专利名称：可调电感器的制作方法
可调电感器技术领域
本发明有关于电感电容槽(LC Tank)振荡器诸如压控振荡器或数位控制振荡器 (Digitally Controlled Oscillator，以下简称为「DCO」)之频率覆盖范围(Frequency Coverage)，尤指一种可调电感器。
背景技术：
当一行动电话被设计成运作在分别对应于不同电信规格之多个模式中时，可能分别需要多个DCO以供用于这些模式。依据相关技术，该些DCO可整合成通过利用电容的调整所实施之单一 DC0，以节省晶片面积；然而，相关技术中往往会出现某些问题。首先，通过利用电容的调整所实施之传统DCO的频率覆盖范围会依开关之寄生电容而定，其针对特定制程而言受限于最大容许讯号摆动(Signal Swing)。其次，每当需要很大的调整范围时，通过利用电容的调整所实施之传统DCO可能得面临妥协的效能，这是因为大多数的电容是供可调整目的之用且通常会造成较非可调整电容更多的能量损失。如此，需要一种可调电感器来实现带有大调整范围之单一 DC0。发明内容
为了解决上述技术问题，本发明提供一种有效的可调电感器，以解决上述问题。
本发明提供一种可调电感器，该可调电感器包含一主要线路与至少一调整模组。 该主要线路是用于定义该可调电感器之一电感区，尤其是被安排成环绕该电感区。另外， 该至少一调整模组包含至少一辅助线路，位于该电感区内，耦接于该主要线路之两节点之间；以及一第一开关，配置于该至少一辅助线路上，用来选择性地将该主要线路之该两节点互相耦接。
本发明还提供一种可调电感器，该可调电感器包含一主要线路、至少一调整模组与一样态化接地面(Patterned Ground Plane)。该主要线路是用于定义该可调电感器之一电感区，尤其是被安排成环绕该电感区。另外，该至少一调整模组是用于选择性地耦接该主要线路之关联节点。此外，该样态化接地面是用于减少该可调电感器之能量损耗，其中该样态化接地面包含多个第一导电段(Conductive Section)，而该多个第一导电段中之一部份第一导电段被安排构成一个像W的形状(W-like Siape)。
相较于现有技术，本发明的可调电感器可提升面积效率。
图IA为依据本发明一第一实施例之一种可调电感器。
图IB为图IA所示之可调电感器于一实施例中的等效电路。
图2为依据本发明一第二实施例之一种可调电感器。
图3A为依据本发明一第三实施例之一种可调电感器。
图;3B为图3A所示之可调电感器于一实施例中的品质因数曲线⑴Curve,以下简称为「Q曲线」)，尤其是在图3A所示之电阻器的电阻接近/达到零的状况下之Q曲线。
图3C为图3A所示之可调电感器于另一实施例中的Q曲线。
图4A为图IA所示之可调电感器于一第四实施例中的样态化接地面。
图4B为于一实施例当中，图4A所示之样态化接地面相对于图IA所示可调电感器之相对位置。
图5A为图2所示之可调电感器于一第五实施例中的样态化接地面。
图5B为于一实施例当中，图5A所示之样态化接地面相对于图2所示可调电感器之相对位置。
图6为依据本发明一第六实施例之一种可调电感器，其主要线路之两端分别电气连接至两电压源。
图7为依据本发明一第七实施例之一种可调电感器，其主要线路之两端分别电气连接至两电流源。
图8A为依据本发明一第八实施例之一种可调电感器，其主要线路之两端中之一者系电气连接至一电压源，其中该可调电感器包含多个开关。
图8B为图8A所示之可调电感器于一实施例中的讯号电流，其中关联的涡电流 (Eddy Current)被封锁。
图8C为图8A所示之可调电感器于另一实施例中的讯号电流，其中关联的涡电流被封锁。
具体实施方式
在说明书及权利要求当中使用了某些词汇来指称特定元件。所属领域中技术人员应可理解，制造商可能会用不同的名词来称呼同一个元件。本说明书及权利要求并不以名称的差异来作为区分元件的方式，而是以元件在功能上的差异来作为区分的准则。在通篇说明书及权利要求当中所提及的“包括”和“包含”为开放式的用语，因此应解释成“包含但不限定于”。以外，“耦接”一词在此包含任何直接及间接的电气连接手段。间接的电气连接手段包括通过其它装置进行连接
请参考图1A，图IA为依据本发明一第一实施例之一种可调电感器100，其中可调电感器100可用来实施带有多模式频率覆盖范围(Frequency Coverage)之单一数位控制振荡器(Digitally Controlled Oscillator，以下简称为「DCO」)。可调电感器100包含一主要线路110以及至少一调整模组诸如调整模组120，其中主要线路110是用于定义可调电感器100之一电感区(即在暂时忽略上述之至少一调整模组的状况下之主要线路110以内的区域)，尤其是被安排成环绕该电感区。请注意，在本实施例及其某些变化例中，不论主要线路110是封闭的样式或是螺旋的样式，且不论主要线路110的圈数是否大于一，主要线路110可视为环绕可调电感器100之该电感区之线路。依据本实施例，上述之至少一调整模组中之每一调整模组诸如图IA所示之调整模组120包含一第一开关122，位于该电感区内；以及至少一辅助线路诸如辅助线路124A与124B。实作上，上述之至少一辅助线路位于该电感区内，且耦接于主要线路110之两节点之间；而第一开关122系配置于上述之至少一辅助线路上，且是用于选择性地将主要线路110之该两节点互相耦接。
如图IA所示，第一开关122以及上述之至少一辅助线路诸如辅助线路124A与124B将上述之电感区之至少一部份(例如一部份或全部)区分成两个分区(Partial Area)，其中本实施例中上述电感区之该至少一部份包含该电感区之全部。若暂时忽略上述之至少一调整模组(例如调整模组120)而不予考虑，则主要线路110构成一电流路径以供在某些状况中使用。由于实施了调整模组120，通过第一开关122、上述之至少一辅助线路诸如辅助线路124A与1MB、以及主要线路110的一部份(于本实施例即图IA当中位于主要线路110下半部的部份线路(Partial Wiring))之一新的电流路径(尤其是，开始于接口 P1、通过调整模组120且结束于接口 P2之电流路径)环绕该两个分区中之一者。
上述之至少一调整模组(例如调整模组120)用来选择性地耦接(尤其是电气连接)主要线路Iio之关联节点。依据本实施例，当第一开关122被开启时，调整模组120耦接(尤其是电气连接)主要线路110之两节点，诸如位于辅助线路124A与主要线路110之间的接面中央之第一节点以及位于辅助线路124B与主要线路110之间的接面中央之第二节点，以改变(尤其是减少)可调电感器100之有效直径，因此可调电感器100之有效电感被改变(尤其是减少)。更明确而言，辅助线路124A与124B是用于第一开关122被开启时耦接该两节点(例如该第一节点与第二节点)。
例如在第一开关122被开启的状况下，主要线路110上之大部份电流会通过接口 P1、辅助线路124A、第一开关122、辅助线路124B与接口 P2而流动，而非通过主要线路110 之任一中间节点antermediate Node)而流动，其中该中间节点位于上述之两节点之间。请注意，本实施例之中间节点可位于沿着主要线路110之中央点，诸如接口 P3所处位置之一中央节点。相反地，在第一开关122被关闭的状况下，主要线路110上之大部份电流会通过接口 Pl、接口 P3与接口 P2而流动，而非通过辅助线路124A、第一开关122与辅助线路124B 而流动。
图IB为图IA所示之可调电感器100于一实施例中的等效电路。例如第一开关 122可利用一金属氧化物半导体场效电晶体(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor,以下简称为「M0SFET」)来实施，且可称为一 MOSFET开关Msw，其中一控制讯号 VCl是用于开启或关闭该MOSFET开关Msw。为了便于理解，主要线路110可表示为接口 Pl 与P3之间之一第一部份电感器(Partial Inductor)以及接口 P3与P2之间之一第二部份电感器。基于图IA所示之架构，上述之第一部份电感器与该第二部份电感器可绘示成为同一个电感器符号，其类似弹簧的形状开始自接口 Pl且一直延续到接口 P2。另外，辅助线路 124A可表示为该第一部份电感器与该MOSFET开关Msw之间之一第三部份电感器(即以接口 Pl作为其一端者)，且辅助线路124B可表示为该MOSFET开关Msw与该第二部份电感器之间之一第四部份电感器(即以接口 P2作为其一端者)。基于图IA所示之架构，该第三部份电感器与该第四部份电感器中之每一者可绘示成一个电感器符号，其类似弹簧的形状开始自一端且一直延续到另一端。
请注意，于本实施例中，主要线路110的圈数等于一。这只是为了说明的目的而已，并非对本发明之限制。依据本实施例之某些变化例，主要线路110的圈数可大于一。例如主要线路110可被安排成为位于同一平面上之一螺旋状路径。又例如主要线路110可被安排成为其范围由一平面跨到另一平面之一个类似弹簧的形状之路径，而非位于同一平面上之螺旋状路径。
另外，依据图IA所示之实施例，可调电感器100中之调整模组的数量等于一。这只是为了说明的目的而已，并非对本发明之限制。依据图IA所示之实施例之某些变化例， 可调电感器100中之调整模组的数量可大于一。例如在这些变化例中，可调电感器100可包含安排于该电感区中之多个调整模组120-1、120-2、...与120-M，其中调整模组120-1、 120-2、...与120-M中之每一调整模组可为图IA所示之调整模组120之复制品。
图2为依据本发明一第二实施例之一种可调电感器100-1。于本实施例中，上述之主要线路Iio的形状可予以变化。例如主要线路110可形成一个「8」字形诸如图2所示者，因此，上述之电感区可扩展且包含对应于该8字形的上半部之一上面部份以及对应于该8字形的下半部之一下面部份。如此，第一开关122以及上述之至少一辅助线路诸如辅助线路124A与124B将本实施例之电感区之上面部份区分成两个分区。如图2所示，通过利用某些金属连接结构114A与114B(其于某些状况下可称为穿孔(Via)，较为简明)，主要线路110分布的范围可扩及多个平面。另外，主要线路110中之非阴影部份以及辅助线路 124A与124B被安排于同一平面，而主要线路110中之阴影部份被安排于另一平面，其中主要线路110中之阴影部份代表位于金属连接结构114A与114B之间的同一辅助线路112。 为了简明起见，本实施例与前述实施例/变化例相仿之处不再重复。
图3A为依据本发明一第三实施例之一种可调电感器。为了便于理解，图IA所示实施例之某些标号可用来描述本实施例之可调电感器。依据本实施例，可调电感器100另包含一电阻器，而该电阻器系电气连接至上述主要线路110中之中间节点，尤其是图IA(或图1B)所示之接口 P3所处位置之中央节点。这个电阻器是用于提高(Elevate)在该中间节点之直流位准，且因此可提高主要线路110之两端中之任一者的直流位准。例如设置图 3A所示之电阻器可将在该中间节点之直流位准提高至0. 3V的电压位准，而容许施加于可调电感器100之电压摆动(Voltage Swing)的范围由-Vpk分布至Vpk且不会明显地减少可调电感器100之品质因数的数值⑴value，以下简称为「Q值」)之大小，其中电压摆动的范围于图3A中系标示为「2Vpk」。
图;3B为图3A所示之可调电感器于一实施例中的品质因数曲线⑴Curve,以下简称为「Q曲线」)，尤其是在图3A所示之电阻器的电阻接近/达到零的状况下之Q曲线，其中横轴代表峰值电压Vpk，而纵轴代表Q值。如图:3B所示，Q值随着峰值电压Vpk的增加而明显地降低；这是肇因于在施加于可调电感器100之电压摆动够低的状况下，该MOSFET开关Msw部份地被开启。
图3C为图3A所示之可调电感器于另一实施例中的Q曲线，其中横轴代表峰值电压Vpk，而纵轴代表Q值。相较于图:3B所示之实施例，图3C所示实施例之Q值可于峰值电压Vpk增加时仍旧维持在高点。
图4A为图IA所示之可调电感器100于一第四实施例中的样态化接地面 (Patterned Ground Plane)，其中此处提及的样态化接地面亦可称为样态化接地屏蔽 (Patterned Ground Shield，以下简称为「PGS」)。该样态化接地面是用于减少可调电感器100之能量损耗，尤其是避免可调电感器100受到基板中能量损失之害。依据本实施例， 该样态化接地面包含多个第一导电段(Conductive Section)诸如金属线，且另包含多个第二导电段诸如多晶硅(Polycrystalline Silicon ；或 Polysilicon、Poly-Si 或简称为 ΓPolyJ)线，其中该多个第二导电段之导电率低于该多个第一导电段中之导电率。这只是为了说明的目的而已，并非对本发明之限制。依据本实施例之某些变化例，该多个第一导电段与该多个第二导电段均可为金属线，这表示它们有相同的导电率。请注意，于图4A所示之实施例中，该多个第一导电段系实体地连接至该多个第二导电段之全体。更明确而言，该多个第一导电段将交流接地(Alternating Current Ground，以下简称为「AC接地」)路径提供予该多个第二导电段，其中该多个第一导电段系电气连接至一接地参考位准(Ground Reference)，其可为任何静态电压位准，其中该接地参考位准例如AC接地。
如图4A所示，在该样态化接地面当中没有任何封闭回路，因此可避免所谓的涡电流损失(Eddy Current Loss)。尤其是，在该样态化接地面中没有任何通过该多个第一导电段与该多个第二导电段的实体连接所构成之封闭回路。实作上，该多个第一导电段中之一部份第一导电段(例如位于最左部份附近之四条金属线)被安排构成一个像W的形状 (W-like Siape)，其包含两个V字形；而该多个第一导电段中之另一部份第一导电段(例如位于最右部份附近之四条金属线)被安排构成另一个像W的形状，其亦包含两个V字形。举例而言，以上揭露之该些像W的形状中之任一者的彼此不相连(亦即，这两个V字形之间有间隙)。如此，依据本实施例，上述之该些像W的形状之每一者由两个分开的V字形所构成。 另外，该多个第二导电段中之某些第二导电段的走向系垂直于上述之至少一调整模组之至少一部份(尤其是调整模组120)所构成之关联踪迹的走向。此外，该多个第一导电段当中沿着垂直方向排列的部份是用来当作居间连接，而图4A所示之安排可避免形成封闭回路。
请注意，在不同的实施例诸如本实施例之某些变化例中，以上揭露之该些像W的形状可予以变化。例如分别形成一个像W的形状中之四笔画的那些第一导电段的位置及 /或走向可因应主要线路Iio及/或调整模组120中之某(些)辅助线路的架构变化而改变。又例如分别形成一个像W的形状中之四笔画的那些第一导电段可具有相同的长度。 又例如分别形成一个像W的形状中之首、末两笔画的那些第一导电段中之至少一者的长度可能小于分别形成这个像W的形状中之第二、第三笔画的那些第一导电段中之至少一者的长度。
图4B为于一实施例当中，图4A所示之样态化接地面相对于图IA所示可调电感器100之相对位置。关于分别形成一个像W的形状中之四笔画的那些第一导电段中之每一部份第一导电段(例如位于最左部份附近之四条金属线、或位于最右部份附近之四条金属线)，该部份第一导电段的走向对应于主要线路110与上述之至少一调整模组诸如调整模组120所构成之关联踪迹。例如该多个第一导电段中之该部份第一导电段当中的一个第一导电段(诸如该像W的形状中之首、末两笔画中任一者所对应之一金属线)的走向垂直于主要线路110中的一部份线路所构成之关联踪迹的走向，尤其是垂直于主要线路110当中位于关联角落(例如左上角、右上角、左下角或右下角)的部份线路(Partial Wiring) 所构成之关联踪迹。
如图4B所示，该多个第二导电段之至少一部份的走向分别垂直于主要线路110之关联踪迹的走向与上述之至少一调整模组诸如调整模组120所构成之关联踪迹的走向。例如图4B当中最左区域与最右区域中之任一者内沿着水平方向排列之大部份第二导电段的走向垂直于主要线路110当中位于关联的一侧(例如左侧或右侧)且沿着垂直方向排列之部份线路所构成之关联踪迹的走向。又例如图4B当中最上区域与最下区域中之任一者内沿着垂直方向排列之大部份第二导电段的走向垂直于主要线路110当中位于关联的一侧(例如上侧或下侧)且沿着水平方向排列之部份线路所构成之关联踪迹的走向。又例如图4B当中之中央区域内沿着垂直方向排列之大部份第二导电段的走向垂直于辅助线路124A与124B所构成之关联踪迹的走向。
图5A为图2所示之可调电感器100-1于一第五实施例中的样态化接地面(或 PGS)。图5A为图2所示之可调电感器于一第五实施例中的样态化接地面。如第二实施例所揭露，主要线路110可形成该8字形，并且上述之电感区可扩展且包含对应于该8字形的上半部之该上面部份以及对应于该8字形的下半部之该下面部份。如此，如图5A所示，上述之样态化接地面可因应该电感区之扩展而变化。为了简明起见，本实施例与前述实施例 /变化例相仿之处不再重复。
图5B为于一实施例当中，图5A所示之样态化接地面相对于图2所示可调电感器 100-1之相对位置。为了简明起见，本实施例与前述实施例/变化例相仿之处不再重复。
图6为依据本发明一第六实施例之一种可调电感器，其主要线路之两端分别电气连接至两电压源(均标示为「VBias」)。为了便于理解，图IA所示实施例之某些标号可用来描述本实施例之可调电感器。依据本实施例，上述之中央节点的电压提高可通过利用至少一电压偏压(Voltage Bias)来实现。尤其是，可调电感器100是一电压偏压(Voltage Biased)电感器，而该电压偏压电感器是用于在至少一电压源施加于主要线路110之至少一端的状况下运作。例如该两电压源(均标示为「VBias」)分别施加于接口 Pl与P2。为了简明起见，本实施例与前述实施例/变化例相仿之处不再重复。
图7为依据本发明一第七实施例之一种可调电感器，其主要线路之两端分别电气连接至两电流源(均标示为「IBias」)。为了便于理解，图IA所示实施例之某些标号可用来描述本实施例之可调电感器。依据本实施例，上述之中央节点的电压提高可在采用一电阻器诸如图3A所示者的状况下通过利用至少一电流偏压(Current Bias)来实现。尤其是， 可调电感器100是一电流偏压(Current Biased)电感器，而该电流偏压电感器是用于在至少一电流源施加于主要线路110之至少一端的状况下运作。例如该两电流源(均标示为 ΓIBiasJ )分别施加于接口 Pl与Ρ2。为了简明起见，本实施例与前述实施例/变化例相仿之处不再重复。
图8Α为依据本发明一第八实施例之一种可调电感器，其主要线路之两端中之一者电气连接至一电压源(标示为「VBias」)，其中该可调电感器包含多个开关。为了便于理解，图IA所示实施例之某些标号可用来描述本实施例之可调电感器。依据本实施例，上述之中央节点的电压提高可通过利用至少一电压偏压来实现。尤其是，可调电感器100是一电压偏压电感器，而该电压偏压电感器是用于在至少一电压源施加于主要线路110之至少一端的状况下运作。例如该电压源(标示为「VBias」)施加于接口 Pl与P2。
如图8A所示，可调电感器100另包含一第二开关122’ (于本实施例中尤其是控制讯号VC2所控制之开关)，而第二开关122’配置于主要线路110之一中间节点，尤其是上述之中央节点。第二开关122’在被关闭时是用于电气封锁/阻塞(Electrically Block)主要线路110。由于设置了第二开关122’，在第一开关122被开启且第二开关122’被关闭的状况下，关联的涡电流可被封锁且Q值可被增加。实作上，第二开关122’亦可为一 MOSFET 开关。
依据本实施例，可调电感器100另包含一切换提升模组，而该切换提升模组是用于提升第二开关122’之切换特性。由于设置了该切换提升模组，本实施例之第二开关122’的源极电压与漏极电压可不受该电压源(标示为「VBias」)的支配。例如本实施例之切换提升模组可包含一反向器、两电容器与两电阻器。如此，当控制讯号VC2关闭第二开关122’ 时，第二开关122’的源极电压与漏极电压被拉至高位准，且因此避免Q值降低。相反地，当控制讯号VC2开启第二开关122’，第二开关122’的源极电压与漏极电压被拉至接地位准。 为了简明起见，本实施例与前述实施例/变化例相仿之处不再重复。
请注意，图8A所示之切换提升模组可包含该反向器、该两电容器与该两电阻器。 这只是为了说明的目的而已，并非对本发明之限制。依据本实施例之某些变化例，该切换提升模组可包含至少一反向器、多个电容器及/或多个电阻器。例如该些变化例中之某一变化例之切换提升模组包含该两电容器与该两电阻器，而不采用该反向器，其中该两电阻器之间的节点(即原本用来接收该反向器的输出之同一节点)现在被安排来接收本变化例中之控制讯号VCl。
图8B为图8A所示之可调电感器于一实施例中的讯号电流。为了便于理解，图IA 所示实施例之某些标号可用来描述本实施例之可调电感器。依据本实施例，上述之两电容器可予以忽略。
例如在控制讯号VCl处于一高位准且控制讯号VC2处于一低位准的状况下，控制讯号VCl所控制之第一开关122被开启(标示为「开启」；代表开启状态)且控制讯号VC2 所控制之第二开关122’被关闭(标示为「关闭」；代表关闭状态)。于是，该可调电感器之讯号电流通过接口 P1、辅助线路124A、第一开关122、辅助线路124B以及接口 P2而流动， 而非通过主要线路110上之第二开关122’而流动。由于关闭第二开关122’，关联的涡电流(Eddy Current)被封锁。依据本实施例，直流位准等同于该电压源(于图8A中系标示为「VBias」)之输出电压位准。
图8C为图8A所示之可调电感器于另一实施例中的讯号电流。为了便于理解，图 IA所示实施例之某些标号可用来描述本实施例之可调电感器。相仿地，上述之两电容器于实施例中可予以忽略。
例如在控制讯号VCl处于一低位准且控制讯号VC2处于一高位准的状况下，控制讯号VCl所控制之第一开关122被关闭(标示为「关闭」；代表关闭状态)且控制讯号VC2 所控制之第二开关122’被开启(标示为「开启」；代表开启状态)。于是，该可调电感器之讯号电流通过接口 Pl、主要线路110上之第二开关122’以及接口 P2而流动，而非通过辅助线路124A、第一开关122与辅助线路124B而流动。由于关闭第一开关122，关联的涡电流被封锁。依据本实施例，直流位准等同于该电压源(于图8A中系标示为「VBias」)之输出电压位准。
本发明的好处之一是，以上揭露的各个实施例/变化例中之任一者当中的可调电感器可提升面积效率。另外，通过利用以上揭露的各个实施例/变化例中之任一者当中的可调电感器，实施带有多模式频率覆盖范围之单一 DCO的目的可轻易达成。于是，相关技术的问题，诸如传统DCO的可靠度限制及其妥协的效能等问题，均不再造成困扰了。
以上所述仅为本发明之较佳实施例，凡依本发明申请专利范围所做之均等变化与修饰，皆应属本发明之涵盖范围。
权利要求
1.一种可调电感器，包含有一主要线路，用来定义该可调电感器之一电感区；以及至少一调整模组，该至少一调整模组包含至少一辅助线路，位于该电感区内，耦接于该主要线路之两节点之间；以及一第一开关，配置于该至少一辅助线路上，用来选择性地将该主要线路之该两节点互相耦接。
2.如权利要求1所述的可调电感器，其特征在于，当该第一开关被开启时，该调整模组耦接该主要线路之该两节点，以改变该可调电感器之有效直径。
3.如权利要求1所述的可调电感器，其特征在于，该第一开关与该至少一辅助线路将该电感区之至少一部份区分成两个分区。
4.如权利要求3所述的可调电感器，其特征在于，通过该第一开关、该至少一辅助线路以及该主要线路的一部份之一电流路径环绕该两个分区中之一者。
5.如权利要求1所述的可调电感器，其特征在于，其另包含有一电阻器，电气连接至该主要线路之一中间节点，其中该中间节点位于该两节点之间， 且该电阻器用来提高在该中间节点之直流位准。
6.如权利要求1所述的可调电感器，其特征在于，该可调电感器是一电压偏压电感器， 而该电压偏压电感器是用于在至少一电压源施加于该主要线路之至少一端的状况下运作。
7.如权利要求1所述的可调电感器，其特征在于，该可调电感器是一电流偏压电感器， 而该电流偏压电感器是用于在至少一电流源施加于该主要线路之至少一端的状况下运作。
8.如权利要求1所述的可调电感器，其特征在于，其另包含有一第二开关，配置于该主要线路之一中间节点，其中该中间节点位于该两节点之间，且该第二开关在被关闭时是用于电气封锁/阻塞该主要线路。
9.如权利要求8所述的可调电感器，其特征在于，其另包含有一切换提升模组，用来提升该第二开关之切换特性。
10.一种可调电感器，该可调电感器包含有一主要线路，用来定义该可调电感器之一电感区；至少一调整模组，用来选择性地耦接该主要线路之关联节点；以及一样态化接地面，用来减少该可调电感器之能量损耗，其中该样态化接地面包含多个第一导电段，而该多个第一导电段中之一部份第一导电段被安排构成一个像W的形状。
11.如权利要求10所述的可调电感器，其特征在于，该样态化接地面另包含多个第二导电段；以及该多个第二导电段之导电率低于该多个第一导电段中之导电率。
12.如权利要求11所述的可调电感器，其特征在于，该多个第二导电段之至少一部份第二导电段的走向分别垂直于该主要线路所构成之关联踪迹的走向与该至少一调整模组所构成之关联踪迹的走向。
13.如权利要求10所述的可调电感器，其特征在于，该多个第一导电段中之该部份第一导电段当中的两个第一导电段的走向系垂直于该主要线路的关联部份线路所构成之关联踪迹。
14.如权利要求10所述的可调电感器，其特征在于，该多个第一导电段中之另一部份第一导电段被安排构成另一个像W的形状。
15.如权利要求10所述的可调电感器，其特征在于，该样态化接地面另包含多个第二导电段；以及在该样态化接地面中没有任何通过该多个第一导电段与该多个第二导电段的实体连接所构成之封闭回路。
16.如权利要求10所述的可调电感器，其特征在于，该多个第一导电段系以金属线制造，而该多个第二导电段以多晶硅或金属线制造。
17.如权利要求10所述的可调电感器，其特征在于，该多个第一导电段系电气连接至一接地参考位准。
18.如权利要求10所述的可调电感器，其特征在于，该至少一调整模组包含 至少一辅助线路，位于该电感区内，耦接于该主要线路之两节点之间；以及一第一开关，配置于该至少一辅助线路上，用来选择性地将该主要线路之该两节点互相耦接。
全文摘要
本发明提供一种可调电感器，该可调电感器包含一主要线路与至少一调整模组。该主要线路是用于定义该可调电感器之一电感区，尤其是被安排成环绕该电感区。另外，该至少一调整模组包含至少一辅助线路，位于该电感区内，耦接于该主要线路之两节点之间；以及一第一开关，配置于该至少一辅助线路上，用来选择性地将该主要线路之该两节点互相耦接。本发明提供的可调电感器具有较高的有效性。
文档编号H01F21/00GK102543361SQ20111042782
公开日2012年7月4日 申请日期2011年12月19日 优先权日2010年12月20日
发明者奥古斯托·马奎斯, 李文昶, 陈彦宏 申请人:联发科技(新加坡)私人有限公司