专利名称：硅片边缘氧化膜多种范围去除装置的制作方法
技术领域：
硅片边缘氧化膜多种范围去除装置技术领域[0001]本实用新型涉及一种硅片表面二氧化硅膜的去除装置，尤其涉及一种硅片边缘氧化膜多种范围去除装置。
背景技术：
[0002]外延硅片是生产集成电路的重要基础材料之一，近年来，市场对外延硅片的需求量越来越大，相应生产外延硅片所用的衬底硅片需求也越来越大。为防止衬底片在进行外延加工时杂质扩散和自掺杂，衬底的背面通常生长一层二氧化硅膜进行保护。通常衬底片在生长二氧化硅膜时，衬底片的边缘和正面均可能同时长上二氧化硅膜，为了便于后续加工，衬底片的正面通常要求去除二氧化硅膜，对于边缘二氧化硅膜，不同类型的衬底和不同的外延厂家一般要求不同宽度尺寸的边缘二氧化硅氧化膜的去除。实用新型内容[0003]本实用新型的目的在于提供一种硅片边缘氧化膜多种范围去除装置，该去除装置结构紧凑，操作方便，便于推广使用。[0004]为实现上述目的，本实用新型采用以下技术方案[0005]一种硅片边缘氧化膜多种范围去除装置，该装置包括氢氟酸蒸汽发生槽、槽盖、吸盘和可充气气囊圈，该吸盘设在槽盖的中心位置，并通过接触式密封连接；该可充气气囊圈粘结在该槽盖的底部，其外形类似于待处理的硅片的形状。[0006]所述可充气气囊圈的中心尺寸比待处理硅片的外形尺寸小1 5毫米。[0007]所述槽盖的外周设有密封圈。[0008]所述可充气气囊圈的外表面涂有一层不溶于氢氟酸的油脂或蜡。[0009]本实用新型的优点在于[0010]本实用新型通过控制可充气气囊圈中的气体的多少以及可充气气囊圈与硅片的相对位置，来控制可充气气囊圈与硅片的接触面积，从而实现硅片边缘氧化膜多种范围的去除，操作方便，便于推广使用。
[0011]图1为本实用新型的结构示意图。[0012]图2为本实用新型的俯视图。[0013]图3为去除硅片正面及正反两面倒角处二氧化硅膜时本实用新型的使用状态图。[0014]图4为仅去除硅片正面及正面倒角处二氧化硅膜时本实用新型的使用状态图。
具体实施方式
[0015]如图1、2所示，一种硅片边缘氧化膜多种范围去除装置，该装置包括氢氟酸蒸汽发生槽1、槽盖2、吸盘3和可充气气囊圈4，该吸盘3设在槽盖2的中心位置，并通过接触式密封连接；该可充气气囊圈4粘结在该槽盖2的底部，其外形类似于待处理的硅片6的形状。[0016]所述可充气气囊圈4的中心尺寸比待处理硅片的外形尺寸小1 5毫米。[0017]所述槽盖2的外周设有密封圈5。[0018]所述可充气气囊圈的外表面涂有一层不溶于氢氟酸的油脂或蜡。[0019]本实用新型在使用时，首先根据需要去除的硅片边缘二氧化硅膜的宽度，对可充气气囊圈4充入适量的气体。如图3所示，当需要硅片正面及正反两面倒角处二氧化硅膜时，气囊圈中需要充入较多的气体。如图4所示，仅去除硅片正面及正面倒角处二氧化硅膜时，气囊需要充入较少的气体。[0020]然后用定位槽或者其它定位装置将硅片先定位，再移动槽盖2及吸盘3，将吸盘3 对准已定位的硅片进行吸起。[0021]当硅片接触到充气气囊圈后，通过进一步向上调节吸盘和硅片的位置，直至气囊外圈所留出的硅片宽度为准备去除二氧化硅膜的宽度。硅片压迫气囊变形，变形的气囊对所接触和气囊内圈的硅片二氧化硅膜起到保护作用。[0022]将吸有硅片的吸盘、氢氟酸槽盖及气囊圈同时移至氢氟酸槽上，通过氢氟酸槽盖外周的密封圈和氢氟酸槽体密封后，放置一段时间，为了加快氢氟酸气体的蒸发，可在氢氟酸槽内加上搅拌装置或直接在槽内通入氢氟酸气体。[0023]待氢氟酸气体将硅片边缘和正面的二氧化硅膜去除后，提起氢氟酸盖，取下硅片， 边缘二氧化硅膜去除工作完成。
权利要求1.一种硅片边缘氧化膜多种范围去除装置，其特征在于该装置包括氢氟酸蒸汽发生槽、槽盖、吸盘和可充气气囊圈，该吸盘设在槽盖的中心位置，并通过接触式密封连接；该可充气气囊圈粘结在该槽盖的底部，其外形类似于待处理的硅片的形状。
2.根据权利要求1所述的硅片边缘氧化膜多种范围去除装置，其特征在于所述可充气气囊圈的中心尺寸比待处理硅片的外形尺寸小1 5毫米。
3.根据权利要求1所述的硅片边缘氧化膜多种范围去除装置，其特征在于所述槽盖的外周设有密封圈。
4.根据权利要求1 3任一项所述的硅片边缘氧化膜多种范围去除装置，其特征在于 所述可充气气囊圈的外表面涂有一层不溶于氢氟酸的油脂或蜡。
专利摘要一种硅片边缘氧化膜多种范围去除装置，该装置包括氢氟酸蒸汽发生槽、槽盖、吸盘和可充气气囊圈，该吸盘设在槽盖的中心位置，并通过接触式密封连接；该可充气气囊圈粘结在该槽盖的底部，其外形类似于待处理的硅片的形状。所述可充气气囊圈的中心尺寸比待处理硅片的外形尺寸小1～5毫米。所述槽盖的外周设有密封圈。所述可充气气囊圈的外表面涂有一层不溶于氢氟酸的油脂或蜡。通过控制可充气气囊圈中的气体的多少以及可充气气囊圈与硅片的相对位置，来控制可充气气囊圈与硅片的接触面积，从而实现硅片边缘氧化膜多种范围的去除，操作方便，便于推广使用。
文档编号H01L21/311GK202259196SQ201120354468
公开日2012年5月30日 申请日期2011年9月21日 优先权日2011年9月21日
发明者冯丽, 刘佐星, 孙洪波, 张果虎, 徐继平, 李耀东, 王海涛 申请人:有研半导体材料股份有限公司