专利名称：具有低导通电阻的mos器件的几何图形的制作方法
技术领域：
本发明涉及金属氧化物半导体(MOS)器件的几何图形，以便生产具有低导通电阻(on-resistance)的器件，并且具体地涉及具有这样的几何图形的方形DMOS(SQDMOS)器件。
背景技术：
出于比较目的，图I示出了具有栅极、漏极、源极和本体(体)区的传统金属氧化物半导体(MOS)结构的几何图形(geometry)的俯视图。MOS沟道(栅极区)的宽度是B，MOS沟道的长度是G。源和漏极区的长度S和D分别基于具体处理技术的设计规则以实现某一可靠性和电压能力。MOS的总面积是AXB。MOS的导通电阻(Ron)取决于MOS沟道的宽度B和长度G。更大的宽度B导致更小的Ron，更小的长度G导致更小的Ron。通过减小Ron，可增加在给定时间段内MOS开关的次数，并且因此可获得更高的处理速度和每个开关事件更低的能量消耗。然而，在减小Ron时，如果MOS沟道的宽度B增加，则MOS的面积可能増加。增加的MOS面积可导致在相同面积中具有较小计算能力的芯片，或者具有被増加的制造成本的更大的芯片。因此，减小Ron同时还不增加MOS的面积才是有利的。一种减小Ron的技术包括镜像化两个基本MOS结构，以使得每个结构的漏极区重叠，如图2的几何图形所示。根据此技术，有效宽度B被加倍(即存在每个都具有宽度B的两个MOS沟道)，从而降低了 Ron，同时该结构的总面积小于单个MOS结构的两倍面积(即小于两倍的AXB)。可如图3所示地重复此结构以获得甚至更小的Ron。本发明提供了用于MOS器件的几何图形，该几何图形获得了器件的Ron的甚至进一步的减小，同时还不増加器件的面积。
发明内容
本发明充分利用了发明人这样的认识如果(在沟道区之上形成的)栅极区被形成为以环的形式围绕漏极区，则相对于给定的MOS面积增加了沟道宽度。以此方式，因为增加了沟道的有效宽度，所以降低了 MOS的Ron，而不增加MOS的面积。因此，在ー个方面，本发明提供了ー种金属氧化物半导体(MOS)器件以及ー种、在衬底上形成该MOS器件的方法。MOS包括漏极区；以环的形式围绕漏极区的栅极区；多个源极区，这些源极区被布置在栅极区周围并且与漏极区相対；以及多个体区(bulkregion)，这些体区被布置在栅极区周围并且分隔源极区。利用上述配置，降低了 MOS的Ron。成环的栅极区提供了増加的栅极宽度，而没有増加MOS的面积。通过减小Ron，可増加MOS开关 次数，并且因此可获得更高的处理速度和每个开关事件更低的能量消耗。与传统结构相比，将体区布置在栅极区周围并且分隔源极区可提供MOS面积的进ー步减小。因为体区被布置在栅极区周围，所以可以不需要源极区周围的额外体区。在MOS的正常操作中，体区中所包括的体触点不承载任何电流。体触点向MOS的体区提供电压偏置。因此，可減少体触点的数目，而不影响MOS的性能。因为体区可被排除在源极区之外，所以可减小源极区的尺寸。通过减小MOS的面积，在相同的面积中可提供更多的计算能力，或者可生产更小的芯片，从而減少制造成本。栅极区可以被形成为闭环形式，并且栅极区可具有与漏极区的形状相对应的形状。漏极区可具有圆形形状或多边的多边形形状，该多边的多边形形状包括方形、矩形、六边形和八边形之一。沟道区可形成在栅极区之下，并且沟道区可被配置为使得电流可从每个源极区流向漏极区。衬底可具有与漏极区的形状相对应的形状，并且体区可被布置在衬底的角落。将体区布置在衬底的角落可使有效沟道宽度最大化。MOS器件可以是晶体管，并且衬底可以是硅衬底。栅极区可包括多晶硅，并且MOS器件可以是方形DMOS (SQDMOS)。漏极区和至少ー个源极区可具有各自的触点，并且漏极区的触点和栅极区之间的距离可大于源极区的触点和栅极区之间的距离，以达到从漏极区到源极区的更大的击穿电压。在另一方面，本发明提供了ー种金属氧化物半导体(MOS)器件以及ー种用于形成该MOS器件的方法，该MOS器件具有在衬底上以阵列形式形成的多个MOS晶体管単元。每个MOS晶体管単元包括漏极区；围绕漏极区的栅极区；多个源极区，这些源极区被布置在栅极区周围并且在漏极区对面；以及多个体区，这些体区被布置在栅极区周围并且分隔源极区。栅极区被形成为以环的形式围绕漏极区。源极区与相邻MOS晶体管単元的相应源极区重叠。此简要内容的提供是为了可迅速理解本发明的本质。通过參考与附图相关的本发明优选实施例的以下详细描述，可获得对本发明的更完全的理解。
图I、图2和图3是描绘了用于比较的金属氧化物半导体(MOS)结构或MOS单元的阵列的俯视图的示图。图4是描绘了根据本发明第一实施例的MOS结构的俯视图的示图。图5A和图5B是描绘了根据本发明第二实施例的MOS単元的阵列的俯视图的示图。图6A是硬盘驱动器中的本发明的框图。图6B是DVD驱动器中的本发明的框图。
图6C是高清晰度电视(HDTV)中的本发明的框图。图6D是车辆控制系统中的本发明的框图。图6E是蜂窝或移动电话中的本发明的框图。图6F是机顶盒(STB)中的本发明的框图。图6G是媒体播放器中的本发明的框图。图6H是VoIP播放器中的本发明的框图。
具体实施例方式图4是描绘了根据本发明的一个实施例的单个MOS单元(cell) 400的金属氧化物 半导体(MOS)结构的俯视图的示图。如图4所示，单元400被形成为方形的形状，但是在其他实施例中，単元400可具有圆形形状或任何多边的多边形形状，例如矩形、六边形或八边形。单元400可以是例如MOS晶体管，包括NMOS和PMOS晶体管，并且单元400可以是方形DMOS(Square DMOS) (SQDMOS)。单元400至少包括漏极区401、栅极区402、源极区404和405、以及在衬底上形成的体区406，衬底例如是硅衬底或任何其他合适类型的衬底。如图4所示，漏极区401被形成为方形的形状，但是在其他实施例中，漏极区401可具有圆形形状或任何多边的多边形形状，例如矩形、六边形或八边形。漏极区401包括漏极触点(contact) 409。如图所示,示出了两个漏极触点409,但是其他实施例可使用不同数目的漏极触点，这部分地取决于操作需要，例如电流需要。漏极触点409被拼接(butt)以优化用于给定电流能力的面积。在所示的实施例中，漏极触点409和栅极区402之间的距离Dl到D4基本类似，但是在其他实施例中，距离Dl到D4可以是不同的，这部分地取决于漏极区401的形状。栅极区402围绕漏极区401。栅极区402以闭环形式被形成在漏极区401周围，其中该闭环具有与漏极区401的形状相对应的形状。如图所示，栅极区402具有方形形状，但是在其他实施例中，栅极区402可具有圆形形状或任何多边的多边形形状，例如矩形、六边形或八边形，这部分地取决于漏极区401的形状。栅极区402可包括例如多晶硅或任何其他合适类型的导电或半导电材料。沟道区408可形成在栅极区402之下，并且沟道区408可被配置为使得电流从每个源极区404和405流向漏极区401。栅极触点(未示出)可附接至区域407，区域407电耦合至栅极区402。区域407可包括与栅极区402相同的材料。源极区404和405、体区406以及区域407被布置在栅极区402周围。源极区404或405被布置在栅极区402的每ー侧，布置方式使得漏极区401的每ー侧与具有相等或更大宽度的源极区对准(align)。以此方式，流经沟道408的电流可被最大化。体区406和区域407被布置在栅极区402周围，以使得它们不与栅极区402的ー侧对准。具体地说，体区406被布置在単元400的角落，其中它们可以不被附接至栅极区402 (和沟道408)，并且区域407被布置为使得它们可被附接至栅极区402的部分。因为体区406没有如传统MOS单元(图I)中那样布置在源极区404和405内，所以源极区404和405的尺寸可小于传统MOS单元中源极区的尺寸。如图所示，源极区404和405被形成为矩形的形状，并且体区406和区域407被形成为方形的形状。然而，在其他实施例中，源极区404和405、体区406以及区域407可具有圆形形状或任何多边的多边形形状，例如三角形、方形、矩形、六边形或八边形，这部分地取决于单元400的形状以及源极区404和405、体区406与区域407的布置和/或形状。如上所述，区域407可包括电耦合至栅极区402的栅极触点(未示出)。体区406包括体触点411,并且源极区404和405包括源极触点410。在其他实施例中可使用与所示数目的触点不同数目的源极触点410和体触点411，这部分地取决于操作需要，例如电流需要。如图所示，源极触点410和栅极区402之间的距离SI比漏极触点409和栅极区402之间的距离Dl到D4更短，但在其他实施例中，距离SI和Dl到D4之间的关系可以是不同的，这部分地取决于击穿电压。图5A是描绘了根据本发明的一个示例实施例的四个MOS単元500的阵列的俯视图的示图。每个单元都具有图4的MOS单元400的结构。单元501到504被布置为使得它们的源极区404和405重叠。以此方式，单元阵列500的总面积可小于个体单元400的面积的四倍。 通过布置栅极区402从而使得它环绕在漏极区401周围，沟道宽度可増加如图5B所示的栅极区部分510、511、520、521、530、531、540和541。虽然ー些沟道宽度可能丢失，因为在区域407之下可能没有有效沟道(即区域407可能没分隔源极区和漏极区)，但是此损失可小于沟道宽度上的増益。以此方式，MOS单元400 (和MOS单元阵列500)的结构可具有比传统MOS单元(或单元阵列)的Ron更小的Ron。通过使栅极区402环绕在漏极区401周围，可增加净沟道宽度，而不增加MOS结构的面积。通过减小Ron，可増加MOS开关次数，并且因此可获得更高的处理速度和每个开关事件更低的能量消耗。因为体区被布置在栅极区周围，所以可以不需要源极区周围的额外体区。因为体区可以不被包括在源极区中，所以源极区的尺寸可以减小。通过减小MOS的面积，在相同的面积中可提供更多的计算能力，或者可生产更小的芯片，从而減少制造成本。现在參考图6A-图6H，示出了本发明的各种示例性实现方式。參考图6A，本发明可实施为硬盘驱动器1500中的MOS器件。本发明可实现信号处理和/或控制电路中的任意一个或两者，这些电路在图6A中被一般地标识为1502。在一些实现方式中，信号处理和/或控制电路1502以及/或者HDD 1500中的其他电路(未示出)可处理数据、执行编码和/或加密、执行计算以及/或者格式化输出至磁存储介质1506的数据和/或从磁存储介质1506接收的数据。HDD 1500可经由ー个或多个有线或无线通信链路1508与主机设备(未示出)通信，该主机设备例如计算机，诸如个人数字助理、蜂窝电话、媒体或MP3播放器等之类的移动计算设备以及/或者其他设备。HDD1500可被连接至存储器1509，例如随机存取存储器(RAM)、诸如闪存之类的低等待时间的非易失性存储器、只读存储器(ROM)以及/或者其他合适的电子数据存储装置。现在參考图6B，本发明可实施为数字通用光盘(DVD)驱动器1510中的MOS器件。本发明可实现DVD驱动器1510的信号处理和/或控制电路中的任意一个或两者(这些电路在图6B中被一般地标识为1512)、以及/或者大容量数据存储装置1518。信号处理和/或控制电路1512以及/或者DVD 1510中的其他电路(未示出)可处理数据、执行编码和/或加密、执行计算以及/或者格式化从光存储介质1516读出的数据和/或写入光存储介质1516的数据。在一些实现方式中，信号处理和/或控制电路1512以及/或者DVD 1510中的其他电路(未示出)还可执行其他功能，诸如编码和/或解码和/或与DVD驱动器相关联的任何其他信号处理功能。DVD驱动器1510可经由ー个或多个有线或无线通信链路1517与诸如计算机、电视或其他设备之类的输出设备(未示出)通信。DVD 1510可与以非易失性方式存储数据的大容量数据存储装置1518通信。大容量数据存储装置1518可包括如图6A所示的硬盘驱动器(HDD)。HDD可以是包括ー个或多个直径小于约I. 8”的盘的小型HDD。DVD 1510可被连接至存储器1519，例如RAM、R0M、诸如闪存之类的低等待时间的非易失性存储器以及/或者其他合适的电子数据存储装置。现在參考图6C，本发明可实施为高清晰度电视(HDTV) 1520中的MOS器件。本发明可实现HDTV 1520的信号处理和/或控制电路中的任意一个或两者(这些电路在图6C中被一般地标识为1522)、WLAN接ロ以及/或者大容量数据存储装置。HDTV 1520接收有线或无线格式的HDTV输入信号，并且生成用于显不器1526的HDTV输出信号。在一些实现方式中，信号处理电路和/或控制电路1522以及/或者HDTV 1520的其他电路(未示出)可 处理数据、执行编码和/或加密、执行计算、格式化数据并且/或者执行可能需要的任何其他类型的HDTV处理。HDTV 1520可与诸如光和/或磁存储设备之类的以非易失性方式存储数据的大容量数据存储装置1527通信。至少ー个HDD可具有图6A所示的配置并且/或者至少ー个DVD可具有图6B所示的配置。HDD可以是包括ー个或多个直径小于约I. 8”的盘的小型HDD。HDTV 1520可被连接至存储器1528，例如RAM、R0M、诸如闪存之类的低等待时间的非易失性存储器以及/或者其他合适的电子数据存储装置。HDTV 1520还可支持经由WLAN网络接ロ1529与WLAN连接。现在參考图6D，本发明可实施为车辆1530的控制系统中的MOS器件、车辆控制系统的WLAN接口和/或大容量数据存储装置。在一些实现方式中，本发明实现动カ总成(powertrain)控制系统1532，动カ总成控制系统1532接收来自诸如温度传感器、压カ传感器、旋转传感器、气流传感器和/或任何其他合适的传感器之类的ー个或多个传感器的输入，并且/或者生成ー个或多个输出控制信号，诸如发动机操作參数、变速器操作參数和/或其他控制信号。本发明还可实施在车辆1530的其他控制系统1540中。控制系统1540可类似地接收来自输入传感器1542的信号并且/或者将控制信号输出至ー个或多个输出设备1544。在一些实现方式中，控制系统1540可以是防抱死制动系统(ABS)、导航系统、远程信息处理(telematics)系统、车辆远程信息处理系统、车道偏离系统、自适应巡航控制系统、诸如立体声、DVD、光盘之类的车辆娱乐系统等的一部分。还可预期其他实现方式。动カ总成控制系统1532可与以非易失性方式存储数据的大容量数据存储装置1546通信。大容量数据存储装置1546可包括光和/或磁存储设备，例如硬盘驱动器HDD和/或DVD。至少ー个HDD可具有图6A所示的配置并且/或者至少ー个DVD可具有图6B所示的配置。HDD可以是包括ー个或多个直径小于约I. 8”的盘的小型HDD。动カ总成控制系统1532可被连接至存储器1547，例如RAM、ROM、诸如闪存之类的低等待时间的非易失性存储器以及/或者其他合适的电子数据存储装置。动カ总成控制系统1532还可支持经由WLAN网络接ロ 1548与WLAN连接。控制系统1540还可包括大容量数据存储装置、存储器和/或WLAN接ロ(均未示出)。现在參考图6E，本发明可实施为蜂窝电话1550中的MOS器件，蜂窝电话1550可包括蜂窝天线1551。本发明可实现蜂窝电话1550的信号处理和/或控制电路中的任意一个或两者(这些电路在图6E中被一般地标识为1552)、WLAN接ロ以及/或者大容量数据存储装置。在一些实现方式中，蜂窝电话1550包括麦克风1556、诸如扬声器和/或音频输出插ロ之类的音频输出1558、显示器 1560以及/或者诸如键盘、点选设备、话音启动和/或其他输入设备之类的输入设备1562。信号处理和/或控制电路1552以及/或者蜂窝电话1550中的其他电路(未示出)可处理数据、执行编码和/或加密、执行计算、格式化数据并且/或者执行其他蜂窝电话功能。蜂窝电话1550可与诸如光和/或磁存储设备之类的以非易失性方式存储数据的大容量数据存储装置1564通信，其中光和/或磁存储设备例如硬盘驱动器HDD和/或DVD。至少ー个HDD可具有图6A所示的配置并且/或者至少ー个DVD可具有图6B所示的配置。HDD可以是包括ー个或多个直径小于约I. 8”的盘的小型HDD。蜂窝电话1550可被连接至存储器1566，例如RAM、ROM、诸如闪存之类的低等待时间的非易失性存储器以及/或者其他合适的电子数据存储装置。蜂窝电话1550还可支持经由WLAN网络接ロ 1568与WLAN连接。现在參考图6F，本发明可实施为机顶盒1580中的MOS器件。本发明可实现机顶盒1580的信号处理和/或控制电路中的任意一个或两者(这些电路在图6F中被一般地标识为1584)、WLAN接ロ以及/或者大容量数据存储装置。机顶盒1580接收来自诸如宽带源之类的源的信号，并且输出适用于诸如电视和/或监视器和/或其他视频和/或音频输出设备之类的显示器1588的标准和/或高清晰度音频/视频信号。信号处理和/或控制电路1584以及/或者机顶盒1580的其他电路(未示出)可处理数据、执行编码和/或加密、执行计算、格式化数据并且/或者执行任何其他机顶盒功能。机顶盒1580可与以非易失性方式存储数据的大容量数据存储装置1590通信。大容量数据存储装置1590可包括光和/或磁存储设备，例如硬盘驱动器HDD和/或DVD。至少ー个HDD可具有图6A所示的配置并且/或者至少ー个DVD可具有图6B所示的配置。HDD可以是包括ー个或多个直径小于约I. 8”的盘的小型HDD。机顶盒1580可被连接至存储器1594，例如RAM、R0M、诸如闪存之类的低等待时间的非易失性存储器以及/或者其他合适的电子数据存储装置。机顶盒1580还可支持经由WLAN网络接ロ 1596与WLAN连接。现在參考图6G，本发明可实施为媒体播放器600中的MOS器件。本发明可实现媒体播放器600的信号处理和/或控制电路中的任意一个或两者(这些电路在图6G中被一般地标识为604)、WLAN接ロ以及/或者大容量数据存储装置。在一些实现方式中，媒体播放器600包括显示器607以及/或者诸如键盘、触摸板等之类的用户输入608。在一些实现方式中，媒体播放器600可使用图形用户界面(GUI)，图形用户界面(GUI) —般经由显示器607和/或用户输入608来使用选单、下拉选单、图标和/或点选界面。媒体播放器600还包括诸如扬声器和/或音频输出插ロ之类的音频输出609。信号处理和/或控制电路604以及/或者媒体播放器600的其他电路(未示出)可处理数据、执行编码和/或加密、执行计算、格式化数据并且/或者执行任何其他媒体播放器功能。媒体播放器600可与以非易失性方式存储诸如压缩的音频和/或视频内容之类的数据的大容量数据存储装置610通信。在一些实现方式中，压缩的音频文件包括符合MP3格式或其他合适的压缩音频和/或视频格式的文件。大容量数据存储装置可包括光和/或磁存储设备，例如硬盘驱动器HDD和/或DVD。至少ー个HDD可具有图6A所示的配置并且/或者至少ー个DVD可具有图6B所示的配置。HDD可以是包括ー个或多个直径小于约I. 8”的盘的小型HDD。媒体播放器600可被连接至存储器614，例如RAM、ROM、诸如闪存之类的低等待时间的非易失性存储器以及/或者其他合适的电子数据存储装置。媒体播放器600还可支持经由WLAN网络接ロ 616与WLAN连接。还可预期除上述那些实现方式以外的其他实现方式。參考图6H，本发明可实施为IP电话(VoIP)电话620中的MOS器件，VoIP电话620可包括天线621。本发明可实现VoIP电话623的信号处理和/或控制电路中的任意ー个或两者(这些电路在图6H中被一般地标识为622)、无线接ロ以及/或者大容量数据存储装置。在一些实现方式中，VoIP电话620部分地包括麦克风624、诸如扬声器和/或音频输出插ロ之类的音频输出625、显示监视器626、诸如键盘、点选设备、话音启动和/或其他输入设备之类的输入设备627以及无线保真(Wi-Fi)通信模块628。信号处理和/或控制电路622以及/或者VoIP电话620中的其他电路(未示出)可处理数据、执行编码和/或加密、执行计算、格式化数据并且/或者执行其他VoIP电话功能。VoIP电话620可与诸如光和/或磁存储设备之类的以非易失性方式存储数据的大容量数据存储装置623通信，其中光和/或磁存储设备例如硬盘驱动器HDD和/或DVD。至少ー个HDD可具有图6A所示的配置并且/或者至少ー个DVD可具有图6B所示的配置。HDD可以是包括ー个或多个直径小于约I. 8”的盘的小型HDD。VoIP电话620可被连接至存储器629，存储器629可以是RAM、ROM、诸如闪存之类的低等待时间的非易失性存储器以及 /或者其他合适的电子数据存储装置。VoIP电话620被配置为经由Wi-Fi通信模块628建立与VoIP网络(未示出)的通信链路。以上就具体的示例性实施例描述了本发明。应当理解，本发明不限于上述实施例，并且在不脱离本发明的精神和范围的情况下，可由相关领域的技术人员进行各种改变和修改。
权利要求
1.一种在衬底上形成的金属氧化物半导体MOS器件，包括 漏极区，其中所述漏极区具有(i)矩形或者(ii)正方形中的一者的形状； 栅极区，所述栅极区围绕所述漏极区，并且以闭环形式形成在所述漏极区周围，其中所述栅极区具有与(i)矩形或者(ii)正方形中的一者的漏极区的形状相对应的形状； 多个源极区，所述多个源极区被布置在所述栅极区周围并且位于所述MOS器件的外围，其中所述多个源极区中的每个源极区具有矩形的形状；以及 多个体区，所述多个体区被布置在所述栅极区周围并且位于所述MOS器件的拐角处，其中所述体区分隔所述源极区。
2.根据权利要求I所述的MOS器件，还包括多个区域，其中所述多个区域中的每个区域位于相应的源极区和相应的体区之间。
3.根据权利要求2所述的MOS器件，其中所述多个区域中的每个区域包括电耦合到所述栅极区的栅极触点。
4.根据权利要求I所述的MOS器件，其中沟道区被形成在所述栅极区之下。
5.根据权利要求4所述的MOS器件，其中所述沟道区被配置为使得电流从每个源极区流向所述漏极区。
6.根据权利要求I所述的MOS器件，其中所述MOS器件是晶体管。
7.根据权利要求I所述的MOS器件，其中 所述衬底是硅衬底；并且 所述栅极区包括多晶硅。
8.根据权利要求7所述的MOS器件，其中所述MOS器件是正方形DMOS(SQDMOS)。
9.根据权利要求I所述的MOS器件，其中 所述漏极区包括漏极触点，并且所述源极区中的至少一个包括源极触点；并且 所述漏极区触点和所述栅极区之间的距离大于所述源极区触点和所述栅极区之间的距离。
10.一种金属氧化物半导体MOS器件，所述MOS器件包括在衬底上以阵列形式形成的多个MOS晶体管单元,每个MOS晶体管单元包括 漏极区，其中所述漏极区具有(i)矩形或者(ii)正方形中的一者的形状； 栅极区，所述栅极区围绕所述漏极区，并且以闭环形式形成在所述漏极区周围，其中所述栅极区具有与(i)矩形或者(ii)正方形中的一者的漏极区的形状相对应的形状； 多个源极区，所述多个源极区被布置在所述栅极区周围并且位于所述MOS晶体管单元的外围，其中所述多个源极区中的每个源极区具有矩形的形状；以及 多个体区，所述多个体区被布置在所述栅极区周围并且位于所述MOS晶体管单元的拐角处，其中所述体区分隔所述源极区， 其中所述源极区与相邻MOS晶体管单元的相应源极区重叠。
11.一种用于在衬底上形成金属氧化物半导体MOS器件的方法，包括 形成漏极区，其中所述漏极区具有(i)矩形或者(ii)正方形中的一者的形状； 形成围绕所述漏极区的栅极区，其中所述栅极区以闭环形式形成在所述漏极区周围，并且其中所述栅极区具有与(i)矩形或者(ii)正方形中的一者的漏极区的形状相对应的形状；形成多个源极区，所述多个源极区被布置在所述栅极区周围并且位于所述MOS器件的外围，其中所述多个源极区中的每个源极区具有矩形的形状；以及 形成多个体区，所述多个体区被布置在所述栅极区周围并且位于所述MOS器件的拐角处，其中所述体区分隔所述源极区。
12.根据权利要求11所述的方法，还包括形成多个区域，其中所述多个区域中的每个区域位于相应的源极区和相应的体区之间。
13.根据权利要求12所述的方法，其中所述多个区域中的每个区域包括电耦合到所述栅极区的栅极触点。
14.根据权利要求11所述的方法，还包括形成位于所述栅极区之下的沟道区。
15.根据权利要求14所述的方法，其中所述沟道区被配置为使得电流从每个源极区流向所述漏极区。
16.根据权利要求11所述的方法，其中所述MOS器件是晶体管。
17.根据权利要求11所述的方法，其中所述衬底是硅衬底，并且所述栅极区包括多晶硅。
18.根据权利要求17所述的方法，其中所述MOS器件是正方形DMOS(SQDMOS)。
19.根据权利要求11所述的方法，其中 所述漏极区包括漏极触点，并且所述源极区中的至少一个包括源极触点；并且 所述漏极区触点和所述栅极区之间的距离大于所述源极区触点和所述栅极区之间的距离。
20.一种用于在衬底上形成金属氧化物半导体MOS器件的方法，包括 在所述衬底上形成MOS晶体管单元，其中每个MOS晶体管单元是通过以下方式形成的 形成漏极区，其中所述漏极区具有(i)矩形或者(ii)正方形中的一者的形状； 形成围绕所述漏极区的栅极区，其中所述栅极区以闭环形式形成在所述漏极区周围，并且其中所述栅极区具有与(i)矩形或者(ii)正方形中的一者的漏极区的形状相对应的形状； 形成多个源极区，所述多个源极区被布置在所述栅极区周围并且位于所述MOS晶体管单元的外围，其中所述多个源极区中的每个源极区具有矩形的形状；以及 形成多个体区，所述多个体区被布置在所述栅极区周围并且位于所述MOS晶体管单元的拐角处，其中所述体区分隔所述源极区， 其中所述源极区与相邻MOS晶体管单元的相应源极区重叠。
全文摘要
本发明公开了一种具有低导通电阻的MOS器件的几何图形。公开了一种在衬底上形成的金属氧化物半导体(MOS)器件以及一种用于形成该MOS器件的方法。MOS器件包括漏极区；围绕漏极区的栅极区；源极区，这些源极区被布置在栅极区周围并且与漏极区相对；以及体区，这些体区被布置在栅极区周围并且分隔源极区。栅极区被形成为环绕在漏极区的周围。以此方式，降低了MOS器件的导通电阻(Ron)，而不增加MOS器件的面积。
文档编号H01L29/78GK102709285SQ201210147239
公开日2012年10月3日 申请日期2007年12月26日 优先权日2006年12月28日
发明者塞哈特·苏塔迪嘉, 拉维尚卡尔·克里沙姆尔斯 申请人:马维尔国际贸易有限公司