专利名称：用于晶片边缘曝光的方法、光学模块和自动聚焦系统的制作方法
技术领域：
本发明涉及一种用于去除晶片边缘的光致抗蚀剂的方法和设备，特别涉及一种能够利用晶片边缘曝光更精确地去除晶片边缘上的光致抗蚀剂的方法、光学模块和自动聚焦系统。
背景技术：
微电子产业的飞速发展要求半导体器件的特征尺寸越来越小，器件特征尺寸的减小在很大程度上依赖于光刻工艺。
光刻工艺主要包括三个步骤，即光致抗蚀剂的涂敷、曝光和显影，其中光致抗蚀剂的涂敷为光刻工艺的第一步，因此光致抗蚀剂的涂敷的优劣直接影响后续工艺的成品率。 对于光致抗蚀剂的涂敷而言，涂敷在晶片上的光致抗蚀剂层必须具备均匀的厚度，现有技术中一般采用旋涂的方式。旋涂是指将晶片固定于旋涂机台的旋转轴上，在晶片处于旋转的状况下进行光致抗蚀剂的涂敷，利用离心力使光致抗蚀剂均匀分布于晶片的表面。利用旋涂形成的光致抗蚀剂层虽然在晶片的中央区(也称作有效区域)具有均匀的厚度，但是在晶片边缘的区域容易产生光致抗蚀剂的堆积，这样的在晶片边缘的光致抗蚀剂的堆积称为晶边(edge bead)。在晶片边缘堆积的光致抗蚀剂在后续工艺(如烘烤)中容易发生剥离或在晶片上产生颗粒，进而影响中央区的图形转移，使得无法得到良好的图形。此外，光致抗蚀剂的堆积还可能造成机台污染等问题。因此，在光致抗蚀剂的涂敷后，一般会进行晶边去除工艺以去除晶片边缘的光致抗蚀剂。
常见的晶边去除工艺有两种。一种是化学方法，在旋涂光致抗蚀剂后，喷出少量溶剂在晶片的正反面边缘，并控制溶剂不要到达晶片的中央区。但是利用该化学方法去除晶边比较粗糙，空间分辨率较低，为约O. 5-lmm。另一种方法是光学方法，即晶片边缘曝光 (WEE)，在旋涂光致抗蚀剂后，通过将图形定义元件(例如具有孔的掩模)在晶片边缘的投影来将图形传递到晶片边缘的光致抗蚀剂上，例如图1所示。在完成晶片边缘上的图形曝光后，进行显影处理以去除晶片边缘的光致抗蚀剂。虽然与化学方法相比，利用该光学方法能较为精确地控制要去除的晶边的宽度和位置，提高了空间分辨率。但是，由于图形定义元件的投影将导致大约50μπι的模糊边缘，因此利用该光学方法去除晶边后，仍存在相当宽的光致抗蚀剂被部分去除的过渡区域。这样的过渡区域很容易引入缺陷，降低工艺的成品率。
因此，需要一种能够更精确地去除晶片边缘的光致抗蚀剂的方法和设备。发明内容
本发明的发明人发现上述现有技术中存在问题，并因此针对所述问题中的至少一个问题提出了一种新的技术方案。
根据本发明的第一方面，提供了一种用于晶片边缘曝光的光学模块，包括光源、具有孔的掩模板和曝光光学器件，所述光源用于发射使光致抗蚀剂曝光所需波长的光，所述掩模板位于所述光源和所述曝光光学器件之间，从所述光源发射的光经过所述掩模板后到 达所述曝光光学器件，所述曝光光学器件用于将所述孔成像到涂敷有光致抗蚀剂的晶片边 缘，以形成聚焦的光斑。所述光源、具有孔的掩模板和曝光光学器件的位置以及所述孔的尺 寸被设置为使得入射光的光轴垂直于晶片表面，并且使得所述光斑在晶片上沿晶片径向完 全覆盖所述晶片边缘。
优选地，所述曝光光学器件包括透镜或透镜组。
优选地，所述光学模块还包括设置在所述光源和所述掩模板之间的光束均质器， 其中所述光源发射的光经所述光束均质器后变为强度分布均匀的光照射到所述掩模板。
根据本发明的第二方面，提供了一种利用光学模块进行晶片边缘曝光的方法，所 述光学模块包括光源、具有孔的掩模板和曝光光学器件，所述方法包括如下步骤将所述掩 模板设置在所述光源和所述曝光光学器件之间；所述光源发射使光致抗蚀剂曝光所需波长 的光；从所述光源发射的光经过所述掩模板的所述孔后到达所述曝光光学器件；所述曝光 光学器件将所述孔成像到涂敷有光致抗蚀剂的晶片边缘，以形成聚焦的光斑；以及设置所 述光源、具有孔的掩模板和曝光光学器件的位置以及所述孔的尺寸，以使得入射光的光轴 垂直于晶片表面，并且使得所述光斑在晶片上沿晶片径向完全覆盖所述晶片边缘。
优选地，所述方法还包括旋转所述晶片以利用所述聚焦的光斑使整个晶片边缘被 曝光，以及进行显影处理以去除整个晶边边缘的光致抗蚀剂。
优选地，所述方法还包括使所述光源发射的光经过光束均质器后变为强度分布均 匀的光照射到所述掩模板。
根据本发明的第三方面，提供了一种用于晶片边缘曝光的自动聚焦系统，包括光 学模块、控制模块和光路调节模块。所述光学模块包括光源、第一掩模板、第一光学器件和 第二光学器件，所述光源用于发射使光致抗蚀剂曝光所需波长的光，从所述光源发射的光 依次经过所述第一掩模板、第一光学器件和第二光学器件后到达晶片边缘，所述第一掩模 板具有第一孔，所述第一光学器件用于将来自所述第一掩模板的所述第一孔的光引导到所 述第二光学器件，所述第二光学器件用于将所述第一孔成像到涂敷有光致抗蚀剂的晶片边 缘以形成光斑。所述光源、第一掩模板的第一孔、第一光学器件和第二光学器件在所述光学 模块中的位置以及所述第一孔的尺寸被设置为使得入射光的光轴能够垂直于晶片表面，并 且使得所述光斑在晶片上沿晶片径向完全覆盖所述晶片边缘。所述光学模块还包括具有第 二孔的第二掩模板和光探测器。所述第二掩模板的第二孔被设置为与所述第一掩模板的第 一孔关于所述第一光学器件的半反射面呈镜像对称，并且所述第二掩模板的第二孔的尺寸 与所述第一掩模板的第一孔的尺寸相等，其中从所述晶片边缘反射的光经过所述第二光学 器件后由所述第一光学器件引导到所述第二掩模板。所述光探测器设置在与所述第二掩模 板的设置有所述第一光学器件的一侧相反的一侧，用于收集进入所述第二掩模板的第二孔 的光并输出光强信号。所述第二掩模板的位置被设置为使得，当所述光斑处于聚焦状态时 由所述光探测器输出的第一光强信号大于当所述光斑处于离焦状态时由所述光探测器输 出的光强信号。所述控制模块用于当所述光探测器输出的光强信号小于所述第一光强信号 时，输出控制信号。所述光路调节模块包括第一光路调节机构，附接到所述光学模块，用于 来自所述控制模块的控制信号调节所述光学模块相对于水平面的倾斜程度以使得入射光 的光轴垂直于晶片表面；和第二光路调节机构，附接到所述光学模块，用于根据来自所述控制模块的控制信号在垂直于晶片表面的方向上调节所述光学模块的位置以使得所述光斑 处于聚焦状态。
优选地，所述第二光路调节机构包括平移部件、螺线管和铁磁轴，通过调节所述螺 线管的电流大小来调节所述铁磁轴的位置，从而沿着平移部件移动所述光学模块。
优选地，所述第二光路调节机构包括平移部件和步进马达，通过调节所述步进马 达的螺杆来沿着平移部件移动所述光学模块。
优选地，所述第一光学器件包括分束器。
优选地，所述第二光学器件包括透镜或透镜组。
优选地，所述光学模块还包括设置在所述光源和所述第一掩模板之间的光束均质 器，其中所述光源发射的光经所述光束均质器后变为强度分布均匀的光。
优选地，所述控制模块被配置用于输出增加所述光源的驱动电流的信号，以便增 加所述光源的光强。
优选地，所述光源、所述光探测器、所述第二光路调节机构通过线缆连接到所述控 制模块。
优选地，所述光探测器是二维阵列探测器。
优选地，所述光探测器是电荷耦合探测器或CMOS探测器的二维阵列。
优选地，所述二维阵列探测器的最小阵列为2乘以2。
优选地，所述光路调节模块还包括支撑机构，所述支撑机构包括背板、顶板和弹簧。
根据本发明的第四方面，提供了一种利用自动聚焦系统进行晶片边缘曝光的方 法，所述自动聚焦系统包括光学模块、控制模块和光路调节模块，所述光学模块包括光源、 具有第一孔的第一掩模板、具有第二孔的第二掩模板、第一光学器件、第二光学器件和光探 测器，所述方法包括如下步骤所述光源发射使光致抗蚀剂曝光所需波长的光；从所述光 源发射的光经过所述第一掩模板后入射到所述第一光学器件；所述第一光学器件将来自 所述第一掩模板的所述第一孔的光引导到所述第二光学器件；所述第二光学器件将所述 第一孔成像到涂敷有光致抗蚀剂的晶片边缘，以形成光斑；设置所述光源、第一掩模板的第 一孔、第一光学器件和第二光学器件在所述光学模块中的位置以及所述第一孔的尺寸以使 得入射光的光轴能够垂直于晶片表面，并且使得所述光斑在晶片上沿晶片径向完全覆盖所 述晶片边缘；入射到晶片边缘的光被反射后依次经过所述第二光学器件和所述第一光学器 件；所述第一光学器件将来自所述第二光学器件的光引导到所述第二掩模板；所述光探测 器收集进入所述第二掩模板的第二孔的光并输出光强信号；设置所述第二掩模板的第二孔 的位置和所述第二孔的尺寸，以使得所述第二掩模板的第二孔被设置为与所述第一掩模板 的第一孔关于所述第一光学器件的半反射面呈镜像对称，并且所述第二掩模板的第二孔的 尺寸与所述第一掩模板的第一孔的尺寸相等，其中当所述光斑处于聚焦状态时由所述光探 测器输出的第一光强信号大于当所述光斑处于离焦状态时由所述光探测器输出的光强信 号；当所述光探测器输出的光强信号小于所述第一光强信号时，所述控制模块向所述光路 调节模块的第二光路调节机构输出控制信号；以及所述第二光路调节机构根据所述控制信 号在垂直于晶片表面的方向上调节所述光学模块的位置以使得所述光斑处于聚焦状态。
优选地，所述方法还包括旋转所述晶片以利用所述聚焦的光斑使整个晶片边缘被曝光，以及进行显影处理以去除整个晶边边缘的光致抗蚀剂。
优选地，所述方法还包括使所述光源发射的光经过光束均质器后变为强度分布均 匀的光照射到所述第一掩模板。
优选地，所述方法还包括所述控制模块输出增加所述光源的驱动电流的信号，以 便增加所述光源的光强。
优选地，所述方法还包括利用所述第一光路调节机构调节所述光学模块相对于水 平面的倾斜程度，以使得入射光的光轴垂直于晶片表面。
优选地，调节所述光学模块相对于水平面的倾斜程度包括利用阵列探测器探测 反射光，并且根据反射光在所述阵列探测器上的分布对称性来判断入射光的光轴是否垂直 于晶片表面。
本发明的一个优点在于，能够更精确地去除晶片边缘上的光致抗蚀剂，提高空间 分辨率，从而增加工艺的成品率。
通过以下参照附图对本发明的示例性实施例的详细描述，本发明的其它特征及其 优点将会变得清楚。
构成说明书的一部分的附图描述了本发明的实施例，并且连同说明书一起用于解 释本发明的原理。
参照附图，根据下面的详细描述，可以更加清楚地理解本发明，其中
图1是示出现有技术的晶片边缘曝光系统的示意图。
图2是利用根据本发明第一实施例的光学模块20进行晶片边缘曝光的示意图。
图3是示出根据本发明第二实施例的自动聚焦系统3的示意图。
图4是详细示出图3的自动聚焦系统3的剖面图。
图5示出根据本发明第三实施例的自动聚焦系统5的示意图。
具体实施方式
现在将参照附图来详细描述本发明的各种示例性实施例。应注意到除非另外具 体说明，否则在这些实施例中阐述的部件和步骤的相对布置、数字表达式和数值不限制本 发明的范围。
同时，应当明白，为了便于描述，附图中所示出的各个部分的尺寸并不是按照实际 的比例关系绘制的。
以下对至少一个示例性实施例的描述实际上仅仅是说明性的，决不作为对本发明 及其应用或使用的任何限制。
对于相关领域普通技术人员已知的技术、方法和设备可能不作详细讨论，但在适 当情况下，所述技术、方法和设备应当被视为说明书的一部分。
在这里示出和讨论的所有示例中，任何具体值应被解释为仅仅是示例性的，而不 是作为限制。因此，示例性实施例的其它示例可以具有不同的值。
应注意到相似的标号和字母在下面的附图中表示类似项，因此，一旦某一项在一 个附图中被定义，则在随后的附图中不需要对其进行进一步讨论。
图2示出利用根据本发明第一实施例的光学模块20进行晶片边缘曝光的示意图。
如图2所示，借助于旋转轴207在晶片表面利用旋涂形成的光致抗蚀剂层包括两个区域，即晶片中央区(也称作有效区域)206和晶片边缘205。晶片中央区206在晶片表面是以O为圆心的圆，并且具有均匀的厚度。晶片边缘205是由内圆2051和外圆2052作为边界而限定的与晶片中央区206同心的圆环。在晶片边缘205存在光致抗蚀剂的堆积， 即形成晶边(edge bead)。可以利用根据本发明第一实施例的光学模块20进行晶片边缘曝光，以去除晶边。
光学模块20可以包括光源201、掩模板202和曝光光学器件203。
光源201用于发射使光致抗蚀剂曝光所需波长的光。
掩模板202具有一定尺寸的孔202h,并且掩模板202设置在光源201和曝光光学器件203之间。
可以在光源201和掩模板202之间设置光束均质器(未示出)，以使得光源201发射的光经该光束均质器后变为强度分布均匀的光再照射到掩模板202。
从光源201发射的光经过掩模板202的孔202h后到达曝光光学器件203。
曝光光学器件203用于将孔成像到涂敷有光致抗蚀剂的晶片边缘205，以形成聚焦的光斑204。曝光光学器件203可以是例如透镜或透镜组。
如图2所示，光源201、掩模板202和曝光光学器件203的位置被设置为使得入射光的光轴能够垂直于晶片表面，并且使得光斑204在晶片上靠近晶片圆心的一侧2041与晶片边缘205的内圆2051相切。
此外，孔202h的尺寸被设置为使得光斑204在晶片上沿晶片径向完全覆盖晶片边缘，也就是说，使得光斑204在晶片上沿晶片径向的尺寸大于或等于晶片边缘205在晶片上沿晶片径向的尺寸(即晶片边缘205的外圆2052的半径R2与内圆2051的半径Rl之间的差(R2-R1))。在等于的情况下，光斑204在晶片上远离晶片圆心的一侧2042与晶片边缘 205的外圆2052也相切；而在大于的情况下，光斑204在晶片上远离晶片圆心的一侧2042 延伸超出晶片边缘205的外圆2052。
由此，可以通过旋转晶片以利用聚焦的光斑使整个晶片边缘被曝光，然后进行显影处理以去除整个晶边边缘的光致抗蚀剂。
利用根据本发明的光学模块进行晶片边缘曝光，可以通过下面的公式(I)评价空间分辨率和聚焦深度。
权利要求
1.一种用于晶片边缘曝光的光学模块，包括光源、具有孔的掩模板和曝光光学器件，所述光源用于发射使光致抗蚀剂曝光所需波长的光，所述掩模板位于所述光源和所述曝光光学器件之间，从所述光源发射的光经过所述掩模板后到达所述曝光光学器件，所述曝光光学器件用于将所述孔成像到涂敷有光致抗蚀剂的晶片边缘，以形成聚焦的光斑， 其中所述光源、具有孔的掩模板和曝光光学器件的位置以及所述孔的尺寸被设置为使得入射光的光轴垂直于晶片表面，并且使得所述光斑在晶片上沿晶片径向完全覆盖所述晶片边缘。
2.根据权利要求1所述的光学模块，其中，所述曝光光学器件包括透镜或透镜组。
3.根据权利要求1所述的光学模块，还包括设置在所述光源和所述掩模板之间的光束均质器，其中所述光源发射的光经所述光束均质器后变为强度分布均匀的光照射到所述掩模板。
4.一种利用光学模块进行晶片边缘曝光的方法，所述光学模块包括光源、具有孔的掩模板和曝光光学器件，所述方法包括如下步骤 将所述掩模板设置在所述光源和所述曝光光学器件之间； 所述光源发射使光致抗蚀剂曝光所需波长的光； 从所述光源发射的光经过所述掩模板的所述孔后到达所述曝光光学器件； 所述曝光光学器件将所述孔成像到涂敷有光致抗蚀剂的晶片边缘，以形成聚焦的光斑；以及 设置所述光源、具有孔的掩模板和曝光光学器件的位置以及所述孔的尺寸，以使得入射光的光轴垂直于晶片表面，并且使得所述光斑在晶片上沿晶片径向完全覆盖所述晶片边缘。
5.根据权利要求4所述的方法，还包括旋转所述晶片以利用所述聚焦的光斑使整个晶片边缘被曝光，以及进行显影处理以去除整个晶边边缘的光致抗蚀剂。
6.根据权利要求4所述的方法，还包括使所述光源发射的光经过光束均质器后变为强度分布均匀的光照射到所述掩模板。
7.一种用于晶片边缘曝光的自动聚焦系统，包括 光学模块， 包括光源、第一掩模板、第一光学器件和第二光学器件，所述光源用于发射使光致抗蚀剂曝光所需波长的光，从所述光源发射的光依次经过所述第一掩模板、第一光学器件和第二光学器件后到达晶片边缘，所述第一掩模板具有第一孔，所述第一光学器件用于将来自所述第一掩模板的所述第一孔的光引导到所述第二光学器件，所述第二光学器件用于将所述第一孔成像到涂敷有光致抗蚀剂的晶片边缘以形成光斑，其中所述光源、第一掩模板的第一孔、第一光学器件和第二光学器件在所述光学模块中的位置以及所述第一孔的尺寸被设置为使得入射光的光轴能够垂直于晶片表面，并且使得所述光斑在晶片上沿晶片径向完全覆盖所述晶片边缘， 所述光学模块还包括具有第二孔的第二掩模板和光探测器，所述第二掩模板的第二孔被设置为与所述第一掩模板的第一孔关于所述第一光学器件的半反射面呈镜像对称，并且所述第二掩模板的第二孔的尺寸与所述第一掩模板的第一孔的尺寸相等，其中从所述晶片边缘反射的光经过所述第二光学器件后由所述第一光学器件引导到所述第二掩模板，所述光探测器设置在与所述第二掩模板的设置有所述第一光学器件的一侧相反的一侧，用于收集进入所述第二掩模板的第二孔的光并输出光强信号， 其中，所述第二掩模板的位置被设置为使得，当所述光斑处于聚焦状态时由所述光探测器输出的第一光强信号大于当所述光斑处于离焦状态时由所述光探测器输出的光强信号; 控制模块，用于当所述光探测器输出的光强信号小于所述第一光强信号时，输出控制信号；以及 光路调节模块，包括 第一光路调节机构，附接到所述光学模块，用于根据来自所述控制模块的控制信号调节所述光学模块相对于水平面的倾斜程度以使得入射光的光轴垂直于晶片表面，和 第二光路调节机构，附接到所述光学模块，用于根据来自所述控制模块的控制信号在垂直于晶片表面的方向上调节所述光学模块的位置以使得所述光斑处于聚焦状态。
8.根据权利要求7所述的自动聚焦系统，其中，所述第二光路调节机构包括平移部件、螺线管和铁磁轴，通过调节所述螺线管的电流大小来调节所述铁磁轴的位置，从而沿着平移部件移动所述光学模块。
9.根据权利要求7所述的自动聚焦系统，其中，所述第二光路调节机构包括平移部件和步进马达，通过调节所述步进马达的螺杆来沿着平移部件移动所述光学模块。
10.根据权利要求7所述的自动聚焦系统，其中，所述第一光学器件包括分束器。
11.根据权利要求7所述的自动聚焦系统，其中，所述第二光学器件包括透镜或透镜组。
12.根据权利要求7所述的自动聚焦系统，所述光学模块还包括设置在所述光源和所述第一掩模板之间的光束均质器，其中所述光源发射的光经所述光束均质器后变为强度分布均匀的光。
13.根据权利要求7所述的自动聚焦系统，其中，所述控制模块被配置用于输出增加所述光源的驱动电流的信号，以便增加所述光源的光强。
14.根据权利要求7所述的自动聚焦系统，其中，所述光源、所述光探测器、所述第二光路调节机构通过线缆连接到所述控制模块。
15.根据权利要求7所述的自动聚焦系统，其中，所述光探测器是二维阵列探测器。
16.根据权利要求15所述的自动聚焦系统，其中，所述光探测器是电荷耦合探测器或CMOS探测器的二维阵列。
17.根据权利要求15所述的自动聚焦系统，其中，所述二维阵列探测器的最小阵列为2乘以2。
18.根据权利要求7所述的自动聚焦系统，其中，所述光路调节模块还包括支撑机构，所述支撑机构包括背板、顶板和弹簧。
19.一种利用自动聚焦系统进行晶片边缘曝光的方法，所述自动聚焦系统包括光学模块、控制模块和光路调节模块，所述光学模块包括光源、具有第一孔的第一掩模板、具有第二孔的第二掩模板、第一光学器件、第二光学器件和光探测器，所述光路调节模块包括附接到所述光学模块的第一光路调节机构和第二光路调节机构，所述方法包括如下步骤 所述光源发射使光致抗蚀剂曝光所需波长的光；从所述光源发射的光经过所述第一掩模板后入射到所述第一光学器件； 所述第一光学器件将来自所述第一掩模板的所述第一孔的光引导到所述第二光学器件； 所述第二光学器件将所述第一孔成像到涂敷有光致抗蚀剂的晶片边缘，以形成光斑；设置所述光源、第一掩模板的第一孔、第一光学器件和第二光学器件在所述光学模块中的位置以及所述第一孔的尺寸以使得入射光的光轴能够垂直于晶片表面，并且使得所述光斑在晶片上沿晶片径向完全覆盖所述晶片边缘； 入射到晶片边缘的光被反射后依次经过所述第二光学器件和所述第一光学器件； 所述第一光学器件将来自所述第二光学器件的光引导到所述第二掩模板； 所述光探测器收集进入所述第二掩模板的第二孔的光并输出光强信号； 设置所述第二掩模板的第二孔的位置和所述第二孔的尺寸，以使得所述第二掩模板的第二孔被设置为与所述第一掩模板的第一孔关于所述第一光学器件的半反射面呈镜像对称，并且所述第二掩模板的第二孔的尺寸与所述第一掩模板的第一孔的尺寸相等，其中当所述光斑处于聚焦状态时由所述光探测器输出的第一光强信号大于当所述光斑处于离焦状态时由所述光探测器输出的光强信号； 当所述光探测器输出的光强信号小于所述第一光强信号时，所述控制模块向所述光路调节模块的第二光路调节机构输出控制信号；以及 所述第二光路调节机构根据所述控制信号在垂直于晶片表面的方向上调节所述光学模块的位置以使得所述光斑处于聚焦状态。
20.根据权利要求19所述的方法，还包括旋转所述晶片以利用所述聚焦的光斑使整个晶片边缘被曝光，以及进行显影处理以去除整个晶边边缘的光致抗蚀剂。
21.根据权利要求19所述的方法，还包括使所述光源发射的光经过光束均质器后变为强度分布均勻的光照射到所述第一掩模板。
22.根据权利要求19所述的方法，还包括所述控制模块输出增加所述光源的驱动电流的信号，以便增加所述光源的光强。
23.根据权利要求19所述的方法，还包括利用所述第一光路调节机构调节所述光学模块相对于水平面的倾斜程度，以使得入射光的光轴垂直于晶片表面。
24.根据权利要求19所述的方法，其中调节所述光学模块相对于水平面的倾斜程度包括利用阵列探测器探测反射光，并且根据反射光在所述阵列探测器上的分布对称性来判断入射光的光轴是否垂直于晶片表面。
全文摘要
本发明公开了一种用于晶片边缘曝光的方法、光学模块和自动聚焦系统。所述光学模块包括光源、具有孔的掩模板和曝光光学器件。光源用于发射使光致抗蚀剂曝光所需波长的光。掩模板位于光源和曝光光学器件之间，从光源发射的光经过掩模板后到达曝光光学器件。曝光光学器件用于将掩模板的孔成像到涂敷有光致抗蚀剂的晶片边缘，以形成聚焦的光斑。光源、具有孔的掩模板和曝光光学器件的位置以及孔的尺寸被设置为使得入射光的光轴垂直于晶片表面，并且使得光斑在晶片上沿晶片径向完全覆盖晶片边缘。由此，可以更精确地去除晶片边缘上的光致抗蚀剂。
文档编号H01L21/311GK103034062SQ20111029545
公开日2013年4月10日 申请日期2011年9月29日 优先权日2011年9月29日
发明者伍强, 顾一鸣 申请人:中芯国际集成电路制造(北京)有限公司