专利名称：高压大功率三相整流全桥装置的制作方法
技术领域：
本实用新型涉及一种高压大功率三相整流全桥装置。
背景技术：
目前的高压大功率三相全桥，采用单沟刮涂法GPP芯片，同时采用多层铜板连接， 结构工艺复杂，生产成本高且产品的可靠性较低。
发明内容本实用新型的发明目的在于针对上述存在的问题，提供一种高压大功率三相整流全桥装置。交流输入端1连接到陶基覆铜板上，通过陶基覆铜板上的铜布线连接到芯片 6，芯片6连接钼片6，再与连接条6相连，连接条6通过陶基覆铜板的布线再与直流输出负端相连。交流输入端1连接到陶基覆铜板上，通过陶基覆铜板上的铜布线连接到连接条3，连接条3连接钼片3，再与芯片3相连，芯片3通过陶基覆铜板的布线再与直流输出正端相连。交流输入端2连接到陶基覆铜板上，通过陶基覆铜板上的铜布线连接到芯片 4，芯片4连接钼片4，再与连接条4相连，连接条4通过陶基覆铜板的布线再与直流输出负端相连。交流输入端2连接到陶基覆铜板上，通过陶基覆铜板上的铜布线连接到连接条1， 连接条1连接钼片1，再与芯片1相连，芯片1通过陶基覆铜板的布线再与直流输出正端相连。交流输入端3连接到陶基覆铜板上，通过陶基覆铜板上的铜布线连接到芯片 5，芯片5连接钼片5，再与连接条5相连，连接条5通过陶基覆铜板的布线再与直流输出负端相连。交流输入端3连接到陶基覆铜板上，通过陶基覆铜板上的铜布线连接到连接条2， 连接条2连接钼片2，再与芯片2相连，芯片2通过陶基覆铜板的布线再与直流输出正端相连。1、通过采用不需要划玻璃的双沟芯片；双沟道芯片，划片时完全避开玻璃，不会因为机械应力问题导致玻璃破损。2、改进内部框架设计，提高产品的稳定性，设计如附图1。采用陶基覆铜板，把内部连接线路做在陶瓷基底上。本实用新型采用的技术方案是这样的。综上所述，由于采用了上述技术方案，本实用新型的有益效果是提高产品可靠性的同时，简化内部结构设计，降低产品的工艺难度并降低生产成本。
图1是本实用新型电路连接示意图。图中标记AC-1:交流输入端1;AC_2:交流输入端2;AC_3:交流输入端3;B代表陶基覆铜板；ΧΙΝ-1、ΧΙΝ-2、ΧΙΝ-3、ΧΙΝ-4、ΧΙΝ-5、ΧΙΝ-6分别代表芯片1到芯片6 ；DC-I代表直流输出“ + ” ；DC-2代表直流输出端“一” ；Li、L2、L3、L4、L5、L6分别代表连接条1到连接条6 ;M1、M2、M3、M4、M5、M6分别代表钼片1到钼片6。
具体实施方式
以下结合附图，对本实用新型作详细的说明。为了使本实用新型的目的、技术方案及优点更加清楚明白，
以下结合附图及实施例，对本实用新型进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本实用新型，并不用于限定本实用新型。如图1所示，流输入端1连接到陶基覆铜板上，通过所述陶基覆铜板上的铜布线连接到芯片6，芯片6连接钼片6，再与连接条6相连，连接条6通过陶基覆铜板的布线再与直流输出负端相连；所述交流输入端1连接到所述陶基覆铜板上，通过所述陶基覆铜板上的铜布线连接到连接条3，连接条3连接钼片3，再与芯片3相连，芯片3通过所述陶基覆铜板的布线再与直流输出正端相连；交流输入端2连接到所述陶基覆铜板上，通过陶基覆铜板上的铜布线连接到芯片4，芯片4连接钼片4，再与连接条4相连，连接条4通过陶基覆铜板的布线再与直流输出负端相连；交流输入端2连接到陶基覆铜板上，通过陶基覆铜板上的铜布线连接到连接条1，连接条1连接钼片1，再与芯片1相连，芯片1通过陶基覆铜板的布线再与直流输出正端相连。交流输入端3连接到陶基覆铜板上，通过陶基覆铜板上的铜布线连接到芯片5，芯片5连接钼片5，再与连接条5相连，连接条5通过陶基覆铜板的布线再与直流输出负端相连；交流输入端3连接到陶基覆铜板上，通过陶基覆铜板上的铜布线连接到连接条2，连接条2连接钼片2，再与芯片2相连，芯片2通过陶基覆铜板的布线再与直流输出正端相连。以上所述仅为本实用新型的较佳实施例而已，并不用以限制本实用新型，凡在本实用新型的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等，均应包含在本实用新型的保护范围之内。
权利要求1.一种高压大功率三相整流全桥，其特征在于交流输入端I(AC-I)连接到陶基覆铜板(B)上，通过所述陶基覆铜板(B)上的铜布线连接到芯片6(XIN-6)，芯片6(XIN-6)连接钼片6 (M6)，再与连接条6 (L6)相连，连接条6 (L6)通过陶基覆铜板(B)的布线再与直流输出负端(DC-2)相连；所述交流输入端I(AC-I)连接到所述陶基覆铜板(B)上，通过所述陶基覆铜板(B)上的铜布线连接到连接条3 (L3)，连接条3 (L3)连接钼片3 (M3)，再与芯片 3(XIN-3)相连，芯片3(XIN-3)通过所述陶基覆铜板(B)的布线再与直流输出正端(DC-I) 相连；交流输入端2(AC-2)连接到所述陶基覆铜板(B)上，通过陶基覆铜板(B)上的铜布线连接到芯片4(XIN-4)，芯片4(XIN-4)连接钼片4 (M4)，再与连接条4 (L4)相连，连接条 4(L4)通过陶基覆铜板(B)的布线再与直流输出负端(DC-2)相连；交流输入端2(AC-2) 连接到陶基覆铜板(B)上，通过陶基覆铜板(B)上的铜布线连接到连接条1(L1)，连接条 I(Ll)连接钼片I(Ml)，再与芯片I(XIN-I)相连，芯片1 (XIN-I)通过陶基覆铜板(B)的布线再与直流输出正端(DC-I)相连；交流输入端3(AC-3)连接到陶基覆铜板(B)上，通过陶基覆铜板⑶上的铜布线连接到芯片5(XIN-5)，芯片5(XIN-5)连接钼片5 (M5)，再与连接条5(L5)相连，连接条5(L5)通过陶基覆铜板(B)的布线再与直流输出负端(DC-2)相连； 交流输入端3(AC-3)连接到陶基覆铜板(B)上，通过陶基覆铜板(B)上的铜布线连接到连接条2 (L2)，连接条2 (L2)连接钼片2 (M2)，再与芯片2 (XIN-2)相连，芯片2 (XIN-2)通过陶基覆铜板(B)的布线再与直流输出正端(DC-I)相连。
2.根据权利要求1所述的高压大功率三相整流全桥，其特征在于该装置是采用双沟道、电泳法GPP芯片。
专利摘要本实用新型公开了一种高压大功率三相整流全桥装置，其特征在于交流输入端1连接到陶基覆铜板上，通过所述陶基覆铜板上的铜布线连接到芯片6，芯片6连接钼片6，再与连接条6相连，连接条6通过陶基覆铜板的布线再与直流输出负端相连等等；这样在提高产品可靠性的同时，简化内部结构设计，降低产品的工艺难度并降低生产成本。
文档编号H01L23/498GK201976023SQ20112004302
公开日2011年9月14日 申请日期2011年2月21日 优先权日2011年2月21日
发明者梁鲁川, 邱志述 申请人:乐山无线电股份有限公司