专利名称：激光二极管的制作方法
技术领域：
激光二极管
技术领域：
本实用新型涉及一种激光模组，属于激光发射装置技术领域。
背景技术：
激光二极管一般是应用于测绘学中的测绘仪器，激光二极管本质而言是一个半导体二极管，二极管最重要的特性的单方向导电性，在电路中，电流只能从二极管的正极流入，负极流出。激光发散度小，准直度高常用语水平尺、定位、测距仪、光线传输、摄像机或者激光笔等产品中。现有的激光二极管中的芯片(简称CHIP)，在发光时候的功率没有监控装置进行监控，且无法进行功率控制，当对它的体积要求很小的时候也只能做简单的电流控制的方式来驱动，当有峰值电压产生时，受到电压的影响，芯片上的功率就高，当电源电压降低的时候它的功率也随之降低，会产生很不稳定的发光效果，影响使用的稳定性。而且在使用一会·后随着芯片发热产生的温度会影响其出光效率，也就是其实际使用时的发光效率达不到额定功率的要求。
发明内容本实用新型针对以上的问题提出了一种能够对出光强度进行稳定控制的激光二极管，对激光二极管发光效率进行监控和调节使其保持在一个恒定的功率。本实用新型的技术方案是一种激光二极管，包括发光芯片，其特征在于，在激光二极管的内部加入了一个能感应发光芯片所发出的光线强弱并通过输出信号到外部控制电路来调节发光芯片的硅光电池，所述发光芯片后面有镀膜，而所述硅光电池设置在能发光的镀膜位置。所述调控电路中的硅光电池ro对着发光芯片LD，硅光电池ro接收到的光照强度越大，其产生的电流越强，消耗的功率越大，发光芯片LD上电流变小，发光强度降低，实现了对发光芯片的反馈式调节。本实用新型的有益效果通过调控电路，对发光芯片的发光情况进行监控和调节，一旦出现波动，能感应光线强弱的硅光电池配合三极管对发光芯片发光强度进行负反馈式调控，让其工作时保持在一个稳定的状态。
图I是本实用新型一实施例结构示意图。其中1、发光芯片；2、娃光电池；3、引脚。
具体实施方式结合附图对本实用新型的技术要点做进一步阐释。 一种激光二极管，包括发光芯片，其特征在于，在激光二极管的内部加入了一个能感应发光芯片所发出的光线强弱并通过输出信号到外部控制电路来调节发光芯片的硅光电池，所述发光芯片后面有镀膜，而所述硅光电池设置在能发光的镀膜位置。所述发光芯片I后面有镀膜，而所述硅光电池2设置在能发光的镀膜位置，利用引脚3将硅光电池与调控电路电连接在一起。所述调控电路中的硅光电池ro对着发光芯片LD，硅光电池ro接收到的光照强度越大，其产生的电流越强，消耗的功率越大，而通过硅光电池传递到外部电路上的信号，负反馈式调节了发光芯片的驱动部分，导致发光芯片LD上电流变小，发光强 度降低，实现了对发光芯片的反馈式调节。本技术方案是在发光芯片的后面放置一个娃光电池(简称F1D),利用镀膜使芯片后面发出的合适强度的光，然后这个光照射在硅光电池后，硅光电池感光就会产生出一个微弱的随着光强度产生相应变化的电压和电流，引入运算放大器后并与驱动芯片的电流建立起反比例关系就可以实现对出光强度稳定的恒定功率控制。当发光芯片上的电压电流过大，发光芯片发出较高的功率，发光变强，此时受到光线照射的硅光电池中的电流电压也相应变强，以一种负反馈地方式来调节驱动芯片的电流电压，于是驱动芯片的电流电压变小，对发光芯片的影响就是功率变小、发光强度减弱。本实用新型的有益效果通过调控电路，对发光芯片的发光情况进行监控和调节，一旦出现波动，能感应光线强弱的硅光电池配合三极管对发光芯片发光强度进行负反馈式调控，让其工作时保持在一个稳定的状态。
权利要求1.一种激光二极管，包括发光芯片，其特征在于，在激光二极管的内部加入了一个能感应发光芯片所发出的光线强弱并通过输出信号到外部控制电路来调节发光芯片的硅光电池，所述发光芯片后面有镀膜，而所述硅光电池设置在能发光的镀膜位置。
专利摘要一种激光二极管，包括发光芯片，其特征在于，在激光二极管的内部加入了一个能感应发光芯片所发出的光线强弱并通过输出信号到外部控制电路来调节发光芯片的硅光电池，所述发光芯片后面有镀膜，而所述硅光电池设置在能发光的镀膜位置。通过调控电路，对发光芯片的发光情况进行监控和调节，一旦出现波动，能感应光线强弱的硅光电池配合三极管对发光芯片发光强度进行负反馈式调控，让其工作时保持在一个稳定的状态。
文档编号H01S5/026GK202712683SQ20122032894
公开日2013年1月30日 申请日期2012年7月9日 优先权日2012年7月9日
发明者霍立彬 申请人:深圳市力宝兴业电子有限公司