专利名称：一种超薄高效单晶硅太阳能电池的制作方法
技术领域：
本实用新型涉及一种太阳能电池，尤其涉及一种超薄高效单晶硅太阳能电池。
背景技术：
现有的太阳能电池，在世界太阳能光伏发电产业和市场的严峻的能源替代形式和人类生态环境压力下，在持续进步和逐步完善的法规政策的强力推动下快速发展。太阳能电池的年产量最近10年得平均增长速度为37%，最近5年得平均增长速度为45%，成为世界上发展最快的行业之一。太阳能电池推广应用的主要障碍是发电成本与火力发电成本相比较成本过高。不过，最近也有了好兆头，保定英利绿色能源有限公司承包敦煌10丽大型电站，承诺每度电 0. 69元，这仅仅说明，在个案中接近火力发电价格，降低成本，提高效率是技术人员永恒的追求。聚光电池则是通过薄片，高效聚光等手段，可以大大降低发电成本。硅片成本占到组件成本的40%到60%，如果把硅片200 μ m厚度降低到160 μ m,能够使硅片成本下降20%。聚光电池在12到15个太阳条件下，其转换效率为20%到21%，目前单晶硅常规电池平均转换效率为17%，其转换效率每提高一个百分点，电池制造成本下降7% ；聚光电池提高3%到4%， 电池的制造成本下降20%。
实用新型内容发明目的为了克服现有技术中存在的不足，本实用新型提供一种结构合理，工作性能良好的超薄高效单晶硅太阳能电池。技术方案为解决上述技术问题，本实用新型采样的技术方案为一种超薄高效单晶硅太阳能电池，包括P型硅片，在P型硅片的正面设有作为负极的NP结，在NP结的正面设有氧化硅减反射膜，正极金属电极穿过氧化硅减反射膜与NP结形成欧姆接触；在P型硅片的反面设置P+层，在P+层的反面设置铝背场，在铝背场中设有背电极；正面栅线包括主栅线和细栅线，正面栅线的阴影面积占正面总面积的15% 16%，其中细栅线的阴影面积占正面总面积的10% 11%。所述细栅线宽度为0. 09mm 0. Imm,细栅线的中心内距为Imm 1. 1mm。所述P型硅片为165单晶硅片。有益效果本实用新型提供的超薄高效单晶硅太阳能电池，结构合理，工作性能良好，且制造成本低。
图1为本实用新型的结构示意图。
具体实施方式
以下结合附图对本实用新型作更进一步的说明。[0012]如附图1所示为一种165超薄高效单晶硅太阳能电池，包括P型硅片1，在P型硅片1的正面设有作为负极的NP结2，在NP结2的正面设有氧化硅减反射膜3，正极金属电极4穿过氧化硅减反射膜3与NP结2形成欧姆接触；在P型硅片1的反面设置P+层5，在 P+层5的反面设置铝背场6，在铝背场6中设有背电极7 ；正面栅线包括主栅线和细栅线， 正面栅线的阴影面积占正面总面积的15% 16%，其中细栅线的阴影面积占正面总面积的 10% 11%;所述细栅线宽度为0. 09mm 0. 1mm，细栅线的中心内距为1. 1mm。以上所述仅是本实用新型的优选实施方式，应当指出对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本实用新型原理的前提下，还可以做出若干改进和润饰，这些改进和润饰也应视为本实用新型的保护范围。
权利要求1.一种超薄高效单晶硅太阳能电池，其特征在于该太阳能电池包括P型硅片(1)，在 P型硅片(1)的正面设有作为负极的NP结(2)，在NP结(2)的正面设有氧化硅减反射膜(3)， 正极金属电极(4 )穿过氧化硅减反射膜(3 )与NP结(2 )形成欧姆接触；在P型硅片(1)的反面设置P+层(5)，在P+层(5)的反面设置铝背场(6)，在铝背场(6)中设有背电极(7);正面栅线包括主栅线和细栅线，正面栅线的阴影面积占正面总面积的15% 16%，其中细栅线的阴影面积占正面总面积的10% 11%。
2.根据权利要求1所述的超薄高效单晶硅太阳能电池，其特征在于细栅线宽度为 0. 09mm 0. Imm,细栅线的中心内距为Imm 1. 1mm。
3.根据权利要求2所述的超薄高效单晶硅太阳能电池，其特征在于所述P型硅片(1) 为165单晶硅片。
专利摘要本实用新型公开了一种超薄高效单晶硅太阳能电池，包括P型硅片，在P型硅片的正面设有作为负极的NP结，在NP结的正面设有氧化硅减反射膜，正极金属电极穿过氧化硅减反射膜与NP结形成欧姆接触；在P型硅片的反面设置P+层，在P+层的反面设置铝背场，在铝背场中设有背电极；正面栅线包括主栅线和细栅线，正面栅线的阴影面积占正面总面积的15%～16%，其中细栅线的阴影面积占正面总面积的10%～11%。本实用新型提供的超薄高效单晶硅太阳能电池，结构合理，工作性能良好，且制造成本低。
文档编号H01L31/06GK202134562SQ201120218179
公开日2012年2月1日 申请日期2011年6月26日 优先权日2011年6月26日
发明者倪云达, 胡宏珊, 葛正芳 申请人:江苏顺大半导体发展有限公司