专利名称：高耦合度变压器、电子电路及电子设备的制作方法
技术领域：
本发明涉及一种将电感元件彼此以高耦合度耦合而成的高耦合度变压器、以及具备其的电子电路及电子设备。
背景技术：
一般而言，变压器具备经由磁路 而相互磁性耦合的I次线圈及2次线圈。该变压器是广泛利用在例子如升压/降压电路、高耦合度变压器、变流/分流电路、平衡一不平衡转换电路、信号传输电路等各种电子电路或电子设备。为了减少变压器中传送能量的损失，有必要提高I次线圈与2次线圈的耦合度。因此，采用例如专利文献I或专利文献2记载的将I次线圈及2次线圈卷绕在共通的铁氧体磁性体上的方法。现有技术文献专利文献专利文献I :日本特开平10-294218号公报专利文献2 :日本特开2002-203721号公报
发明内容
发明所要解决的问题专利文献1、2揭示的变压器是将导线卷绕在铁氧体磁性体上而形成线圈，故存在如下问题其制造步骤复杂，且体型较大。本发明是鉴于上述问题而完成的，其目的在于提供一种容易制造且易于小型化的可以低损耗进行能量传送的高耦合度变压器。 解决技术问题所采用的技术方案(I)本发明的高耦合度变压器，包含第I电感元件、及以高耦合度耦合在所述第I电感元件的第2电感元件；所述第I电感元件与所述第2电感元件经由磁场及电场而耦合；在交流电流流过所述第I电感元件时，通过经所述磁场的耦合而流过所述第2电感元件的电流的方向、与通过经所述电场的耦合而流过所述第2电感元件的电流的方向相同。(2)在(I)中，优选为，在交流电流流过所述第I电感元件时，流过所述第2电感元件的电流的方向是在所述第I电感元件与所述第2电感元件之间产生磁垒的方向。(3)在(I)或(2)中，优选为，所述第I电感元件包含第I线圈元件及第2线圈元件，所述第I线圈元件及所述第2线圈元件彼此串联，且以构成闭磁路的方式形成导体的卷绕图案。(4 )又，在(I) (3 )的任一项中，优选为，所述第2电感元件包含第3线圈元件及第4线圈元件，所述第3线圈元件及所述第4线圈元件彼此串联，且以构成闭磁路的方式形成导体的卷绕图案。(5)在(I)或(2)中，优选为，所述第I电感元件包含第I线圈元件及第2线圈元件，所述第I线圈元件及所述第2线圈元件彼此串联，且以构成闭磁路的方式形成导体的卷绕图案；所述第2电感元件包含第3线圈元件及第4线圈元件，所述第3线圈元件及所述第4线圈元件彼此串联，且以构成闭磁路的方式形成导体的卷绕图案；所述第I线圈元件与所述第3线圈元件是配置成使彼此的开口面相对，所述第2线圈元件与所述第4线圈元件是配置成使彼此的开口面相对。(6)在(I) (5)的任一项中，优选为，所述第I电感元件及所述第2电感元件由配置在多个电介质层或层叠有磁性体层的层叠体内的导体图案构 成，所述第I电感元件与所述第2电感元件在所述层叠体的内部耦合。(7)本发明的电子电路，具备高耦合度变压器，所述高耦合度变压器包含第I电感元件、及以高耦合度耦合在所述第I电感元件的第2电感元件；所述第I电感元件与所述第2电感元件经由磁场及电场而耦合；在交流电流流过所述第I电感元件时，通过经所述磁场的耦合而流过所述第2电感元件的电流的方向、与通过经所述电场的耦合而流过所述第2电感元件的电流的方向相同；具备连接在所述第I电感元件的I次侧电路及连接在所述第2电感元件的2次侧电路。(8)本发明的电子设备，具备高耦合度变压器，包含第I电感元件、及以高耦合度耦合在所述第I电感元件的第2电感元件，所述第I电感元件与所述第2电感元件经由磁场及电场而耦合，在交流电流流过所述第I电感元件时，通过经所述磁场的耦合而流过所述第2电感元件的电流的方向、与通过经所述电场的耦合而流过所述第2电感元件的电流的方向相同；I次侧电路，连接在所述第I电感元件；2次侧电路，连接在所述第2电感元件；以及电路，经由所述高耦合度变压器在所述I次侧电路及所述2次侧电路间进行信号或电力的传送。发明的效果根据本发明的高耦合度变压器，可使连接在第I电感元件的I次侧电路、与连接在第2电感器元件的2次侧电路以例子如耦合度k为I. 2以上等通常无法获得的高耦合度耦合，从而可实现变压器的小型化，进而实现使用变压器的电子电路及电子设备的小型化。
图I是第I实施形态的高耦合度变压器的电路图。图2 (A)是图I所示的高耦合度变压器的更具体的电路图，图2 (B)是表示其各线圈元件的具体配置的图。图3是将第I实施形态所示的高耦合度变压器35应用在天线的高耦合度变压器的天线装置102的电路图。
图4是天线装置102的等效电路图。图5是与多频带对应的天线装置102的电路图。图6 (A)是第3实施形态的高耦合度变压器35的立体图，图6 (B)是从下面侧观察所述高耦合度变压器35的立体图。图7是构成高耦合度变压器35的层叠体40的分解立体图。图8是表示高耦合度变压器35的动作原理的图。图9是第4实施形态的高耦合度变压器34、及具备其的天线装置104的电路图。图10是构成高耦合度变压器34的层叠体40的分解立体图。
图11 (A)是第5实施形态的高耦合度变压器135的立体图，图11 (B)是从下面侧观察所述高耦合度变压器135的立体图。图12是构成高耦合度变压器135的层叠体140的分解立体图。图13 (A)是第6实施形态的天线装置106的电路图，图13 (B)是表示所述天线装置106的各线圈元件的具体配置的图。图14 (A)是基于图13 (B)所示的等效电路表示高耦合度变压器35的变压比以及连接在天线元件的负电感分量的图。图15是与多频带对应的天线装置106的电路图。图16是表示在多层基板上构成第7实施形态的高耦合度变压器35的情况下各层的导体图案的例子的图。图17表示通过图16所示的形成在多层基板的各层上的导体图案的线圈元件的主要磁通。图18是表示第7实施形态的高耦合度变压器35的4个线圈元件Lla、Lib、L2a、L2b的磁耦合关系的图。图19是表示第8实施形态的高耦合度变压器的结构的图，且其是表示在多层基板上构成所述高耦合度变压器的情况下各层的导体图案的例子的图。图20是表示通过图19所示的形成在多层基板的各层上的导体图案的线圈元件的主要磁通的图。图21是表示第8实施形态的高耦合度变压器的4个线圈元件Lla、Lib、L2a、L2b的磁耦合关系的图。图22是表示构成在多层基板上的第9实施形态的高耦合度变压器的各层的导体图案的例子的图。图23是表示第9实施形态的高耦合度变压器的4个线圈元件Lla、Lib、L2a、L2b的磁耦合关系的图。图24是第10实施形态的高耦合度变压器的电路图。图25是在多层基板上构成第10实施形态的高耦合度变压器的情况下各层的导体图案的例子的图。图26是第11实施形态的高耦合度变压器的电路图。图27是表示在多层基板上构成第11实施形态的高耦合度变压器的情况下各层的导体图案的例子的图。图28是第12实施形态的高耦合度变压器的电路图。
图29是表示在多层基板上构成第12实施形态的高耦合度变压器的情况下各层的导体图案的例子的图。图30 (A)是第13实施形态的第I例即通信终端装置的结构图，图30 (B)是第2例即通信终端装置的结构图。
具体实施例方式[实施方式I]图I是第I实施形态的高耦合度变压器的电路图。如图I所示，高耦合度变压器包含第I电感元件LI、及以高耦合度耦合在该第I电感元件L2的第2电感元件L2。第I电感元件LI的第I端用作为第I端口 Pl，第2端用作为第2端口 P2。又，第2电感元件L2的第I端用作为第3端口 P3，第2端用作为第4端口P4。 而且，第I电感元件LI与第2电感元件L2紧密耦合。图2 (A)是图I所示的高耦合度变压器的更具体性电路图，图2 (B)是表示所述高耦合度变压器的各线圈元件的具体配置的图。在图2(A)所示的高耦合度变压器35中，第I电感元件LI由第I线圈元件Lla及第2线圈元件Llb构成，且这些线圈元件相互串联，以构成闭磁路的方式卷绕。又，第2电感元件L2是由第3线圈元件L2a及第4线圈元件L2b构成,且这些线圈元件相互串联，以构成闭磁路的方式卷绕。换言之，第I线圈元件Lla与第2线圈元件Llb以反相进行耦合(加极性耦合)，第3线圈元件L2a与第4线圈元件L2b以反相进行耦合(加极性耦合)。进而，第I线圈元件Lla与第3线圈元件L2a以同相进行耦合(减极性耦合)，并且第2线圈元件Llb与第4线圈元件L2b以同相进行耦合(减极性耦合)。[实施方式2]图3是将第I实施形态所示的高耦合度变压器35应用在天线的高耦合度变压器的天线装置102的电路图。如图3所示，天线装置102具备天线元件11、以及连接在该天线元件11的高耦合度变压器35。天线元件11是单极型天线，且在该天线元件11的供电端连接有高耦合度变压器35。高耦合度变压器35插入到天线元件11与供电电路30之间。供电电路30是用于将向天线元件11供应高频信号的供电电路，且进行高频信号的生成或处理，但也可包含进行高频信号的合波或分波的电路。如图3所示，自供电电路30沿图中箭头a方向供应电流时，电流沿图中箭头b方向流入第I线圈元件Lla中，并且电流沿图中箭头c方向流入第2线圈元件Llb中。接下来，通过这些电流如图中箭头A所示形成通过闭磁路的磁通。由于线圈元件Lla与线圈元件L2a相互并联，故电流b流入线圈元件Lla中而产生的磁场与线圈元件L2a耦合，使得感应电流d反向流入线圈元件L2a中。同样地，由于线圈元件Llb与线圈元件L2b相互并联,故电流c流入线圈元件Llb中而产生的磁场与线圈元件L2b f禹合,使得感应电流e反向流入线圈元件L2b中。又,通过这些电流如图中箭头B所示形成通过闭磁路的磁通。通过线圈元件Lla、Llb而产生在第I电感元件LI中的磁通A的闭磁路、与通过线圈元件Lib、L2b而产生在第2电感元件L2中的磁通B的闭磁路为独立状态，因此，在第I电感元件LI与第2电感元件L2之间产生等效的磁垒丽。又，线圈元件Lla与线圈元件L2a也通过电场而耦合。同样地，线圈元件Llb与线圈元件L2b也通过电场而耦合。因此，当交流信号流入线圈元件Lla及线圈元件Llb时，在线圈元件L2a及线圈元件L2b中通过电场耦合而激发电流。图3中的电容器Ca、Cb象征性表不用于上述电场稱合的稱合电容的记号。在交流电流流入第I电感元件LI时，通过经上述磁场的耦合而流入第2电感元件L2中的电流的方向、与通过经上述电场的耦合而流入第2电感元件L2中的电流的方向相同。因此，第I电感元件LI与第2电感元件L2在磁场及电场这两个场中强耦合。S卩，可抑制损失，从而传输高频能量。 高耦合度变压器35也可以如下方式构成电路，即，在交流电流流入第I电感元件LI时，通过经磁场的耦合而流入第2电感元件L2中的电流的方向、与通过经电场的耦合而流入第2电感元件L2中的电流的方向变为相同。图4是上述天线装置102的等效电路图。如该图所示，其等效性地由电感分量LANT、放射电阻分量Rr、以及电容分量CANT构成。该天线元件11单体的电感分量LANT以由高耦合度变压器45的上述负合成电感分量(L2-M)抵消的方式进行作用。S卩，自高耦合度变压器的A点观察天线元件11侧(包含第2电感元件Z2在内的天线元件11)的电感分量变小(理想而言为0)，其结果，导致该天线装置102的阻抗频率特性变小。为了这样产生负电感分量，重要的是使第I电感元件与第2电感元件以高耦合度进行耦合。具体而言，该耦合度达到I以上即可。变压器型电路的阻抗转换比是第2电感元件L2的电感L2对第I电感元件LI的电感LI的比(LI L2)0图5是与多频带对应的天线装置102的电路图。该天线装置102是用于可与GSM(Global System for Mobile Communications,全球移动通信系统)方式或 CDMA (CodeDivision Multiple Access,码分多址)方式对应的多频带对应型移动体无线通信系统(800MHz带、900MHz带、1800MHz带、1900MHz带)的天线装置。天线元件11为分支单极型天线。[实施方式3]图6 (A)是第3实施形态的高耦合度变压器35的立体图，图6 (B)是从下面侧观察其的立体图。又，图7是构成高耦合度变压器35的层叠体40的分解立体图。如图7所示，在层叠体40的最上层的基材层51a上形成有导体图案61，在第2层的基材层51b上形成有导体图案62 (62a、62b)，在第3层的基材层51c上形成有导体图案63、64。在第4层的基材层51d上形成有二个导体图案65、66，在第5层的基材层51e上形成有导体图案67 (67a、67b)。进而，在第6层的基材层51f上形成有导体图案68，在第7层的基材层51g的背面形成有端口 P1、P2、P3、P4 (连接用端子，以下仅称为端口)。此外，在最上层的基材层51a上层叠有未图示的无图案的基材层。通过上述导体图案62a、63而构成第I线圈元件Lla，通过上述导体图案62b、64而构成第2线圈元件Lib。又，通过上述导体图案65、67a而构成第3线圈元件L2a，通过上述导体图案66、67b而构成第4线圈兀件L2b。
上述各种导体图案61 68，可以银或铜等导电性材料为主成分形成。基材层51a 51g若为电介质则可使用玻璃陶瓷材料、环氧系树脂材料等，若为磁性体则可使用铁氧体陶瓷材料或含有铁氧体的树脂材料等。作为基材层用的材料，尤其在形成UHF (UltraHigh Frequency,超高频)带用的高稱合度变压器的情况下,优选为使用电介质材料,而于形成HF(High Frequency,高频)带用的高稱合度变压器的情况下,优选为使用磁性体材料。由于层叠上述基材层51a 51g，故导体图案61 68及端口 PU P2、P3、P4经由层间连接导体(通孔导体)而连接，结构图3所示的电路。如图7所示，第I线圈元件Lla与第2线圈元件Llb以各自的线圈图案的卷绕轴相互平行的方式相邻配置。同样地，第3线圈元件L2a与第4线圈元件L2b以各自的线圈 图案的卷绕轴相互平行的方式相邻配置。进而，第I线圈元件Lla与第3线圈元件L2a以各自的线圈图案的卷绕轴大致成为同一直线(同轴关系)的方式接近配置。同样地，第2线圈元件Llb与第4线圈元件L2b以各自的线圈图案的卷绕轴大致成为同一直线(同轴关系)的方式接近配置。又，以第I线圈元件Lla与第3线圈元件L2a彼此的开口面相对，且第2线圈元件Llb与第4线圈元件L2b彼此的开口面相对的方式进行配置。即，从基材层的层叠方向观察时，构成各线圈图案的导体图案是以重叠的方式配置。此外，各线圈元件Lla、Lib、L2a、L2b分别以大致2匝的环状导体而构成，但匝数并不限在此。又，第I线圈元件Lla及第3线圈元件L2a的线圈图案的卷绕轴无需配置成严格地达到同一直线，只要以俯视下第I线圈元件Lla及第3线圈元件L2a的线圈开口相互重叠的方式卷绕即可。同样地，第2线圈元件Llb及第4线圈元件L2b的线圈图案的卷绕轴无需配置成严格地达到同一直线，只要以俯视下第2线圈元件Llb及第4线圈元件L2b的线圈开口相互重叠的方式卷绕即可。如上所述，由于各线圈元件Lla、Lib、L2a、L2b内置于电介质或磁性体的层叠体
40,特别将作为线圈元件Lla、Llb的第I电感元件LI与线圈元件L2a、L2b的第2电感元件L2的耦合部的区域设置在层叠体40的内部，因此，构成高耦合度变压器35的元件的元件值、进而第I电感元件LI与第2电感元件L2的耦合度难以受到来自与层叠体40相邻配置的其它电子元件的影响。其结果，可实现频率特性的更稳定化。图8是表示上述高耦合度变压器35的动作原理的图。如图8所示，自端口 Pl输入的高频信号电流若如箭头a、b所示进行流动，则如箭头C、d所示导引至第I线圈元件Lla(导体图案62a、63)，进而，如箭头e、f所示导引至第2线圈元件Llb (导体图案62b、64)。由于第I线圈兀件Lla (导体图案62a、63)与第3线圈兀件L2a (导体图案65、67a)相互并联，故通过互感稱合及电场稱合使第3线圈元件L2a (导体图案65、67a)感应箭头g、h所示的高频信号电流。同样地，由于第2线圈兀件Llb (导体图案62b、64)与第4线圈兀件L2b (导体图案66、67b)相互并联，故通过互感耦合及电场耦合使第4线圈元件L2b (导体图案66、67b)感应箭头i、j所示的高频信号电流。其结果，箭头k所示的高频信号电流流入端口 P3中，箭头I所示的高频信号电流流入端口 P4中。此外，若流入端口 Pl中的电流(箭头a)为反向，则其它电流的方向也变为反向。此处，第I线圈元件Lla的导体图案63与第3线圈元件L2a的导体图案65相对，故两者间产生电场耦合，通过该电场耦合而流入的电流沿着与上述感应电流相同的方向流动。即，通过磁场耦合与电场耦合而使耦合度增强。同样地，第2线圈元件Llb的导体图案64与第4线圈兀件L2b的导体图案66也会产生磁场稱合与电场I禹合。第I线圈元件Lla及第2线圈元件Llb彼此以同相进行耦合，第3线圈元件L2a及第4线圈元件L2b彼此以同相进行耦合，从而分别形成闭磁路。因此，可将上述二个磁通C、D闭合，减小第I线圈元件Lla与第2线圈元件Llb之间、以及第3线圈元件L2a与第4线圈元件L2b之间的能量损失。此外，若使第I线圈元件Lla及第2线圈元件Llb的电感值、第3线圈元件L2a及第4线圈元件L2b的电感值为实质相同的元件值，则闭磁路的漏泄磁场变少，从而可进一步减小能量的损失。当然，可适当设计各线圈元件的元件值，控制阻抗转换比。又,经由接地导体68,并通过电容器Cag、Cbg而使第3线圈元件L2a及第4线圈元件L2b进行电场耦合，因此，通过所述电场耦合而流动的电流会进一步增强L2a、L2b间的耦合度。若在上侧也存在有接地，则可通过利用所述电容器Cag、Cbg使第I线圈元件Lla及第2线圈元件Llb间产生电场耦合，而进一步增强Lla、Llb间的耦合度。又，通过流入第I电感元件LI中的一次电流而激发的磁通C、以及通过流入第2电感元件L2中的二次电流而激发的磁通D是以通过感应电流而相互推斥(相互排斥)各自的磁通的方式产生。其结果，第I线圈元件Lla及第2线圈元件Llb中产生的磁场与第3线圈元件L2a及第4线圈元件L2b中产生的磁场分别闭合于狭窄空间内，因此，第I线圈元件Lla及第3线圈元件L2a、以及第2线圈元件Llb及第4线圈元件L2b分别以更高耦合度进行耦合。即，第I电感元件LI与第2电感元件L2以高耦合度进行耦合。[实施方式4]图9是第4实施形态的高耦合度变压器34、及具备其的天线装置104的电路图。此处使用的高耦合度变压器34具备第I电感元件LI与二个第2电感元件L21、L22。构成第2电感元件L22的第5线圈元件L2c与第6线圈元件L2d相互以同相进行耦合。第5线圈元件L2c与第I线圈元件Lla以反相进行耦合，第6线圈元件L2d与第2线圈元件Llb以反相进行耦合。第5线圈元件L2c的一端连接在放射元件11，第6线圈元件L2d的一端 接地。图10是构成上述高耦合度变压器34的层叠体40的分解立体图。所述例子是在第3实施形态中图7所示的层叠体40上进而层叠有基材层51i、51j，该基材层51i、51j形成有构成第5线圈元件L2c及第6线圈元件L2d的导体71、72、73。S卩，以与上述第I 第4线圈元件相同的方式分别构成第5及第6线圈元件，并分别由线圈图案的导体构成第5及第6线圈元件L2c、L2d，且以在第5及第6线圈元件L2c、L2d中产生的磁通形成闭磁路的方式卷绕第5及第6线圈元件L2c、L2d。该第4实施形态的高耦合度变压器34的动作原理是与上述第I 第3实施形态基本相同。在该第4实施形态中，将第I电感元件LI配置成由二个第2电感元件L21、L22夹持，以此抑制第I电感元件LI与接地之间产生的杂散电容。可通过抑制这种不利于放射的电容分量，而提高天线的放射效率。又，第I电感元件LI与第2电感元件L21、L22更紧密耦合，也即，漏泄磁场变少，第I电感元件LI与第2电感元件L21、L22的间的高频信号的能量传输损失变少。
[实施方式5]图11 (A)是第5实施形态的高耦合度变压器135的立体图，图11 (B)是从下面侧观察其的立体图。又，图12是构成高耦合度变压器135的层叠体140的分解立体图。该层叠体140是将包含电介质或磁性体的多个基材层层叠而成，且在其背面设置有连接在供电电路30的端口 P1、与接地连接的端口 P2、P4、以及连接在天线元件11的端口P3。除此以外，在背面也设置有用于安装的NC (No Connection，无连接)端子。此外，在层叠体140的表面，可视需要而装载整合阻抗用的电感器或电容器。又，在层叠体140内也可由电极图案形成电感器或电容器。内置于上述层叠体140中的高耦合度变压器135如图12所示，在第I层的基材层151a上形成有上述各端口 P1、P2、P3、P4，在第2层的基材层151b上形成有成为第I及第3线圈元件Lla、L2a的导体图案161、163，在第3层的基材层151c上形成有成为第2及第4线圈元件Llb、L2b的导体图案162、164。 作为导体图案161 164，可通过以银或铜等的导电性材料作为主成分的膏的网版印刷、或金属箔的蚀刻等而形成。作为基材层151a 151c,若为电介质则可使用玻璃陶瓷材料、环氧系树脂材料等，若为磁性体则可使用铁氧体陶瓷材料或含有铁氧体的树脂材料等。通过将上述基材层151a 151c层叠,而使各个导体图案161 164及端口 P1、P2、P3、P4经由层间连接导体(导通孔导体)而连接，构成上述图2 (A)所示的等效电路。SP，端口 Pl经由导通孔导体图案165a连接在导体图案161 (第I线圈元件Lla)的一端，导体图案161的另一端经由导通孔导体165b连接在导体图案162 (第2线圈元件Llb)的一端。导体图案162的另一端经由导通孔导体165c连接在端口 P2，导体图案164 (第4线圈元件L2b)的一端经由导通孔导体165d连接在导体图案163 (第3线圈元件L2a)的一端，另一端经由导通孔导体165f连接在端口 P4。导体图案163的另一端经由导通孔导体165e连接在端口 P3。如上所述，通过使线圈元件Lla、Llb、L2a、L2b内置在包含电介质或磁性体的层叠体140中，尤其通过将作为第I电感元件LI与第2电感元件L2的耦合部的区域设置在层叠体140的内部，而使高耦合度变压器135难以受到来自与层叠体140相邻配置的其它电路或元件的影响。其结果，可实现频率特性的进一步稳定化。又，通过将第I线圈元件Lla与第3线圈元件L2a设置在层叠体140的相同层(基材层151b)中，并且将第2线圈元件Llb与第4线圈元件L2b设置在层叠体140的相同层(基材层151c)中，而使层叠体140 (高耦合度变压器135)的厚度变薄。进而，可分别在同一步骤(例如导电性膏的涂布冲形成相互耦合的第I线圈元件Lla与第3线圈元件L2a以及第2线圈元件Llb与第4线圈元件L2b，因此，层叠偏差等导致的耦合度的不均得到抑制，故可靠性提高。[实施方式6]图13 (A)是第6实施形态的天线装置106的电路图，图13 (B)是其各线圈元件的具体配置的图。第6实施形态的天线装置106所具备的高耦合度变压器的结构与第I实施形态中所示的结构相同，但对于各端口的连接方法不同。所述例子是表示用于利用高耦合度变压器35获得模拟较大负电感的连接构造的例子。如图13 (A)所示，第I电感元件LI由第I线圈元件Lla及第2线圈元件Llb构成，且这些线圈元件相互串联，以构成闭磁路的方式进行卷绕。又，第2电感元件L2由第3线圈元件L2a及第4线圈元件L2b构成，且这些线圈元件相互串联，以构成闭磁路的方式进行卷绕。换言之，第I线圈元件Lla与第2线圈元件Llb以反相进行耦合(加极性耦合)，第3线圈元件L2a与第4线圈元件L2b以反相进行耦合(加极性耦合)。进而，优选为，第I线圈元件Lla与第3线圈元件L2a以同相进行耦合(减极性耦合)，并且第2线圈元件Llb与第4线圈元件L2b以同相进行耦合(减极性耦合)。图14 (A)是基于图13 (B)所示的等效电路，表示高耦合度变压器35的变压比以及连接在天线元件的负电感分量的图。又，图14 (B)是图13 (B)所示的电路中写入表示磁场耦合与电场耦合的状态的各种箭头的图。
如图14 (A)所示，该高耦合度变压器成为经由相互电感M使第I电感元件LI与第2电感元件L2紧密耦合的变压器型电路。该变压器型电路可等效转换成由三个电感元件Zl、Z2、Z3构成的T型电路。其中，通过使电感元件Z2连接在天线元件11，而使天线元件11的正电感分量由电感元件Z2的虚拟负电感(-M)抵消。如图14 (B)所示，从供电电路沿着图中箭头a方向供应电流时，电流沿着图中箭头b方向流入第I线圈元件Lla中，并且电流沿着图中箭头c方向流入线圈元件Llb中。而且，通过这些电流而形成图中箭头A所示的磁通(通过闭磁路的磁通)。由于线圈元件Lla与线圈元件L2a相互并联，故电流b流入线圈元件Lla中而产生的磁场与线圈元件L2a进行耦合，使得感应电流d反向流入线圈元件L2a中。同样地，由在线圈元件Llb与线圈元件L2b相互并联,故电流c流入线圈元件Llb中而产生的磁场与线圈元件L2b进行耦合，使得感应电流e反向流入线圈元件L2b中。而且，通过这些电流而如图中箭头B所示,形成通过闭磁路的磁通。由于线圈元件Lla、Llb构成的第I电感元件LI中所产生的磁通A的闭磁路、与线圈元件Llb、L2b构成的第2电感元件L2中所产生的磁通B的闭磁路独立，故在第I电感元件LI与第2电感元件L2之间产生等效性磁垒丽。又，线圈元件Lla与线圈元件L2a也通过电场而耦合。同样地，线圈元件Llb与线圈元件L2b也通过电场而耦合。因此，当交流信号流入线圈元件Lla及线圈元件Llb中时，在线圈元件L2a及线圈元件L2b中通过电场耦合而激发电流。图14 (B)中的电容器Ca、Cb像征性表不用于上述电场稱合的稱合电容的记号。在交流电流流入第I电感元件LI时，通过经上述磁场的耦合而流入第2电感元件L2中的电流的方向、与通过经上述电场的耦合而流入第2电感元件L2中的电流的方向相同。因此，第I电感元件LI与第2电感元件L2在磁场及电场的两者中进行强耦合。即，可抑制损失，从而传输高频能量。高耦合度变压器35也可以如下方式构成，S卩，在交流电流流入第I电感元件LI时，使通过经磁场的耦合而流入第2电感元件L2中的电流的方向、与通过经电场的耦合而流入第2电感元件L2中的电流的方向相同。将该高耦合度变压器35进行等效转换后，可以图14 (A)的电路的方式表示。SP，供电电路与接地之间的合成电感分量如图中点划线所示，成为LI + M + L2 + M = LI +L2 + 2M,天线元件与接地之间的合成电感分量如图中双点划线所示,成为L2 + M — M =L2。即，该高耦合度变压器的变压比成为LI + L2 + 2M :L2，从而可构成变压比较大的高耦
合度变压器。图15是与多频带对应的天线装置106的电路图。该天线装置106是用于可与GSM方式或CDMA方式对应的多频带对应型移动体无线通信系统(800MHz带、900MHz带、1800MHz带、1900MHz带)中的天线装置。天线元件11是分支单极型天线。[实施方式7]图16是表示在多层基板上构成第7实施形态的高耦合度变压器35的情况下各层的导体图案的例子的图。各层由磁性体片构成，各层的导体图案在图16所示的方向上形成在磁性体片的背面，各导体图案由实线表示。又，线状的导体图案具备规定的线宽，但此处以简单实线表示。 在图16所示的范围内，在基材层51a的背面形成有导体图案73，在基材层51b的背面形成有导体图案72、74，在基材层51c的背面形成有导体图案71、75。在基材层51d的背面形成有导体图案63，在基材层51e的背面形成有导体图案62、64，在基材层51f的背面形成有导体图案61、65。在基材层51g的背面形成有导体图案66，在基材层51h的背面形成有端口 P1、P2、P3、P4。图16中纵向延伸的虚线为导通电极，其在层间连接各个导体图案。这些导通电极是实际具有规定的直径尺寸的圆柱形电极，而此处以简单的虚线表示。在图16中，通过导体图案63的右半部分与导体图案61、62而构成第I线圈元件Lla。又,通过导体图案63的左半部分与导体图案64、65而构成第2线圈元件Lib。又,通过导体图案73的右半部分与导体图案71、72而构成第3线圈元件L2a。又，通过导体图案73的左半部分与导体图案74、75而构成第4线圈元件L2b。各线圈元件Lla、Llb、L2a、L2b的卷绕轴朝向多层基板的层叠方向。而且，第I线圈元件Lla与第2线圈元件Llb的卷绕轴以不同的关系并列设置。同样地，第3线圈元件L2a与第4线圈元件L2b各自的卷绕轴以不同的关系并列设置。又，第I线圈元件Lla与第3线圈元件L2a的各自的卷绕范围在俯视时至少一部分重叠，第2线圈元件Llb与第4线圈元件L2b的各自的卷绕范围在俯视时至少一部分重叠。在所述例子中为几乎完全重叠。如此，以8字构造的导体图案构成4个线圈元件。此外，各层也可由电介质片而构成。但是，若使用相对磁导率较高的磁性体片，则可进一步提高线圈元件间的耦合系数。图17表示通过图16所示的形成在多层基板的各层上的导体图案的线圈元件的主要磁通。磁通FP12通过导体图案61 63的第I线圈元件Lla以及导体图案63 65的第2线圈元件Lib。又，磁通FP34通过导体图案71 73的第3线圈元件L2a以及导体图案73 75的第4线圈元件L2b。图18是表示第7实施形态的高耦合度变压器35的4个线圈元件Lla、Lib、L2a、L2b的磁耦合关系的图。如此，第I线圈元件Lla及第2线圈元件Llb是以通过该第I线圈元件Lla与第2线圈元件Llb而构成第I闭磁路(由磁通FP12表示的回路)的方式进行卷绕，第3线圈元件L2a及第4线圈元件L2b是以通过该第3线圈元件L2a与第4线圈元件L2b而构成第2闭磁路(由磁通FP34表示的回路)的方式进行卷绕。如此，以通过第I闭磁路的磁通FP12与通过第2闭磁路的磁通FP34成为彼此反向的方式，卷绕4个线圈元件Lla、Lib、L2a、L2b。图18中的双点划线的直线表示这2个磁通FP12与FP34不耦合的磁垒。这样在线圈元件Lla与L2a之间、以及Llb与L2b之间产生磁垒。[实施方式8]图19是表示第8实施形态的高耦合度变压器的结构的图，且是表示在多层基板上构成该高耦合度变压器的情况下各层的导体图案的例子的图。各层的导体图案在图19所示的方向上形成在背面，各导体图案以实线表示。又，线状的导体图案具备规定的线宽，但此处以简单的实线表示。在图19所示的范围内，在基材层51a的背面形成有导体图案73，在基材层51b的背面形成有导体图案72、74，在基材层51c的背面形成有导体图案71、75。在基材层51 d的背面形成有导体图案63，在基材层51e的背面形成有导体图案62、64，在基材层51f的背面形成有导体图案61、65。在基材层51g的背面形成有导体图案66，在基材层51h的背面形成有端口 P1、P2、P3、P4。图19中纵向延伸的虚线是导通电极，其在层间连接各个导体图案。这些导通电极是实际具有规定的直径尺寸的圆柱形电极，此处以简单的虚线表示。在图19中，通过导体图案63的右半部分与导体图案61、62而构成第I线圈元件Lla。又,通过导体图案63的左半部分与导体图案64、65而构成第2线圈元件Lib。又,通过导体图案73的右半部分与导体图案71、72而构成第3线圈元件L2a。又，通过导体图案73的左半部分与导体图案74、75而构成第4线圈元件L2b。图20是表示通过图19所示的形成在多层基板的各层上的导体图案的线圈元件的主要磁通的图。又，图21是表示第8实施形态的高耦合度变压器的4个线圈元件Lla、Llb、L2a、L2b的磁耦合关系的图。如磁通FP12所示，由第I线圈元件Lla与第2线圈元件Llb而构成闭磁路，如磁通FP34所示，由第3线圈元件L2a与第4线圈元件L2b而构成闭磁路。又，如磁通FP13所示，由第I线圈元件Lla与第3线圈元件L2a而构成闭磁路，如磁通FP24所示，由第2线圈元件Llb与第4线圈元件L2b而构成闭磁路。进而，由4个线圈元件Lla、Llb、L2a、L2b也构成闭磁路FPall。根据所述第8实施形态的结构，线圈元件Lla与Lib、L2a与L2b的电感值因各自耦合而变小，故第8实施形态所示的高耦合度变压器也发挥与第6实施形态的高耦合度变压器35相同的效果。[实施方式9]图22是表示在多层基板上所构成的第9实施形态的高耦合度变压器的各层的导体图案的例子的图。各层由磁性体片构成，各层的导体图案以图22所示的方向形成在磁性体片的背面，各导体图案由实线表示。又，线状的导体图案具备规定的线宽，此处以简单的实线表示。在图22所示的范围内，在基材层51a的背面形成有导体图案73，在基材层51b的背面形成有导体图案72、74，在基材层51c的背面形成有导体图案71、75。在基材层51d的背面形成有导体图案61、65，在基材层51e的背面形成有导体图案62、64，在基材层51f的背面形成有导体图案63。在基材层51g的背面形成有端口 P1、P2、P3、P4。图22中纵向延伸的虚线是导通电极，其在层间连接各个导体图案。这些导通电极是实际具有规定的直径尺寸的圆柱形电极，此处以简单的虚线表示。在图22中，通过导体图案63的右半部分与导体图案61、62而构成第I线圈元件Lla。又,通过导体图案63的左半部分与导体图案64、65而构成第2线圈元件Lib。又,通过导体图案73的右半部分与导体图案71、72而构成第3线圈元件L2a。又，通过导体图案73的左半部分与导体图案74、75而构成第4线圈元件L2b。图23是表示第9实施形态的高耦合度变压器的4个线圈元件Lla、Lib、L2a、L2b的磁耦合关是的图。如此，通过第I线圈元件Lla与第2线圈元件Llb而构成第I闭磁路(由磁通FP12表示的回路)。又，通过第3线圈元件L2a与第4线圈元件L2b而构成第2闭磁路(由磁通FP34表示的回路)。通过第I闭磁路的磁通FP12与通过第2闭磁路的磁通FP34的方向彼此反向。此处，若将第I线圈元件Lla及第2线圈元件Llb表示为「I次侧」，将第3线圈元件L2a及第4线圈元件L2b表示为「2次侧」，则如图23所示，由于I次侧中的靠近2次侧之处连接有供电电路，因此，可提高I次侧中的靠近2次侧的电位，提高线圈元件Lla与线圈元件L2a之间的电场耦合，使得该电场耦合下的电流变大。
根据该第9实施形态的结构，线圈元件Lla与Lib、L2a与L2b的电感值因各自耦合而变小，因此，所述第9实施形态所示的高耦合度变压器也发挥与第6实施形态的高耦合度变压器35相同的效果。[实施方式10]图24是第10实施形态的高耦合度变压器的电路图。所述高耦合度变压器是通过连接在供电电路30与天线元件11之间的第I串联电路26、连接在供电电路30与天线元件11之间的第3串联电路28、以及连接在天线元件11与接地之间的第2串联电路27而构成。第I串联电路26是将第I线圈元件Lla与第2线圈元件Llb串联而成的电路。第2串联电路27是将第3线圈元件L2a与第4线圈元件L2b串联而成的电路。第3串联电路28是将第5线圈元件Llc与第6线圈元件Lld串联而成的电路。在图24中，圆圈框M12表示线圈元件Lla与Llb的耦合，圆圈框M34表示线圈元件L2a与L2b的耦合，圆圈框M56表示线圈元件Llc与Lld的耦合。又，圆圈框M135表示线圈元件Lla与L2a与Llc的耦合。同样地，圆圈框M246表示线圈元件Llb与L2b与Lld的耦合。在该第10实施形态中，通过将构成第2电感元件的线圈元件L2a、L2b配置成由构成第I电感元件的线圈元件Lla、Lib、Lie、Lld夹持，而抑制第2电感元件与接地之间所产生的杂散电容。可通过抑制这种不利于放射的电容分量，而提高天线的放射效率。图25是在多层基板上构成第10实施形态的高耦合度变压器的情况下各层的导体图案的例子的图。各层由磁性体片构成，各层的导体图案以图26所示的方向形成在磁性体片的背面，各导体图案以实线表示。又，线状的导体图案具备规定的线宽，此处以简单的实线表示。在图25所示的范围内，在基材层51a的背面形成有导体图案82，在基材层51b的背面形成有导体图案81、83，在基材层51c的背面形成有导体图案72。在基材层51d的背面形成有导体图案71、73，在基材层51e的背面形成有导体图案61、63，在基材层51f的背面形成有导体图案62。在基材层51g的背面分别形成有端口 P1、P2、P3、P4。图25中纵向延伸的虚线是导通电极，其在层间连接各个导体图案。这些导通电极是实际具有规定的直径尺寸的圆柱形电极，此处以简单的虚线表示。在图25中，通过导体图案62的右半部分与导体图案61而构成第I线圈元件Lla。又，通过导体图案62的左半部分与导体图案63而构成第2线圈元件Lib。又，通过导体图案71与导体图案72的右半部分而构成第3线圈元件L2a。又，通过导体图案72的左半部分与导体图案73而构成第4线圈元件L2b。又，通过导体图案81与导体图案82的右半部分而构成第5线圈元件Lie。又，通过导体图案82的左半部分与导体图案83而构成第6线圈元件Lid。在图25中，虚线的椭圆形表示闭磁路。闭磁路CM12与线圈元件Lla及Llb链接。又，闭磁路CM34与线圈元件L2a及L2b链接。进而，闭磁路CM56与线圈元件Llc及Lld链接。如此，通过第I线圈元件Lla与第2线圈元件Llb而构成第I闭磁路CM12，通过第3线圈元件L2a与第4线圈元件L2b而构成第2闭磁路CM34，通过第5线圈元件Llc与第6线圈元件Lld而构成第3闭磁路CM56。图25中双点划线的平面是等效产生的二个磁垒丽，在上述三个闭磁路之间线圈元件Lla与L2a、L2a与Lie、Llb与L2b、L2b与Lld以分别反向产生磁通的方式进行耦合。换言之，这二个磁垒MW中分别闭合有由线圈元件Lla、Llb构·成的闭磁路的磁通、由线圈元件L2a、L2b构成的闭磁路的磁通、以及由线圈元件LI c、LI d构成的闭磁路的磁通。以此方式，形成为第2闭磁路CM34由第I闭磁路CM12及第3闭磁路CM56沿层方向夹持的结构。通过该结构，而使第2闭磁路CM34由二个磁垒夹持而充分闭合(闭合的效果提高)。即，可作为耦合系数极大的变压器发挥作用。因此，可以某种程度使上述闭磁路CM12与CM34之间及CM34与CM56之间变宽。此处，若将由线圈元件Lla、Llb的串联电路与线圈元件Lie、Lld的串联电路并联而成的电路称为一次侧电路，将线圈元件L2a、L2b的串联电路称为二次侧电路，则可通过使上述闭磁路CM12与CM34之间、及CM34与CM56之间变宽而减小第I串联电路26与第2串联电路27之间、第2串联电路27与第3串联电路28之间分别产生的电容。即，规定自振荡点的频率的LC (电感电容)振荡电路的电容分量变小。又，根据第10实施形态，是将线圈元件Lla、Llb的第I串联电路26、与线圈元件Lie、Lld的第3串联电路28并联而成的结构，故规定自振荡点的频率的LC振荡电路的电
感分量变小。可以此方式，使规定自振荡点的频率的LC振荡电路的电容分量与电感分量皆变小，从而将自振荡点的频率规定为自使用频带中充分分离的高频率。[实施方式11]第11实施形态，是与第10实施形态不同的结构，且表示用以使变压器部的自振荡点的频率相较第7 第9实施形态所示的频率进一步提高的结构例。图26是第11实施形态的高耦合度变压器的电路图。该高耦合度变压器是通过连接在供电电路30与天线元件11之间的第I串联电路26、连接在供电电路30与天线元件11之间的第3串联电路28、及连接在天线元件11与接地之间的第2串联电路27而构成。第I串联电路26是第I线圈元件Lla与第2线圈元件Llb串联而成的电路。第2串联电路27是第3线圈元件L2a与第4线圈元件L2b串联而成的电路。第3串联电路28是第5线圈元件Llc与第6线圈元件Lld串联而成的电路。
在图26中，圆圈框M12表示线圈元件Lla与Llb的耦合，圆圈框M34表示线圈元件L2a与L2b的耦合，圆圈框M56表示线圈元件Llc与Lld的耦合。又，圆圈框M135表示线圈元件Lla与L2a与Llc的耦合。同样地，圆圈框M246表示线圈元件Llb与L2b与Lld的耦合。图27是表示在多层基板上构成第11实施形态的高耦合度变压器的情况下各层的导体图案的例子的图。各层由磁性体片构成，且各层的导体图案以图27所示的方向形成在磁性体片的背面，各导体图案以实线表示。又，线状的导体图案具备规定的线宽，此处以简单的实线表示。
与图25所示的高耦合度变压器的不同的处在于，导体图案81、82、83的线圈元件Lie、Lld的极性。在图27的例子中，闭磁路0106与线圈元件1^2&、1^1(3、1^1(1、1^213链接。因此，线圈元件L2a、L2b与Llc、Lld的间不会产生等效性磁垒。其它结构则如第10实施形态所示。根据第11实施形态，产生图27所示的闭磁路CMl2、CM34、CM56，并且产生闭磁路CM36，以此，线圈元件L2a、L2b的磁通因线圈元件Llc、Lld的磁通而吸入。因此，第12实施形态的结构中磁通也难以泄漏，其结果可作为耦合系数极大的变压器发挥作用。第11实施形态中，规定自振荡点的频率的LC振荡电路的电容分量与电感分量也都变小，故可将自振荡点的频率规定为自使用频带中充分分离的高频率。[实施方式12]第12实施形态，是与第10实施形态及第11实施形态不同的结构，且表示用以使变压器部的自振荡点的频率相较第7 第9实施形态所示的频率进一步提高的另一结构例。图28是第12实施形态的高耦合度变压器的电路图。该高耦合度变压器是通过连接在供电电路30与天线元件11之间的第I串联电路26、连接在供电电路30与天线元件11之间的第3串联电路28、及连接在天线元件11与接地之间的第2串联电路27构成。图29是表示在多层基板上构成第12实施形态的高耦合度变压器的情况下各层的导体图案的例子的图。各层由磁性体片构成，且各层的导体图案以图29所示的方向形成在磁性体片的背面，各导体图案以实线表示。又，线状的导体图案具备规定的线宽，此处以简单的实线表示。与图25所示的高耦合度变压器的不同之处在于，导体图案61、62、63的线圈元件Lla、Llb的极性以及导体图案81、82、83的线圈元件Lie、Lld的极性。在图29的例子中，闭磁路CM16与所有线圈元件Lla Lld、L2a、L2b链接。因此，该情况下不会产生等效性磁垒。其它结构则如第10实施形态及第11实施形态所示。根据第12实施形态，产生图29所示的闭磁路CMl2、CM34、CM56，并且产生闭磁路CM16，以此，线圈元件Lla Lld的磁通难以泄漏，其结果可作为耦合系数大的变压器发挥作用。第12实施形态中，规定自振荡点的频率的LC振荡电路的电容分量与电感分量也都变小，可将自振荡点的频率规定为自使用频带充分分离的高频率。[实施方式13]第13实施形态表示通信终端装置的例子。
图30 (A)是第13实施形态的第I例即通信终端装置的结构图，图30(B)是第2例即通信终端装置的结构图。这些是例如适于移动电话、移动体终端的I区段(segment)部分接收服务(通称Iseg)的高频信号接收用(470 770MHz)的终端。图30 (A)所示的通信终端装置I具备盖部即第I筐体10与本体部即第2筐体20，第I筐体10相对于第2筐体20以翻盖式或者滑盖式连结。在第I筐体10上设置有作为接地板发挥功能的第I放射元件11，在第2筐体20上设置有作为接地板发挥功能的第2放射元件21。第I及第2放射元件11、21是通过包含金属箔等薄膜或者导电性膏等厚膜的导电体膜而形成。所述第I及第2放射元件11、21通过自供电电路30进行差动供电而获得与偶极天线大致同等的性能。供电电路30具有如RF (Radio frequency,射频)电路或基频电路之类的信号处理电路。此外，高耦合度变压器35的电感值优选为小于连接二个放射元件11、21的连接线33的电感值。其原因在于，可减小与频率特性相关的连接线33的电感值的影响。
图30 (B)所示的通信终端装置2将第I放射元件11设置为天线单体。第I放射元件11可使用芯片天线、金属片天线、环形天线等各种天线元件。又，作为该天线元件，也可利用例如沿着筐体10的内周面或外周面设置的线状导体。第2放射元件21作为第2筐体20的接地板发挥功能，与第I放射元件11同样地可使用各种天线。附带而言，通信终端装置2是并非翻盖式或滑盖式的直板结构的终端。此外，第2放射元件21可不必以放射体充分发挥功能，第I放射元件11也可为以所谓的单极天线的方式而动作。供电电路30 —端连接在第2放射元件21，另一端经由高耦合度变压器35连接在第I放射元件11。又，第I及第2放射元件11、21通过连接线33而相互连接。所述连接线33作为分别装载在第I及第2筐体10、20上的电子零件(省略图示)的连接线发挥功能，且对于高频信号作为电感元件动作，而并非直接作用在天线的性能。高耦合度变压器35设置在供电电路30与第I放射元件11之间，使从第I及第2放射元件11、21所发送的高频信号、或者由第I及第2放射元件11、21接收的高频信号的频率特性稳定化。因此，不会受到第I放射元件11或第2放射元件21的形状、第I筐体10或第2筐体20的形状、周边零件的配置状况等的影响，使高频信号的频率特性稳定化。尤其对在翻盖式或滑盖式的通信终端装置，第I及第2放射元件11、21的阻抗易于根据盖部即第I筐体10对于本体部即第2框体20的开闭状态而产生变化，但可通过设置高耦合度变压器35而使高频信号的频率特性稳定化。即，该高耦合度变压器35可承担有关天线设计的重要事项、即中心频率的设定、通带宽度的设定、阻抗匹配的设定等频率特性的调整功能，天线元件本身主要仅考虑指向性或增益即可，因此天线的设计变得容易。此外，除以上所示的阻抗转换电路以外，本发明的高耦合度变压器可应用于例如升压/降压电路、变流/分流电路、平衡/非平衡转换电路等的高频电子电路。又，该高频电子电路可应用于例如移动体通信终端、RFID (Radio Frequency Identification,射频识另O)卷标/读写器、电视、计算机等电子设备。标号说明CM12、CM34、CM56闭磁路CM36、CM16闭磁路FP12、FP13、FP24、FP34 磁通
LI第I电感元件L2、L21、L22第 2 电感元件Lla第I线圈元件Llb第2线圈元件L2a第3线圈元件L2b第4线圈元件Llc、L2c第5线圈元件
Lid、L2d第6线圈元件M相互电感MW磁鱼Zl第I电感元件Z2第2电感元件Z3第3电感元件1、2通信终端装置10、20筐体11天线元件(第I放射元件)21第2放射元件26第I串联电路27第2串联电路28第3串联电路30供电电路33连接线34、35阻抗转换电路40层叠体51a 51 j基材层61 66导体图案68接地导体71 75导体图案81、82、83导体图案102、104、106天线装置140层叠体151a、151b、151c基材层161 164导体图案165a 165e导通孔导体
权利要求
1.一种高耦合度变压器，包含第I电感元件、及以高耦合度耦合在所述第I电感元件的第2电感元件，其特征在于， 所述第I电感元件与所述第2电感元件经由磁场及电场而耦合； 在交流电流流过所述第I电感元件时，通过经所述磁场的耦合而流过所述第2电感元件的电流的方向、与通过经所述电场的耦合而流过所述第2电感元件的电流的方向相同。
2.如权利要求I所述的高耦合度变压器，其特征在于， 在交流电流流过所述第I电感元件时，流过所述第2电感元件的电流的方向是在所述第I电感元件与所述第2电感元件之间产生磁垒的方向。
3.如权利要求I或2所述的高耦合度变压器，其特征在于， 所述第I电感元件包含第I线圈元件及第2线圈元件，所述第I线圈元件及所述第2线圈元件彼此串联，且以构成闭磁路的方式形成导体的卷绕图案。
4.如权利要求I至3中任一项所述的高耦合度变压器，其特征在于， 所述第2电感元件包含第3线圈元件及第4线圈元件，所述第3线圈元件及所述第4线圈元件彼此串联，且以构成闭磁路的方式形成导体的卷绕图案。
5.如权利要求I或2所述的高耦合度变压器，其特征在于， 所述第I电感元件包含第I线圈元件及第2线圈元件，所述第I线圈元件及所述第2线圈元件彼此串联，且以构成闭磁路的方式形成导体的卷绕图案； 所述第2电感元件包含第3线圈元件及第4线圈元件，所述第3线圈元件及所述第4线圈元件彼此串联，且以构成闭磁路的方式形成导体的卷绕图案； 所述第I线圈元件与所述第3线圈元件配置成使彼此的开口面相对，所述第2线圈元件与所述第4线圈元件配置成使彼此的开口面相对。
6.如权利要求I至5中任一项所述的高耦合度变压器，其特征在于， 所述第I电感元件及所述第2电感元件由配置在多个电介质层或层叠有磁性体层的层叠体内的导体图案构成，所述第I电感元件与所述第2电感元件在所述层叠体的内部耦合。
7.—种电子电路,其特征在于,具备 高耦合度变压器，包含第I电感元件、及以高耦合度耦合在所述第I电感元件的第2电感元件，所述第I电感元件与所述第2电感元件经由磁场及电场而耦合，在交流电流流过所述第I电感元件时，通过经所述磁场的耦合而流过所述第2电感元件的电流的方向、与通过经所述电场的耦合而流过所述第2电感元件的电流的方向相同； I次侧电路，连接在所述第I电感元件；以及 2次侧电路，连接在所述第2电感元件。
8.—种电子设备,其特征在于,具备 高耦合度变压器，包含第I电感元件、及以高耦合度耦合在所述第I电感元件的第2电感元件，所述第I电感元件与所述第2电感元件经由磁场及电场而耦合，在交流电流流过所述第I电感元件时，通过经所述磁场的耦合而流过所述第2电感元件的电流的方向、与通过经所述电场的耦合而流过所述第2电感元件的电流的方向相同； I次侧电路，连接在所述第I电感元件； 2次侧电路，连接在所述第2电感元件；以及 电路，经由所述高耦合度变压器在所述I次侧电路及所述2次侧电路间进行信号或电力的传 送。
全文摘要
高耦合度变压器(35)连接于例如天线元件(11)与供电电路(30)之间。高耦合度变压器(35)具备连接在供电电路(30)的第1电感元件(L1)、及耦合在第1电感元件(L1)的第2电感元件(L2)，且第1电感元件(L1)的第1端连接在供电电路(30)，第2端连接在天线元件(11)，第2电感元件(L2)的第1端连接在天线元件(11)，第2端接地。
文档编号H01Q1/24GK102714351SQ201180006418
公开日2012年10月3日 申请日期2011年1月19日 优先权日2010年1月19日
发明者加藤登, 石塚健一 申请人:株式会社村田制作所