专利名称：大功率led的制作方法
技术领域：
本实用新型涉及ー种大功率LED。
背景技术：
如图I所不,现有技术中的大功率LED,其一般包括壳体I’、设于金属热沉3’上的发光芯片2’，与该发光芯片2’电连接的导线引脚4’，将所述发光芯片封装于内部的硅胶层5’，这种结构的大功率LED，由于其所用的硅胶量较大，硅胶层5’通常采用的是低折射的硅胶，采用低折射率的硅胶虽然可降低生产成本，但是由于发光芯片2’外采用的是低折射率的娃胶，其光束输出量少。
实用新型内容本实用新型所要解决的技术问题是提供ー种大功率LED，以提升LED光源的光束
输出量。为解决上述技术问题，本实用新型采用如下技术方案ー种大功率LED，包括壳体、设于壳体中的金属热沉、设于金属热沉上的发光芯片、与该发光芯片电连接的导电引脚、将所述发光芯片封装于金属热沉上的硅胶层，所述硅胶层包括包裹着该发光芯片的内硅胶层以及包裹于内硅胶层外部的外硅胶层，且内硅胶层的折射率高于外硅胶层的折射率。进ー步地，所述内硅胶层由苯环硅胶制成。进ー步地，所述内硅胶层呈圆弧顶盖形。进ー步地，所述硅胶层呈半球形。进ー步地，所述内硅胶层的折射率为1.5 1.7，而外硅胶层的折射率为I. 35 I. 45。进ー步地，所述内硅胶层是点胶方式成型而成，而外硅胶层是模具注塑成型而成。本实用新型的有益效果是在所述发光芯片和外硅胶层之间还设有内硅胶层，内硅胶层包裹着发光芯片封装于内部，通过内外两次封胶，且内硅胶层采用高折射率的硅胶材料制成，这种结构的LED光源提升了光束输出量。
以下结合附图对本实用新型作进ー步的详细描述。
图I是现有技术中大功率LED的示意图。图2是本实用新型大功率LED的示意图。
具体实施方式
如图2所示，本实用新型提供ー种大功率LED，包括壳体I、发光芯片2、金属热沉3、导电引脚4、由外硅胶层5及内硅胶层6形成的硅胶层。[0015]所述壳体I内设有金属热沉3，该金属热沉3用于给所述发光芯片2散热，其固定于所述壳体I内，所述发光芯片2固定于所述金属热沉3上，所述导电引脚4与所述发光芯片2电连接，所述发光芯片2被所述内硅胶层6包裹在所述金属热沉3上，内硅胶层6采用高折射率(I. 5-1. 7)的娃胶材料制成,例如苯环娃胶,其形状如圆弧顶盖形,便于光线均匀散出。所述内硅胶层6外由所述内硅胶层6包裹着；所述外硅胶层5由低折射率(I. 35-1. 45)的硅胶材料制成，例如甲基硅胶，所述外硅胶层5呈半球形。本实施例的大功率LED的制作エ艺如下步骤一，在金属热沉3上固置发光芯片2 ；步骤ニ，在发光芯片2周围点内硅胶层6，使内硅胶层6完全包覆住发光芯片2 ；步骤三，通过热铆、热压边或粘接的方式将中空的PC Lens定位于壳体I上方，再往所述PC Lens里注入外娃胶层5,完成制作エ艺。所述步骤三也可以是这样，直接通过用模具注塑生成外硅胶层5。以上所述是本实用新型的具体实施方式
，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本实用新型原理的前提下，还可以做出若干改进和润饰，这些改进和润饰也视为本实用新型的保护范围。
权利要求1.ー种大功率LED，包括壳体、设于壳体中的金属热沉、设于金属热沉上的发光芯片、与该发光芯片电连接的导电引脚、将所述发光芯片封装于金属热沉上的硅胶层，其特征在干所述硅胶层包括包裹着该发光芯片的内硅胶层以及包裹于内硅胶层外部的外硅胶层，且内硅胶层的折射率高于外硅胶层的折射率。
2.如权利要求I所述的大功率LED，其特征在于所述内硅胶层由苯环硅胶制成。
3.如权利要求I所述的大功率LED，其特征在于所述内硅胶层呈圆弧顶盖形。
4.如权利要求I所述的大功率LED，其特征在于所述硅胶层呈半球形。
5.如权利要求I所述的大功率LED，其特征在于所述内硅胶层的折射率为I.5 I. 7，而外娃胶层的折射率为I. 35 I. 45。
6.如权利要求I所述的大功率LED，其特征在于所述内硅胶层是点胶方式成型而成，而外硅胶层是模具注塑成型而成。
专利摘要本实用新型涉及一种大功率LED，包括壳体、设于壳体中的金属热沉、设于金属热沉上的发光芯片、与该发光芯片电连接的导电引脚、将所述发光芯片封装于金属热沉上的硅胶层，所述硅胶层包括包裹着该发光芯片的内硅胶层以及包裹于内硅胶层外部的外硅胶层，且内硅胶层的折射率高于外硅胶层的折射率；所述内硅胶层的折射率为1.5~1.7，而外硅胶层的折射率为1.35~1.45。本实用新型主要解决现有的大功率LED其光束输出量较少的问题；达到提升大功率LED的光束输出量的目的。
文档编号H01L33/52GK202454610SQ20122001306
公开日2012年9月26日 申请日期2012年1月12日 优先权日2012年1月12日
发明者周波 申请人:深圳市兆驰节能照明有限公司