屏蔽电缆和屏蔽带的制作方法
【技术领域】
[0001]本实用新型涉及能够减轻成为外来噪声产生原因的外部磁场和外部电磁波双方的影响的屏蔽电缆和屏蔽带。
【背景技术】
[0002]以往，屏蔽电缆中，通过在信号线的周围设置由多根屏蔽线材构成的编织屏蔽物来减轻成为外来噪声产生原因的外部电磁波的影响。
[0003]然而，伴随作为外部电磁波产生源的电子设备等的信号传输速度的高速化，高频带域的外部电磁波有可能会通过存在于屏蔽线材之间的间隙到达信号线。
[0004]因此，通过进一步缠绕屏蔽带，阻塞存在于屏蔽线材之间的间隙，从而防止高频带域的外部电磁波通过存在于屏蔽线材之间的间隙到达信号线。
[0005]此外，仅使用编织屏蔽物时，无法减轻成为外来噪声产生原因的外部磁场的影响，因此，另外在屏蔽电缆的末端部等安装有铁氧体磁芯(例如，参照专利文献1)。
[0006]现有技术文献
[0007]专利文献
[0008]专利文献1:日本实用新案登录第3172343号公报【实用新型内容】
[0009]实用新型所要解决的课题
[0010]然而，铁氧体磁芯毫无柔软性，因此在屏蔽电缆的末端部等安装铁氧体磁芯会损害屏蔽电缆末端部等的可挠性、耐弯曲性，从而例如在铁氧体磁芯的根部引起伴随屏蔽电缆的弯曲等的应力集中，屏蔽电缆变得容易断线。
[0011]因此，本实用新型的目的在于，提供能够维持可挠性、耐弯曲性并且发挥电磁屏蔽性能和磁屏蔽性能的屏蔽电缆和屏蔽带。
[0012]用于解决课题的方法
[0013]为了达成该目的而设计的本实用新型涉及一种屏蔽电缆，其具备至少一根信号线、设置于所述信号线周围的编织屏蔽物、缠绕于所述编织屏蔽物周围的屏蔽带和设置于所述屏蔽带周围的外罩，所述屏蔽带具有带基材、设置于所述带基材外表面且由含有磁性体粉和热熔融型粘接剂的磁性树脂组合物形成的磁性热熔融型粘接层、以及设置于所述带基材内表面且由导电性金属形成的导电性金属层，所述磁性热熔融型粘接层与所述外罩密合，并且所述导电性金属层与所述编织屏蔽物接触。
[0014]优选所述外罩包含实心挤出被覆层，所述磁性热熔融型粘接层与所述外罩熔接。
[0015]优选所述磁性体粉由纳米晶软磁合金形成，所述热熔融型粘接剂由烯烃系树脂形成。作为纳米晶软磁合金，例如可以使用Finemet(注册商标)。
[0016]本实用新型还涉及一种屏蔽带，其是用于屏蔽电缆的屏蔽带，所述屏蔽带具有带基材、设置于所述带基材表面且由含有磁性体粉和热熔融型粘接剂的磁性树脂组合物形成的磁性热熔融型粘接层、以及设置于所述带基材背面且由导电性金属形成的导电性金属层。
[0017]优选所述磁性体粉由纳米晶软磁合金形成，所述热熔融型粘接剂由烯烃系树脂形成。作为纳米晶软磁合金，例如可以使用Finemet(注册商标)。
[0018]实用新型的效果
[0019]根据本实用新型，可提供能够维持可挠性、耐弯曲性并且发挥电磁屏蔽性能和磁屏蔽性能的屏蔽电缆和屏蔽带。
【附图说明】
[0020]图1是表示本实用新型的实施方式所涉及的屏蔽电缆的截面图。
[0021]图2是表示图1中的屏蔽电缆的截面图。
[0022]符号说明
[0023]100屏蔽电缆
[0024]101信号线
[0025]102编织屏蔽物
[0026]103屏蔽带
[0027]104 外罩
[0028]201带基材
[0029]202磁性热熔融型粘接层
[0030]203导电性金属层
【具体实施方式】
[0031]以下，按照附图对本实用新型的优选实施方式进行说明。
[0032]如图1所示，本实用新型的优选实施方式所涉及的屏蔽电缆100具备:至少一根信号线101、设置于信号线101周围的编织屏蔽物102、缠绕于编织屏蔽物102周围的屏蔽带103、和设置于屏蔽带103周围的外罩104。
[0033]信号线101例如由同轴电缆构成，编织屏蔽物102由导电性高的铜、铜合金所形成的多根屏蔽线材构成。
[0034]如图2所示，屏蔽带103具有带基材201、设置于带基材201外表面且由含有磁性体粉和热熔融型粘接剂的磁性树脂组合物形成的磁性热熔融型粘接层202、以及设置于带基材201内表面且由导电性金属形成的导电性金属层203，磁性热熔融型粘接层202与外罩104密合，并且导电性金属层203与编织屏蔽物102接触。
[0035]带基材201由机械强度高的聚对苯二甲酸乙二醇酯形成，层厚为7 μπι以上15 μm以下程度，这是因为，在带基材201的层厚小于7μπι的情况下，屏蔽带103的机械强度变低，因此当在编织屏蔽物102周围缠绕屏蔽带103时，屏蔽带103有可能会断裂，而在带基材201的层厚超过15 μ m的情况下，屏蔽带103的可挠性降低，因此有可能难以在编织屏蔽物102周围缠绕屏蔽带103。
[0036]磁性热熔融型粘接层202的层厚为20 μm以上50 μm以下程度。这是因为，在磁性热熔融型粘接层202的层厚小于20 μ m的情况下，有可能无法充分地确保屏蔽带103和外罩104的密合性，而在磁性热熔融型粘接层202的层厚超过50 μ m的情况下，屏蔽带103的可挠性降低，因此有可能难以在编织屏蔽物102周围缠绕屏蔽带103。
[0037]构成磁性热熔融型粘接层202的磁性体粉例如由日立金属株式会社制的Finemet (注册商标)形成。Finemet (注册商标)是饱和磁束密度和透磁率高的纳米晶软磁性材料，因此通过采用Finemet (注册商标)，能够在屏蔽电缆100中发挥高磁屏蔽性能。
[0038]构成磁性热熔融型粘接层202的热熔融型粘接剂由例如烯烃系树脂形成。烯烃系树脂不含卤系化合物，因此通过采用烯烃系树脂，能够减轻环境负荷。
[0039]导电性金属层203由导电性高的铜、铜合金等形成，层厚为7 μπι以上15 μm以下程度。这是因为，在导电性金属层203的层厚小于7 μπι的情况下，有可能无法充分地发挥电磁屏蔽性能，而在导电性金属层203的层厚超过15 μ m的情况下，屏蔽带103的可烧性降低，因此有可能难以在编织屏蔽物102周围缠绕屏蔽带103。
[0040]外罩104通过在屏蔽带103周围实心挤出被覆氟树脂等来形成，由于其实心挤出被覆时的挤出热，磁性热熔融型粘接层202熔融并与外罩104熔接，从而磁性热熔融型粘接层202与外罩104牢固地密合。
[0041]如上所述，屏蔽电缆100中，由编织屏蔽物102和导电性金属层203构成电磁屏蔽层，并且由磁性热熔融型粘接层202构成磁屏蔽层，因此即使不在屏蔽电缆末端部等另外安装铁氧体磁芯，也能够减轻成为外来噪声产生原因的外部磁场和外部电磁波双方的影响。
[0042]另外，为了减轻成为外来噪声产生原因的外部磁场和外部电磁波双方的影响，希望磁屏蔽层存在于电磁屏蔽层的外侧。
[0043]此外，屏蔽带103难以降低屏蔽电缆100的可挠性、耐弯曲性，因此通过采用屏蔽带103，能够维持可挠性、耐弯曲性并且发挥电磁屏蔽性能和磁屏蔽性能。
[0044]进而，屏蔽电缆100中，磁性热熔融型粘接层202沿全长与外罩104密合，不会在屏蔽电缆100弯曲时等发生屏蔽带103的位置偏离而产生间隙，因而能够确实地发挥电磁屏蔽性能和磁屏蔽性能。
[0045]此外，屏蔽电缆100中，导电性金属层203沿全长与编织屏蔽物102接触，因此仅通过将编织屏蔽物102或导电性金属层203与接地端子连接，就能够容易地将编织屏蔽物102和导电性金属层203双方接地。
[0046]因此，根据本实用新型，可提供能够维持可挠性、耐弯曲性并且发挥电磁屏蔽性能和磁屏蔽性能的屏蔽电缆和屏蔽带。
【主权项】
1.一种屏蔽电缆，其特征在于，具备: 至少一根信号线、 设置于所述信号线周围的编织屏蔽物、 缠绕于所述编织屏蔽物周围的屏蔽带、和 设置于所述屏蔽带周围的外罩， 所述屏蔽带具有带基材、设置于所述带基材外表面且由含有磁性体粉和热熔融型粘接剂的磁性树脂组合物形成的磁性热熔融型粘接层、以及设置于所述带基材内表面且由导电性金属形成的导电性金属层， 所述磁性热熔融型粘接层与所述外罩密合，并且所述导电性金属层与所述编织屏蔽物接触。2.如权利要求1所述的屏蔽电缆，其特征在于，所述外罩包含实心挤出被覆层，所述磁性热熔融型粘接层与所述外罩熔接。3.如权利要求1或2所述的屏蔽电缆，其特征在于，所述磁性体粉由纳米晶软磁合金形成，所述热熔融型粘接剂由烯烃系树脂形成。4.一种屏蔽带，其特征在于，其是用于屏蔽电缆的屏蔽带， 所述屏蔽带具有: 带基材、 设置于所述带基材表面且由含有磁性体粉和热熔融型粘接剂的磁性树脂组合物形成的磁性热熔融型粘接层、以及 设置于所述带基材背面且由导电性金属形成的导电性金属层。5.如权利要求4所述的屏蔽带，其特征在于，所述磁性体粉由纳米晶软磁合金形成，所述热熔融型粘接剂由烯烃系树脂形成。
【专利摘要】本实用新型提供能够维持可挠性、耐弯曲性且发挥电磁屏蔽性能和磁屏蔽性能的屏蔽电缆和屏蔽带。屏蔽电缆(100)具备信号线(101)、设置于信号线(101)周围的编织屏蔽物(102)、缠绕于编织屏蔽物(102)周围的屏蔽带(103)和设置于屏蔽带(103)周围的外罩(104)，屏蔽带(103)具有带基材(201)、设置于带基材(201)外表面且由含有磁性体粉和热熔融型粘接剂的磁性树脂组合物形成的磁性热熔融型粘接层(202)、及设置于带基材(201)内表面且由导电性金属形成的导电性金属层(203)，磁性热熔融型粘接层(202)与外罩(104)密合，且导电性金属层(203)与编织屏蔽物(102)接触。
【IPC分类】H01B7/04, H01B11/06, H01B7/17
【公开号】CN205039010
【申请号】CN201520815418
【发明人】黄得天, 渡部考信, 西浦纪裕
【申请人】日立金属株式会社
【公开日】2016年2月17日
【申请日】2015年10月20日