专利名称：利用结晶梯度增加硅薄膜太阳能电池光吸收波段的制作方法
利用结晶梯度增加硅薄膜太阳能电池光吸收波段技术领域
本发明是一种利用在硅薄膜太阳能电池的新技术，其主要目是以单结硅薄膜太阳能电池结构达到双结非晶与微晶结构硅薄膜太阳能电池相同之效果。
背景技术：
技术目前，世界太阳能产业，为了能有效利用各波段的光能，来完成最有效之薄膜太阳能电池，纷纷由单结结构薄膜太阳能电池增加为双结或是三结以上结构，以各层不同光吸收波段的特性相互补足，但随着结数增多，各结间的接面问题也越多，造成许多制程上需要多增加几道缓冲层来改善其问题，导致无法大幅度降低制作成本，影响在市场上的竞争能力。发明内容
本发明主要是利用结晶梯度增加硅薄·膜太阳能电池光吸收波段。·在镀制太阳能电池时，本质层调整硅烷与氢气比例，由一开始的非晶硅薄膜，逐渐转变成微晶硅薄膜层，使其吸收层，同时能拥有非晶与微晶硅薄膜光吸收波段，有效提高此薄膜太阳能电池之转换效率，提升市场上的竞争能力。
具体实施方法吾将本发明搭配附图，详细说明如下图一为本发明制作结晶梯度增加硅薄膜太阳能电池之示意图，由图中可得知，取得一玻璃基板(1)，镀制一层透明导电层(2)，在吸收层部分，先镀制非晶硅P型薄膜层(3)，接着在镀制结晶梯度本质硅薄膜层(4)，由于前P型层为非晶结构，而本质层一开始镀制也是非晶结构，所以可以减少接面匹配性问题，再镀制本质硅薄膜层过程中，调整硅烷与氢气比例，使其结构逐渐由非晶转变成微晶，即完成结晶梯度本质硅薄膜层(4);再来，就镀制微晶硅N型薄膜层(5)，最后再镀制背电极(6)，即完成一个高效能硅薄膜太阳能电池模块。当不同波段之光源(7)进入吸收层时，皆能有效吸收后转换电能，提高此薄膜太阳能电池之转换效率。
以上说明，对本发明而言只是说明性的，非限制性的，本领域普通技术人员理解， 在不脱离权利要求所限定的精神和范围的情况下，可作出许多修正、变化或等效，但都将落入本发明的保护范围之内。
下面为结合附图对本发明进一步说明。
图一为本发明制作结晶梯度增加硅薄膜太阳能电池之示意图。
图标主要符号说明I…玻璃2…透明导电性层3…非晶娃P型薄膜层4…结晶梯度本质娃薄膜层5…微晶娃N型薄膜层6…背电极7…各波段之光源。
权利要求
1.本发明主要是利用结晶梯度增加硅薄膜太阳能电池光吸收波段；在镀制太阳能电池时，本质层调整硅烷与氢气比例，由一开始的非晶硅薄膜，逐渐转变成微晶硅薄膜层，使其吸收层，同时能拥有非晶与微晶硅薄膜光吸收波段，有效提高此薄膜太阳能电池之转换效率，提升市场上的竞争能力。
2.根据权利要求1所述的一种利用结晶梯度增加硅薄膜太阳能电池光吸收波段之技术，在镀制吸收层时，本发明选用非晶硅P型薄膜层和微晶硅N型薄膜层来搭配结晶梯度本质硅薄膜层，以减少各接面匹配性问题。
3.根据权利要求1所述的一种利用结晶梯度增加硅薄膜太阳能电池光吸收波段之技术，镀制本质硅薄膜层过程中，利用调整硅烷与氢气比例，使其结构逐渐由非晶转变成微晶，有效扩展此太阳能电池光吸收之波段，提高此薄膜太阳能电池之转换效率。
全文摘要
本发明主要是利用结晶梯度增加硅薄膜太阳能电池光吸收波段。在镀制太阳能电池时，本质层调整硅烷与氢气比例，由一开始的非晶硅薄膜，逐渐转变成微晶硅薄膜层，使其吸收层，同时能拥有非晶与微晶硅薄膜光吸收波段，有效提高此薄膜太阳能电池之转换效率，提升市场上的竞争能力。
文档编号H01L31/0392GK103022182SQ20111029537
公开日2013年4月3日 申请日期2011年9月27日 优先权日2011年9月27日
发明者简唯伦, 刘幼海, 刘吉人 申请人:吉富新能源科技(上海)有限公司