成膜材料、使用该成膜材料的密封膜、及其用途
【专利摘要】本发明涉及使用具有至少一个与硅原子直接键合的仲烃基，且具有氧原子相对于硅原子1为0.5以下的原子比这样的特定结构的有机硅化合物作为原料，以由通过CVD形成的含碳氧化硅形成的膜作为密封膜，用于气体阻隔部件、FPD器件、半导体器件等。
【专利说明】成膜材料、使用该成膜材料的密封膜、及其用途
【技术领域】
[0001]本发明涉及一种成膜材料、使用该成膜材料的密封膜、及其用途。特别是涉及一种以具有特定结构的烃基取代硅化合物作为原料，通过化学气相沉积法(CVD =ChemicalVapor Deposition)成膜而得到的、由含碳氧化娃膜构成的密封膜。
【背景技术】
[0002]在以液晶显示器及有机EL显示器为代表的平板显示器(以下为FPD)中，使用玻璃基板作为其显示板的基体材料，但从薄膜化、轻质化、提高耐冲击性、柔性化、及从适应于卷对卷工艺的观点考虑，透明塑料基板的代替要求提高。另外，尝试使用有机半导体在塑料基板上形成有机晶体管、或形成LS1、Si薄膜太阳能电池、有机色素敏化太阳能电池、有机半导体太阳能电池等。
[0003]在通常市售的塑料基板上形成上述元件的情况下，液晶元件、有机EL元件、TFT元件、半导体元件、太阳能电池等所形成的元件、及器件怕水和/或氧，因此，显示器的显示产生黑点或亮点，或者半导体元件、太阳能电池等不起作用，无法实用。因此，需要对塑料基板赋予相对于水蒸汽和/或氧气的气体阻隔性能的气体阻隔塑料基板。另一方面，赋予了气体阻隔性能的透明塑料膜作为食品、药品、电子材料、电子零件等的包装材料用途，今后有取代不透明的铝箔层压膜使用日益扩大的趋势。
[0004]作为对透明塑料基板及透明塑料膜赋予透明气体阻隔性能的方法，有物理成膜法和CVD法。在专利文献I中公开了一种隔离袋用膜，其以六甲基二硅氧烷、1，1，3，3-四甲基二硅氧烷和/或1，3- 二乙烯基-1，I, 3，3-四甲基二硅氧烷、氧气和氦气、氩气等不活泼气体的混合气体作为原料，通过等离子体激发化学气相沉积法(PECVD:Plasma EnhancedChemical Vapor Deposition)形成了气体阻隔层,但其气体阻隔性能为H2O=0.2~0.6g/m2.天、O2=0.4 ~0.5cc/m2.天，较低。
[0005]另外，本发明人等在专利文献2及专利文献3中公开了一种使用具有仲或叔烃基与硅原子直接键合的结构的硅烷及硅氧烷化合物通过PECVD形成低介电常数绝缘膜的方法。然而，这些方法为形成低密度薄膜的方法，所形成的薄膜并不是适用于密封材料、特别是气体阻隔材料的高密度薄膜。
[0006]现有技术文献
[0007]专利文献
[0008]专利文献1:日本专利第4139446号公报
[0009]专利文献2:日本特开2004-6607号公报
[0010]专利文献3:日本特开2005-51192号公报
【发明内容】
[0011]发明所要解决的问题
[0012]本发明是鉴于上述问题而完成的，其目的在于，提供一种以具有特定结构的烃基取代硅化合物作为原料且通过CVD得到的含碳氧化硅膜构成的密封膜、及含有该膜而成的气体阻隔部件、FPD器件及半导体器件。
[0013]用于解决问题的方法
[0014]本发明人等发现具有特定结构的烃基取代基且具有特定的硅、氧比的硅化合物适合作为CVD用成膜材料，进而将以具有该特定结构及组成比的硅化合物作为原料且通过CVD得到的膜用作密封膜，以至完成了本发明。
[0015]即，本发明为一种含有有机硅化合物的CVD用成膜材料，所述有机硅化合物具有至少一个与硅原子直接键合的仲烃基，且具有氧原子相对于硅原子I为0.5以下的原子比。另外，本发明为一种使用这样的成膜材料通过CVD成膜的密封膜。另外，本发明为一种密封膜，其特征在于，对上述的密封膜进一步进行热处理、紫外线照射处理或电子束处理而得到。进而，本发明为一种气体阻隔部件，其特征在于，将这些密封膜用作气体阻隔层。另外，本发明为一种含有这些密封膜而成的平板显示器器件或半导体器件。
[0016]gp，本发明的主旨在于下述(I)~(15)。
[0017](I) 一种化学气相沉积法用的成膜材料，其特征在于，含有下述有机硅化合物，所述有机硅化合物具有至少一个与硅原子直接键合的仲烃基，且具有氧原子相对于硅原子I为0.5以下的原子比。
[0018](2)如上述(I)所述的成膜材料，其特征在于，优选具有至少一个与硅原子直接键合的仲烃基、且具有氧原子相对于硅原子I为0.5以下的原子比的有机硅化合物为下述通式(I)所示的二硅氧烷化合物。
[0019]
【权利要求】
1.一种化学气相沉积法用的成膜材料，其含有下述有机硅化合物，所述有机硅化合物具有至少一个与硅原子直接键合的仲烃基，且具有氧原子相对于硅原子1为0.5以下的原子比。
2.如权利要求1所述的成膜材料，其中，具有至少一个与硅原子直接键合的仲烃基、且具有氧原子相对于硅原子I为0.5以下的原子比的有机硅化合物为下述通式(1)所示的二硅氧烷化合物，
3.如权利要求1所述的成膜材料，其中，具有至少一个与硅原子直接键合的仲烃基、且具有氧原子相对于硅原子1为0.5以下的原子比的有机硅化合物为下述通式(2)所示的硅烷化合物，
4.如权利要求1所述的成膜材料，其中，具有至少一个与硅原子直接键合的仲烃基、且具有氧原子相对于硅原子1为0.5以下的原子比的有机硅化合物为下述通式(3)所示的环状硅烷化合物，
5.如权利要求2~4中任一项所述的成膜材料，其中，通式(I)、通式(2)或通式(3)中的R1和R2、R5和R6、或R10和R11均为甲基，或分别为甲基和乙基。
6.如权利要求2或5所述的成膜材料，其中，有机硅化合物为1,3-二异丙基二硅氧烷、I,3- 二异丙基-1，3- 二甲基二硅氧烷、1，3- 二异丙基-1，I, 3，3-四甲基二硅氧烷、1，3- 二仲丁基二硅氧烷、1，3-二仲丁基-1,3-二甲基二硅氧烷、或1，3-二仲丁基-1，1,3, 3-四甲基二硅氧烷。
7.如权利要求3或5所述的成膜材料，其中，有机硅化合物为异丙基硅烷、异丙基甲基硅烷、异丙基二甲基硅烷、二异丙基硅烷、二异丙基甲基硅烷、二异丙基硅烷、仲丁基硅烷、仲丁基甲基硅烷、仲丁基二甲基硅烷、二仲丁基硅烷、二仲丁基甲基硅烷、或三仲丁基硅烷。
8.如权利要求4或5所述的成膜材料，其中，有机硅化合物为1，2，3，4_四异丙基环四硅烷、1，2，3，4，5-五异丙基环五硅烷、1，2，3，4，5，6-六异丙基环六硅烷、1，1,2, 2，3，3,4, 4-八异丙基环四硅烷、1，1,2, 2，3，3,4, 4，5，5-十异丙基环五硅烷、或1，I, 2，2，3，3，4，4，5，5，6，6-十二异丙基环六硅烷。
9.如权利要求1~8中任一项所述的成膜材料，其中，化学气相沉积法为等离子体激发化学气相沉积法。
10.如权利要求1~8中任一项所述的成膜材料，其中，化学气相沉积法为催化化学气相沉积法。
11.一种密封膜，其是使用权利`要求1~10中任一项所述的成膜材料并通过化学气相沉积法而成膜的。
12.—种密封膜，其是对权利要求11所述的密封膜进一步进行热处理、紫外线照射处理或电子束处理而得到的。
13.一种气体阻隔部件，其中，将权利要求11或12所述的密封膜用作气体阻隔层。
14.一种平板显示器器件，其含有权利要求11或12所述的密封膜。
15.一种半导体器件，其含有权利要求11或12所述的密封膜。
【文档编号】H01L21/312GK103781937SQ201280043228
【公开日】2014年5月7日 申请日期:2012年8月24日 优先权日:2011年9月5日
【发明者】原大治, 清水真乡 申请人:东曹株式会社