专利名称：工作性能好的单晶硅太阳能电池的制作方法
技术领域：
本实用新型涉及一种太阳能电池，尤其涉及一种单晶硅太阳能电池。
背景技术：
太阳能电池推广应用的主要障碍是发电成本与火力发电成本相比较成本过高。聚光电池则是通过薄片，聚光等手段，可以大大降低发电成本。同时，工作性能不好，效率不闻。
实用新型内容为了克服现有技术中存在的不足，本实用新型提供一种结构合理，工作性能良好的单晶硅太阳能电池。为了实现上述目的，本实用新型所采取的技术方案为解决上述技术问题，本实用新型采样的技术方案为一种单晶硅太阳能电池，包括P型硅片，在P型硅片的正面设有作为负极的NP结，在NP结的正面设有氧化硅减反射膜，正极金属电极穿过氧化硅减反射膜与NP结形成欧姆接触；在P型硅片的反面设置P+层，在P+层的反面设置铝背场，在铝背场中设有背电极；正面栅线包括主栅线和细栅线，正面栅线的阴影面积占正面总面积的15% 16%，其中细栅线的阴影面积占正面总面积的10% 11%。所述细栅线宽度为O. 09mm O. Imm,细栅线的中心内距为Imm I. 1mm。所述P型硅片为165单晶硅片。有益效果本实用新型提供的单晶硅太阳能电池，结构合理，工作性能良好，且制造成本低，效率高。
图I为本实用新型的结构示意图。
具体实施方式
图I所示为165单晶硅太阳能电池，包括P型硅片1，在P型硅片I的正面设有作为负极的NP结2，在NP结2的正面设有氧化硅减反射膜3，正极金属电极4穿过氧化硅减反射膜3与NP结2形成欧姆接触；在P型硅片I的反面设置P+层5，在P+层5的反面设置铝背场6，在铝背场6中设有背电极7;正面栅线包括主栅线和细栅线，正面栅线的阴影面积占正面总面积的15% 16%，其中细栅线的阴影面积占正面总面积的10% 11% ;所述细栅线宽度为O. 09mm O. 095mm,细栅线的中心内距为I. 1mm。
权利要求1.一种工作性能好的单晶硅太阳能电池，其特征在于该太阳能电池包括P型硅片(I)，在P型硅片(I)的正面设有作为负极的NP结(2)，在NP结(2)的正面设有氧化硅减反射膜(3)，正极金属电极(4)穿过氧化硅减反射膜(3)与NP结(2)形成欧姆接触；在戸型硅片(I)的反面设置P+层(5)，在P+层(5)的反面设置铝背场(6)，在铝背场(6)中设有背电极(7)。
2.根据权利要求I所述的工作性能好的单晶硅太阳能电池，其特征在于正面栅线包括主栅线和细栅线，正面栅线的阴影面积占正面总面积的15% 16%，其中细栅线的阴影面积占正面总面积的10% 11%，细栅线宽度为O. 09mm O. 095mm，细栅线的中心内距为Imm I. Imm0
3.根据权利要求2所述的工作性能好的单晶硅太阳能电池，其特征在于所述P型硅片⑴为165单晶娃片。
专利摘要本实用新型公开了一种单晶硅太阳能电池，包括P型硅片，在P型硅片的正面设有作为负极的NP结，在NP结的正面设有氧化硅减反射膜，正极金属电极穿过氧化硅减反射膜与NP结形成欧姆接触；在P型硅片的反面设置P+层，在P+层的反面设置铝背场，在铝背场中设有背电极。本实用新型提供的单晶硅太阳能电池，结构合理，工作性能良好，且制造成本低，效率高。
文档编号H01L31/0216GK202736929SQ201220320988
公开日2013年2月13日 申请日期2012年7月2日 优先权日2012年7月2日
发明者曹永杰, 何干坤, 曹永祥, 王绍林, 张良春, 许龙光 申请人:温州宏阳铜业有限公司