一种分裂式变压器的绕组的制作方法

文档序号:7191016阅读:339来源:国知局
专利名称:一种分裂式变压器的绕组的制作方法
技术领域
一种分裂式变压器的绕组技术领域[0001]本实用新型属于变压器领域,尤其涉及一种分裂式变压器的绕组结构。
技术背景[0002]传统的分裂式变压器的绕组结构主要有两种,轴向分裂式结构及幅向分裂式结构,具体形式如图1,其二次绕组一般为低电压400V或690V,根据变压器容量的大小,其电流值相对较大,线圈大多采用箔式绕组。[0003]采用轴向分裂式结构时(图1左侧图),由于受到高度的限制,绕组的铜箔较厚,受其端部场强影响较大,铜箔内部的涡流损耗也随之增加,造成部分材料浪费,且此结构须设计为上、下出线,为保证安匝平衡,一次绕组也需设计为上、下两部分,引线结构也较为复杂。[0004]采用幅向分裂式结构时(图1右侧图),铜箔的高度较高,厚度可为轴向分裂式结构的1/2,铜箔的涡流损耗明显减小,引线结构较前者相对简化,但为了使得两绕组间的阻抗值尽可能接近,势必要调节各绕组之间的主空道距离,造成线圈的绕制半径增加,材料浪费较为严重。[0005]根据以上分析,采用传统的轴向或幅向分裂式结构的绕组均存在一些弊端,在变压器结构、经济性方面均有改善空间。实用新型内容[0006]本实用新型的目的在于克服上述问题,提供一种节约线圈材料、简化引线结构同时保证变压器性能的分裂式变压器的绕组。[0007]为了实现上述目的,本实用新型所采用的技术方案为一种分裂式变压器的绕组, 其特征是二次绕组的两线圈交叠绕制,两线圈之间由层间绝缘隔开,两线圈电气部分相互独立。[0008]本实用新型所述的两线圈绝缘半径接近,相互耦合,电抗高度相等,引线由两线圈的同侧引出。[0009]本实用新型结合了两种传统分裂式绕组结构的优点,二次绕组的两线圈同时绕制,两线圈的铜材之间用层间绝缘隔开,两线圈交叠的绕制在一起,保证电气方面独立运行;由于两线圈的绝缘半径非常接近,能够很好的耦合,有效控制了线材的涡流损耗;出线全部从上面引出,便于布置引线结构。


[0010]图1为现有的变压器分裂式变压器的绕组结构图;[0011]图2为本实用新型的分裂式变压器的绕组结构图;[0012]其中,Ia 二次上线圈,Ib 二次下线圈,加二次内线圈,2b 二次外线圈,3 二次线圈, 4绕组间绝缘。
具体实施方式
[0013]
以下结合附图和具体实施例对本实用新型作进一步说明。[0014]图1为现有的变压器分裂式变压器的绕组结构图,图1和图2中标记“y”为二次线圈,标记“D”为一次线圈;图1左侧为轴向分裂式绕组结构图,由二次上线圈Ia和二次下线圈Ib构成;图1右侧为幅向分裂式绕组结构图,由二次内线圈加和二次外线圈2b构成。[0015]图2为本实用新型的分裂式变压器的绕组结构图,图2左侧为绕组结构形式,图2 右侧为二次绕组的绕制结构。根据图2,一种分裂式变压器的绕组,其特征是二次绕组的两线圈(即二次线圈3)交叠绕制,两线圈之间由层间绝缘(即绕组间绝缘4)隔开,两线圈电气部分相互独立;两线圈绝缘半径接近,相互耦合,电抗高度相等,引线由两线圈的同侧引出ο[0016]本实用新型结合了两种传统分裂式绕组结构的优点,两二次线圈3在绕制时采用双层箔绕机,二次绕组的两线圈同时绕制,两线圈间及匝间分别做好绝缘处理(即绕组间绝缘4),使得两线圈受力均勻。两线圈交叠的绕制在一起,保证电气方面独立运行。由于两线圈的绝缘半径非常接近,能够很好的耦合,有效控制了线材的涡流损耗,引线全部从上面引出,便于布置引线结构,弓丨线做好序号标记。[0017]上述实施例不以任何形式限制本实用新型,凡采用等同替换或等效变换的方式所获得的技术方案,均落在本实用新型的保护范围。
权利要求1.一种分裂式变压器的绕组,其特征是二次绕组的两线圈交叠绕制,两线圈之间由层间绝缘隔开,两线圈电气部分相互独立。
2.根据权利要求1所述的一种分裂式变压器的绕组,其特征是所述的两线圈绝缘半径接近,相互耦合,电抗高度相等,引线由两线圈的同侧引出。
专利摘要本实用新型属于变压器领域,尤其涉及一种分裂式变压器的绕组,本实用新型结合了两种传统分裂式绕组结构的优点,二次绕组的两线圈同时绕制,两线圈的铜材之间用层间绝缘隔开,两线圈交叠的绕制在一起,保证电气方面独立运行;由于两线圈的绝缘半径非常接近,能够很好的耦合,有效控制了线材的涡流损耗;出线全部从两线圈的同侧引出,便于布置引线结构。本实用新型的有益效果节约线圈材料、简化引线结构同时保证变压器性能。
文档编号H01F27/30GK202332525SQ20112050273
公开日2012年7月11日 申请日期2011年12月7日 优先权日2011年12月7日
发明者蒋忠金, 郑建银 申请人:南京大全变压器有限公司
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