基板处理装置制造方法
【专利摘要】公开了一种基板处理装置。本发明涉及的基板处理装置中，用于强制冷却基板的冷却单元支撑并设置在形成腔室的本体的外表面上。因此，能够容易地在本体上设置冷却单元，且容易进行维修。
【专利说明】基板处理装置
【技术领域】
[0001]本发明涉及一种基板处理装置，所述基板处理装置在形成腔室的本体的外侧设有冷却单元。
【背景技术】
[0002]基板处理装置应用于平板显示器的生产，并大致分为蒸镀(Vapor D印osition)装置和退火(Annealing)装置。
[0003]蒸镀装置作为形成构成平板显示器核心结构的透明导电层、绝缘层、金属层或硅层的装置，分为低压化学气相沉积(LPCVD:Low Pressure Chemical Vapor Deposition)或等离子体增强化学气相沉积(PECVD:Plasma_Enhanced Chemical Vapor Deposition)等方式的化学气相蒸镀装置和溅射(Sputtering)等方式的物理气相蒸镀装置。
[0004]退火装置在基板上蒸镀膜以后，提高蒸镀后的膜的特性，是对蒸镀后的膜进行结晶化或相变化的热处理装置。
[0005]一般地,基板处理装置分为对一个基板进行处理的单片式(Single SubstrateType)基板处理装置和对多个基板进行处理的批处理式(Batch Type)基板处理装置。单片式基板处理装置虽然结构简单，但生产率较低，因此，在大批量的生产中多使用批处理式基板处理装置。
[0006]基板处理装置包括:本体，其内部形成有作为基板处理空间的腔室；托架，设置在所述本体的内部，用于支撑基板；多个加热器，设置在所述本体的内部，用于产生所述基板处理所需的热量；冷却单元，为了冷却被热处理的基板，向所述本体的内部导入冷却气体后排出。
[0007]如上所述的现有基板处理装置中，所述冷却单元设置在所述本体的内部。
[0008]因此，在所述本体上设置所述冷却单元比较困难，而且对设置在所述本体上的所述冷却单元进行维修时存在困难。
【发明内容】
[0009]技术问题
[0010]本发明是为了解决如上所述的现有技术的问题而提出的，本发明目的在于提供一种基板处理装置，由于用于冷却基板的冷却单元设置在本体的外侧，从而容易设置，而且容易维修。
[0011]问题解决手段
[0012]为了实现上述目的，本发明涉及的基板处理装置包括:本体，在内部形成有作为基板被处理的空间的腔室，加热器，位于所述本体的内部，用于产生所述基板处理所需的热量；冷却单元，设置在所述本体的外表面上，向所述本体的内部导入用于冷却被热处理的基板的冷却气体后,排出至所述本体的外部。
[0013]发明效果[0014]本发明涉及的基板处理装置中，用于强制冷却被处理的基板的冷却单元支撑并设置在形成腔室的本体的外表面上。因此，能够方便地在本体上设置冷却单元，且便于进行维修。
【专利附图】
【附图说明】
[0015]图1是本发明的一实施方式的基板处理装置的立体图。
[0016]图2是表示在图1中的冷却单元的立体图。
[0017]图3是表示在图2中的冷却单元的主要部位放大图。
【具体实施方式】
[0018]以下，参照附图对本发明的特定实施例进行详细说明。通过这些实施例，所属领域的技术人员能够充分实施本发明。本发明的多种实施例虽然有所不同，但不应理解为相互排斥。例如，记载于此的一实施例的特定形状、特定结构以及特性，在不超出本发明的精神以及范围的基础上，可以以其他实施例的形式体现。而且，应理解为，每个公开的实施例中的个别的构成要素的位置或设置，可以在不超出本发明的精神以及范围的情况下进行变更。因此，后述的详细说明并非旨在限定，本发明的范围只限定于所有权利要求及其等同范围。为了便于说明，附图所示的实施例有可能对长度、面积、厚度及形态进行夸大表示。
[0019]以下参照附图来详细说明本发明的一实施方式的基板处理装置。
[0020]基板处理应理解为包括:加热以及冷却基板的工艺；用于在基板上蒸镀规定的膜的所有工艺；对蒸镀在基板上的规定的膜进行退火、结晶化或相变化的所有热处理工艺。此夕卜，对基板的材质没有特别的限制，可以由玻璃、树脂、聚合物、硅晶片或者不锈钢等材质形成。
[0021]图1是本发明的一实施方式的基板处理装置的立体图。
[0022]如图所示，本实施方式的基板处理装置包括形成外观的大体呈直六方体形状的本体110。本体110的内部形成有作为基板50的处理空间的腔室111，腔室111形成为封闭的空间。本体110的形状不限于直六方体形状，可以根据基板50的形状形成为多种形状。
[0023]本体110的前侧形成有开放部，所述开放部通过设置在本体110前侧的门113而开闭。在开启门113使腔室111与外部连通的状态下，通过机械臂(未图示)等对搭载和支撑基板50的支撑板120进行支撑，以将基板50装载至腔室111。然后关闭门113，在封闭腔室111的状态下对基板50进行处理。
[0024]本体110的内部设有多个托架130。支撑板120沿着上下方向隔着间隔支撑设置在托架130上，支撑板120搭载和支撑基板50。此外，在支撑板120和支撑板120之间设有多个加热器(未图不)，该多个加热器用于产生基板50处理所需的热量。
[0025]由于装载至腔室111而被处理的基板50处于高温状态，因此只有冷却至规定的温度后才能从腔室111卸载。但是，如果自然冷却基板50至规定的温度，需要较长时间，因此强制冷却基板50至规定的温度。
[0026]本实施方式的基板处理装置设有用于强制冷却被处理的基板50的冷却单元。
[0027]对此，参照图1至图3进行说明。图2是表示在图1中的冷却单元的立体图。图3是表示在图2中的冷却单元的主要部位放大图。[0028]如图所示，在本体110的左侧表面上，以排成行和列的方式形成有多个第一支撑孔115，在右侧表面上，形成有分别以与第一支撑孔115对置的方式排成行和列的多个第二支撑孔117。
[0029]所述冷却单元设置在本体110的外部，通过使氮气等冷却气体流入至本体110的内部而冷却在腔室111内被处理的基板50后，排出至本体110的外部。所述冷却单元包括:导入单元160，被本体110的左侧外表面支撑，向本体110的内部导入冷却气体；排出单元170，被本体110的右侧外表面支撑，将导入至本体110的内部以冷却基板50的冷却气体排出至本体110的外部。
[0030]导入单元160包括:导入管161，被本体110的左侧外表面支撑，供冷却气体流入；排气喷嘴163,左端与导入管161连通,右端插入第一支撑孔115并位于本体110的内部,从导入管161接收冷却气体后排出至本体110的内部。
[0031]此时，从本体110的前侧向后侧的方向隔着间隔设置有多个导入管161，在一个导入管161上沿着上下方向隔着间隔而连通设置有多个排气喷嘴163。
[0032]本体110的左侧外表面结合有第一支架165，第一支架165支撑导入管161的下端。具体为，第一支架165上形成有贯通孔165a，导入管161的下端贯通贯通孔165a。并且，在导入管161的下端外周面上形成有结合在第一支架165上的结合片161a。由于第一支架165结合在本体110的左侧外表面上,并且导入管161通过结合片161a结合在第一支架165上，因此，导入管161牢固地设置在本体110的左侧外表面上。
[0033]在本体110的左侧外表面结合有在内部形成有导入流道167a的第一支撑部件167。而且，多个导入管161的下端部分别被第一支撑部件167支撑，并且分别连通在导入流道167a上。
[0034]由于多个导入管161通过导入流道167a相互连通，因此，当向第一支撑部件167的下端注入冷却气体时，冷却气体通过导入流道167a，流入各导入管161内。因此，便于注入冷却气体。此外，由于导入管161被结合在本体110上的第一支撑部件167支撑，因此导入管161被设置得更加牢固。
[0035]排气喷嘴163的左端连通在导入管161上,右端插入于第一支撑孔115。但是,如果导入管161完全由刚性体构成，由于生产以及组装时的公差，难以将排气喷嘴163插入在第一支撑孔115内。为了解决这种问题，导入管161上形成有褶皱部161b。由此，导入管161能够伸缩或折弯，因此即使导入单元160存在公差，也能够容易地将排气喷嘴163插入在第一支撑孔115内。
[0036]排出单元170包括:排出管171，被本体110的右侧外表面支撑，用于排出冷却气体；吸气喷嘴173，左端插入于第二支撑孔117并位于本体110的内部，右端与排出管171连通，吸入流入到本体110内部的冷却气体后运送至排出管171。
[0037]此时，从本体110的前侧向后侧的方向隔着间隔设置多个排出管171，在一个排出管171上沿着上下方向隔着间隔而连通设置多个吸气喷嘴173。
[0038]本体110的右侧外表面结合有第二支架175，第二支架175支撑排出管171的下端。详细地讲，第二支架175上形成有贯通孔175a，排出管171的下端贯通贯通孔175a。并且，在排出管171的下端外周面上形成有结合在第二支架175上的结合片171a。由于第二支架175结合在本体110的右侧外表面上，并且排出管171结合在第二支架175上，因此，排出管171牢固地设置在本体110的右侧外表面上。
[0039]本体110的右侧外表面结合有在内部形成有排出流道177a的第二支撑部件177。而且，多个排出管171的下端部分别被第二支撑部件177支撑，并且分别连通在排出流道177a 上。
[0040]由于多个排出管171通过排出流道177a相互连通，因此，从多个排出管171排出的冷却气体通过第二支撑部件177的下端被排出。由此，便于处理排出的冷却气体。此外，由于排出管171被结合在本体110上的第二支撑部件177支撑，因此排出管171被设置地更加坚固。
[0041]吸气喷嘴173的右端连通在排出管171上，左端插入于第二支撑孔117。但是，如果排出管171完全由刚性体构成，由于生产以及组装时的公差，难以将吸气喷嘴173插入在第二支撑孔117内。为了解决这种问题，排出管171上形成有褶皱部171b。由此，排出管171能够伸缩或折弯，因此即使排出单元170存在公差，也能够容易地将吸气喷嘴173插入在第二支撑孔117内。
[0042]由于排气喷嘴163和吸气喷嘴173位于保持高温状态的本体110的内部，因此有可能受到热的影响而损坏。为了防止这种现象，排气喷嘴163和吸气喷嘴173分别由石英材料制成，此外，导入管161和排出管171分别由金属材料制成。
[0043]但是，石英和金属很难相互结合。因此，导入管161和排气喷嘴163通过由合成树脂形成的连接管169相互连通，排出管171和吸气喷嘴173通过由合成树脂形成的连接管179相互连通。此时，优选为，连接管169、179由耐热性和耐化学性优异的聚四氟乙烯(Polytetrafluoroethylene)形成。
[0044]从排气喷嘴163排出的冷却气体容易流入到本体110内部。但是，流入到本体110内部的冷却气体不容易流入到吸气喷嘴173的内部。因此，优选为吸气喷嘴173的内径大于排气喷嘴163的内径。
[0045]排气喷嘴163和第一支撑孔115之间以及吸气喷嘴173和第二支撑孔117之间当然通过密封部件(未图示)密封。
[0046]本发明涉及的基板处理装置中，用于强制冷却被处理的基板50的冷却单元支撑设置在形成腔室111的本体110的外表面上。因此，能够容易地在本体110上设置冷却单元，容易维修。
[0047]未说明的附图标记140表示用于支撑本体110的框架。
[0048]上述的本发明的实施例的附图省略了详细的轮廓线条，以便于理解属于本发明的技术思想的部分。并且，上述的实施例不能限定本发明的技术思想，其仅仅是为了理解包含在本发明权利范围内的技术事项的参考事项。
【权利要求】
1.一种基板处理装置，其特征在于，包括: 本体，在内部形成有作为基板处理空间的腔室， 加热器，位于所述本体的内部，用于产生所述基板处理所需的热量； 冷却单元，设置在所述本体的外表面上，向所述本体的内部导入用于冷却经处理的所述基板的冷却气体后，排出至所述本体的外部。
2.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，所述冷却单元包括: 导入单元，被所述本体的一侧外表面支撑，向所述本体的内部导入冷却气体； 排出单元，被所述本体的另一侧外表面支撑，将被导入至所述本体的内部的冷却气体排出至所述本体的外部。
3.根据权利要求2所述的基板处理装置，其特征在于， 在所述本体的一侧表面上，以排成行和列的方式形成有多个第一支撑孔，所述导入单元的一端插入所述多个第一支撑孔中， 在所述本体的另一侧表面形成有多个第二支撑孔，所述多个第二支撑孔分别与所述第一支撑孔对置，并且，所述排出单元的一端插入于所述第二支撑孔中。
4.根据权利要求3所述的基板处理装置，其特征在于， 所述导入单元包括:导入管，被所述本体的一侧外表面支撑，用于分别导入冷却气体；排气喷嘴，一端与所述导入管连通，另一端插入支撑于所述第一支撑孔并位于所述本体的内部，从所述导入管接收冷却`气体并向所述本体的内部排出冷却气体， 隔着间隔设置有多个所述导入管，在一个所述导入管上连通设置有多个所述排气喷嘴， 所述排出单元包括:排出管，被所述本体的另一侧外表面支撑，用于排出冷却气体；吸气喷嘴，一端插入支撑于所述第二支撑孔并位于所述本体的内部，另一端位于所述本体的外部并与所述排出管连通，吸入流入到所述本体内部的冷却气体并运送至所述排出管，隔着间隔设置有多个所述排出管，在一个所述排出管上连通设置有多个所述吸气喷嘴。
5.根据权利要求4所述的基板处理装置，其特征在于， 所述排气喷嘴和所述吸气喷嘴分别由石英材料制成， 所述导入管和所述排出管分别由金属制成， 所述排气喷嘴和所述导入管以及所述吸气喷嘴和所述排出管之间分别通过合成树脂材质的连接管相互连通。
6.根据权利要求5所述的基板处理装置，其特征在于， 所述连接管由聚四氟乙烯制成。
7.根据权利要求4所述的基板处理装置，其特征在于， 所述吸气喷嘴的内径大于所述排气喷嘴的内径。
8.根据权利要求4所述的基板处理装置，其特征在于， 在所述导入管和所述排出管上分别形成有褶皱部。
9.根据权利要求4所述的基板处理装置，其特征在于， 在所述本体的一侧外表面和另一侧外表面上分别结合有第一支架和第二支架， 在所述第一支架和所述第二支架上分别形成有贯通孔，所述导入管和所述排出管分别贯通所述贯通孔， 所述导入管和所述排出管上分别形成有结合片，所述结合片分别结合在所述第一支架和所述第二支架上。
10.根据权利要求9所述的基板处理装置，其特征在于， 所述本体的一侧外表面和另一侧外表面上分别结合有第一支撑部件和第二支撑部件，所述第一支撑部件和所述第二支撑部件的内部分别形成有导入流道和排出流道， 多个所述导入管的端部侧分别被所述第一支撑部件支撑，同时分别与所述导入流道连通， 多个所述排出管的端部侧分别被所述第二支撑部件支撑，同时分别与所述排出流道连通。`
【文档编号】H01L21/205GK103782367SQ201280043147
【公开日】2014年5月7日 申请日期:2012年9月4日 优先权日:2011年9月8日
【发明者】许官善, 絏竣淏 申请人:泰拉半导体株式会社