专利名称：电容结构的制作方法
技术领域：
本发明涉及一种电容结构，且特别是涉及一种金属-氧化物-金属 (metal-oxide-metal, MOM)电容结构。
背景技术：
在现今半导体产业中，电容为相当重要而基本的元件。其中，金属-氧化物-金属电容(Μ0Μ电容)为一种常见的电容结构，其基本设计为在作为电极的金属平板之间充填绝缘介质，而使得每两个相邻的金属平板与其中的绝缘介质可形成一个电容单元。由于电容值和电极的面积成正比，而与两电极之间的距离成反比，故一般而言，在电容结构的设计中，可通过将电极之间的绝缘介质的厚度降低、或者增加电极表面积等方式来提高电容值。其中，关于增加电极表面积的方法，已提出有多层式电容结构，其为利用多层金属电极的设计来增加电极表面积。然而，于制作工艺技术方面常会产生难以控制介质层的均匀度、制造步骤较繁琐以及稳定度等问题。随着半导体微型化的需求，集成电路的积成度愈来愈高，如何在现有制作工艺规格下改良电容结构以提高电容结构中单位面积的电容值已然成为重要的研究课题。为了更有效地提升电容结构中单位面积的电容值，需要提出更理想的电容结构设计。
发明内容
本发明的目的在于提供一种电容结构，其可提升单位面积的电容值，并且实现总电容值的最佳化。为达上述目的，本发明提出一种电容结构，包括介电材料层以及至少两层金属层。 金属层间隔设置于介电材料层中。各金属层包括绕行状(zigzaging)电极、第一指状电极以及第二指状电极。绕行状电极形成多个第一凹部以及多个第二凹部，多个第一凹部位于绕行状电极的一侧，多个第二凹部位于绕行状电极的另一侧。第一指状电极包括多个第一延伸部，第一延伸部分别设置于第一凹部中。第二指状电极包括多个第二延伸部，第二延伸部分别设置于第二凹部中。其中，各金属层中的绕行状电极电连接相邻金属层中的第一指状电极及第二指状电极。本发明还提出一种电容结构，包括介电材料层、第一金属层以及第二金属层。第一金属层设置于介电材料层中，第一金属层包括第一绕行状电极、第一指状电极以及第二指状电极。第一绕行状电极形成多个第一凹部以及多个第二凹部，多个第一凹部位于第一绕行状电极的一侧，多个第二凹部位于第一绕行状电极的另一侧，第一指状电极包括多个第一延伸部，各第一延伸部分别设置于第一凹部中。第二指状电极包括多个第二延伸部，各第二延伸部分别设置于第二凹部中。第二金属层与第一金属层间隔设置于介电材料层中。第二金属层包括第二绕行状电极、第三指状电极以及第四指状电极。第二绕行状电极形成多个第三凹部以及多个第四凹部。多个第三凹部位于第二绕行状电极的一侧，多个第四凹部位于第二绕行状电极的另一侧。第三指状电极包括多个第三延伸部，各第三延伸部分别设置于第三凹部中。第四指状电极包括多个第四延伸部，各第四延伸部分别设置于第四凹部中。其中，第一绕行状电极电连接第三指状电极及第四指状电极，且第二绕行状电极电连接第一指状电极及第二指状电极。基于上述，本发明提供一种电容结构，可提升单位面积的电容值并实现总电容值的最佳化，且对于集成电路布局而言具有较低的面积成本。为让本发明的上述特征和优点能更明显易懂，下文特举实施例，并配合所附附图作详细说明如下。
图IA为依照本发明的一实施例所绘示的电容结构的示意图；图IB为图IA所示的电容结构沿\_V线的剖视图；图2为依照本发明的一实施例所绘示的电容结构中，多个介层窗连接两个相邻金属层的各种态样的示意图；图3A及图3B分别为图IA所绘示的电容结构中的第一金属层102与第二金属层 202的上视图；图4为计算本发明的电容结构中的总电容值所使用公式的示意图。主要元件符号说明100:电容结构101 :介电材料层102 :第一金属层108 :第一绕行状电极108a:第一凹部108b :第二凹部110:第一指状电极IlOa:第一基部IlOb:第一延伸部109a:第一方向109b:第二方向112:第二指状电极112a:第二基部112b:第二延伸部114、114a、114b、114c、114d、114e、114f、114g、114h :介层窗202 :第二金属层208 :第二绕行状电极208a :第三凹部208b:第四凹部209a:第三方向20%:第四方向
210 :第三指状电极210a :第三基部210b :第三延伸部212:第四指状电极212a:第四基部212b:第四延伸部302 :第三金属层308 :第三绕行状电极308a :第五凹部308b :第六凹部310 :第五指状电极310a :第五基部310b :第五延伸部312:第六指状电极312a :第六基部312b :第六延伸部SI :第一间距S2 :第二间距W1、W2、W3:线宽
具体实施例方式下文中参照所附附图来更充分地描述本发明实施例。然而，本发明可以多种不同的形式来实践，并非限制于下文中所述的实施例。此外，在附图中为明确起见，可能将各层与各元件的尺寸以及相对尺寸作夸张的描绘。另外，下文中所使用的「实质上」一词是指当存在「可容许的误差值」时，也属于本发明所要保护的范围。图IA为依照本发明的一实施例所绘示的电容结构的示意图。图IB为图IA所示的电容结构沿X-X^线的剖视图。首先，请参照图IA及图1B，电容结构100包括介电材料层101(未绘示于图IA中， 但绘不于图IB中)、第一金属层102、第二金属层202以及第三金属层302。此介电材料层101可为氧化绝缘层的单层或多层介电层结构，其材料例如是二氧化硅(SiO2)或氧化铝 (Al2O3) ο上述的多层介电层结构表示介电材料层101包括多种介电材料的介电层结构。第一金属层102、第二金属层202以及第三金属层302间隔设置于介电材料层101中。在此实施例中是以具有三层金属层的电容结构为例进行说明，但本发明不限于此，只要电容结构包括至少两层金属层，均属于本发明所主张的范围。于此，为使附图清楚，于图IA中并未绘示介电材料层101。如图IA所不,第一金属层102包括第一绕行状电极108、第一指状电极110以及第二指状电极112。在与第一金属层102法方向正交的平面上，第一绕行状电极108以绕行的方式形成多个第一凹部108a以及多个第二凹部108b。多个第一凹部108a位于第一绕行状电极108的一侧，多个第二凹部108b位于第一绕行状电极108的另一侧。各第一凹部108a的开口方向沿着第一方向109a，且各第二凹部108b的开口方向沿着与第一方向109a反向的第二方向109b。第一指状电极110包括多个第一延伸部110b，该些第一延伸部IlOb分别设置于各第一凹部108a中。第二指状电极112包括多个第二延伸部112b，该些第二延伸部112b分别设置于各第二凹部108b中。此外，第一指状电极110还包括第一基部110a，且该些第一延伸部IlOb连接至第一基部110a。第二指状电极112还包括第二基部112a，且该些第二延伸部112b连接至第二基部112a。在一实施例中，第一金属层102的材料例如是铜或铝金属。第二金属层202包括第二绕行状电极208、第三指状电极210以及第四指状电极 212。在与第二金属层202法方向正交的平面上，第二绕行状电极208以绕行的方式形成多个第三凹部208a以及多个第四凹部208b。多个第三凹部208a位于第二绕行状电极208的一侧，多个第四凹部208b位于第二绕行状电极208的另一侧。且各第三凹部208a的开口方向沿着第三方向209a，各第四凹部208b的开口方向沿着与第三方向209a反向的第四方向209b。在一实施例中，此第三方向209a与前述的第一方向109a例如是呈90°夹角，但本发明并不限于此。在其他实施例中，第三方向209a与第一方向109a的夹角角度可为大于0°且小于180°的任何角度。第三指状电极210包括多个第三延伸部210b，该些第三延伸部210b分别设置于第三凹部208a中。第四指状电极212包括多个第四延伸部212b，该些第四延伸部212b分别设置于第四凹部208b中。此外，第三指状电极210还包括第三基部210a，且该些第三延伸部210b连接至第三基部210a。第四指状电极212还包括第四基部212a，且该些第四延伸部212b连接至第四基部212a。在一实施例中，第二金属层202的材料例如是铜或铝金属。第三金属层302包括第三绕行状电极308、第五指状电极310以及第六指状电极 312。在与第三金属层302法方向正交的平面上，第三绕行状电极308以绕行的方式形成多个第五凹部308a以及多个第六凹部308b。多个第五凹部308a位于第三绕行状电极308的一侧，多个第六凹部308b位于第三绕行状电极308的另一侧。与前述第一凹部108a相似， 各第五凹部308a的开口方向沿着第一方向109a。与前述第二凹部108b相似，各第六凹部 308b的开口方向沿着第二方向109b，但本发明并不限于此。在其他实施例中，各第五凹部 308a的开口方向与第一方向109a之间的夹角，以及各第六凹部308b的开口方向与第二方向109b之间的夹角，均可为大于0°且小于180°的任何角度。第五指状电极310包括多个第五延伸部310b，该些第五延伸部310b分别设置于第五凹部308a中。第六指状电极312 包括多个第六延伸部312b,该些第六延伸部312b分别设置于第六凹部308b。此外,第五指状电极310还包括第五基部310a，且该些第五延伸部310b连接至第五基部310a。第六指状电极312还包括第六基部312a，且该些第六延伸部312b连接至第六基部312a。在一实施例中，第三金属层302的材料例如是铜或铝金属。其中，第一绕行状电极108电连接至第三指状电极210及第四指状电极212。第二绕行状电极208除了电连接至第一指状电极110及第二指状电极112之外，第二绕行状电极208也电连接至第五指状电极310及第六指状电极312。第三绕行状电极308电连接至第三指状电极210及第四指状电极212。在本实施例中，为使叙述更为简明，以下仅就第一金属层102与第二金属层202的设置关系以及连接方式等进行说明。所属技术领域中具通常知识者应可理解，第三金属层302的设置与连接方式等均可参照第一金属层102与第二金属层202的模式而依照设计需求进行调整。在其他实施例中，本发明的电容结构也可仅具有两层金属层、或者具有超过三层以上的金属层。请再次参照图IA及图1B，电容结构还可包括设置在第一金属层102与第二金属层202之间的多个介层窗114。通过如此的设置方式，可使第一绕行状电极108通过介层窗114而与第三指状电极210及第四指状电极212电连接，且第二绕行状电极208也可通过介层窗114而与第一指状电极110及第二指状电极112电连接。介层窗114的材料例如是铜或铝金属。在本实施例中，多个介层窗114例如是对应于于第一绕行状电极108及第二绕行状电极208的两端的位置进行设置。如此一来，第一绕行状电极108可通过介层窗114而与第三基部210a及第四基部212a电连接。第二绕行状电极208可通过介层窗114而与第一基部IlOa及第二基部112a电连接。然而，介层窗114设置的位置并不限于此，介层窗114 也可具有其他设置方式，以下另举一实施例进行说明。图2为依照本发明的一实施例所绘示的电容结构中，多个介层窗连接两个相邻金属层的各种态样的示意图。在此为以图IA中的第一金属层102与第二金属层202为例进行说明，以下即参照图2，说明多个介层窗连接两个相邻金属层的各种态样。请参照图2，在此实施例中，在第一金属层102与第二金属层202之间设置有多个介层窗114。相对于第一绕行状电极108,介层窗114a以及介层窗114h分别设置于第一绕行状电极108的两端的位置，介层窗114b以及介层窗114f设置于第一绕行状电极108的两端之间的位置。相对于第二绕行状电极208，介层窗114c以及介层窗114g连接于第二绕行状电极208的两端的位置，介层窗114d以及介层窗114e连接于第二绕行状电极208的两端之间的位置。通过上述的设置关系，第一绕行状电极108可电连接至第三指状电极210及第四指状电极212，且第二绕行状电极208可电连接至第一指状电极110及第二指状电极112。 值得一提的是，通过将介层窗114设置于不同位置，第一绕行状电极108可电连接至第三基部210a或第三延伸部210b，且第一绕行状电极108可电连接至第四基部212a或第四延伸部212b。此外，第二绕行状电极208可电连接至第一基部IlOa或第一延伸部110b，且第二绕行状电极208可电连接至第二基部112a或第二延伸部112b。以图2中的多个介层窗 114为例,介层窗114a可将第一金属层102的第一绕行状电极108连接至第二金属层202 中第三指状电极210的第三基部210a ;介层窗114b将第一金属层102的第一绕行状电极 108连接至第二金属层202中的第三指状电极210的第三延伸部210b ;介层窗114d将第二金属层202的第二绕行状电极208连接至第一金属层102中第二指状电极112的第二延伸部112b ;介层窗114c将第二金属层202的第二绕行状电极208连接至第一金属层102中第二指状电极112的第二基部112a ;介层窗114e将第二金属层202的第二绕行状电极208 连接至第一金属层102中第一指状电极110的第一延伸部IlOb ;介层窗114f将第一金属层102的第一绕行状电极108连接至第二金属层202中的第四指状电极212的第四延伸部 212b ;介层窗114h将第一金属层102的第一绕行状电极108连接至第二金属层202中的第四指状电极212的第四基部212a ;介层窗114g将第二金属层202的第二绕行状电极208连接至第一金属层102中第一指状电极110的第一基部110a。6/7页又，多个介层窗114连接第一金属层102与第二金属层202的方式并无特别限定， 只要能使第一绕行状电极108电连接至第三指状电极210及第四指状电极212，且使第二绕行状电极208电连接至第一指状电极110及第二指状电极112即可。因此,在以多个介层窗114连接第一金属层102以及第二金属层202时,就第一金属层102的第一绕行状电极108而言，可选择连接至第二金属层202的第三指状电极210上的第三基部210a及/或第三延伸部210b中的至少一个，并选择连接至第二金属层202的第四指状电极212上的第四基部212a及/或第四延伸部212b中的至少一个。同样地，就第二金属层202的第二绕行状电极208而言，可选择连接至第一金属层102的第一指状电极110上的第一基部IlOa及/或第一延伸部中IlOb中的至少一个,并选择连接至第二指状电极112上的第二基部112a及/或第二延伸部112b中的至少一个。此外，所属领域中具有通常知识者应理解可选择及组合上述介层窗114a 介层窗114h的设置方式以完成本发明的电容结构。值得一提的是，当多个介层窗114为分别设置于第一绕行状电极108两端之间的位置以及第二绕行状电极208两端之间的位置(如介层窗114b、介层窗114d、介层窗114e及介层窗114f)时,于具有多层金属层的电容结构中， 可降低电极的阻值，而进一步实现电容结构的最佳化。图3A及图3B分别为图IA所绘示的电容结构100中的第一金属层102与第二金属层202的上视图。以下将参照图3A以及图3B进一步说明本实施例的电容结构。请先参照图3A，在第一金属层102中，第一绕行状电极108与第一指状电极110之间具有第一间距SI，而第一绕行状电极108与第二指状电极112之间具有第二间距S2。第一间距SI与第二间距S2例如是实质上相同，但本发明并不限制于此。第一间距SI与第二间距S2可为半导体制作工艺技术所能达到的间距最小值，第一间距SI与第二间距S2可分别界于O. 14微米与O. 21微米之间。第一指状电极108的线宽W1、第二指状电极112的线宽W2以及第一绕行状电极 108的线宽W3可分别小于或等于第一间距SI以及第二间距S2。其中，第一指状电极108的线宽W1、第二指状电极112的线宽W2以及第一绕行状电极108的线宽W3可分别介于O. 14 微米与O. 20微米之间。线宽W1、线宽W2以及线宽W3例如是实质上相同。第二金属层202 以及第三金属层302中，间距及线宽的大小及相对关系均可参照第一金属层102。接下来，请同时参照图3A以及图3B，第一金属层102的上视图案在旋转一角度后可与第二金属层202的上视图案实质上重合。于本实施例中，此角度例如是90°，但本发明并不限于此。在其他实施例中，此角度可为大于0°且小于180°的任何角度。如上所述，在本实施例的电容结构100中，由于将第一绕行状电极108电连接至第三指状电极210及第四指状电极212，并且将第二绕行状电极208电连接至第一指状电极 110及第二指状电极112，故第一绕行状电极108与第一指状电极110之间、第一绕行状电极108与第二指状电极112之间、第二绕行状电极208与第三指状电极210之间、以及第二绕行状电极208与第四指状电极212之间均可存在电位差而分别具有电容值。此外，在第一金属层102以及第二金属层202之间也具有相邻金属层间的寄生电容值,故与一般平板式电容结构相比大大地增加了电极表面积以及总电容值。不仅如此，通过使各金属层中的绕行状电极与指状电极之间的间距达到一致，可进一步实现总电容值的最佳化。因此，使用本发明的电容结构可提升单位面积的电容值，对于集成电路布局而言具有较低的面积成本
9(area cost)。图4为计算本发明的电容结构中的总电容值所使用公式的示意图。此处是以具有两层金属层(如，第一金属层102及第二金属层202)的电容结构为例进行说明。请参照图4，其中"A"表示第一绕行状电极108、" BI"表示第一指状电极 110、" B2"表示第二指状电极112、" D"表示第二绕行状电极208、" Cl"表示第三指状电极210、" C2"表示第四指状电极212。" CA_B1 "表示第一绕行状电极108与第一指状电极110间的电容值、"CA_B2"表示第一绕行状电极108与第二指状电极112间的电容值、"CD_a"表示第二绕行状电极208与第三指状电极210间的电容值、"CD_e2"表示第二绕行状电极208与第四指状电极212间的电容值，而"Cfring/表示所有金属层中的绕行状电极与同层中的指状电极之间所产生的电容值的总和；"Iayerl "表示第一金属层 102, " layer2"表不第二金属层202,而"Clayert_2 "表不第一金属层102与第二金属层 202之间所产生的寄生电容，"Cttrtal"则表示整个电容结构的总电容值。请参照图4 :假设CA_B1、CA_B2、CD_cl以及CD_e2的大小均相同且等于电容值Cx，亦即CA_B1 — CA_B2 — CD_cl — CD_C2 — Cx,故Cftinge 约略等于 4CX，而此时的总电容值C
total 4CX +Clayerl—2在一实施例中，依据本发明的电容结构具有两层金属层(如，第一金属层102及第二金属层202)，且各金属层中的两个指状电极的线宽(如图3A中的第一线宽Wl以及第二线宽W2)以及绕行状电极的线宽(如图3A中的第三线宽W3)均为O. 14微米，各金属层中的指状电极与绕行状电极的间距(如图3A中的第一间距SI以及第二间距S2)也为O. 14 微米。各金属层中的两个指状电极分别具有4个延伸部。在此制作工艺条件下，依上述公式所计算出的本发明的电容结构的总电容值可达235pf (pico-faraday)每单位面积。在相同的制作工艺条件下(例如相同线宽以及相同的间距)，现有的指状电容结构的总电容值约为220pf每单位面积。因此，相较于现有技术的指状电容结构，本发明的电容结构的总电容值至少可高出约5%。综上所述，在上述实施例所提供的电容结构中，其通过增加电极表面积而提升总电容值。不仅如此，可通过使各金属层中电极间的间距达到一致而进一步实现总电容值的最佳化。因此，使用本发明的电容结构可提升单位面积的电容值，对于集成电路布局而言具有较低的面积成本。虽然结合以上实施例揭露了本发明，然而其并非用以限定本发明，任何所属技术领域中熟悉此技术者，在不脱离本发明的精神和范围内，可作些许的更动与润饰，故本发明的保护范围应以附上的权利要求所界定的为准。
权利要求
1.一种电容结构，包括介电材料层；以及至少两层金属层，间隔设置于该介电材料层中，且各该金属层包括绕行状电极，形成多个第一凹部以及多个第二凹部，该些第一凹部位于该绕行状电极的一侧，该些第二凹部位于该绕行状电极的另一侧；第一指状电极，包括多个第一延伸部，该些第一延伸部分别设置于该些第一凹部中；以及第二指状电极，包括多个第二延伸部，该些第二延伸部分别设置于该些第二凹部中； 其中，各该金属层中的该绕行状电极电连接相邻金属层中的该第一指状电极及该第二指状电极。
2.如权利要求I所述的电容结构，其中各该金属层的上视图案在旋转一角度后与相邻金属层的上视图案实质上重合。
3.如权利要求2所述的电容结构，其中该角度为90°。
4.如权利要求I所述的电容结构，还包括多个介层窗，用以将各该金属层的该绕行状电极电连接至相邻金属层中的该第一指状电极及该第二指状电极。
5.如权利要求4所述的电容结构，其中各该金属层的该绕行状电极通过该些介层窗电连接至相邻金属层中该第一指状电极的该些第一延伸部中的至少一个及该第二指状电极的该些第二延伸部中的至少一个。
6.如权利要求4所述的电容结构，其中该第一指状电极还包括第一基部，该些第一延伸部连接至该第一基部，该第二指状电极还包括第二基部，该些第二延伸部连接至该第二基部。
7.如权利要求6所述的电容结构，其中各该金属层的该绕行状电极通过该些介层窗电连接至相邻金属层中该第一指状电极的该第一基部及该第二指状电极的该第二基部。
8.如权利要求6所述的电容结构，其中各该金属层的该绕行状电极通过该些介层窗电连接至相邻金属层中该第一指状电极的该些第一延伸部中的至少一个及该第二指状电极的该第二基部，及/或连接至相邻金属层中该第一指状电极的该第一基部及该第二指状电极的该些第二延伸部中的至少一个。
9.如权利要求I所述的电容结构，其中在各该金属层中，该第一指状电极与该绕行状电极间具有一第一间距，该第二指状电极与该绕行状电极间具有一第二间距。
10.如权利要求9所述的电容结构，其中该第一间距与该第二间距实质上相同。
11.如权利要求9所述的电容结构，其中该第一间距与该第二间距分别介于O.14微米与O. 21微米之间。
12.如权利要求9所述的电容结构，其中在各该金属层中，该绕行状电极的线宽、该第一指状电极的线宽以及该第二指状电极的线宽分别小于或等于该第一间距以及该第二间距。
13.如权利要求I所述的电容结构，其中各该金属层中的该绕行状电极的线宽、该第一指状电极的线宽以及该第二指状电极的线宽分别介于O. 14微米与O. 20微米之间。
14.一种电容结构，包括介电材料层；第一金属层，设置于该介电材料层中，该第一金属层包括第一绕行状电极，形成多个第一凹部以及多个第二凹部，该些第一凹部位于该第一绕行状电极的一侧，该些第二凹部位于该第一绕行状电极的另一侧；第一指状电极，包括多个第一延伸部，该些第一延伸部分别设置于该些第一凹部中；以及第二指状电极，包括多个第二延伸部，该些第二延伸部分别设置于该些第二凹部中；以及第二金属层，与该第一金属层间隔设置于该介电材料层中，该第二金属层包括第二绕行状电极，形成多个第三凹部以及多个第四凹部，该些第三凹部位于该第二绕行状电极的一侧，该些第四凹部位于该第二绕行状电极的另一侧；第三指状电极，包括多个第三延伸部，该些第三延伸部分别设置于该些第三凹部；以及第四指状电极，包括多个第四延伸部，该些第四延伸部分别设置于该些第四凹部中； 其中，该第一绕行状电极电连接该第三指状电极及该第四指状电极，且该第二绕行状电极电连接该第一指状电极及该第二指状电极。
15.如权利要求14所述的电容结构,其中该第一金属层的上视图案在旋转一角度后与该第二金属层的上视图案实质上重合。
16.如权利要求14所述的电容结构,还包括多个介层窗,用以将该第一绕行状电极电连接至该第三指状电极及该第四指状电极，且将该第二绕行状电极电连接至该第一指状电极及该第二指状电极。
17.如权利要求16所述的电容结构，其中该第一绕行状电极通过该些介层窗电连接至该些第三延伸部中的至少一个以及该些第四延伸部中的至少一个。
18.如权利要求16所述的电容结构，其中该第一指状电极还包括第一基部，该些第一延伸部连接至该第一基部，该第二指状电极还包括第二基部，该些第二延伸部连接至该第二基部，该第三指状电极还包括第三基部，该些第三延伸部连接至该第三基部，该第四指状电极还包括第四基部，该些第四延伸部连接至该第四基部。
19.如权利要求18所述的电容结构，其中该第一绕行状电极通过该些介层窗电连接至该第三基部以及该第四基部。
20.如权利要求18所述的电容结构，其中该第一绕行状电极通过该些介层窗电连接至该些第三延伸部中的至少一个以及该第四基部，及/或电连接至该第三基部以及该些第四延伸部中的至少一个。
全文摘要
本发明公开一种电容结构，其包括介电材料层以及至少两层金属层。金属层间隔设置于介电材料层中。各金属层包括绕行状电极、第一指状电极以及第二指状电极。绕行状电极形成多个第一凹部以及多个第二凹部。多个第一凹部位于绕行状电极的一侧，多个第二凹部位于绕行状电极的另一侧。第一指状电极包括多个第一延伸部，第一延伸部分别设置于第一凹部中。第二指状电极包括多个第二延伸部，第二延伸部分别设置于第二凹部中。其中，各金属层中的绕行状电极电连接相邻金属层中的第一指状电极及第二指状电极。
文档编号H01L27/08GK102593128SQ201210069410
公开日2012年7月18日 申请日期2012年3月15日 优先权日2011年12月7日
发明者陈建盛 申请人:威盛电子股份有限公司