第一屏蔽膜和所述第二屏蔽膜包括同心部分、压紧部分和过渡部分，所述同心部分、所述压紧部分和所述过渡部分被布置为使得在横截面中，所述同心部分与每一个导体组的一个或多个末端导体基本上同心，所述第一屏蔽膜和所述第二屏蔽膜的所述压紧部分组合起来在所述导体组的两侧上形成所述电缆的压紧部分，并且所述过渡部分提供所述同心部分与所述压紧部分之间的逐渐过渡；和 第一 EMI吸收层，所述第一 EMI吸收层设置在所述多个导体组上_l其中 每一个屏蔽膜包括导电层；所述过渡部分中的第一过渡部分靠近所述一个或多个末端导体中的第一末端导体，并具有被限定为所述第一屏蔽膜和所述第二屏蔽膜的所述导电层、所述同心部分与靠近所述第一末端导体的所述压紧部分中的第一压紧部分之间的区域的横截面积A1，其中A1小于所述第一末端导体的横截面积；并且 每一个屏蔽膜的横截面以在所述电缆的整个宽度上改变的曲率半径来表征，屏蔽膜中的每一个在所述电缆的整个宽度上的曲率半径为至少100微米。
7.根据权利要求6所述的电缆，其中所述横截面积A1包括所述第一压紧部分的边界作为一条边界，所述边界由沿着所述第一压紧部分的位置限定，在该位置处，所述第一屏蔽膜和所述第二屏蔽膜之间的间距d为在所述第一压紧部分处所述第一屏蔽膜和所述第二屏蔽膜之间的最小间距Cl1的约1.2至约1.5倍。
8.根据权利要求7所述的电缆，其中所述横截面积A1包括线段作为一条边界，所述线段具有在所述第一屏蔽膜的拐点处的第一端点。
9.根据权利要求7所述的电缆，其中所述线段具有在所述第二屏蔽膜的拐点处的第二端点。
10.一种屏蔽电缆,包括: 多个导体组，所述多 个导体组沿着所述电缆的长度延伸并沿着所述电缆的宽度彼此间隔开，每一个导体组包括一个或多个绝缘导体； 第一屏蔽膜和第二屏蔽膜，所述第一屏蔽膜和所述第二屏蔽膜包括同心部分、压紧部分和过渡部分，所述同心部分、所述压紧部分和所述过渡部分被布置为使得在横截面中，所述同心部分与每一个导体组的一个或多个末端导体基本上同心，所述第一屏蔽膜和所述第二屏蔽膜的压紧部分组合起来在所述导体组的两侧上形成所述电缆的压紧区域，并且所述过渡部分提供所述同心部分与所述压紧部分之间的逐渐过渡；和 第一 EMI吸收层，所述第一 EMI吸收层设置在所述多个导体组上；其中所述两个屏蔽膜中的一者包括同心部分中的第一同心部分、所述压紧部分中的第一压紧部分，以及所述过渡部分中的第一过渡部分，所述第一过渡部分将所述第一同心部分连接至所述第一压紧部分； 第一同心部分具有曲率半径R1,过渡部分具有曲率半径η ;并且 札/^在〗至15范围内。
全文摘要
本发明公开了一种屏蔽电缆(2202)，所述屏蔽电缆(2202)包括沿着所述电缆的长度延伸并沿着所述电缆的宽度彼此间隔开的多个导体组(2204a、2204b)。每一个导体组(2204a、2204b)包括一个或多个绝缘导体(2206a、2206b)以及设置在所述电缆的相对的第一侧和第二侧上的第一屏蔽膜和第二屏蔽膜(2208)。所述第一膜和第二膜(2208)包括覆盖部分(2207)和压紧部分(2209)。电缆(2202)还包括EMI吸收层(2250)。所述第一和第二屏蔽膜的所述第一覆盖部分之间的最大间距为D。所述第一和第二绝缘导体(2206a、2206b)之间的区域中的所述第一和第二屏蔽膜(2208)的所述第一压紧部分(2209)之间的最小间距为d2。d2/D大于0.33。
文档编号H01B7/08GK103119661SQ201080069249
公开日2013年5月22日 申请日期2010年12月16日 优先权日2010年9月23日
发明者道格拉斯·B·贡德尔 申请人:3M创新有限公司