发光装置以及投影仪的制作方法

专利名称：发光装置以及投影仪的制作方法
技术领域：
本发明涉及发光装置以及投影仪。
背景技术：
超福射发光二极管(Super Luminescent Diode,以下称作“SLD”)是与普通的发光二极管相同地显示非相干性、并且显示宽带的光谱形状、同时能够在光输出特性方面与半导体激光相同地凭借单个元件得到几百mW程度的输出的半导体发光元件。SLD虽然被作为例如投影仪的光源来使用，但为了实现小型且高亮度的投影仪，需要使用光输出较大、且扩展性较小的光源。为此，优选从多个增益区域(gain regions)射出的光沿同一方向行进。在专利文献I中，通过组合具有直线状的形状的增益区域和具有 借助反射面而弯曲的形状的增益区域，使得从两个增益区域的光射出部(发光点)射出的光沿同一方向行进。专利文献I :日本特开2010-3833号公摄为了降低光学系统的损失和削减部件件数，提出有将发光装置配置于光阀的正下方、使用透镜阵列同时进行聚光与均匀照明的方式的投影仪。在这样的方式的投影仪中，需要按照透镜阵列的间隔配置光射出部。在专利文献I所记载的技术中，难以按照间距各异的多种不同的透镜阵列来配置多个光射出部的间隔，从而无法适用于上述的方式的投影仪。

发明内容
本发明的几个方式的目的之一在于提供一种能够增大多个光射出部的间隔、并能够适用于发光装置被配置于光阀的正下方的方式的投影仪的发光装置。另外，本发明的几个方式的目的之一在于提供一种具有上述发光装置的投影仪。本发明的发光装置，其特征在于，上述发光装置包括通过注入电流而产生光、且形成有该光的传导路的第I层；夹着上述第I层、且抑制上述光漏出的第2层以及第3层；和向上述第I层注入上述电流的电极，通过从上述电极注入电流而得到的上述光的传导路具有具有带状且直线状的形状的第I区域；带状的第2区域；带状的第3区域；以及带状的第4区域，上述第I区域与上述第2区域在设置于上述第I层的侧面的第I反射部连接，上述第I区域与上述第3区域在设置于上述第I层的、与设置有上述第I反射部的侧面不同的侧面的第2反射部连接，上述第2区域与上述第3区域在上述第I层的作为出射面的侧面连接，该第I层的作为出射面的侧面是与设置有上述第I反射部的侧面以及设置有上述第2反射部的侧面不同的侧面，上述第I区域设置成上述第I区域的长边方向相对于上述出射面平行，上述第2区域与上述第3区域从上述第I层、上述第2层以及上述第3层的层叠方向观察时以相同的倾角倾斜并与上述第I面连接，上述第I区域、上述第2区域以及上述第3区域中的至少一个与上述第4区域之间的距离是倏逝波耦合所产生的距离，上述第4区域构成谐振器。
根据这样的发光装置，第I区域设置成相对于出射面平行。因此，例如，和第I区域不与出射面平行的情况相比，能够抑制第I区域、第2区域以及第3区域的全长增大，并能够增大设置在出射面的光射出部的间隔。即，能够实现与出射面垂直的方向的元件长的小型化，且能够增大光射出部的间隔。进而根据这样的发光装置，与第I区域、第2区域以及第3区域中的至少一个分开倏逝波耦合所产生的距离而形成第4区域。因此，能够从光射出部射出在第4区域产生的光，能够增加发光装置周围的发光强度。进而第4区域能够构成谐振器。因此，这样的发光装置能够将含有SLD光成分与谐振光成分的光作为射出光而射出。因此，能够提高光输出，并能够降低斑纹噪声。本发明的发光装置，其特征在于，上述发光装置包括通过注入电流而产生光、且形成有该光的传导路的第I层；夹着上述第I层、且抑制上述光漏出的第2层以及第3层；和向上述第I层注入上述电流的电极，通过从上述电极注入电流而得到的上述光的传导路具有具有带状且直线状的形状的第I区域；带状的第2区域；带状的第3区域；以及带状 的第4区域，上述第I区域与上述第2区域在设置于上述第I层的侧面的第I反射部连接，上述第I区域与上述第3区域在设置于上述第I层的、与设置有上述第I反射部的侧面不同的侧面的第2反射部连接，上述第2区域与上述第3区域在上述第I层的作为出射面的侧面连接，该第I层的作为出射面的侧面是与设置有上述第I反射部的侧面以及设置有上述第2反射部的侧面不同的侧面，上述第I区域设置成上述第I区域的长边方向相对于上述出射面平行，在上述出射面形成有防反射膜，该防反射膜在产生于上述第I层的光的波段中减少反射率，在上述出射面中从上述第2区域射出的第I光和在上述出射面中从上述第3区域射出的第2光沿相同的方向射出，上述第I区域、上述第2区域以及上述第3区域的至少一个与上述第4区域之间的距离是倏逝波耦合所产生的距离，上述第4区域构成谐振器。根据这样的发光装置，能够增大多个光射出部的间隔。在本发明的发光装置中，能够在上述第4区域的长边方向的两端形成反射面。根据这样的发光装置，第4区域能够构成法布里-珀罗型的谐振器，即便在所射出的光中不含谐振光成分，也能够充分地降低斑纹噪声。在本发明的发光装置中，能够在上述第4区域形成构成分布反馈型(DFB型)的谐振器的周期构造。根据这样的发光装置，第4区域能够构成DFB型的谐振器，能够增大封入光的效果。其结果，能够抑制光的损失。在本发明的发光装置中，能够在上述第4区域的长边方向的两端形成分布布拉格反射型(DBR型)的谐振器。根据这样的发光装置，第4区域能够构成DBR型的谐振器，能够抑制光的损失，并能够充分降低斑纹噪声。在本发明的发光装置中，可以是，上述第I区域的长边方向与上述第4区域的长边方向平行，上述第I区域与上述第4区域之间的距离为倏逝波耦合所产生的距离。根据这样的发光装置，能够在第I区域与第4区域之间高效地产生倏逝波耦合。在本发明的发光装置中，上述第I区域与上述第4区域之间的距离可以为IOOnm以上且40 Ii m以下。根据这样的发光装置，能够在第I区域与第4区域之间高效地产生倏逝波耦合。在本发明的发光装置中，上述第4区域能够设置有多个。根据这样的发光装置，能够增加发光强度。在本发明的发光装置中，相邻的上述第4区域之间的距离为IOOnm以上且40iim以下。根据这样的发光装置，能够在相邻第4区域之间高效地产生倏逝波耦合。在本发明的发光装置中，能够在上述第I区域、上述第2区域、上述第3区域以及 上述第4区域具有折射率传导型的构造。根据这样的发光装置，与具有增益传导型的构造的情况相比，能够抑制区域间的耦合光的传导损失。本发明的发光装置，其特征在于，上述发光装置具备层叠体，该层叠体具有第I层、和夹着上述第I层的第2层以及第3层的层叠体，上述第I层具有产生光并对该光进行传导的第I增益区域、第2增益区域、第3增益区域以及第4增益区域，上述第2层以及上述第3层是抑制在上述第I增益区域、上述第2增益区域、上述第3增益区域以及上述第4增益区域产生的光的漏出的层，上述第I层具有形成上述层叠体的外形的第I面、第2面以及第3面，在上述第I层产生的光的波段中，上述第I面具有低于上述第2面的反射率以及上述第3面的反射率的反射率，上述第I增益区域设置成，从上述层叠体的层叠方向观察时从上述第2面至上述第3面相对于上述第I面平行，上述第2增益区域在上述第2面与上述第I增益区域重叠，且从上述第2面设置至上述第I面，上述第3增益区域在上述第3面与上述第I增益区域重叠，且从上述第3面设置至上述第I面，上述第2增益区域与上述第3增益区域相互分离，且从上述层叠体的层叠方向观察以相同的倾角倾斜并与上述第I面连接，上述第I增益区域、上述第2增益区域以及上述第3增益区域的至少一个与上述第4增益区域之间的距离为倏逝波耦合所产生的距离，上述第4区域构成谐振器。根据这样的发光装置，能够增大多个光射出部的间隔。本发明的投影仪包括本发明的发光装置；根据图像信息对从上述发光装置射出来的光进行调制的光调制装置；以及投射由上述光调制装置形成的图像的投射装置。根据这样的投影仪，透镜阵列的校准容易，能够以优异的均匀性照射液晶光阀(光调制装置)。


图I是示意性地示出本实施方式的发光装置的俯视图。图2是示意性地示出本实施方式的发光装置的剖视图。图3是示意性地示出本实施方式的发光装置的剖视图。图4是示意性地示出从本实施方式的发光装置射出的光的光输出强度的图。图5是示意性地示出本实施方式的发光装置的制造工序的剖视图。图6是示意性地示出本实施方式的发光装置的制造工序的剖视图。图7是示意性地示出本实施方式的发光装置的制造工序的剖视图。图8是示意性地示出本实施方式的第I变形例的发光装置的俯视图。
图9是示意性地示出本实施方式的第I变形例的发光装置的剖视图。图10是示意性地示出本实施方式的第2变形例的发光装置的俯视图。图11是示意性地示出本实施方式的第2变形例的发光装置的剖视图。图12是示意性地示出从本实施方式的第2变形例的发光装置射出的光的光输出强度的图。图13是示意性地示出本实施方式的第3变形例的发光装置的俯视图。图14是示意性地示出本实施方式的第3变形例的发光装置的剖视图。图15是示意性地示出从本实施方式的第3变形例的发光装置射出的光的光输出 强度的图。图16是示意性地示出本实施方式的第4变形例的发光装置的俯视图。图17是示意性地示出本实施方式的第4变形例的发光装置的剖视图。图18是示意性地示出本实施方式的第5变形例的发光装置的俯视图。图19是示意性地示出本实施方式的投影仪的图。图20是示意性地示出本实施方式的投影仪的图。图21是示意性地示出本实施方式的投影仪的光源的图。图22是示意性地示出本实施方式的投影仪的光源的剖视图。图23是示意性地示出本实施方式的投影仪的光源的剖视图。图24是示意性地示出本实施方式的投影仪的光源的剖视图。
具体实施例方式以下，参照附图对本发明的优选的实施方式进行说明。I.发光装置首先，参照附图对本实施方式的发光装置进行说明。图I是示意性地示出本实施方式的发光装置100的俯视图。图2是示意性地示出本实施方式的发光装置100的图I的II-II线剖视图。图3是示意性地示出本实施方式的发光装置100的图I的III-III线剖视图。其中，图I中为便于说明，省略了第2电极114的图示。如图I 图3所示，发光装置100可以含有层叠体120、第I电极112以及第2电极 114。层叠体120可以具有基板102、第2层104(以下也称作“第I包覆层(cladding) 104，，)、第I层106 (以下也称作“活性层106”)、第3层108 (以下也称作“第2包覆层108”)、接触层110、绝缘层116。作为基板102，例如能够使用第I导电型(例如n型)的GaAs基板等。第I包覆层104形成在基板102上。作为第I包覆层104例如能够使用n型的InGaAlP层等。此外，还可以在基板102与第I包覆层104之间形成缓冲层，但对此未予图示。作为缓冲层，例如可以使用n型的GaAs层、AlGaAs层、InGaP层等。缓冲层能够提高在其上方形成的层的结晶性。活性层106形成于第I包覆层104上。活性层106被第I包覆层104与第2包覆层108夹着。活性层106例如具有将三个由InGaP阱层与InGaAlP阻挡层构成的量子阱构造重叠的重叠量子阱(MQW)构造。
活性层106的平面形状例如与层叠体120的平面形状相同。在图I所示的例子中，活性层106的平面形状为六边形，具有第I面131、第2面132、第3面133、第4面134、第5面135以及第6面136。面131136是活性层106的面中的不与第I包覆层104或者第2包覆层108面状接触的面，是形成层叠体120的外形的面。面131 136从层叠体120的层叠方向观察设置在活性层106的侧面(侧壁)，換言之设置在层叠体120的侧面部，是平坦的面。在图I所示的例子中，面134、135与面131正交。面136与面131对置。面132与面134、136连接，且相对于面131傾斜。面133与面135、136连接，且相对于面131傾斜。例如，面131、134、135、136通过劈开而形成，面132、133通过蚀刻技术而形成。活性层106的一部分构成第I増益区域160、第2増益区域162、第3増益区域164以及第4增益区域166。增益区域160、162、164、166能够产生光，该光能够在增益区域160、162、164、166内接受增益并进行传导。即，增益区域160、162、164、166是针对由活性层106产生的光的传导路。如图I所示，第I增益区域160在从层叠体120的层叠方向俯视观察时具备具有规定的宽度的帯状且直线状的长边形状(具有长边方向与短边方向的形状)。另外，从层叠体120的层叠方向观察(俯视观察)，从第2面132朝向第3面133的第I増益区域160的长边方向被设置成与第I面131平行。第I増益区域160具有设置在与第2面132连接的连接部分的第I端面181、以及设置在与第3面133连接的连接部分的第2端面182。此外，“第I增益区域160的长边方向”是指例如在从层叠体120的层叠方向的俯视观察时，通过第I端面181的中心与第2端面182的中心的直线的延伸方向。另外，也可以是第I増益区域160 (与除第I増益区域160以外的部分)的分界线的延伸方向。另外，对于“第I増益区域160与第I面131平行”，考虑到制造偏差等，指的是在俯视观察时第I増益区域160相对于第I面131的倾斜角在±1°以内。第I增益区域160在从层叠体120的层叠方向俯视观察时，相对于第2面132的垂线P2以第I角度α I倾斜并与第2面132连接。換言之，第I増益区域160的帯状形状的长边方向相对于垂线Ρ2具有α I的角度。另外，第I増益区域160相对于第3面133的垂线Ρ3以第2角度α 2倾斜并与第3面133连接。換言之，第I増益区域160的帯状形状的长边方向相对于垂线Ρ3具有α 2的角度。第I増益区域160的长度比第2増益区域162的长度以及第3増益区域164的长度更大。第I增益区域160的长度亦可在第2增益区域162的长度与第3增益区域164的长度的和以上。其中，“第I増益区域160的长度”亦为第I端面181的中心与第2端面182的中心间的距离。对于其他的増益区域也同样，长度亦为两个端面的中心间的距离。 第2増益区域162在从层叠体120的层叠方向俯视观察吋，从第2面132到第I面131具备例如具有规定的宽度的帯状且直线状的长边形状。第2増益区域162具有设置于与第2面132连接的连接部分的第3端面183和设置于与第I面131连接的连接部分的第4端面184。此外，“第2增益区域162的长边方向”是指例如在俯视观察层叠体120时，通过第3端面183的中心与第4端面184的中心的直线的延伸方向。另外，亦可为第2増益区域162 (与除去第2增益区域162的部分)的分界线的延伸方向。
第2増益区域162的第3端面183在第2面132上与第I増益区域160的第I端面181重叠。在图示的例子中，第I端面181与第3端面183完全重叠。第2增益区域162例如在从层叠体120的层叠方向俯视观察时，相对于垂线P2以第I角度α I倾斜并与第2面132连接。換言之，第2増益区域162的长边方向相对于垂线Ρ2具有α I的角度。S卩，第I増益区域160相对于垂线Ρ2的角度与第2増益区域162相对于垂线Ρ2的角度在制造偏差的范围内相同。第I角度α I为锐角，在临界角以上。由此，第2面132能使在增益区域160、162、164、166产生 的光全反射。此外，对于“第I増益区域160相对于垂线Ρ2的角度与第2増益区域162相对于垂线Ρ2的角度相同”，考虑到蚀刻等的制造偏差，指的是例如±2°程度以内的角度差。第2增益区域162在从层叠体120的层叠方向俯视观察时，相对于第I面131的垂线Pl以角度β倾斜并与第I面131连接。換言之，第2増益区域162的长边方向相对于垂线Pl具有β的角度。角度β为锐角，是小于临界角的角度。第3増益区域164在从层叠体120的层叠方向俯视观察吋，从第3面133到第I面131具备例如具有规定的宽度的帯状且直线状的长边形状。即，第3増益区域164具有设置在与第3面133连接的连接部分的第5端面185和设置在与第I面131连接的连接部分的第6端面186。此外，“第3增益区域164的长边方向”是指例如在层叠体120的俯视观察时通过第5端面185的中心与第6端面186的中心的直线的延伸方向。另外，亦可是第3増益区域164(与除去第3增益区域164的部分)的分界线的延伸方向。第3増益区域164的第5端面185在第3面133上与第I増益区域160的第2端面182重叠。在图示的例子中，第2端面182与第5端面185完全重叠。第2増益区域162与第3増益区域164相互分离。在图I所示的例子中，第2增益区域162的第4端面184与第3増益区域164的第6端面186分开间隔D。第3增益区域164例如在从层叠体120的层叠方向俯视观察时，相对于垂线Ρ3以第2角度α 2倾斜并与第3面133连接。換言之，第3増益区域164的长边方向相对于垂线Ρ3具有α 2的角度。S卩，第I増益区域160相对于垂线Ρ3的角度与第3増益区域164相对于垂线Ρ3的角度在制造偏差的范围内相同。第2角度α 2为锐角，在临界角以上。由此，第3面133能使在增益区域160、162、164、166产生的光全反射。此外，对于“第I増益区域160相对于垂线Ρ3的角度与第3増益区域164相对于垂线Ρ3的角度相同”，考虑到蚀刻等的制造偏差，指的是例如±2°程度以内的角度差。第3增益区域164在从层叠体120的层叠方向俯视观察时，相对于垂线Pl以角度β倾斜并与第I面131连接。換言之，第3増益区域164的长边方向相对于垂线Pl具有β的角度。即，第2増益区域162与第3増益区域164在俯视观察吋，以相同的倾角倾斜并与第I面131连接，且相互平行。更具体地说，第2増益区域162的长边方向与第3増益区域164的长边方向相互平行。由此，从第4端面184射出的光20与从第6端面186射出的光22能够沿同一方向行进。端面184、186为光射出部。角度β是比0°大的角度。由此，在第4端面184与第6端面186之间，能够不使在增益区域160、162、164产生的光直接地多重反射。其结果，在增益区域160、162、164，能够不构成直接的谐振器。
如上所述，通过使角度α I、α 2在临界角以上、角度β小于临界角，能够使第I面131的反射率比第2面132的反射率以及第3面133的反射率低。S卩，第I面131能够成为光出射面，设置在出射面的第4端面184以及第6端面186能够成为使在増益区域160、162、164、166产生的光射出的光射出部(光射出部184、186)。第2面132以及第3面133能够成为反射面，设置在反射面的第I端面181以及第3端面183能够成为使在増益区域160、162、164、166产生的光反射的第I反射部(第I反射部181、183)。同样，设置在反射面的第2端面182以及第5端面185能够成为使在增益区域160、162、164、166产生的光反射的第2反射部(第2反射部182、185)。此外，例如亦可用防反射膜覆盖第I面131，用反射膜覆盖第2面132以及第3面133，但对此未予图示。由此，即便在增益区域160、162、164、166中所产生的光在第2面132以及第3面133中未被全反射的入射角度、折射率等的条件下，也能使在增益区域160、162、164、166产生的光的波段中的第I面131的反射率低于第2面132的反射率以及第3面133的反射率。另外，由于用防反射膜覆盖第I面131，故能够减少在増益区域160、162、164、166 产生的光在第4端面184与第6端面186之间直接地多重反射。作为反射I旲以及防反射I旲，可以使用SiO2层，Ta2O5层、Al2O3层、TiN层、TiO2层、SiON层、SiN层或这些层的多层膜等。另タ卜，作为通过蚀刻形成面132、133的DBR(Distributed Bragg Reflector),亦可得到高反射率。如图I所示，第4增益区域166在从层叠体120的层叠方向俯视观察时，具备例如具有规定的宽度的帯状且直线状的长边形状。第4増益区域166被配置为与增益区域160、162、164的至少ー个分离倏逝波稱合(evanescent coupling)所产生的距离。第4增益区域166在从层叠体120的层叠方向俯视观察时，被第I增益区域160、第2增益区域162、第3増益区域164以及第I面131包围，第I増益区域160与第4増益区域166之间的距离L(參照图2)为倏逝波耦合所产生的距离。距离L也取决于第I増益区域160以及第4增益区域166的折射率或传导路宽度(短边方向的宽度)，但例如在IOOnm以上40 μ m以下。第I増益区域160的长边方向与第4増益区域166的长边方向例如为平行。另外，第I增益区域160与第4増益区域166之间的距离L优选为与第I増益区域160以及第4増益区域166的传导路宽度相同，或较之更短。在第4增益区域166的长边方向的两端形成反射面167。反射面167例如亦可是通过对层叠体120蚀刻而形成的开ロ部的ー个面。如图3所示，该开ロ部可以具有贯通活性层106的深度。在图示的例子中，开ロ部的底面位于第I包覆层104的上表面与下表面之间。此外，“第4增益区域166的长边方向”是指例如在层叠体120的俯视观察时通过两个反射面167的中心的直线的延伸方向。另外，亦可为第4増益区域166(与除去第4增益区域166的部分)的分界线的延伸方向。如图2所示，第2包覆层108形成于活性层106上。作为第2包覆层108例如可以使用第2导电型(例如P型)的InGaAlP层等。例如，利用P型的第2包覆层108、未掺杂杂质的活性层106以及η型的第I包覆层104构成pin ニ极管。第I包覆层104以及第2包覆层108分别是与活性层106相比禁带宽度较大、折射率较小的层。活性层106具有产生光且放大光同时进行传导的功能。第I包覆层104以及第2包覆层108夹持活性层106，具有注入载体(电子以及空穴)以及封入光的功能(抑制光漏出的功能)。当在第I电极112与第2电极114之间施加pin ニ极管的正向偏压(注入电流)时，发光装置100在活性层106产生增益区域160、162、164、166，在增益区域160、162、164、166引起电子与空穴的再耦合。通过该再耦合产生发光。以该产生的光为起点，连锁地引起受激发射，在増益区域160、162、164、166内对光的强度进行放大。例如，如图I所示，产生于第2増益区域162且朝向第2面132侧的光在第2増益区域162内被放大后，在第2面132 (端面181、183)发生反射，朝向第3面133沿第I増益区域160行迸。然后，进而在第3面133 (端面182、185)发生反射，沿第3増益区域164行进而从第6端面186作为射出光22射出。此时，在增益区域160、164内光 强度也被放大。同样，产生于第3増益区域164且朝向第3端面133侧的光在第3増益区域164内被放大后，在第3面133发生反射，朝向第2面132沿第I増益区域160行迸。然后，进而在第2面132发生反射，沿第2増益区域162行进而从第4端面184作为射出光20射出。此时，在增益区域160、162内光强度也被放大。此外，在第2增益区域162产生的光中还存在直接从第4端面184作为射出光20射出的光。同样，在第3増益区域164产生的光中也存在直接从第6端面186作为射出光22射出的光。这些光也同样在各增益区域162、164内被放大。如上述那样，角度β是大于0°的角度。由此，能够在第4端面184与第6端面186之间不使产生于增益区域160、162、164的光直接地多重反射。其结果，在增益区域160、162、164中，能够不构成直接的谐振器，能够使在增益区域160、162、164产生的光作为光谱宽度宽、且可干渉性低的光(SLD光成分)而射出。因此，能够降低斑纹噪声。在第4增益区域166产生的光被形成于第4增益区域166的长边方向的两端的反射面167反射，在第4増益区域166内往复，由此产生谐振。即，利用第4増益区域166与反射面167构成法布里-珀罗型的谐振器，产生可干渉性高的光(谐振光成分)。如上述那样，第I増益区域160与第4増益区域166之间的距离L是倏逝波耦合所产生的距离。因此，在第4増益区域166内往复的光的一部分的成分通过倏逝波耦合朝第I増益区域160移动。即，在第4増益区域166内往复的光感受到在作为高折射区域的第I増益区域160以及在第I増益区域160进行传导的光，其一部分以与在第I増益区域160传导的光相互增强的方式转换成在第I増益区域160传导的光。由于第I増益区域160未构成谐振器，因此在第I増益区域160传导的光的相位是随机的，在第4増益区域166中谐振的光以相位的匹配性好的时机自然地与在第I增益区域160传导的光耦合。这样，在第4増益区域166往复的光在第4増益区域166谐振期间到达第I増益区域160。其后，到达第I増益区域160的来自第4増益区域166的光如上述那样，在面132、133发生反射，从端面184、186 (光射出部184、186)被作为射出光20、22射出。第4增益区域166不具有光射出部。因此，在第4増益区域166往复的光除了在反射面167损失的光和被包覆层104、108吸收的光以外，几乎全部的光朝第I增益区域160移动，能够从光射出部184、186射出。图4是示意性示出从发光装置100射出的光的、相对于波长的输出強度的示意图。如图4所示，发光装置100能够将包含如下光的光作为射出光而射出，即，射出含有在増益区域160、162、164产生的可干涉性低的光(SLD光成分)和在增益区域166产生的可干涉性高的光(谐振光成分)的光。如图4所不，SLD光成分与谐振光成分相互重叠。在发光装置100中，由于第4増益区域166构成法布里-珀罗型的谐振器，因此谐振光成分为多种模式。因此，发光装置100虽然在所射出的光中含有谐振光成分，却能够降低斑纹噪声。此外，在发光装置100中，还存在因倏逝波耦合而从第I増益区域160到第4増益区域166的光。但是，由于第4増益区域166不具有光射出部，因此从第I増益区域160到达第4増益区域166的光在第4増益区域166内往复的期间，能够通过倏逝波耦合再次到达第I增益区域160。然后，能够从光射出部184、186射出。如图2所示，接触层110形成在第2包覆层108上。接触层110能够与第2电极 114欧姆接触。接触层110的上表面113为接触层110与第2电极114的接触面。作为接触层110，例如能够使用P型的GaAs层等。接触层110与第2包覆层108的一部分能够构成柱状部111。柱状部111的从层叠体120的层叠方向观察的平面形状与增益区域160、162、164、166的从层叠体120的层叠方向观察的平面形状相同。即，接触层110的上表面113的平面形状与増益区域160、162、164、166的平面形状相同。例如，通过柱状部111的平面形状确定电极112、114间的电流路径，其結果，确定增益区域160、162、164、166的平面形状。此外，还可以使柱状部111的侧面倾斜，但对此未予图示。绝缘层116在第2包覆层108上，且形成在柱状部111的侧方。绝缘层116能够与柱状部111的侧面接触。绝缘层116的上表面，例如与接触层110的上表面113连续。作为绝缘层116，例如能够使用SiN层、SiO2层、SiON层、Al2O3层、聚酰亚胺层等。当使用上述的材料作为绝缘层116的情况下，电极112、114间的电流能够避开绝缘层116而流过被该绝缘层116夹着的柱状部111。绝缘层116能够具有比活性层106的折射率小的折射率。此时，形成绝缘层116的部分的垂直剖面的有效折射率比未形成绝缘层116的部分、即、形成柱状部111的部分的垂直剖面的有效折射率小。由此，在平面方向，能够将光有效地封入到增益区域160、162、164、166内。其中，作为绝缘层116，亦可不使用上述的材料而设定为空气层，但对此未予图示。此时，空气层能够发挥作为绝缘层116的功倉^:。第I电极112形成在基板102之下的整个面。第I电极112能够与和该第I电极112欧姆接触的层(图示的例子中为基板102)接触。第I电极112经由基板102与第I包覆层104电连接。第I电极112是用于驱动发光装置100的ー个电极。作为第I电极112，例如可以使用从基板102侧依次层叠有Cr层、AuGe层、Ni层、Au层而形成的电极等。此外，在第I包覆层104与基板102之间设置第2接触层(未图示)，通过从与基板102相反一侧进行的干蚀刻等使该第2接触层朝与基板102相反ー侧露出，能够将第I电极112设置在第2接触层上。由此，能够得到单面电极构造。该方式在基板102为绝缘性的情况下尤为有效。第2电极114形成为与接触层110的上表面113接触。进而如图2所示，第2电极114亦可形成在绝缘层116上。第2电极114经由接触层110与第2包覆层108电连接。第2电极114是用于驱动发光装置100的另ー电扱。作为第2电极114例如可以使用从接触层110侧依次层置Cr层、AuZn层、Au层而形成的电极等。以上，作为本实施方式的发光装置100的ー个例子，对InGaAlP系的情况进行了说明，而发光装置100亦可使用可形成发光增益区域的所有材料系。若为半导体材料，则例如可使用 AlGaN 系、GaN 系、InGaN 系、GaAs 系、AlGaAs 系、InGaAs 系、InGaAsP 系、ZnCdSe 系等半导体材料。另外，作为本实施方式的发光装置100的ー个例子，对在形成绝缘层116的区域和未形成绝缘层116的区域、即形成柱状部111的区域之间设置折射率差从而封入光的折射率传导型进行了说明。与此相对，发光装置100亦可是通过形成柱状部而不设置折射率差、使増益区域为不变的传导区域的増益传导型。然而，考虑到増益区域间的光耦合以及耦合光的传导损失，优选采用折射率传导型。本实施方式的发光装置100例如能够应用于投影仪、显示器、照明装置、检测装置等的光源中。本实施方式的发光装置100例如具有以下的特征。
根据发光装置100，第I増益区域160从第2面132到第3面133被设置成与形成有光射出部184、186的第I面131平行。因此，例如同第I増益区域不与第I面平行的情况相比，能够抑制増益区域的全长増大，并增大光射出部184、186的间隔。即，能够实现与光出射面(第I面131)垂直的方向的元件长度的小型化，且增大光射出部184、186的间隔。由此，在发光装置100中，资源不会浪费，能够抑制制造成本。更具体地说，在发光装置100中，能够将光射出部184、186的间隔D设为O. 262mm以上且不足3mm，将角度β设为5°以下，将增益区域160、162、164的全长设为I. 5mm以上且3mm以下。进而根据发光装置100，与増益区域160、162、164中的至少ー个隔开倏逝波耦合所产生的距离，从而形成有第4増益区域166。因此，能够从增益区域162的端面184以及増益区域164的端面186射出在第4増益区域166产生的光，能够使每个发光装置的发光强度增加。进而第4増益区域166能够构成谐振器。因此，发光装置100能够将含有SLD光成分与谐振光成分的光作为射出光而射出。因此，能够提高光输出，且降低斑纹噪声。特别是，由于在发光装置100中，第4増益区域166构成法布里-珀罗型的谐振器，因此谐振光成分为多重模式。因此，发光装置100虽然在所射出的光中含有谐振光成分,却仍能够充分地降低斑纹噪声。进而第4増益区域166在从层叠体120的层叠方向俯视观察时，形成为被第I增益区域160、第2増益区域162、第3増益区域164以及作为出射面的第I面131包围。因此，通过形成第4増益区域166，能够防止发光装置100整体的面积増大。其结果，资源(发光装置的制造所需的基板或气体、药品等)不会浪费，能够抑制制造成本。根据发光装置100，第I増益区域160以及第2増益区域162相对于第2面132的垂线P2以第I角度α I倾斜并与第2面132连接，第I増益区域160以及第3増益区域164相对于第3面133的垂线Ρ3以第2角度α 2倾斜并与第3面133连接。角度α I、α 2在临界角以上。因此，面132、133能使在增益区域160、162、164、166产生的光全反射。因此，在发光装置100中，能够抑制在面132、133 (端面181、183以及端面182、185)处的光损失，能够高效地使光反射。进而由于无需在面132、133形成反射膜的エ序，因此能够減少制造成本以及制造所需的材料·资源。根据发光装置100，能够使第I増益区域160的长度比第2増益区域162的长度以及第3增益区域164的长度大。由此，能够切实地增大光射出部184、186的间隔D。
根据发光装置100，能使第I増益区域160的长边方向与第4増益区域166的长边方向平行，使第I増益区域160与第4増益区域166之间的距离L为倏逝波耦合所产生的距离。由此，能够在第I増益区域160与第4増益区域166之间高效地产生倏逝波耦合。根据发光装置100，能使第I增益区域160与第4增益区域166之间的距离L在IOOnm以上40 μ m以下。由此,能够在第I增益区域160与第4增益区域166之间高效地产生倏逝波耦合。例如，当距离L小于IOOnm时，存在在第I增益区域160内行进的光也会谐振的情況。当距离L大于40 μ m时，存在不会产生充分的倏逝波耦合的情況。
2.发光装置的制造方法接下来，參照附图对本实施方式的发光装置的制造方法进行说明。图5是示意性地示出本实施方式的发光装置100的制造エ序的剖视图，与图2对应。图6是示意性地示出本实施方式的发光装置100的制造エ序的俯视图，与图I对应。图7是示意性地示出本实施方式的发光装置100的制造エ序的剖视图，与图2对应。如图5所示，在基板102上使第I包覆层104、活性层106、第2包覆层108以及接触层110按该顺序外延生长。作为外延生长的方法，例如可以使用MOCVD (Metal OrganicChemical Vapor Deposition)法，MBE (Molecular Beam Epitaxy)法等。基板 102、第 I 包覆层104、活性层106、第2包覆层108以及接触层110的平面形状例如为长方形(未图示)。如图6所示，对接触层110以及第2包覆层108进行图案形成。通过本エ序能够形成柱状部111。如图3、图7所示，对接触层110、第2包覆层108、活性层106、第I包覆层104、基板102进行图案形成，从而形成反射面167、第2面132以及第3面133。图案形成例如可使用光刻技术以及蚀刻技术来进行。此外，若活性层106的第2面132以及第3面133露出，且在形成反射面167时产生的开ロ部贯通活性层106，则亦可不对包覆层104的一部分以及基板102进行图案形成。另外，在本制造エ序中，虽然与反射面167同时形成面132、133，但亦可将它们分别形成。通过与反射面167同时形成面132、133，能够减少蚀刻气体等的资源的使用。另外，面134、135、136也可通过光刻技术以及蚀刻技术来进行图案形成，由此可以与面132、133同时形成，但亦可在制成后述的柱状部111以及电极112、114后通过劈开等形成。如图2所示，以覆盖柱状部111的侧面的方式形成绝缘层116。具体地说，首先，例如通过CVD (Chemical Vapor Deposition)法、涂覆法等在第2包覆层108的上方(接触层110上，包含在形成反射面167时产生的开ロ部(在形成面132、133时产生开ロ部的情况下也包含该开ロ部))对绝缘构件(未图示)进行成膜。接下来，例如，使用蚀刻技术等使接触层110的上表面113露出。通过以上的エ序能够形成绝缘层116。接下来，在接触层110上以及绝缘层116上形成第2电极114。接下来，在基板102的下表面下形成第I电极112。第I电极112以及第2电极114例如通过真空蒸镀法形成。此外，第I电极112以及第2电极114的形成顺序并不特别局限于此。另外，由于在下面的エ序中使反射面167露出，因此优选通过剥离法等在形成反射面167时产生的开ロ部(在形成面132、133时产生开ロ部情况下也包含该开ロ部)的绝缘层116上不形成第2电极114。
接下来，对绝缘层116进行蚀刻，使反射面167露出。另外，在形成面132、133时产生开ロ部的情况下，对该开ロ部内的绝缘层116进行蚀刻，使面132、133露出。通过以上的エ序，能够制造出本实施方式的发光装置100。根据发光装置100的制造方法，能够得到可増大多个光射出部的间隔的发光装置100。3.发光装置的变形例接下来，參照附图对本实施方式的变形例的发光装置进行说明。以下，在本实施方式的变形例的发光装置中，对于具有与本实施方式的发光装置100的构成构件相同的功能的构件标注相同的标号，并省略对其详细的说明。3. I.第I变形例的发光装置 首先，參照附图对本实施方式的第I变形例的发光装置进行说明。图8是示意性地示出本实施方式的第I变形例的发光装置200的俯视图。图9是示意性地示出本实施方式的第I变形例的发光装置200的图8的IX-IX线剖视图。此外，图8中为了方便说明，省略了第2电极114的图示。在发光装置100的例子中，如图I所示，第2増益区域162以及第3増益区域164在从层叠体120的层叠方向俯视观察时，相对于第I面131的垂线Pl以角度β倾斜并与第I面131连接。角度β为大于0°的角度。与此相对，如图8所示，在发光装置200的例子中，第2増益区域162以及第3增益区域164在从层叠体120的层叠方向俯视观察时，与第I面131正交。更具体地说，第2増益区域162的长边方向以及第3増益区域164的长边方向与第I面131正交。S卩，第2増益区域162的长边方向以及第3増益区域164的长边方向与第I面131的垂线Pl平行。如图8以及图9所示，发光装置200具有防反射膜210。防反射膜210形成在第I面131，井覆盖成为光射出部的端面184、186。防反射膜210能够使用SiO2层，Ta2O5层、Al2O3层、TiN层、TiO2层、SiON层、SiN层或它们的多层膜等。防反射膜210例如通过CVD法、离子辅助蒸镀法形成。防反射膜210在活性层106所产生的光的波段中能够降低第I面131的反射率(端面184、186的反射率)。根据发光装置200，第2増益区域162的长边方向以及第3増益区域164的长边方向与第I面131的垂线Pl平行，却能够利用防反射膜210在第4端面184与第6端面186之间不使光直接地多重反射。其結果，发光装置200能够射出包含SLD光成分的光，并能够降低斑纹噪声。3. 2.第2变形例的发光装置接下来，參照附图对本实施方式的第2变形例的发光装置进行说明。图10是示意性地示出本实施方式的第2变形例的发光装置300的俯视图。图11是示意性地示出本实施方式的第2变形例的发光装置300的图10的XI-XI线剖视图。其中，图10中为了方便说明，省略了第2电极114的图示。如图I以及图3所示，在发光装置100的例子中，第4增益区域166构成了法布里-珀罗型的谐振器构成。与此相对，如图10以及图11所示，在发光装置300中，第4增益区域166能够构成分布反馈型(DFB(distributed feedback)型)的谐振器。即，如图11所示,在第4增益区域166的第2包覆层108形成有构成DFB型的谐振器的周期构造(periodic structure) 108a。根据周期构造108a的间距Λ的值能够确定振荡的波长。周期构造108a是通过如下方法形成的，即在通过第I生长使第2包覆层108生长至中途后，对其上表面进行干渉曝光以及蚀刻，从而形成凹凸面，并通过第2生长使在该凹凸面上折射率不同的第2包覆层108(折射率与在第I生长中形成的第2包覆层108不同的第2包覆层108)再次生长，从而形成周期构造108a。更具体地说，通过使例如组成不同的InGaAlP层再次生长，形成折射率不同的第2包覆层108。此外，只要形成有效的折射率周期性地变化的构造即可，既可在第I包覆层104、活性层106的一部分或者全体形成凹凸构造，还可在第2包覆层108的一部分与活性层106的一部分等以横越各层的界面的方式形成，对此并未图示。图12是示意性地示出从发光装置300射出的光相对于波长的输出強度的示意图。在发光装置300中，由于第4増益区域166构成DFB型的谐振器，因此当例如有效的折射率差因凹凸而较小的情况下，如图12所示，存在谐振光成分成为单ー模式或者双重模式(图示的例子中为双重模式)。然而，由于利用基于周期构造108a的重叠反射将 光封入，因此能够几乎不便光漏到第4増益区域166之外。因此，发光装置300与发光装置100相比，对斑纹的影响稍大，而封入光的效果极大，能够抑制光的损失。此外，在本发明中，与普通的DFB激光不同，将第4増益区域166整体作为单个谐振器并使之谐振，由此无需减少模式数量。即，通过增大凹凸的、在活性层106也形成凹凸的方法等，来使凹部与凸部的实行的折射率差増大，由此也能够在第4增益区域166内形成多个DFB型的谐振器，且这些的波长各异。由此，能够降低对斑纹的影响，并且，抑制光从第4増益区域166漏出。3. 3.第3变形例的发光装置接下来，參照附图对本实施方式的第3变形例的发光装置进行说明。图13是示意性地示出本实施方式的第3变形例的发光装置400的俯视图。图14是示意性地示出本实施方式的第3变形例的发光装置400的图13的XIV-XIV线剖视图。其中，图13中为了方便说明，省略了第2电极114的图示。如图I以及图3所示，在发光装置100的例子中，第4增益区域166构成了法布里-珀罗型的谐振器。与此相对，如图13以及图14所示，在发光装置400中，第4增益区域166能够构成分布布拉格反射型(DBR型)的谐振器。即，在第4増益区域166的长边方向的两端形成有分布布拉格反射型反射镜(也称作DBR) 467。DBR467由按照规定的间隔被周期性地配置的多个槽部466构成。槽部466的平面形状例如为矩形。槽部466优选被设置成贯通活性层106。在图14所示的例子中，槽部466的底面位于第I包覆层104的上表面与下表面之间。槽部466的内部既可为空洞，亦可埋入绝缘材料。对于槽部466的数量不做特别限定，通过增加其数量，能够得到更高反射率的DBR467。在图14所示的例子中，槽部466具有宽度A，且按照间隔B进行配置。根据宽度A以及间隔B能够确定振荡的波长。能够通过干渉曝光以及蚀刻形成DBR467。图15是示意性地示出从发光装置400射出的光相对于波长的输出強度的示意图。在发光装置400中，第4増益区域166构成DBR型的谐振器。通常情况下，由于第4増益区域166的长边方向的大小与増益区域的发光波长(可见光的情况为几百nm)相比足够大，因此谐振光成分为多重模式。因此，对斑纹的影响小，能够降低斑纹噪声。进而由于封入光的效果大，因此能够抑制光的损失。3.4.第4变形例的发光装置接下来，參照附图对本实施方式的第4变形例的发光装置进行说明。图16是示意性地示出本实施方式的第4变形例的发光装置500的俯视图。图17是示意性地示出本实施方式的第4变形例的发光装置500的图16的XVII-XVII线剖视图。其中，图16中为了方便说明，省略了第2电极114的图示。如图I以及图2所示，在发光装置100的例子中，设置ー个构成谐振器的第4増益区域166。与此相对，如图16以及图17所示，在发光装置500中，设置有多个构成谐振器的第4増益区域166。在图示的例子中，设置有三个第4増益区域166，且不对其数量做特殊 的限定。如图16所示，多个第4増益区域166，在从层叠体120的层叠方向俯视观察时，被设置成分别与第I増益区域160平行。在图示的例子中，与第I増益区域160间保持距离L而在第I増益区域160的第I面131侧设置第4増益区域166a。进而与第4増益区域166a间保持距离L而在第4増益区域166a的第I面131侧设置第4増益区域166b。进而与第I増益区域160间保持距离L而在第I増益区域160的第6面136侧设置第4増益区域 166c。距离L如上所述是倏逝波耦合所产生的距离。因此，在第4増益区域166a内往复的光的一部分不仅到达第I増益区域160，也到达第4増益区域166b。在第4増益区域166b内往复的光的一部分到达第4增益区域166a。在第4增益区域166c内往复的光的一部分到达第I増益区域160。这样，通过倏逝波耦合，光能够在增益区域160、166a、166b、166c间移动。增益区域166a、166b、166c不具有光射出部。因此，分别在增益区域166a、166b、166c内往复的光，除了在反射面167损失的光和被包覆层104、108吸收的光以外，几乎全部的光移动至第I增益区域160，并能够从光射出部184、186射出。根据发光装置500，与发光装置100相比，由于第4増益区域166的数量较多，因此能够相应地増加发光强度。3.5.第5变形例的发光装置接下来，參照附图对本实施方式的第5变形例的发光装置进行说明。图18是示意性地示出本实施方式的第5变形例的发光装置600的俯视图。其中，图18中为了便于说明，省略第2电极114的图示。如图I所示，在发光装置100的例子中，第I增益区域160、第2增益区域162、第3増益区域164以及第4増益区域166各设有ー个。与此相对，如图18所示，在发光装置600中，第I增益区域160、第2增益区域162、第3増益区域164以及第4増益区域166分别设置有多个。即，増益区域160、162、164、166能够构成増益区域组650，在发光装置600中，设置了多个增益区域组650。在图示的例子中，虽然设置了三个增益区域组650，但对其数量并不做特殊的限定。多个增益区域组650沿与第I面131的垂线Pl的延伸方向正交的方向排列。更具体地说，在相邻的增益区域组650中，以ー个増益区域组650的第6端面186与另ー个增益区域组650的第4端面184的间隔为D(为光射出部的间隔)的方式排列。由此，能够简单地使光20、22入射到后述的透镜阵列。根据发光装置600，与发光装置100的例子相比，能够实现高输出化。4.投影仪接下来，參照附图对本实施方式的投影仪进行说明。图19是示意性地示出本实施方式的投影仪800的图。图20是示意性地示出本实施方式的投影仪800的一部分的图。其中，图19中，为了便于说明，省略了构成投影仪800的壳体，进而简化了光源700而进行图示。另外，图20中，为了方便说明，图示出光源700、透镜阵列802以及液晶光阀804，并将光源700简化来图示。如图19所示，投影仪800含有可射出红色光、緑色光、蓝色光的红色光源700R、绿色光源700G、蓝色光源700B。光源700R、700G、700B具有本发明的发光装置。在以下的例 子中，对具有发光装置600来作为本发明的发光装置的光源700R、700G、700B进行说明。图21是示意性地示出本实施方式的投影仪800的光源700的图。图22是示意性地示出本实施方式的投影仪800的光源700的图21的XXII-XXII线剖视图。如图21以及图22所示，光源700能够具有发光装置600、基座710、辅助支架720。两个发光装置600、辅助支架(sub mount) 720能够构成构造体730。构造体730设置有多个，如图21所示，沿与发光装置600的成为光射出部的端面184、186的排列方向(X轴向)正交的方向(Y轴向)排列。构造体730能够以X轴向的光射出部的间隔与Y轴向的光射出部的间隔相同的方式被排列。由此，能够简单地使从发光装置600射出的光入射到透镜阵列802。构成构造体730的两个发光装置600被配置为夹隔辅助支架720。在图21以及图22所示的例子中，两个发光装置600被配置为第2电极114彼此隔着辅助支架720对置。在辅助支架720的与第2电极114接触的面上例如形成配线。由此，能够向多个第2电极114的各电极分别独立地供给电压。作为辅助支架720的材质，例如可举出氮化铝、氧化铝。基座710支承构造体730。在图22所示的例子中，基座710与多个发光装置600的第I电极112连接。由此，基座710能够发挥多个第I电极112的共用电极的功能。作为基座710的材质，例如可举出铜、铝。基座710亦可经由珀耳帖元件与散热片连接，但对此未予图示。此外，构造体730的方式并不局限于图21以及图22所示的例子。例如，如图23所示，构成构造体730的两个发光装置600亦可以配置为以ー个发光装置600的第I电极112与另ー个发光装置600的第2电极114隔着辅助支架720对置。另外，如图24所示，两个发光装置600的第I电极112也可以以成为共用电极的方式进行配置。如图19所示，投影仪800还含有透镜阵列802R、802G、802B、透射式的液晶光阀(光调制装置)804R、804G、804B、投射透镜(投射装置)808。从光源700R、700G、700B射出的光入射到各透镜阵列802R、802G、802B。如图20所示，透镜阵列802能够具有供从光射出部184、186射出的光20、22向光源700侧入射的平坦面801。平坦面801与多个光射出部184、186对应地设为多个，并按照等间隔配置。另夕卜，平坦面801的法线相对于光20、22的光轴傾斜。因此，利用平坦面801能使光20、22的光轴与液晶光阀804的照射面805正交。特别是，当第I面131与第2増益区域162以及第3増益区域164所成的角度β并非0°的情况下，由于光20、22从各光射出部184、186以相对于第I面131的垂线Pl倾斜地射出，因此优选为设置平坦面801。透镜阵列802在液晶光阀804侧可具有凸曲面803。凸曲面803与多个平坦面801对应地设为多个，且按照等间隔配置。在平坦面801中光轴经变换后的光20、22通过凸曲面803聚光，或者减小了扩散角，由此能够重叠(一部分重叠)。由此，能够均匀性较好地照射液晶光阀804。如上所述，透镜阵列802对从光源700射出的光20、22的光轴进行控制，能够使光20、22聚光。如图19所示，被各透镜阵列802R、802G、802B聚光后的光入射到各液晶光阀804R、804G、804B。根据图像信息对入射到各液晶光阀804R、804G、804B的光分别进行调制。然后，投射透镜808对由液晶光阀804R、804G、804B形成的像进行放大后投射于投影屏(显示面)810。
另外,投影仪800可以含有十字分色棱镜(色光合成单元)806，该十字分色棱镜806将从液晶光阀804R、804G、804B射出的光合成而后导向投射透镜808。经各液晶光阀804R、804G、804B调制后的三个颜色光入射到十字分色棱镜806。该棱镜是通过将四个直角棱镜贴合而形成的，在其内面反射红色光的电介质多层膜与反射蓝色光的电介质多层膜被配置成十字状。利用这些电介质多层膜合成3个颜色光，从而形成表现彩色图像的光。然后，合成后的光通过作为投射光学系统的投射透镜808而被投射到投影屏810上，显示出放大后的图像。根据投影仪800，具有能够增大多个光射出部的间隔的发光装置600。因此，在投影仪800中，透镜阵列802的校准容易，从而能够以优异的均匀性照射液晶光阀804。此外，在上述的例子中，作为光调制装置使用透射式的液晶光阀，但亦可使用液晶以外的光阀，还可使用反射型的光阀。作为这样的光阀例如举出有反射型的液晶光阀、数字微镜器件(Digital Micromirror Device)。另外,投射光学系统的结构可根据所使用的光阀的种类进行适宜变更。另外，光源700与透镜阵列802在经校准的状态下可形成模块化。进而光源700、透镜阵列802和光阀804在经校准的状态下也可实现模块化。另外，亦可将光源700应用于扫描式的图像显示装置(投影仪)的光源装置中，扫描式的图像显示装置具有通过使来自该光源700的光在投影屏上扫描、而在显示面上显示所希望的大小的图像的作为图像形成装置的扫描单元。上述的实施方式以及变形例为ー个例子，并不局限于此。例如，可对各实施方式以及各变形例进行适宜组合。如上述那样，对本发明的实施方式进行了详细说明，但本领域技术人员应该能够容易做出实质不脱离本发明的新事项以及效果的变形。因此，这样的变形例理应全部包含于本发明的范围中。符号说明10···光；20···光；22…光；100···发光装置；102...基板；104…第 2层；
106. 第 I 层；108. 第 3 层；110. · ·接触层；111. · ·柱状部；112. . 第 I 电极；113. · ·接触层的上表面；114...第2电极；116...绝缘层；120...层叠体；131...第I面；132...第
2面；133...第 3 面；134...第 4 面；135...第 5 面；136...第 6 面；160...第 I 増益区域；162. 第2増益区域；164. 第3増益区域；166. 第4増益区域；167. · ·反射面；
181...第I端面；182...第2端面；183...第3端面；184...第4端面；185...第5端面；186. 第6端面；200. · ·发光装置；210. · ·防反射膜；300. · ·发光装置；400. · ·发光装置；466. · ·槽部；467. · · DBR ；500. · ·发光装置；600. · ·发光装置；650. · ·増益区域组；
700...光源；71(λ..基座；72(λ ..辅助支架...730...构造体；80(λ ..投影仪；80L ..平 坦面；802. · ·透镜阵列；803...凸曲面；804. · ·液晶光阀；805. · ·照射面；806. · ·十字分色棱镜；808. · ·投射透镜；810. · ·投影屏。
权利要求
1.一种发光装置，其特征在干， 所述发光装置包括 通过注入电流而产生光、且形成有该光的传导路的第I层； 夹着所述第I层、且抑制所述光漏出的第2层以及第3层；和 向所述第I层注入所述电流的电极， 通过从所述电极注入电流而得到的所述光的传导路具有 具有帯状且直线状的形状的第I区域； 帯状的第2区域； 帯状的第3区域；以及 帯状的第4区域， 所述第I区域与所述第2区域在设置于所述第I层的侧面的第I反射部连接， 所述第I区域与所述第3区域在设置于所述第I层的、与设置有所述第I反射部的侧面不同的侧面的第2反射部连接， 所述第2区域与所述第3区域在所述第I层的作为出射面的侧面连接，该第I层的作为出射面的侧面是与设置有所述第I反射部的侧面以及设置有所述第2反射部的侧面不同的侧面， 所述第I区域设置成所述第I区域的长边方向相对于所述出射面平行， 所述第2区域与所述第3区域从所述第I层、所述第2层以及所述第3层的层叠方向观察时以相同的倾角倾斜并与所述第I面连接， 所述第I区域、所述第2区域以及所述第3区域中的至少ー个与所述第4区域之间的距离是倏逝波耦合所产生的距离， 所述第4区域构成谐振器。
2.一种发光装置，其特征在干， 所述发光装置包括 通过注入电流而产生光、且形成有该光的传导路的第I层； 夹着所述第I层、且抑制所述光漏出的第2层以及第3层；和 向所述第I层注入所述电流的电极， 通过从所述电极注入电流而得到的所述光的传导路具有 具有帯状且直线状的形状的第I区域； 帯状的第2区域； 帯状的第3区域；以及 帯状的第4区域， 所述第I区域与所述第2区域在设置于所述第I层的侧面的第I反射部连接， 所述第I区域与所述第3区域在设置于所述第I层的、与设置有所述第I反射部的侧面不同的侧面的第2反射部连接， 所述第2区域与所述第3区域在所述第I层的作为出射面的侧面连接，该第I层的作为出射面的侧面是与设置有所述第I反射部的侧面以及设置有所述第2反射部的侧面不同的侧面， 所述第I区域设置成所述第I区域的长边方向相对于所述出射面平行，在所述出射面形成有防反射膜，该防反射膜在产生于所述第I层的光的波段中減少反射率， 在所述出射面中从所述第2区域射出的第I光和在所述出射面中从所述第3区域射出的第2光沿相同的方向射出， 所述第I区域、所述第2区域以及所述第3区域的至少ー个与所述第4区域之间的距离是倏逝波耦合所产生的距离， 所述第4区域构成谐振器。
3.根据权利要求I或2所述的发光装置，其特征在干， 在所述第4区域的长边方向的两端形成有反射面。
4.根据权利要求I或2所述的发光装置，其特征在干， 在所述第4区域形成有构成分布反馈型(DFB型)的谐振器的周期构造。
5.根据权利要求I或2所述的发光装置，其特征在干， 在所述第4区域的长边方向的两端形成有分布布拉格反射型(DBR型)的谐振器。
6.根据权利要求I 5中任一项所述的发光装置，其特征在干， 所述第I区域的长边方向与所述第4区域的长边方向平行， 所述第I区域与所述第4区域之间的距离为倏逝波耦合所产生的距离。
7.根据权利要求I 6中任一项所述的发光装置，其特征在干， 所述第I区域与所述第4区域之间的距离为IOOnm以上且40 μ m以下。
8.根据权利要求I 7中任一项所述的发光装置，其特征在干， 所述第4区域设置有多个。
9.根据权利要求8所述的发光装置，其特征在干， 相邻的所述第4区域之间的距离为IOOnm以上且40 μ m以下。
10.根据权利要求I 9中任一项所述的发光装置，其特征在干， 所述第I区域、所述第2区域、所述第3区域以及所述第4区域具有折射率传导型的构造。
11.一种发光装置，其特征在干， 所述发光装置包括层叠体，该层叠体具有第I层、和夹着所述第I层的第2层以及第3层， 所述第I层具有产生光并对该光进行传导的第I増益区域、第2増益区域、第3増益区域以及第4増益区域， 所述第2层以及所述第3层是抑制在所述第I増益区域、所述第2増益区域、所述第3増益区域以及所述第4増益区域产生的光的漏出的层， 所述第I层具有形成所述层叠体的外形的第I面、第2面以及第3面， 在所述第I层产生的光的波段中，所述第I面具有低于所述第2面的反射率以及所述第3面的反射率的反射率， 所述第I増益区域设置成，从所述层叠体的层叠方向观察时从所述第2面至所述第3面相对于所述第I面平行， 所述第2増益区域在所述第2面与所述第I増益区域重叠，且从所述第2面设置至所述第I面，所述第3増益区域在所述第3面与所述第I増益区域重叠，且从所述第3面设置至所述第I面， 所述第2増益区域与所述第3増益区域相互分离，且从所述层叠体的层叠方向观察时以相同的倾角倾斜并与所述第I面连接， 所述第I増益区域、所述第2増益区域以及所述第3増益区域的至少ー个与所述第4増益区域之间的距离为倏逝波耦合所产生的距离， 所述第4区域构成谐振器。
12.ー种投影仪，其特征在于，包括 权利要求I 11中任一项所述的发光装置； 根据图像信息对从所述发光装置射出来的光进行调制的光调制装置；以及 投射由所述光调制装置形成的图像的投射装置。
全文摘要
本发明提供发光装置以及投影仪，该发光装置的特征在于，包括通过注入电流而产生光、且形成有该光的传导路的第1层；以及向上述第1层注入上述电流的电极，上述光的传导路具有第1区域、第2区域、第3区域以及第4区域，上述第1区域与上述第2区域在第1反射部连接，上述第1区域与上述第3区域在第2反射部连接，上述第2区域与上述第3区域以相同的倾角倾斜并与出射面连接，上述第1区域、上述第2区域以及上述第3区域中的至少一个与上述第4区域之间的距离为倏逝波耦合所产生的距离，上述第4区域构成谐振器。
文档编号H01L33/20GK102683516SQ20121006923
公开日2012年9月19日 申请日期2012年3月15日 优先权日2011年3月17日
发明者望月理光 申请人:精工爱普生株式会社