专利名称：提高发光二极管亮度的发光芯片及其封装方法
技术领域：
本发明涉及发光二极管生产工艺，更具体的说是一种提高发光二极管亮度的发光芯片及其封装方法。
背景技术：
随着我国工业的发展，发光二极管照明灯具的技术越来越成熟，由于发光二极管照明灯具的亮度较高，且功率较小，因此在工业以及日常生活中的应用也越来越普遍，其中又以白色的发光二极管照明灯具的应用最多，而目前发光二极管封装工艺流程是在封装阶段将配比好的荧光粉与胶水混合后点涂在发光二极管灯具的支架杯体内侧，在荧光粉的作用下使发光芯片的发光颜色得到合理的调配，但是此种封装工艺由于是将点涂的荧光粉和胶水直接覆盖在发光芯片上，在一定程度上降低了发光芯片的透光率，无法使发光二极管产品的光照度发挥到最佳状态，有必要提出进一步的改进。
发明内容
本发明的目的在于解决上述不足，提供一种提高发光二极管亮度的发光芯片及其封装方法。为解决上述的技术问题，本发明采用以下技术方案本发明一方面提供了一种提高发光二极管亮度发光芯片的封装方法，所述的方法为将透明陶瓷制作成纳米结构和一定比例的荧光粉以及胶水混合，均勻涂抹在芯片本体的外表面上，待其干燥后完成封装上述更进一步的技术方案是所述的纳米结构的透明陶瓷、荧光粉与胶水之间的比例为0.5 2 15 24 75 85。上述更进一步的技术方案是所述的透明陶瓷是氧化铝或氮化铝。上述更进一步的技术方案是所述的胶水是A/B胶水。本发明还提供了一种提高发光二极管亮度的发光芯片，包括发光芯片本体，所述的芯片本体的外表面设置有透明陶瓷制作成纳米结构和一定比例的荧光粉以及胶水的混合成。
上述更进一步的技术方案是所述的透明陶瓷是氧化铝或氮化铝。上述更进一步的技术方案是所述的胶水是A/B胶水。与现有技术相比，本发明的有益效果是通过在制成纳米结构的透明陶瓷中混合荧光粉和胶水涂抹在发光芯片的外表面，利用透明陶瓷的高透光性，且其本身具有散光的特性，通过多次的反射，有效的提高了发光二极管产品器件的亮度，同时透明陶瓷的导热性能优异，可帮助发光芯片在工作过程中散发热量，延长其使用寿命，且本发明可应用于各种规格的发光二极管中，易于推广。
图1为本发明实施例二的结构示意图。
具体实施例方式下面结合附图对本发明作进一步阐述。实施例一本发明提供的一种提高发光二极管亮度发光芯片的封装方法，所述的方法按照如下的步骤进行操作步骤一、将透明陶瓷制作成纳米结构和一定比例的荧光粉以及胶水混合搅拌均勻后，纳米结构的透明陶瓷、荧光粉与胶水之间的配比优选为1 19 80，而透明陶瓷则可在氧化铝或氮化铝当中任意选择，胶水则最好采用A/B胶水，所述的A/B胶水则采用硅胶作为主剂，配以催化剂搅拌制成；步骤二、将按照步骤一中配比混合完成的胶液均勻的涂抹在发光芯片的外表面， 也可以直接将胶液灌注进芯片本体所安装的杯体中，然后在40摄氏度的温度下放置2小时，此时由于透明陶瓷的质量大于荧光粉，因此灌注或涂抹后透明陶瓷在A/B胶水中的沉降速度快，放置时间结束后透明陶瓷会在A/B胶水固化前先沉降在荧光粉的下方；步骤三、对胶液略微干燥的发光二极管芯片进行烘烤，依次在80摄氏度下烘烤2 小时，再在120摄氏度下烘烤30分钟，此时芯片本体外表面或其安装的杯体中的胶液完全干燥，即完成整个发光二极管的封装。实施例二如图1所示，本发明所提供的一种提高发光二极管亮度的发光芯片，包括发光芯片本体1，所述的芯片本体1的外表面设置有透明陶瓷制作成纳米结构和一定比例的荧光粉以及胶水的混合层2，最好将混合层2胶液灌注在芯片本体1所安装的杯体3中，使混合层置于芯片本体1的外表面上。混合层2中的透明陶瓷优选氧化铝或氮化铝，而胶水则最好采用A/B胶水，所述的A/B胶水依然采用硅胶作为主剂，配以催化剂搅拌制成。本发明的提高发光二极管亮度的发光芯片在实际使用过程中，利用透明陶瓷的高透光性，且其本身具有散光的特性，通过多次的反射，增强发光芯片的亮度，荧光粉可改变光线的颜色，该结构尤其适合制作白光发光二极管。
权利要求
1.一种提高发光二极管亮度发光芯片的封装方法，其特征在于所述的方法为将透明陶瓷制作成纳米结构和一定比例的荧光粉以及胶水混合，均勻涂抹在芯片本体的外表面上或者灌注在芯片本体所安装的杯体中，待其完全干燥后完成封装。
2.根据权利要求1所述的提高发光二极管亮度芯片的封装方法，其特征在于所述的纳米结构的透明陶瓷、荧光粉与胶水之间的比例为0.5 2 15 M 75 85。
3.根据权利要求1所述的提高发光二极管亮度芯片的封装方法，其特征在于所述的透明陶瓷是氧化铝或氮化铝。
4.根据权利要求1所述的提高发光二极管亮度芯片的封装方法，其特征在于所述的胶水是A/B胶水。
5.一种提高发光二极管亮度的发光芯片，包括发光芯片本体，其特征在于所述的芯片本体的外表面设置有透明陶瓷制作成纳米结构和一定比例的荧光粉以及胶水的混合层。
6.根据权利要求5所述的提高发光二极管亮度芯片的封装方法，其特征在于所述的透明陶瓷是氧化铝或氮化铝。
7.根据权利要求5所述的提高发光二极管亮度芯片的封装方法，其特征在于所述的胶水是A/B胶水。
全文摘要
本发明公开了一种提高发光二极管亮度的发光芯片及其封装方法，所述的方法为将透明陶瓷制作成纳米结构和一定比例的荧光粉以及胶水混合，均匀涂抹在芯片本体的外表面上或者灌注在芯片本体所安装的杯体中，待其完全干燥后完成封装。通过在制成纳米结构的透明陶瓷中吻合荧光粉和胶水涂抹在发光芯片的外表面，利用透明陶瓷的高透光性，且其本身具有散光的特性，通过多次的反射，有效的提高了发光二极管产品器件的亮度，同时透明陶瓷的导热性能优异，可帮助发光芯片在工作过程中散发热量，延长其使用寿命，且本发明可应用于各种规格的发光二极管中，易于推广。
文档编号H01L33/56GK102263193SQ20111020208
公开日2011年11月30日 申请日期2011年7月19日 优先权日2011年7月19日
发明者任恒 申请人:四川九洲光电科技股份有限公司