基板处理装置制造方法

基板处理装置制造方法
【专利摘要】基板处理装置具有腔室、基板保持部、基板旋转机构、受液部及上下喷嘴。腔室具有腔室主体和腔室盖部，并且腔室盖部能够进行升降。在腔室盖部与腔室主体相接触的状态下，形成小的密闭空间，并且进行伴随着减压或者加压进行的处理。当腔室盖部上升时，在腔室盖部和腔室主体之间形成环状开口。第一罩部以及第二罩部位于环状开口的外侧。从基板飞散的处理液被第一罩部或者第二罩部接受。在基板处理装置中，能够在小的腔室内进行各种处理。
【专利说明】基板处理装置【技术领域】
[0001 ] 本发明涉及用于处理基板的基板处理装置。
【背景技术】
[0002]以往，在半导体基板(下面，仅称为“基板”)的制造工序中，利用各种基板处理装置对基板进行各种处理。例如，向在表面上形成有抗蚀剂的图案的基板供给药液，由此对基板的表面进行蚀刻等处理。另外，在蚀刻处理结束后，还进行除去基板上的抗蚀剂或对基板进行清洗的处理。
[0003]在日本特开平9-246156号公报(文献I)的装置中，通过冲洗液冲掉晶片上的显影液等之后，对晶片进行干燥处理。具体地说，在晶片被搬入至冲洗处理部中并被晶片吸附部吸附，且冲洗处理部的开口被闸门堵塞之后，对冲洗处理部的内部空间进行排气。然后，在变为减压环境的内部空间内，一边使晶片与晶片吸附部一起进行低速旋转，一边供给冲洗液，然后使晶片进行高速旋转，由此对晶片进行干燥处理。另外，在日本特开2006-105524号公报(文献2)中，公开了如下的减压干燥装置，即，在使容置有基板的腔室内形成减压环境的状态下，对在基板的主面上形成的薄膜进行干燥。
[0004]但是，要在同一腔室内进行利用各种液体的处理和干燥处理，则各种处理液附着于腔室内壁上，从而降低处理液的回收效率，或者缩短再利用的处理液的寿命。另外，在由于多个处理液而在腔室内壁上产生析出物时，也会成为颗粒的产生原因。而且，也可能由于多个处理液混合而产生发热或产生烟的反应。另一方面，为了减少处理中使用的气体的量，优选腔室内的空间的体 积小。

【发明内容】

[0005]本发明涉及用于处理基板的基板处理装置，其目的在于提供一种能够高效地回收处理液，并且能够在小的腔室内进行各种处理的基板处理装置。另外，其目的还在于通过配置在腔室的外部的罩部，在密闭的空间内接受处理液。
[0006]本发明的基板处理装置，具有:腔室，其形成密闭的内部空间；腔室开闭机构，其使所述腔室的包括上部或者下部的腔室活动部相对于其它部位进行升降；基板保持部，其配置在所述腔室内，且以水平状态保持基板；基板旋转机构，其使所述基板与所述基板保持部一起以朝向上下方向的中心轴为中心进行旋转；处理液供给部，其向所述基板的上表面或者下表面供给处理液；罩部，其位于通过所述腔室活动部的移动而形成在所述基板的周围的环状开口的径向外侧，并接受从旋转的所述基板飞散的处理液。由此，能够提供能够高效地回收处理液，且能够在小的腔室内进行各种处理的基板处理装置。
[0007]在本发明的其它方面中，基板处理装置具有:腔室，其形成密闭的内部空间；腔室开闭机构，其使所述腔室的包括上部的腔室盖部相对于其它部位进行升降；基板保持部，其配置在所述腔室内，且以水平状态保持基板；基板旋转机构，其使所述基板与所述基板保持部一起以朝向上下方向的中心轴为中心进行旋转；处理液供给部，其向所述基板上供给处理液；顶板，其呈与所述中心轴相垂直的板状，以能够以所述中心轴为中心旋转的方式安装在所述腔室盖部上，并且在所述腔室形成密闭的所述内部空间的状态下，在以所述中心轴为中心的周向上与所述基板保持部相卡合。由此，能有用简单的结构防止附着于腔室内部的液体向基板落下。
[0008]在本发明的其它方面中，基板处理装置具有:腔室，其具有腔室主体以及腔室盖部，通过所述腔室盖部堵塞所述腔室主体的上部开口来形成密闭的内部空间，腔室开闭机构，其使所述腔室盖部相对于所述腔室主体在上下方向上进行移动，基板保持部，其配置在所述腔室内，且以水平状态保持基板，基板旋转机构，其使所述基板与所述基板保持部一起以朝向所述上下方向的中心轴为中心进行旋转，处理液供给部，其向所述基板上供给处理液，罩部，其在整周上位于通过使所述腔室盖部与所述腔室主体分离而形成在所述基板的周围的环状开口的径向外侧，接受从旋转的所述基板飞散的处理液，罩移动机构，其使所述罩部在位于所述环状开口的径向外侧的第一位置和所述第一位置的下方的第二位置之间在所述上下方向上进行移动；所述罩部具有:大致圆筒状的侧壁部，在所述第一位置，在所述径向上与所述环状开口相向，第一密封部，在所述第一位置，在整周上在与所述腔室盖部之间形成第一密封结构，第二密封部，在所述第一位置，在整周上在与所述腔室主体之间形成第二密封结构；由形成所述环状开口的状态下的所述腔室盖部以及所述腔室主体、位于所述第一位置的所述罩部形成密闭的空间。由此，能够通过配置在腔室的外部的罩部，在密闭的空间内接受处理液。
[0009]在本发明的其它方面中，基板处理装置具有:基板支撑部，其以水平状态从下侧支撑基板，上侧旋转构件，其配置在所述基板支撑部的上方，位置限制构件，其在以朝向上下方向的中心轴为中心的周向上，限制所述上侧旋转构件相对于所述基板支撑部的相对位置，基板按压部，其固定在所述上侧旋转构件上，并从上侧按压被所述基板支撑部支撑的所述基板，基板旋转机构，其使所述基板与所述基板支撑部、所述基板按压部及所述上侧旋转构件一起进行旋转，处理液供给部，其向所述基板上供给处理液；所述基板支撑部具有多个第一接触部，该多个第一接触部分别在多个第一接触位置与所述基板的外缘部接触；所述基板按压部具有多个第二接触部，该多个第二接触部分别在多个第二接触位置与所述基板的所述外缘部接触，其中，所述第二接触位置是在所述周向上与所述多个第一接触位置不同的位置。由此，能够抑制在保持基板的保持结构的附近残留有处理液的情况。
[0010]在本发明的其它方面中，基板处理装置具有:腔室，其具有腔室主体以及腔室盖部，通过所述腔室盖部堵塞所述腔室主体的上部开口来形成密闭的内部空间；腔室开闭机构，其使所述腔室盖部相对于所述腔室主体在上下方向上进行移动；基板支撑部，其配置在所述腔室内，且以水平状态支撑基板；顶板，其配置在所述基板支撑部的上方，具有与所述基板相向并且与朝向上下方向的中心轴相垂直的下表面；位置限制构件，其在以所述中心轴为中心的周向上，限制所述顶板相对于所述基板支撑部的相对位置；基板旋转机构，其使所述基板与所述基板支撑部以及所述顶板一起以所述中心轴为中心进行旋转；处理液供给部，其向所述基板上供给处理液；顶板移动机构，其利用磁力使所述顶板相对于所述腔室盖部在所述上下方向上进行移动。由此，能够在腔室内变更顶板和基板之间的上下方向上的距离。
[0011]上述的目的以及其它目的、特征、方式以及优点，参照附加的附图标记，在下面进行的本发明的详细的说明中明确。
【专利附图】

【附图说明】
[0012]图1是第一实施方式的基板处理装置的剖视图。
[0013]图2是示出处理液供给部和处理液回收部的框图。
[0014]图3是受液部附近的放大图。
[0015]图4是示出基板处理装置的动作的一例的图。
[0016]图5是基板处理装置的剖视图。
[0017]图6是基板处理装置的剖视图。
[0018]图7是基板处理装置的剖视图。
[0019]图8是基板处理装置的剖视图。
[0020]图9是第二实施方式的基板处理装置的剖视图。
[0021]图10是基板处理装置的剖视图。
[0022]图11是基板处理装置的剖视图。
[0023]图12是基板处理装置的剖视图。
[0024]图13是基板处理装置的剖视图。
[0025]图14是第三实施方式的基板处理装置的剖视图。
[0026]图15是将顶板轴部附近放大而示出的剖视图。
[0027]图16是示出处理液供给部和处理液回收部的框图。
[0028]图17是将腔室以及受液部的一部分放大而示出的图。
[0029]图18是顶板的仰视图。
[0030]图19是基板支撑部的俯视图。
[0031]图20是将腔室以及受液部的一部分放大而示出的图。
[0032]图21是将腔室以及受液部的一部分放大而示出的图。
[0033]图22是将基板保持部的一部分放大而示出的俯视图。
[0034]图23是将第一接触部附近放大而示出的侧视图。
[0035]图24是将第二接触部附近放大而示出的侧视图。
[0036]图25是示出基板的处理的流程的图。
[0037]图26是示出基板处理装置的一部分的剖视图。
[0038]图27是示出基板处理装置的一部分的剖视图。
[0039]图28是示出基板处理装置的一部分的剖视图。
[0040]图29是示出基板处理装置的一部分的剖视图。
[0041]图30是基板处理装置的剖视图。
[0042]图31是第四实施方式的基板处理装置的剖视图。
[0043]图32是示出基板处理装置的一部分的剖视图。
[0044]图33是示出基板处理装置的一部分的剖视图。
[0045]图34是示出第五实施方式的基板处理装置的一部分的剖视图。
[0046]图35是示出基板处理装置的一部分的剖视图。
[0047]图36是第六实施方式的基板处理装置的剖视图。[0048]图37是示出基板处理装置的一部分的剖视图。
[0049]图38是示出基板处理装置的一部分的剖视图。
[0050]图39是示出基板处理装置的一部分的剖视图。
[0051]图40是示出基板处理装置的其它例的剖视图。
【具体实施方式】
[0052]图1是示出本发明的第一实施方式的基板处理装置I的结构的图。基板处理装置I是向大致圆板状的半导体基板9 (下面，仅称为“基板9”)供给处理液来逐张地处理基板9的单张式的装置。
[0053]基板处理装置I具有腔室12、腔室开闭机构131、基板保持部14、基板旋转机构
15、受液部16及壳体17。
[0054]腔室12具有腔室主体121、腔室盖部122及顶板123。腔室主体121由非磁性体形成。腔室主体121具有腔室底部21和腔室侧壁部22。腔室底部21具有:大致圆板状的中央部211 ;筒状的内侧壁部212，其从中央部211的外缘部向下方延伸；基座部213，其从内侧壁部212向径向外侧延伸。在基板保持部14上保持有基板9的情况下，基板9的下表面92与中央部211的上表面相向。腔室侧壁部22是以朝向上下方向的中心轴Jl为中心的环状，从基座部213向上方突出。形成腔室侧壁部22的构件，如后述那样兼作为受液部16的一部分。
[0055]腔室盖部122是与中心轴Jl相垂直的大致圆盘状，包括腔室12的上部。腔室盖部122堵塞腔室主体121的上部开口。在图1中，示出了腔室盖部122与腔室主体121分离的状态。在腔室盖部122堵塞腔室主体121的上部开口时，腔室盖部122的外缘部与腔室侧壁部22的上部相接触。
[0056]顶板123是与中心轴Jl相垂直的大致圆盘板状。在顶板123的中央形成有开口。当基板9被基板保持部14保持时，基板9的上表面91与顶板123的下表面相向。顶板123以从腔室盖部122垂下的方式安装在腔室盖部122上。更准确地说，顶板123以能够变更与腔室盖部122之间的距离的状态安装在腔室盖部122上。顶板123还能够相对于腔室盖部122以中心轴Jl为中心进行旋转。
[0057]腔室开闭机构131使作为腔室12的活动部的腔室盖部122相对于腔室12的其它部位升降。下面，将腔室开闭机构131称为“盖部升降机构131”。腔室盖部122与腔室主体121相接触，而且通过朝向腔室主体121按压腔室盖部122，由此在腔室12内形成密闭的内部空间120 (参照图7)。
[0058]基板保持部14是以中心轴Jl为中心的环状，用于保持基板9的外缘部。基板保持部14配置在腔室12内，用于保持水平状态的基板9。S卩，基板9以上表面91与中心轴Jl垂直地朝向上侧的状态被基板保持部14保持。基板保持部14作为保持基板9的夹紧机构，可以利用各种构件。
[0059]基板旋转机构15是所谓的中空马达。基板旋转机构15具有以中心轴Jl为中心的环状的定子部151和环状的转子部152。转子部152包括大致圆环状的永久磁铁。永久磁铁的表面由PTFE树脂注塑而成的。转子部152配置在内侧壁部212和腔室侧壁部22之间的有底的环状空间内。转子部152经由连接构件与基板保持部14相连接。[0060]定子部151配置在腔室12外(B卩，内部空间120的外侧)的转子部152的径向外侦U。在本实施方式中，定子部151固定在基座部213上，且位于受液部16的下方。定子部151包括在以中心轴Jl为中心的周向上排列的多个线圈。
[0061]通过向定子部151供电，在定子部151和转子部152之间产生以中心轴Jl为中心的旋转力。由此，转子部152以中心轴Jl为中心以水平状态进行旋转。转子部152借助作用于定子部151和转子部152之间的磁力，在腔室12内既不直接也不间接地与腔室12接触而悬浮，并且转子部152使基板9与基板保持部14 一起以中心轴Jl为中心进行旋转。
[0062]受液部16具有第一罩部161、第一罩升降机构162、第二罩部163及第二罩升降机构164。如上所述，受液部16包括形成腔室侧壁部22的构件的一部分。第二罩部163是以中心轴Jl为中心的环状，位于腔室侧壁部22的径向外侧。第一罩部161也是环状，位于第二罩部163的径向外侧。第一罩升降机构162使第一罩部161上下移动。第二罩升降机构164使第二罩部163上下移动。
[0063]第二罩部163的内周部的下部位于环状的第二凹部166内，并且该第二凹部166位于腔室侧壁部22的外侧。第一罩部161的下部位于环状的第一凹部165内，并且该第一凹部165位于第二凹部166的外侧。形成第一凹部165以及第二凹部166的构件与形成腔室侧壁部22的构件相连续。
[0064]在腔室盖部122的中央固定有上部喷嘴181。上部喷嘴181与顶板123的中央的开口相向。在腔室底部21的中央部211的中央安装有下部喷嘴182。第一凹部165的底部与第一排出路191相连接。第二凹部166的底部与第二排出路192相连接。内侧壁部212和腔室侧壁部22之间的凹部的底部与第三排出路193相连接。此外，上述上部喷嘴181、下部喷嘴182的设置位置并不一定限定于中央部分，例如只要是与基板9的周缘部相向的位置即可。
[0065]壳体17用于覆盖腔室12的上方以及侧方。在壳体17的上部配置有多孔部171。通过从形成在多孔部171的多个孔流出空气，在壳体17内产生下降流。由此，防止颗粒从受液部16和腔室底部21向基板9上升的情况。
[0066]图2是示出基板处理装置I所具有的处理液供给部18和处理液回收部19的框图。处理液供给部18除了上述的上部喷嘴181以及下部喷嘴182之外，还具有第一处理液供给部183、第二处理液供给部184及第三处理液供给部185。第一处理液供给部183、第二处理液供给部184及第三处理液供给部185分别经由阀与上部喷嘴181相连接。第一处理液供给部183以及第二处理液供给部184分别经由阀与下部喷嘴182相连接。上部喷嘴181还与气体供给部186相连接。在上部喷嘴181的中央形成有处理液喷出口，在上部喷嘴181的周围形成有气体喷出口。因此，准确地说，上部喷嘴181的一部分是向基板9供给气体的广义上的气体供给部的一部分。在下部喷嘴182的中央形成有处理液喷出口。
[0067]腔室12与加压部187相连接，该加压部187用于在腔室12被密闭时对腔室12的内部空间120进行加压。由于加压部187，内部空间120变为比大气压高的加压环境。此夕卜，气体供给部186也可以兼作为加压部。在不需要进行加压处理的情况下，可以省略加压部 187。
[0068]连接在受液部16的第一凹部165的第一排出路191与废液路相连接。连接在第二凹部166的第二排出路192与第一回收部194相连接。连接在腔室底部21的第三排出路193与第二回收部195相连接。第一回收部194以及第二回收部195与减压部196相连接。通过驱动减压部196，来由第一回收部194以及第二回收部195回收处理液。另外，在腔室12被密闭的情况下，通过减压部196对内部空间120进行减压，从而变为比大气压低的减压环境。第一回收部194以及第二回收部195还与废液路相连接，从而还能够从第二排出路192以及第三排出路193排出废液。
[0069]第一处理液供给部183、第二处理液供给部184、第三处理液供给部185、气体供给部186、加压部187、第一回收部194、第二回收部195、减压部196及各种阀被控制部10控制。盖部升降机构131、基板保持部14、基板旋转机构15、第一罩升降机构162及第二罩升降机构164也被控制部10控制。
[0070]在本实施方式中，第一处理液供给部183所供给的第一处理液是氢氟酸、羟化四甲铵水溶液等蚀刻液。第二处理液供给部184所供给的第二处理液是纯水(DIW =DeionizedWater)。第三处理液供给部185所供给的第三处理液是异丙醇(IPA)。另外，气体供给部186向腔室12内供给氮(N2)气。
[0071]图3是受液部16附近的放大图。在腔室盖部122的外缘部的下部设置有两个环状的唇形密封件231、232。唇形密封件231位于第二罩部163的上端部的上方。唇形密封件232位于腔室侧壁部22的上端部的上方。当腔室盖部122下降且第二罩部163上升时，唇形密封件231和第二罩部163的上端部相接触。当腔室盖部122下降至腔室侧壁部22时，唇形密封件232和腔室侧壁部22的上端部相接触。
[0072]在作为腔室12的上部的腔室盖部122的外缘部的下部设置有凹部233，该凹部233在整周上向上方且向径向内侧凹入。当腔室盖部122下降且第一罩部161上升时，第一罩部161的上端部和凹部233在上下方向上相接触。也可以仅让它们接近。当第二罩部163下降时，腔室侧壁部22的上部和第二罩部163的上端部相接触。
[0073]在顶板123的外缘部的下表面沿着周向排列有多个第一卡合部241。在基板保持部14的上表面上沿着周向排列有多个第二卡合部242。优选这些卡合部设置3组以上，在本实施方式中设置有4组。在第一卡合部241的下部设置有朝向上方凹入的凹部。第二卡合部242从基板保持部14朝向上方突出。
[0074]当腔室盖部122下降时，第二卡合部242嵌入于第一卡合部241的凹部中。由此，顶板123在以中心轴Jl为中心的周向上与基板保持部14相卡合。在该状态下通过基板旋转机构15使基板保持部14旋转时，顶板123也旋转。当顶板123下降时，控制基板保持部14的旋转位置，以使第一卡合部241和第二卡合部242相嵌合。
[0075]接着，参照图4，对通过控制部10的控制在基板处理装置I中处理基板9的流程进行说明。图4的处理仅仅是一例，在基板处理装置I中，能够按各种顺序进行各种处理。在基板处理装置I中，首先，在腔室盖部122如图1所示那样位于上方的状态下，搬运基板9并被基板保持部14保持(步骤S11)。腔室盖部122下降，如图5所示，顶板123与基板保持部14相卡合。腔室盖部122和腔室侧壁部22相分离，在基板9的周围(即，径向外侧)，在腔室盖部122和腔室侧壁部22之间形成有环状开口 81。
[0076]第二罩部163上升，位于环状开口 81的径向外侧。这样，第二罩升降机构164使第二罩部163在环状开口 81的径向外侧的位置和该位置的下方的位置之间移动。第二罩部163的上端部与唇形密封件231相接触。由此，在腔室12内的基板9的周边形成密闭空间，因此即使从上方落下颗粒，也能够防止颗粒进入第二罩部163内。此外，第一罩部161的上端部也与腔室盖部122相接触，从而还能够防止颗粒进入第一罩部161内。下面，将形成有环状开口 81的腔室12的状态称为“半开状态”。另外，将图1的状态称为“打开状态”。
[0077]接着，通过基板旋转机构15使基板保持部14以及基板9开始进行高速旋转。另夕卜，通过省略图示的加热器对基板9进行加热。来自第一处理液供给部183 (参照图2)的第一处理液从上部喷嘴181供给至基板9的上表面91的中央部。第一处理液由于基板9的旋转而向外周部扩散，由此整个上表面91被第一处理液覆盖(步骤S12)。
[0078]从下部喷嘴182也向基板9的下表面92的中央部供给第一处理液，并且处理液由于基板9的旋转而向外周部扩散。从基板9的上表面91以及下表面92飞散的第一处理液经由环状开口 81被第二罩部163接受，并被第二回收部195回收。在能够再利用所回收的第一处理液的情况下，通过过滤器等来从第一处理液中除去杂质等后再利用。顶板123的外缘部以随着朝向径向外侧而稍稍朝向下方的方式倾斜。处理液被至顶板123的外缘部引导，由此处理液经由环状开口 81恰当地被受液部16接受。
[0079]当通过第一处理液进行的蚀刻结束时，停止供给第一处理液，并从上部喷嘴181喷出氮气，通过使基板9旋转来从基板9上除去第一处理液。顶板123与基板保持部14 一起旋转，因此在顶板123的下表面上几乎不残留有第一处理液，由此不会从顶板123落下第
一处理液。
[0080]接着，在腔室12处于半开状态时第二罩部163下降，如图6所示，第一罩部161位于环状开口 81的径向外侧。即，通过第二罩升降机构164，在第二罩部163接受来自基板9的处理液的状态和第一罩部161接受来自基板9的处理液的状态之间进行切换。第二罩部163的上端部与腔室侧壁部22的上部相接触，由此腔室12内部和第二罩部163的内侧的空间相分离。第一罩部161的上端部与腔室盖部122处于相接触的状态。
[0081]在顶板123和基板保持部14卡合的状态下，位于顶板123的中央的上部喷嘴181连续地喷出纯水即第二处理液，由此向旋转中的基板9的上表面91的中央部供给第二处理液。第二处理液由于基板9的旋转而向外周部扩散，并从基板9的外周缘向外侧飞散。从下部喷嘴182向基板9的下表面92的中央部供给第二处理液，并且第二处理液由于基板9的旋转而向外周部扩散。从基板9飞散的作为第二处理液的使用后的水被第二罩部163接受并被废弃(步骤S13)。在通过第二处理液冲洗基板9的过程中，中途停止向下表面92供给第二处理液，基板9的转速变小。由此，顶板123和基板9之间被第二处理液充满。SP，成为在基板9上搅(puddling)有纯水的状态。
[0082]接着，停止供给第二处理液，仅从上部喷嘴181向基板9的上表面91供给IPA即第三处理液。顶板123和基板9之间被第三处理液充满，停止供给第三处理液。由此基板9上的纯水被置换为IPA (步骤S14)。然后，如图7所示，腔室盖部122以及第一罩部161下降。腔室盖部122的唇形密封件232和腔室侧壁部22的上部相接触。由此，腔室12形成密闭的内部空间120。由于顶板123能够相对于腔室盖部122在上下方向上移动，因此能够维持顶板123和基板保持部14之间的卡合状态。在腔室12密闭的状态下，基板9以及基板保持部14直接与腔室12的侧壁相向，在它们之间不存在其它受液部。此外，也可以在步骤S14之前使腔室12密闭。此外，在上述步骤S13、S14中，在此由处理液将顶板123和基板9之间充满而形成为液密状态来进行处理，但是还能够使顶板123的高度变高，而不由处理液将顶板123和基板9之间充满的状态来进行处理。
[0083]基板9在密闭空间内进行高速旋转，并且从上部喷嘴181喷出氮气，从而从基板9除去第三处理液。从基板9飞散的第三处理液被腔室侧壁部22接受，并被第二回收部195回收。此时，通过减压部196对腔室12的内部空间120进行减压，从而促进基板9的干燥(步骤S15)。在再利用第二回收部195所回收的第三处理液的情况下，从第三处理液中除去杂质等。当基板9的干燥结束时，基板9停止旋转。
[0084]此外，干燥时也可以对基板9进行加热。另外，减压前也可以通过加压部187对内部空间120进行加压。由此，能够使第三处理液容易地进入基板9上的图案内。
[0085]然后，内部空间120恢复为常压，腔室盖部122如图1所示那样上升。由于顶板123与基板保持部14 一起旋转，因此在顶板123的下表面几乎不残留有液体，由此在腔室盖部122上升时不会从顶板123落下液体。基板9被外部的搬运机构搬出(步骤S16)。在腔室盖部122上升时，设置于腔室盖部122的多个突起244嵌入于在顶板123的上部的下表面上设置的环状的槽部243中，从而相对于腔室盖部122对顶板123进行调心。此外，作为调心结构，也可以采用其它结构。
[0086]如图8所示，也可以在基板处理装置I的处理液供给部18中增加扫描喷嘴188。在利用扫描喷嘴188时,腔室盖部122向上方远离腔室主体121,从而形成顶板123与基板保持部14分离的打开状态。因此，顶板123不进行旋转。这样，在腔室盖部122与腔室12的其它部位之间的距离为第一距离的情况下，顶板123在周向上与基板保持部14相卡合，在腔室盖部122与腔室12的其它部位之间的距离为大于第一距离的第二距离的情况下，顶板123与基板保持部14相分离。从腔室12的外部向腔室盖部122和腔室主体121之间插入扫描喷嘴188，并移动到基板9的上方。扫描喷嘴188是双流体喷嘴，例如，在进行SCl处理之后进行纯水清洗。扫描喷嘴188也可以是除了双流体喷嘴之外的类型的喷嘴。扫描喷嘴188 —边在水平方向上进行摆动,一边向基板9的上表面91供给处理液。扫描喷嘴188也可以是其它处理用的其它种类的喷嘴。在利用双流体喷嘴作为扫描喷嘴188时，优选在壳体17内连接未图示的排气设备，以便能够充分排出所产生的处理液雾。
[0087]在废弃来自扫描喷嘴188的处理液的情况下，第一罩部161上升，第二罩部163下降。基板9的外缘部和第一罩部161在径向上相向。在回收处理液来再利用的情况下，第一罩部161以及第二罩部163上升。基板9的外缘部和第二罩部163在径向上相向。
[0088]如上面说明那样，在基板处理装置I中，能够进行以将腔室12密闭的状态进行的处理(下面，称为“密闭处理”)以及以半开状态或者打开状态进行的处理(下面，称为“打开处理”)。即，与以往相比，能够在一个装置中进行各种处理。尤其，能够连续地进行伴随着减压或加压的密闭处理和打开处理。在设置有扫描喷嘴188的情况下，利用扫描喷嘴188的处理也能够与密闭处理连续地进行。另外，由于受液部16配置在腔室12的外部，因此能够高效地回收处理液，并且能够实现腔室12的小型化和小容积化，由此容易且高效地进行伴随着加压或减压的处理，另外能够减少向腔室12充填的气体的量。另外，即使处于半开状态，也能够大致使腔室12内的基板9的周围密闭，因此能够阻止壳体17内的不希望的环境气体流入腔室12内。例如在上述的步骤S12中，在如图5所示的半开的状态下，一边从上部喷嘴181喷出氮气，一边向基板9供给第一处理液，由此在腔室12内的基板9的周围形成氮气环境，排除不希望的氧和/或药液环境，从而能够在低氧环境的状态下进行处理。这样的在低氧环境中进行的处理，例如在如下等情况下是很有用的，即，在对形成有铜布线的基板进行除去聚合物的处理等时，要防止铜布线氧化。
[0089]在受液部16上设置有第一罩部161以及第二罩部163，因此能够将多种处理液分开来回收。密闭处理时的处理液和打开处理时的处理液也能够分开回收。由此，与仅通过腔室的内壁接受多种处理液并通过多通道阀(multiple valve)分开回收的情况相比，能够提高处理液的回收效率，从而能够延长处理液的寿命。而且还能够容易地防止因不同种类的处理液混合而产生的颗粒、发热、产生烟等现象。
[0090]也可以在腔室12中以密闭状态向基板9供给纯水。在密闭状态下，腔室12接受从基板9飞散的使用后的水和IPA，在处理液为与基板9发生化学反应的药液的情况下，在半开状态下，处理液被罩部接受，由此能够降低腔室12内的污染。这样，将腔室12的内壁和各罩部作为特定的处理液的专用受液部，由此能够回收高纯度且损耗少的处理液。
[0091]另外，由于所有的罩部都能够升降，因此在搬入基板9时，能够容易地操作基板9。
[0092]在基板处理装置I中，能够通过顶板123以简单的结构防止附着于腔室内部的液体向基板落下的情况。处理时，在顶板123和基板保持部14卡合的状态下，顶板123接近基板9，因此能够减少用处理液覆盖基板9的上表面91时所需的处理液的量。还能够减少向顶板123和基板9之间供给的气体的量。
[0093]由于顶板123能够相对于腔室盖部122在上下方向上进行移动，因此无论在密闭状态下还是半开状态下，都能够使顶板123与基板保持部14 一起旋转。另外，在半开状态下使腔室盖部122稍上升，就能够解除顶板123和基板保持部14之间的卡合。还能够在这样的打开状态下，从上部喷嘴181喷出处理液来进行处理。
[0094]在基板处理装置I中，转子部152配置在能够密闭的内部空间120中，定子部151配置在腔室12的外部。由此，能够容易地形成具有高的密闭性的内部空间120。结果，能够在密闭的内部空间120中容易地实现基板9的单张处理。另外，与将马达设置在腔室底部的下方的装置相比，能够容易地在腔室底部21设置下部喷嘴182等各种结构。
[0095]在基板旋转机构15中，转子部152在内部空间120中以悬浮状态进行旋转。因此，不必在内部空间120设置用于支撑转子部152的结构，从而能够实现基板处理装置I的小型化以及装置结构的简单化。不会存在转子部152和支撑结构摩擦而产生粉尘等的情况，因此能够提高内部空间120的洁净度。而且，不会有支撑结构所产生的摩擦阻力作用于转子部152中，因此能够容易地实现转子部152的高速旋转。
[0096]图9至图13是第二实施方式的基板处理装置Ia的剖视图。图9示出搬入搬出基板9时的装置的状态。图10示出在半开状态下从基板9飞散的处理液被第二罩部163接受的状态。图11示出在半开状态下从基板9飞散的处理液被第一罩部161接受的状态。图12示出进行密闭处理的状态。图13示出利用扫描喷嘴188来进行处理的状态。
[0097]如图9所示，在基板处理装置Ia中，在壳体17上设置有分隔板172。分隔板172从腔室12向径向外侧延伸。从分隔板172向径向内侧连续的部位即包括分隔板172的构件的内周部向下方突出，构成腔室12的一部分。下面，将该部位称为“腔室固定部124”。换言而之，分隔板172从腔室固定部124向外侧延伸。分隔板172位于第一罩部161以及第二罩部163的上方。通过分隔板172，能够防止在半开状态下气流进入腔室12内的情况。
[0098]通过腔室升降机构132使部位125进行升降，该部位125是包括腔室12的下部的部位，且位于腔室固定部124的下侧。如后述那样，半开状态和密闭状态能够由腔室升降机构132来实现，因此在本实施方式中，腔室升降机构132发挥腔室开闭机构的功能。下面，将部位125称为“腔室活动部”。腔室盖部122位于腔室固定部124的上侧。此外，与第一实施方式同样地，盖部升降机构131也可以作为腔室开闭机构。
[0099]第一罩部161以第一罩部161的上端部接近分隔板172的状态被固定位置。通过第二罩升降机构164使第二罩部163升降。基板旋转机构15a是轴旋转型的马达，基板保持部14为板状。基板旋转机构15a的旋转轴与基板保持部14的中央相连接。下部喷嘴182设置在基板旋转机构15a的上端。其它结构与第一实施方式大致相同。处理动作的例子也与第一实施方式相同。
[0100]在腔室盖部122的外缘部上设置有环状的唇形密封件234。如图10所示，在半开状态下，腔室盖部122的唇形密封件234与分隔板172相接触。另一方面，腔室活动部125与分隔板172相分离。由此，在腔室活动部125和分隔板172之间形成环状开口 81。环状开口 81位于基板9的周围。在图10中，第二罩部163位于环状开口 81的径向外侧。从旋转的基板9飞散的处理液，与第一实施方式同样地，经由第二罩部163被第一回收部194(参照图2)回收。
[0101]在图11中，腔室12处于半开的状态，通过在图10所示状态下使第二罩部163下降，由此第一罩部161位于环状开口 81的径向外侧。这样，与第一实施方式同样地，第二罩升降机构164使第二罩部163在环状开口 81的径向外侧的位置和该位置下方的位置之间进行移动。由此，在第二罩部163接受来自基板9的处理液的状态和第一罩部161接受来自基板9的处理液的状态之间进行切换。从基板9飞散的处理液被第一罩部161接受并被废弃。
[0102]在图12中，腔室活动部125上升来与分隔板172相接触。由此，在腔室12内形成密闭的内部空间120。从基板9飞散的处理液被作为腔室活动部125的外周部的腔室侧壁部22a接受，并被第二回收部195回收。
[0103]如图13所示，在使用扫描喷嘴188的情况下，腔室盖部122与分隔板172分离，在腔室盖部122和分隔板172之间插入扫描喷嘴188。腔室活动部125也与分隔板172分离，由此形成环状开口 81。从旋转的基板9飞散的处理液被位于环状开口 81的径向外侧的罩部接受。在图13的情况下，第一罩部161位于环状开口 81的径向外侧。当然，也可以使第二罩部163位于环状开口 81的径向外侧。
[0104]与第一实施方式同样地，在半开状态以及密闭状态下，顶板123在周向上与基板保持部14相卡合，且与基板保持部14 一起旋转。由此，能够减少处理液以及处理气体的使用量。在图13的情况下，顶板123不进行旋转。
[0105]图14是示出本发明的第三实施方式的基板处理装置Ib的剖视图。基板处理装置Ib是向大致圆板状的半导体基板9 (下面，仅称为“基板9”)供给处理液来逐张地处理基板9的单张式的装置。在图14中，省略基板处理装置Ib的局部结构的截面的剖面线(在其它剖视图中也相同)。
[0106]基板处理装置Ib具有腔室12、顶板123、顶板移动机构126、腔室开闭机构131、基板保持部14、基板旋转机构15、受液部16及壳体17。
[0107]腔室12具有腔室主体121和腔室盖部122。腔室主体121以及腔室盖部122由非磁性体形成。腔室主体121具有腔室底部21和腔室侧壁部22。腔室底部21具有:大致圆板状的中央部211 ;筒状的内侧壁部212，其从中央部211的外缘部向下方延伸；基座部213，其从内侧壁部212向径向外侧延伸。腔室侧壁部22是以朝向上下方向的中心轴Jl为中心的环状，从基座部213的径向中央部向上方突出。构成腔室侧壁部22的构件，如后述那样兼作为受液部16的一部分。在下面的说明中，将由腔室侧壁部22、内侧壁部212及基座部213包围的空间称为下部环状空间217。在基板保持部14的基板支撑部141 (后述)支撑有基板9的情况下，基板9的下表面92与中央部211的上表面相向。
[0108]腔室盖部122是与中心轴Jl相垂直的大致圆板状，包括腔室12的上部。腔室盖部122堵塞腔室主体121的上部开口。在图14中，示出腔室盖部122与腔室主体121分离的状态。在腔室盖部122堵塞腔室主体121的上部开口时，腔室盖部122的外缘部与腔室侧壁部22的上部相接触。在腔室盖部122的中央设置有向上方凹入的有盖的大致圆筒状的容置部221。
[0109]腔室开闭机构131使作为腔室12的活动部的腔室盖部122相对于作为腔室12的其它部位的腔室主体121在上下方向上进行移动。腔室开闭机构131是使腔室盖部122升降的盖部升降机构。在通过腔室开闭机构131使腔室盖部122在上下方向上进行移动时，顶板123也与腔室盖部122 —起在上下方向上进行移动。腔室盖部122与腔室主体121相接触来堵塞上部开口，而且，朝向腔室主体121按压腔室盖部122，由此在腔室12内形成密闭的内部空间120 (参照图20以及图21)。
[0110]基板保持部14配置在腔室12内，并以水平状态保持基板9。S卩，基板9以上表面91与中心轴Jl垂直地朝向上侧的状态被基板保持部14保持。基板保持部14具有:上述的基板支撑部141，其从下侧支撑基板9的外缘部；基板按压部142，其从上侧按压被基板支撑部141支撑的基板9的外缘部。基板支撑部141具有:以中心轴Jl为中心的大致圆环板状的支撑部基座413 ;多个第一接触部411，其固定在支撑部基座413的上表面上。基板按压部142具有固定在顶板123的下表面上的多个第二接触部421。实际上，多个第二接触部421在周向上的位置和多个第一接触部411在周向上的位置不同。
[0111]顶板123是与中心轴Jl相垂直的大致圆板状。顶板123配置在腔室盖部122的下方且基板支撑部141的上方。在顶板123的中央形成有开口。当基板9被基板支撑部141支撑时，基板9的上表面91和与中心轴Jl相垂直的顶板123的下表面相向。顶板123的直径大于基板9的直径，顶板123的外周缘在整周上位于基板9的外周缘的径向外侧。
[0112]在腔室盖部122的下表面，沿着以中心轴Jl为中心的周向排列有多个板保持部222，该板保持部222用于保持顶板123。在顶板123的上表面的与多个板保持部222相向的位置，沿着周向排列有多个凸部236。由多个板保持部222保持多个凸部236，由此顶板123以从腔室盖部122垂下的方式被腔室盖部122支撑。
[0113]在顶板123的上表面上固定有顶板轴部235。顶板123以及顶板轴部235由非磁性体形成。顶板轴部235是以中心轴Jl为中心的大致圆柱状。顶板轴部235的至少一部分(在本实施方式中为，除了下端部之外的大部分)，容置在腔室盖部122的容置部221中。在顶板轴部235以及腔室盖部122上配置有顶板移动机构126。顶板移动机构126利用磁力来使顶板123相对于腔室盖部122在上下方向上进行移动。
[0114]图15是将顶板轴部235附近放大示出的剖视图。如图15所示，顶板移动机构126具有第一磁铁261、第二磁铁262及磁铁移动机构263。第一磁铁261在顶板轴部235的内部在周向上沿着顶板轴部235的外周面配置。第一磁铁261固定在顶板轴部235上。第二磁铁262在容置部221的周围沿着周向配置在环状孔264内，该环状孔264在腔室盖部122中形成在容置部221的周围。在本实施方式中，第一磁铁261以及第二磁铁262分别是以中心轴Jl为中心的大致圆环状。第一磁铁261的上部为N极，下部为S极。第二磁铁262的上部为S极，下部为N极。环状孔264的上下方向上的高度大于第二磁铁262的上下方向上的高度。通过磁铁移动机构263使第二磁铁262在环状孔264内在上下方向上进行移动。
[0115]图14所示的基板旋转机构15是所谓的中空马达。基板旋转机构15具有以中心轴Jl为中心的环状的定子部151和环状的转子部152。转子部152包括大致圆环状的永久磁铁。永久磁铁的表面被PTFE树脂铸模。转子部152配置在腔室12的内部空间120的下部环状空间217内。转子部152的上部经由连接构件安装有基板支撑部141的支撑部基座
413。支撑部基座413配置在转子部152的上方。
[0116]定子部151配置在腔室12外(B卩，内部空间120的外侧)的转子部152的周围即径向外侧。在本实施方式中，定子部151固定在基座部213上，并位于受液部16的下方。定子部151包括沿着以中心轴Jl为中心的周向排列的多个线圈。
[0117]通过向定子部151供电，在定子部151和转子部152之间产生以中心轴Jl为中心的旋转力。由此，转子部152以中心轴Jl为中心以水平状态进行旋转。转子部152借助作用于定子部151和转子部152之间的磁力，在腔室12内既不直接也不间接地与腔室12接触而悬浮，并且转子部152使基板9与基板保持部14 一起以中心轴Jl为中心以悬浮状态进行旋转。
[0118]受液部16具有罩部161a和罩移动机构162a。如上所述，受液部16包括形成腔室侧壁部22的构件的一部分。罩部161a是以中心轴Jl为中心的环状，并位于腔室侧壁部22的径向外侧。罩移动机构162a使罩部161a在上下方向上进行移动。
[0119]罩部161a的下部位于环状的受液凹部165a内，并且该受液凹部165a位于腔室侧壁部22的外侧。在包围受液凹部165a的外周的大致圆筒状的外壁部168的上端部，固定有以中心轴Jl为中心的大致圆环板状的外密封部169。外密封部169从外壁部168的上端部向径向内侧延伸，在整周上覆盖受液凹部165a的上部开口的外周部。
[0120]在腔室盖部122的中央固定有上部喷嘴181。上部喷嘴181插入于在顶板轴部235的中央形成的贯通孔内，并插入于顶板123的中央的开口。在腔室底部21的中央部211的中央安装有安装有下部喷嘴182。受液凹部165a的底部与第一排出路191相连接。内侧壁部212和腔室侧壁部22之间的下部环状空间217的底部与第二排出路192相连接。此外，上部喷嘴181以及下部喷嘴182的设置位置并不一定限定于中央部分，例如也可以是与基板9的周缘部相向的位置。
[0121]壳体17用于覆盖腔室12的上方以及侧方。在壳体17的上部配置有多孔部171。从形成在多孔部171上的多个孔流出空气，由此在壳体17内产生下降流。由此，能够防止颗粒从受液部16和腔室底部21向基板9上升的情况。
[0122]图16是示出基板处理装置Ib所具有的处理液供给部18和处理液回收部19的框图。处理液供给部18除了上述的上部喷嘴181以及下部喷嘴182之外，还具有第一处理液供给部183、第二处理液供给部184及第三处理液供给部185。第一处理液供给部183、第二处理液供给部184及第三处理液供给部185分别经由阀与上部喷嘴181相连接。第一处理液供给部183以及第二处理液供给部184分别经由阀与下部喷嘴182相连接。上部喷嘴181还与气体供给部186相连接。在上部喷嘴181的中央形成有处理液喷出口，在上部喷嘴181的周围形成有气体喷出口。因此，准确地说，上部喷嘴181的一部分是向基板9供给气体的广义的气体供给部的一部分。在下部喷嘴182的中央形成有处理液喷出口。
[0123]腔室12与加压部187相连接，该加压部187用于在腔室12被密闭了时对腔室12的内部空间120进行加压。通过加压部187，内部空间120形成比大气压高的加压环境。此外，气体供给部186也可以兼作为加压部。在不需要进行加压处理的情况下，可以省略加压部 187。
[0124]与受液部16的受液凹部165a连接的第一排出路191与第一回收部194相连接。连接在腔室底部21的第二排出路192与第二回收部195相连接。第一回收部194以及第二回收部195与减压部196相连接。减压部196进行驱动，由此由第一回收部194以及第二回收部195回收处理液。另外，在腔室12密闭的情况下，通过减压部196对内部空间120进行减压，从而变为比大气压低的减压环境。第一回收部194以及第二回收部195还与废液路相连接，从而还能够从第一排出路191以及第二排出路192排出废液。
[0125]第一处理液供给部183、第二处理液供给部184、第三处理液供给部185、气体供给部186、加压部187、第一回收部194、第二回收部195、减压部196及各种阀被控制部10控制。腔室开闭机构131、基板保持部14、基板旋转机构15及罩移动机构162a (参照图14)也被控制部10控制。
[0126]在本实施方式中，从第一处理液供给部183向基板9上供给的第一处理液是氢氟酸、氢氧化四甲基铵水溶液等蚀刻液。第二处理液供给部184所供给的第二处理液是纯水(DIff =Deionized Water)。第三处理液供给部185所供给的第三处理液是异丙醇(IPA)。另外，气体供给部186向腔室12内供给氮(N2)气。
[0127]图17是将腔室12以及受液部16的一部分放大示出的图。罩部161a具有侧壁部611、上面部612和下面部613。侧壁部611是以中心轴Jl为中心的大致圆筒状。上面部612是以中心轴Jl为中心的大致圆环板状，从侧壁部611的上端部向径向内侧延伸。下面部613是以中心轴Jl为中心的大致圆环板状，从侧壁部611的下端部向径向外侧延伸。上面部612以及下面部613与中心轴Jl大致垂直。在图17所示的状态下，罩部161a的大致整个侧壁部611以及下面部613位于受液凹部165a内。
[0128]在腔室盖部122的外缘部的下表面设置有环状的唇形密封件231、232。唇形密封件231位于腔室侧壁部22的上端部的上方。唇形密封件232位于罩部161a的上面部612的内缘部的上方。当腔室盖部122下降且罩部161a上升时，唇形密封件232与罩部161a的上面部612的内缘部在上下方向上接触。当腔室盖部122下降至腔室侧壁部22时，唇形密封件231与腔室侧壁部22的上端部相接触。
[0129]图18是顶板123的仰视图。图19是基板支撑部141的俯视图。在图18以及图19中，用双点划线描画基板9。如图17至图19所示，在顶板123的外缘部的下表面\沿着
周向排列有多个第--^合部241,在支撑部基座413的上表面沿着周向排列有多个第二卡
合部242。优选这些卡合部设置3组以上，在本实施方式中设置有4组。在第一卡合部241的下部设置有朝向上方凹入的凹部。第二卡合部242从支撑部基座413朝向上方突出。
[0130]如图20所示，当腔室盖部122下降至腔室侧壁部22时，第二卡合部242嵌入于第一^^合部241的凹部中。由此，顶板123在以中心轴Jl为中心的周向上与基板支撑部141的支撑部基座413相卡合。换言而之，第一卡合部241以及第二卡合部242是位置限制构件，该位置限制构件用于限制在旋转方向上顶板123相对于基板支撑部141的相对位置(B卩，固定周向上的相对位置)，当顶板123下降时，通过基板旋转机构15控制支撑部基座413的旋转位置，以使第—^合部241和第二卡合部242相卡合。此外，并不通过第—^合部241以及第二卡合部242来固定顶板123和基板支撑部141的上下方向上的相对位置。
[0131]在图20所示的状态下，解除板保持部222对顶板123的保持，顶板123与腔室盖部122分离并接近基板9。顶板123在上下方向上的位置，由作用于顶板移动机构126的第一磁铁261和第二磁铁262之间的磁力(引力)决定。具体地说，以使第一磁铁261的上下方向上的中央部和第二磁铁262的上下方向上的中央部位于上下方向上的大致相同的位置的方式，使第一磁铁261和第二磁铁262在径向上相向。由此,固定在上下方向上顶板123相对于腔室盖部122的位置。此外，顶板123的水平方向上的位置由第一卡合部241和第二卡合部242决定，因此顶板轴部235和容置部221的内侧面不会接触。
[0132]在下面的说明中，将图20所示的顶板123的位置称为“第一接近位置”。在顶板123位于第一接近位置的状态下，基板保持部14的基板按压部142不与基板9接触，不对基板9的外缘部进行按压。在该状态下，当通过基板旋转机构15使基板支撑部141旋转时，顶板123与基板支撑部141、被基板支撑部141以水平状态支撑的基板9及基板按压部142一起旋转。顶板123是与基板支撑部141 一起旋转的上侧旋转构件。
[0133]如图19所示，在支撑部基座413的上表面沿着周向排列有基板支撑部141的多个第一接触部411。多个第一接触部411配置在多个第二卡合部242的径向内侧。另外，如图18所示，在顶板123的外缘部的下表面沿着周向排列有基板按压部142的多个第二接触部421。多个第二接触部421配置在多个第一^^合部241的径向内侧。如上所述，多个第二接触部421的周向上的位置与多个第一接触部411的周向上的位置不同。在本实施方式中，4个第一接触部411沿着周向以等角度间隔配置。另外，将相邻的两个第二接触部421作为一组，4组第二接触部421沿着周向以等角度间隔配置。
[0134]如图21所示，在顶板移动机构126中，当通过磁铁移动机构263使第二磁铁262向下方移动时，借助作用于第一磁铁261和第二磁铁262之间的磁力(引力)，使顶板轴部235以及顶板123向下方移动。由此，顶板123进一步接近基板9。在下面的说明中，将图21所示的顶板123的位置称为“第二接近位置”。在本实施方式中，第二接近位置上的顶板123的下表面和基板9的上表面91之间在上下方向上的距离为大约2mm。另外，第一接近位置上的顶板123的下表面和基板9的上表面91之间在上下方向上的距离为大约10mm。
[0135]即使在顶板123位于第二接近位置的状态下，由于第一卡合部241和第二卡合部242相卡合，因此在周向上顶板123相对于基板支撑部141的支撑部基座413的相对位置被固定。另外，顶板轴部235和容置部221的内侧面不会接触。另一方面，在顶板123位于第二接近位置的状态下，与位于第一接近位置的状态不同，基板按压部142的多个第二接触部421与基板9的外缘部相接触。
[0136]图22是将用于保持基板9的基板保持部14的一部分放大示出的俯视图。在图22中，省略图示了腔室盖部122。如图22所示，在基板支撑部141的一个第一接触部411的周向上的两侧，相邻地配置有基板按压部142的两个第二接触部421。第一接触部411和两个第二接触部421以分别在周向上隔开少量的间隙而分离的方式配置。其它第一接触部411以及第二接触部421也同样。各第一接触部411和与该第一接触部411相邻的第二接触部421之间的周向上的距离，小于该第二接触部421和其它第一接触部411之间的周向上的距离。若将将基板9的外缘部中的第一接触部411所接触的位置称为“第一接触位置”，且将第二接触部421所接触的位置称为“第二接触位置”，则多个第二接触位置分别与多个第一接触位置在周向上不同。
[0137]图23是将一个第一接触部411附近放大示出的侧视图。其它第一接触部411的结构也与图23所示的第一接触部411相同。多个第一接触部411分别具有第一倾斜面412，该第一倾斜面412越朝向径向内侧越朝向下侧。各第一接触部411通过第一倾斜面412与基板9的外缘部相接触。
[0138]图24是将一个第二接触部421附近放大示出的侧视图。其它第二接触部421的结构也与图24所示第二接触部421相同。多个第二接触部421分别具有第二倾斜面422，该第二倾斜面422越朝向径向内侧越朝向上侧。各第二接触部421通过第二倾斜面422与基板9的外缘部相接触。
[0139]在图23中，将与第一接触部411相邻配置的第二接触部421用双点划线一并描画。另外，在图24中，将与第二接触部421相邻配置的第一接触部411用双点划线一并描画。如图23以及图24所示，第一接触部411的上端部位于基板9的上表面91的上方，第二接触部421的下端部位于基板9的下表面92的下方。因此，在基板保持部14中，多个第一接触部411的各上端部位于多个第二接触部421的各下端部的上方。
[0140]接着，对参照图25，对通过控制部10的控制在基板处理装置Ib中处理基板9流程进行说明。图25的处理仅仅是一例，在基板处理装置Ib中，能够按各种顺序进行各种处理。在基板处理装置Ib中，首先，在腔室盖部122如图14所示那样位于上方的状态下，基板9被搬运并被基板保持部14保持(步骤S21)。腔室盖部122向下方移动，如图26所示，通过第一卡合部241以及第二卡合部242，对在周向上顶板123相对于基板支撑部141的相对位置进行固定。
[0141]接着，如图27所示，解除板保持部222对顶板123的保持，腔室盖部122向上方移动，腔室盖部122与顶板123分离。顶板123相对于腔室盖部122以及基板支撑部141的上下方向上的位置，由顶板移动机构126的第一磁铁261以及第二磁铁262固定。顶板123位于上述的第一接近位置，基板按压部142未与基板9接触。另外，腔室盖部122与腔室侧壁部22相分离，在基板9的周围(S卩，径向外侧)的腔室盖部122和腔室侧壁部22之间形成有环状开口 81。下面，将形成有环状开口 81的腔室12的状态称为“半开状态”。另外，将图14的状态称为“打开状态”。
[0142]罩部161a从图14所示的位置上升，如图27所示，罩部161a在整周上位于环状开口 81的径向外侧。这样，罩移动机构162a (参照图14)使罩部161a在环状开口 81的径向外侧的第一位置和第一位置的下方的第二位置(参照图14)之间在上下方向上进行移动。位于第一位置的罩部161a的侧壁部611在径向上与环状开口 81相向。
[0143]在位于第一位置的罩部161a中，上面部612的内缘部的上表面在整周上与腔室盖部122的唇形密封件232相接触。由此，在腔室盖部122和罩部161a的上面部612之间形成用于防止气体和/或液体通过的第一密封结构615。另外,罩部161a的下面部613的上表面在整周上与腔室主体121的外密封部169的下表面相接触。由此，在腔室主体121和罩部161a的下面部613之间形成防止气体和/或液体通过的第二密封结构616。
[0144]在基板处理装置Ib中，罩部161a的上面部612是在第一位置上形成第一密封结构615的第一密封部，下面部613是在第一位置上形成第二密封结构616的第二密封部。并且，由半开状态的腔室12 (即，形成有环状开口 81的状态的腔室主体121以及腔室盖部122)以及位于第一位置的罩部161a，形成密闭的空间160 (下面，称为“密闭空间160”)。当形成密闭空间160时，从上部喷嘴181供给氮气，从而在密闭空间160内形成氮环境(即，低氧环境)。
[0145]接着，通过基板旋转机构15使基板支撑部141、基板9及顶板123开始旋转。另夕卜，通过省略图示的加热器对基板9进行加热。来自第一处理液供给部183 (参照图16)的第一处理液，从与顶板123的中央的开口相向的上部喷嘴181被供给至基板9的上表面91的中央部。第一处理液由于基板9的旋转而向外周部扩散，从而整个上表面91被第一处理液覆盖来在氮气环境中进行蚀刻(步骤S22)。
[0146]从下部喷嘴182也向基板9的下表面92的中央部供给第一处理液，第一处理液由于基板9的旋转而向外周部扩散。在密闭空间160中，从基板9的上表面91以及下表面92飞散的第一处理液经由环状开口 81被罩部161a接受，并由第一回收部194 (参照图16)回收。在能够再利用所回收的第一处理液的情况下，通过过滤器等来从第一处理液中除去杂质等后进行再利用。
[0147]当通过第一处理液进行的蚀刻结束时，停止供给第一处理液。然后，上部喷嘴181喷出氮气，且通过基板9的旋转，从基板9上除去第一处理液。由于顶板123与基板支撑部141 一起旋转，因此在顶板123的下表面上几乎不残留第一处理液，由此不会从顶板123落下第一处理液。
[0148]接着，如图28所示，腔室盖部122以及罩部161a向下方移动。并且，腔室盖部122的唇形密封件231与腔室侧壁部22的上部相接触，由此腔室12形成密闭的内部空间120。在腔室12被密闭的状态下，基板9与腔室12的内壁直接相向，在它们之间不存在其它受液部。内部空间120与密闭空间160同样地具有氮环境(即，低氧环境)。
[0149]在腔室盖部122移动时，以第一磁铁261的上下方向上的位置不发生变化，即顶板123相对于基板支撑部141以及基板9的上下方向上的位置不发生变化的方式，通过磁铁移动机构263对第二磁铁262的位置进行调整因此，顶板123不从第一接近位置移动，基板按压部142不与基板9相接触。
[0150]当形成内部空间120时，上部喷嘴181连续地喷出纯水即第二处理液，由此向旋转中的基板9的上表面91的中央部供给第二处理液。第二处理液由于基板9的旋转而向外周部扩散，并从基板9的外周缘向外侧飞散。从下部喷嘴182向基板9的下表面92的中央部供给第二处理液，并且第二处理液由于基板9的旋转而外周部扩散。从基板9飞散的作为第二处理液的使用后的水被腔室12的内壁(即，腔室盖部122以及腔室侧壁部22的内壁)接受，并经由第二回收部195 (参照图16)被废弃(步骤S23)。由此，也对腔室12内进行清洗。[0151]当通过纯水进行的冲洗进行了规定的时间时，停止供给第二处理液，如图29所示，通过顶板移动机构126使顶板123向下方移动，顶板123位于上述的第二接近位置。在顶板123位于第二接近位置的状态下，基板按压部142的多个第二接触部421与基板9的外缘部相接触。基板按压部142借助顶板123的自重朝向基板支撑部141按压基板9。基板9被基板支撑部141和基板按压部142上下夹持而牢固地被保持。
[0152]接着，第三处理液供给部185所供给的IPA即第三处理液，经由上部喷嘴181从顶板123的中央的开口喷出。然后，当顶板123和基板9之间被第三处理液充满时，停止供给第三处理液。由此，基板9上的纯水被置换为IPA (步骤S24)。此外，在步骤S23中，顶板123和基板9之间不被第二处理液充满。
[0153]接着，在内部空间120内，基板9与基板支撑部141、基板按压部142及顶板123 —起进行高速旋转，并且从上部喷嘴181喷出氮气，从而从基板9上除去第三处理液。基板9以比在步骤S22、S23中的转速高的转速进行旋转。从基板9飞散的第三处理液被腔室12的内壁接受，并被第二回收部195回收。此时，通过减压部196对腔室12的内部空间120进行减压，从而促进基板9的干燥(步骤S25)。在再利用第二回收部195所回收的第三处理液的情况下，从第三处理液中除去杂质等。当基板9的干燥结束时，基板9停止旋转。此夕卜，也可以在干燥时对基板9进行加热。
[0154]然后，内部空间120恢复常压。另外，通过顶板移动机构126使顶板123向上方移动，如图26所示，通过腔室盖部122保持顶板123。然后，腔室盖部122和顶板123上升，如图14所示，腔室12成为打开状态。在步骤S25中，由于顶板123与基板支撑部141 一起旋转，因此在顶板123的下表面上几乎不残留液体，由此不会存在在腔室盖部122上升时从顶板123向基板9上落下液体的情况。基板9被外部的搬运机构搬出(步骤S26)。
[0155]如图30所示，也可以在基板处理装置Ib的处理液供给部18中增加扫描喷嘴188。在利用扫描喷嘴188时,腔室盖部122向上方远离腔室主体121,从而形成顶板123与基板保持部14分离的打开状态。因此，顶板123不进行旋转。从腔室12的外部向腔室盖部122和腔室主体121之间插入扫描喷嘴188，并移动至基板9的上方。扫描喷嘴188是双流体喷嘴，例如，在进行SCl处理之后进行纯水清洗。扫描喷嘴188也可以是除了双流体喷嘴之外的类型的喷嘴。扫描喷嘴188 —边在水平方向上进行摆动,一边向基板9的上表面91供给处理液。扫描喷嘴188也可以是其它处理用的其它种类的喷嘴。来自扫描喷嘴188的处理液被位于第一位置的罩部161a接受并回收，并根据需要来再利用该处理液。在利用双流体喷嘴作为扫描喷嘴188时，优选在壳体17内连接未图示的排气设备，以便能够充分排出所产生的处理液雾。
[0156]如上面说明那样，在基板处理装置Ib中，能够在腔室12密闭的状态下在内部空间120中对基板9进行处理，并且能够在腔室12处于半开状态下，在由腔室12和罩部161a形成的密闭空间160中对基板9进行处理。另外，还能够在腔室12处于打开状态下对基板9进行处理。即，在基板处理装置Ib中，以以往相比能够通过一个装置进行各种处理。
[0157]在下面的说明中，将在腔室12的内部空间120内进行的处理称为“第一密闭处理”，将在密闭空间160内进行的处理称为“第二密闭处理”，将在打开状态下进行的处理称为“打开处理”。在基板处理装置Ib中，能够连续地进行在减压环境或加压环境下进行处理的第一密闭处理、使用受液部16的第二密闭处理及打开处理。在设置有扫描喷嘴188的情况下，利用扫描喷嘴188的处理也能够与第一密闭处理和/或第二密闭处理连续地进行。此外，在基板处理装置Ib中，不用使密闭空间160形成为减压环境或加压环境。
[0158]在第二密闭处理中，在罩部161a和腔室盖部122之间形成第一密封结构615，在罩部161a和腔室主体121之间形成第二密封结构616，由此由腔室12以及罩部161a形成密闭空间160。由此，通过配置在腔室12的外部的罩部161a，能够在密闭空间160内接受处理液。如上所述，使密闭空间160具有低氧环境来对基板9进行处理，由此能够抑制基板9上的膜被氧化。这样的在低氧环境中进行的处理，例如在如下等情况下是很有用的，即，在形成有铜布线的基板中进行除去聚合物的处理等时要防止铜布线氧化。另外，由于罩部161a配置在腔室12的外部，因此能够使腔室12实现小型化。由此，能够减少在第一密闭处理时填充在腔室12的内部空间120内的气体的量，并能够缩短伴随着内部空间120中的减压或加压而进行的处理所需的时间。
[0159]而且，在第一密闭处理中，通过第二回收部195回收处理液，在第二密闭处理中，通过第一回收部194回收处理液，由此能够一边通过多种处理液连续地进行处理，一边将该多种处理液分开回收。由此，与仅通过腔室的内壁接受多种处理液并通过多通道阀分开回收的情况相比，能够提高处理液的回收效率，从而能够延长处理液的寿命。而且还能够容易地防止因不同种类的处理液混合而产生的颗粒、发热、发烟等情况。
[0160]如上所述，罩部161a具有从侧壁部611的上端部向径向内侧延伸的大致圆环板状的上面部612，并且上面部612与腔室盖部122相接触。另外，罩部161a具有从侧壁部611的下端部向径向外侧延伸的大致圆环板状的下面部613，并且下面部613与腔室主体121相接触。这样，在基板处理装置Ib中，能够以简单的结构容易地在腔室盖部122和罩部161a之间形成第一密封结构615，并容易地在腔室主体121和罩部161a之间形成第二密结构616。
[0161]在基板处理装置Ib中，能够通过顶板123以简单的结构，防止附着于腔室内部的液体向基板9落下。另外，顶板123的外周缘在整周上位于基板9的外周缘的径向外侧，因此基板9的上表面91的整个外周部被顶板123覆盖。结果，能够抑制从基板9的外周缘飞散的处理液从腔室12的内壁等弹回而附着于基板9上的情况。而且，通过在顶板123位于第二接近位置的状态下进行处理，能够减少用处理液覆盖基板9的上表面91时所需的处理液的量。还能够减少向顶板123和基板9之间供给的气体的量。
[0162]如上所述，顶板123能够相对于腔室盖部122在上下方向上进行移动，因此在进行第一密闭处理以及第二密闭处理时，能够使顶板123与基板支撑部141 一起进行旋转。另夕卜，在通过腔室盖部122保持顶板123的状态下使腔室盖部122上升，由此能够容易地解除顶板123和基板支撑部141之间的卡合。在这样的打开状态下，也能够从上部喷嘴181喷出处理液来进行处理。
[0163]在基板保持部14中，基板支撑部141的多个第一接触部411在多个第一接触位置上与基板9的外缘部相接触。并且，在顶板123位于第二接近位置的状态下，基板按压部142的多个第二接触部421，在与多个第一接触位置不同的多个第二接触位置上与基板9的外缘部相接触。这样，从下侧支撑基板9的结构和从上侧按压基板9的结构，在周向的不同的位置上与基板9相接触，因此能够抑制从基板9的中央部朝向外缘部移动的处理液残留在用于保持基板9的外缘部的保持结构的附近的情况。另外，还能够抑制处理液被该保持结构弹回。
[0164]如上所述，在基板保持部14中，在基板支撑部141的各第一接触部411的周向上的两侧相邻地配置有基板按压部142的两个第二接触部421。由此，在通过基板支撑部141和基板按压部142来夹持并保持基板9时，在各第一接触部411附近在基板9上产生应力，因此能够通过基板保持部14牢固地保持基板9。此外，也可以在各第二接触部421的周向上的两侧相邻地配置两个第一接触部411。在该情况下，也在各第二接触部421附近在基板9上产生应力，因此能够通过基板保持部14牢固地保持基板9。
[0165]如上所述，基板支撑部141的各第一接触部411的上端部位于基板按压部142的各第二接触部421的下端部的上方。即，在上下方向上，第一接触部411与第二接触部421局部重叠。由此，通过基板支撑部141和基板按压部142紧紧地夹持基板9，从而能够更牢固地保持基板9。另外，基板按压部142借助顶板123的自重朝向基板支撑部141按压基板9，由此能够进一步牢固地保持基板9。
[0166]在基板支撑部141中，各第一接触部411的第一倾斜面412与基板9的外缘部相接触，并且该第一倾斜面412越朝向径向内侧越朝向下侧。由此，使第一接触部411和基板9之间的接触面积变小，从而能够降低因基板9与基板支撑部141接触而被污染的可能性。在基板按压部142中，各第二接触部421的第二倾斜面422与基板9的外缘部相接触，并且该第二倾斜面422为朝向径向内侧越朝向上侧。由此，使第二接触部421和基板9之间的接触面积变小，从而能够降低因基板9与基板按压部142接触而被污染的可能性。
[0167]顶板移动机构126利用磁力使顶板123相对于腔室盖部122进行移动。由此，不必设置直接与顶板123相连接的移动机构，从而能够容易地变更顶板123和基板9之间的上下方向上的距离。结果，即使在进行第一密闭处理或第二密闭处理时，在密闭的内部空间120或密闭空间160内，也能够容易地变更顶板123和基板9之间的距离。
[0168]顶板移动机构126具有:第一磁铁261,其设置在顶板轴部235上；第二磁铁262,其设置在腔室盖部122上；磁铁移动机构263，其使第二磁铁262在上下方向上进行移动。在基板处理装置Ib中，能够这样用简单的结构容易地实现顶板123在上下方向上的移动。
[0169]如上所述，基板按压部142固定在顶板123的下表面上，在腔室12处于密闭状态而顶板123位于第二接近位置的状态下，基板按压部142从上侧按压基板9。另外，在顶板123位于第一接近位置的状态下，基板按压部142与基板9分离。这样，通过顶板移动机构126变更顶板123的位置，从而能够按照对基板9进行的处理内容来容易地切换基板保持部14保持基板9的保持状态。
[0170]在基板处理装置Ib中，在顶板123位于第二接近位置的状态下，经由上部喷嘴181从顶板123的中央喷出处理液，由此顶板123和基板9之间被处理液充满。结果，能够减少处理液的使用量。另外，能够抑制基板9的上表面91上的处理液与周围的气体接触，因此在周围的气体中含有氧的情况下，能够抑制处理液氧化。
[0171]在基板处理装置Ib中，转子部152配置在腔室12的内部空间120，定子部151配置在腔室12的外部。由此，能够容易地形成具有高的密闭性的内部空间120。结果，能够容易地实现在密闭的内部空间120中进行基板9的单张处理。另外，与将马达设置在腔室底部的下方的装置相比，能够容易地在腔室底部21设置下部喷嘴182等各种结构。
[0172]在基板旋转机构15中，转子部152在内部空间120中以悬浮状态进行旋转。因此，不必在内部空间120中设置用于支撑转子部152的结构，从而能够实现基板处理装置Ib的小型化以及装置结构的简单化。由于不会存在转子部152和支撑结构摩擦而产生粉尘等的情况，因此能够提高内部空间120的洁净度。而且，不会有支撑结构所产生的摩擦阻力作用于转子部152，因此能够容易地实现转子部152的高速旋转。
[0173]图31是示出第四实施方式的基板处理装置Ic的剖视图。在基板处理装置Ic中，在受液部16上设置有形状与图14所示的罩部161a不同的罩部161b，并且腔室主体121具有配置在受液凹部165a的外侧的环状的液体贮存部166a。其它结构与图14所示的基板处理装置Ib相同，在下面的说明中，对于对应的结构标注相同的附图标记。
[0174]如图31所示，液体贮存部166a由腔室侧壁部22以及形成受液凹部165a的构件构成。液体贮存部166a在包围受液凹部165a的外周的外壁部168的外侧以在周向上的整周上包围受液凹部165a的方式设置。在液体贮存部166a中贮存有密封用液体167。作为密封用液体167，例如能够利用纯水。
[0175]图32是示出基板处理装置Ic的一部分的剖视图。罩部161b具有侧壁部611、上面部612及外筒部614。侧壁部611是以中心轴Jl为中心的大致圆筒状。上面部612是以中心轴Jl为中心的大致圆环板状，从侧壁部611的上端部向径向内侧以及径向外侧延伸。外筒部614是以中心轴Jl为中心的大致圆筒状，从上面部612的外缘部向下方延伸。外筒部614以在侧壁部611的周围与侧壁部611分离的方式配置。外筒部614的内周面在径向上与侧壁部611的外周面相向。在图32所示的状态下，侧壁部611的除了上部之外的大部分位于受液凹部165a内，外筒部614的除了上部之外的大部分位于在液体贮存部166a中贮存的密封用液体167内。
[0176]图33是示出在密闭空间160内进行第二密闭处理的状态的基板处理装置Ic的一部分的剖视图。如图33所示，腔室12处于半开状态，在腔室主体121和腔室盖部122之间形成有环状开口 81。罩部161b位于环状开口 81的径向外侧的第一位置，侧壁部611在径向上与环状开口 81相向。
[0177]在位于第一位置的罩部161b中，与基板处理装置Ib同样，上面部612的内缘部的上表面在整周上与腔室盖部122的唇形密封件232相接触。由此，在腔室盖部122和罩部161b的上面部612之间形成第一密封结构615,该第一密封结构615用于防止气体和/或液体通过。另外，罩部161b的外筒部614的下端部在整周上位于贮存在腔室主体121的液体贮存部166a中的密封用液体167内。由此，在腔室主体121和罩部161b的外筒部614之间形成第二密封结构616，该第二密封结构616用于防止气体和/或液体通过。
[0178]罩部161b的上面部612是在第一位置上形成第一密封结构615的第一密封部，夕卜筒部614是在第一位置上形成第二密封结构616的第二密封部。由半开状态的腔室12和位于第一位置的罩部161b，形成密闭空间160。
[0179]这样，在基板处理装置Ic中，能够用简单的结构容易地在腔室盖部122和罩部161b之间形成第一密封结构615，且容易地在腔室主体121和罩部161b之间形成第二密封结构616。另外，第二密封结构616是使罩部161b的外筒部614的下端部位于密封用液体167内来形成的，因此能够更可靠地防止从第二密封结构616漏出气体和/或液体。
[0180]图34是示出第五实施方式的基板处理装置Id的一部分的剖视图。在基板处理装置Id中，在受液部16上设置有形状以及结构与图14所示的罩部161a不同的罩部161c。其它结构与图14所示的基板处理装置Ib相同，在下面的说明中，对于对应的结构标注相同的附图标记。
[0181]如图34所示，罩部161c具有侧壁部611、上面部612及波纹管617。侧壁部611是以中心轴Jl为中心的大致圆筒状。上面部612是以中心轴Jl为中心的大致圆环板状，从侧壁部611的上端部向径向内侧以及径向外侧延伸。波纹管617是以中心轴Jl为中心的大致圆筒状，且能够在上下方向上进行伸缩。波纹管617由不使气体和/或液体通过的材料形成。
[0182]波纹管617在整周上设置在侧壁部611的周围。波纹管617的上端部在整周上与上面部612的外缘部的下表面相连接。换言而之，波纹管617的上端部经由上面部612间接地与侧壁部611相连接。波纹管617和上面部612之间的连接部，能够防止气体和/或液体通过。波纹管617的下端部经由构成腔室侧壁部22以及受液凹部165a的构件间接地与腔室主体121相连接。波纹管617的下端部、腔室侧壁部22以及构成受液凹部165a的构件之间的连接部，也能够防止气体和/或液体通过。
[0183]图35是示出在密闭空间160内进行第二密闭处理的状态的基板处理装置Id的一部分的剖视图。如图35所示，腔室12处于半开状态，在腔室主体121和腔室盖部122之间形成有环状开口 81。罩部161c位于环状开口 81的径向外侧的第一位置，侧壁部611在径向上与环状开口 81相向。
[0184]在位于第一位置的罩部161c中，与基板处理装置Ib同样地，上面部612的内缘部的上表面在整周上与腔室盖部122的唇形密封件232相接触。由此，在腔室盖部122和罩部161c的上面部612之间形成第一密封结构615，该第一密封结构615用于防止气体和/或液体通过。另外，在侧壁部611的周围，波纹管617的上端部与上面部612相连接，波纹管617的下端部间接地与腔室主体121相连接。由此，在腔室主体121和罩部161c之间形成第二密封结构616，该第二密封结构616用于防止气体和/或液体通过。
[0185]罩部161c的上面部612是在第一位置上形成第一密封结构615的第一密封部，波纹管617是在第一位置上形成第二密封结构616的第二密封部。由半开状态的腔室12和位于第一位置的罩部161C，形成密闭空间160。
[0186]这样，在基板处理装置Id中，能够用简单的结构容易地在腔室盖部122和罩部161c之间形成第一密封结构615，容易地在腔室主体121和罩部161c之间形成第二密封结构616。另外，由于第二密封结构616是使罩部161c的波纹管617的下端部与腔室主体121相连接来形成的，因此能够更可靠地防止从第二密封结构616漏出气体和/或液体漏出。
[0187]图36是示出本发明的第六实施方式的基板处理装置Ie的剖视图。在基板处理装置Ie中，腔室盖部122保持顶板123的保持方法不同。其它结构与图14所示的基板处理装置Ib相同，在下面的说明中，对于对应的结构标注相同的附图标记。
[0188]如图36所示，腔室盖部122具有环状的板保持部222a。板保持部222a具有以中心轴Jl为中心的大致圆筒状的筒部223和以中心轴Jl为中心的大致圆板状的凸缘部224。筒部223从腔室盖部122的下表面向下方延伸。凸缘部224从筒部223的下端向径向外侧延伸。
[0189]顶板123具有环状的被保持部237。被保持部237具有以中心轴Jl为中心的大致圆筒状的筒部238和以中心轴Jl为中心的大致圆板状的凸缘部239。筒部238从顶板123的上表面向上方延伸。凸缘部239从筒部238的上端向径向内侧延伸。筒部238位于板保持部222a的筒部223的径向外侧，在径向上与筒部223相向。凸缘部239位于板保持部222a的凸缘部224的上方，在上下方向上与凸缘部224相向。被保持部237的凸缘部239的下表面与板保持部222a的凸缘部224的上表面相接触，由此顶板123以从腔室盖部122垂下的方式安装在腔室盖部122上。
[0190]图37是示出在密闭空间160内进行第二密闭处理的状态的基板处理装置Ie的一部分的剖视图。如图37所示，腔室12处于半开状态，在腔室主体121和腔室盖部122之间形成有环状开口 81。罩部161a位于环状开口 81的径向外侧的第一位置，并且侧壁部611在径向上与环状开口 81相向。
[0191]在位于第一位置的罩部161a中，与基板处理装置Ib同样地，上面部612的内缘部的上表面在整周上与腔室盖部122的唇形密封件232相接触。由此，在腔室盖部122和罩部161a的上面部612之间形成第一密封结构615，该第一密封结构615用于防止气体和/或液体通过。另外，下面部613的上表面在整周上与腔室主体121的外密封部169的下表面相接触。由此，腔室主体121和罩部161a的下面部613之间形成第二密封结构616，该第二密封结构616用于防止气体和/或液体通过。 [0192]第二卡合部242嵌入于第一^^合部241中，由此顶板123在周向上与基板支撑部141的支撑部基座413相卡合。换言而之,通过第—^合部241以及第二卡合部242,限制在旋转方向上顶板123相对于基板支撑部141的相对位置。另外，基板按压部142的多个第二接触部421与基板9的外缘部相接触。
[0193]被保持部237的凸缘部239与板保持部222a的凸缘部224分离而位于凸缘部224的上方。在图37所示的状态下，顶板123和腔室盖部122之间的上下方向上的距离小于在图36所示的状态下的距离。即，顶板123以能够变更顶板123和腔室盖部122之间的上下方向上的距离的状态安装在腔室盖部122上。
[0194]在图37所示的状态下，板保持部222a和被保持部237没有接触，顶板123经由基板按压部142以及基板9被基板支撑部141支撑。基板按压部142借助顶板123的自重朝向基板支撑部141按压基板9。
[0195]图38是从与图37不同的位置剖切进行第二密闭处理的状态的基板处理装置Ie的一部分的剖视图。如图38所示，顶板123的下表面以及基板支撑部141的支撑部基座413上设置有在上下方向上相向的一对磁铁143a、143b (下面,将两个磁铁总称为“磁铁对143”)。在基板处理装置I中，多个磁铁对143在周向上以相等角度间隔配置在与第一接触部411、第二接触部421、第一卡合部241及第二卡合部242 (参照图37)不同的位置上。在基板按压部142与基板9接触的状态下，借助作用于一对磁铁143a、143b之间的磁力(弓丨力)，向顶板123作用朝下的力。由此，如图37所示，基板按压部142朝向基板支撑部141按压基板9。
[0196]在基板处理装置Ie中，基板按压部142借助顶板123的自重以及多个磁铁对143的磁力，朝向基板支撑部141按压基板9,从而能够通过基板按压部142和基板支撑部141上下夹持基板9来牢固地保持。此外，可以仅设置一个磁铁对143，即使在该情况下，也能够借助磁铁对143的磁力牢固地保持基板9。
[0197]在如图37以及图38所示的状态下，如上所述，板保持部222a和被保持部237没有接触，顶板123相对腔室盖部122独立，并且通过基板旋转机构15使顶板123与基板保持部14以及被基板保持部14保持的基板9 一起进行旋转。
[0198]图39是示出在腔室12的内部空间120内进行第一密闭处理的状态的基板处理装置Ie的一部分的剖视图。如图39所示，腔室12处于密闭状态，罩部161a位于上述的第二位置。在如图39所示的状态下，顶板123和腔室盖部122之间的上下方向上的距离小于在图36以及图37所示的状态下的距离。另外，在图39所示的状态下，顶板123和基板9之间的上下方向上的距离与在图37所示的状态下的距离相同，基板按压部142与基板9的外缘部相接触来朝向基板支撑部141按压基板9。板保持部222a和被保持部237没有接触，顶板123相对腔室盖部122独立，并且顶板123与基板保持部14以及被基板保持部14保持的基板9一起进行旋转。
[0199]当腔室盖部122上升至图36所示的打开状态时，设置在板保持部222a的凸缘部224的上表面上的多个突起嵌入于在被保持部237的凸缘部239的下表面上设置的环状的槽部中，由此相对于腔室盖部122对顶板123进行调心。此外，作为调心结构，也可以采用其它结构。
[0200]在基板处理装置Ie中，也能够与基板处理装置Ib同样地，通过配置在腔室12的外部的罩部161a来在密闭空间160内接受处理液。另外，能够抑制处理液残留在用于保持基板9的外缘部的保持结构的附近的情况。还能够抑制处理液被该保持结构弹回的情况。在基板处理装置Ie中，也可以增加如图30所示的扫描喷嘴188。
[0201]以上，对于本发明的实施方式进行了说明，但是本发明并不限定于上述实施方式，能够进行各种变更。
[0202]在基板处理装置1、Ia?Ie中，可以进行其它各种处理。例如，也可以通过SPM(硫酸-过氧化氢混合液)进行处理。在打开状态、半开状态及密闭状态下进行的处理的顺序和处理内容也能够进行各种变更。
[0203]可以将受液部16的罩部所接受的处理液全部废弃。相反，也可以全部回收。腔室12所接受的处理液也可以废弃也可以回收。罩部的数量可以是一个也可以是3个以上。多个罩部可以同时进行升降。在处理液稍微混合而不会产生问题的情况下，各罩部也可以接受多种处理液。此时，也可以在来自罩部的排液路上设置多通道阀。
[0204]在罩部161a、161b及161c中，也可以通过使除了上面部612之外的部位(例如，侧壁部611)与腔室盖部122相接触，来在罩部161a、161b及161c和腔室盖部122之间形成第一密封结构615。罩部161a、161b及161c的形状可以适当地进行变更。
[0205]上部喷嘴181和下部喷嘴182的形状并不限定于突出的形状。只要是处于喷出处理液的喷出口的部位，都包含在本实施方式的喷嘴的概念中。
[0206]腔室开闭机构可以是以各种方式对腔室12进行开闭的机构，只要是使腔室12的包括上部或者下部的腔室活动部相对于其它部位进行升降的机构即可。通过腔室活动部的移动，在基板9的周围形成环状开口 81。
[0207]例如，腔室开闭机构131不必一定使腔室盖部122在上下方向上进行移动，也可以在固定腔室盖部122的状态下，使腔室主体121在上下方向上进行移动来将腔室12的状态在打开状态、半开状态及密闭状态之间进行切换。
[0208]在基板处理装置l、la中，也可以采用其它结构，使顶板123和基板保持部14在周向上进行卡合。例如，也可以仅使从顶板123向下方突出的突起和从基板保持部14向上方突出的突起在周向上相接触。
[0209]在基板处理装置Ib?Ie中，作为使顶板123和基板支撑部141在周向上卡合的机构，也可以采用与第一卡合部241以及第二卡合部242不同的结构。例如，也可以仅使从顶板123向下方突出的突起和从基板支撑部141的支撑部基座413向上方突出的突起在周向上相接触。
[0210]图1所示的基板旋转机构15的结构可以进行各种变更。转子部152不必一定以悬浮状态进行旋转，也可以在腔室12的内部空间120内设置用于机械地支撑转子部152的引导件等结构，并且使转子部152沿着该引导件进行旋转。
[0211]基板旋转机构15不必一定是中空马达，如图40所示，也可以利用作为轴旋转型的马达的基板旋转机构15a。基板旋转机构15a配置在腔室12的外部的腔室12的下方。在基板支撑部141的大致圆环板状的支撑部基座413的下表面上固定有大致圆板状的连接部
414。基板旋转机构15a的旋转轴155与连接部414的中央的开口相连接。下部喷嘴182设置在基板旋转机构15a的旋转轴155的上端。
[0212]在基板处理装置I中，也可以省略上部喷嘴181或者下部喷嘴182中的一方。即，处理液供给部18向基板9的上表面或者下表面供给处理液。另外，也可以省略顶板123。
[0213]也可以在省略受液部16且仅进行密闭处理的装置上采用腔室盖部122以及顶板123的结构。
[0214]在顶板移动机构126中，不必一定设置磁铁移动机构263。例如，也可以在腔室盖部122的容置部221的周围，在上下方向上排列多个环状的电磁铁，并选择性地使一个或者两个电磁铁通电，从而控制第一磁铁261的上下方向上的位置，由此使顶板123在上下方向上进行移动。在进行第二密闭处理的密闭空间160内，也可以通过顶板移动机构126变更顶板123的位置。
[0215]基板处理装置Ie的磁铁对143也可以设置在基板处理装置lb、lc及Id的顶板123以及基板支撑部141上。
[0216]在上述的基板处理装置中，作为配置在基板支撑部141的上方并与基板支撑部141 一起旋转的上侧旋转构件，设置了顶板123，但是例如也可以设置大致圆环板状的上侧旋转构件并在上侧旋转构件的下表面上设置基板按压部142，来代替顶板123。在该情况下，在基板处理装置lb、Ic及Id中，通过从顶板轴部235以放射状延伸的连接部，来连接顶板轴部235和大致圆环板状的上侧旋转构件。另外，在基板处理装置Ie中，在上侧旋转构件的上表面上固定有被保持部237。在上述的基板处理装置中，也可以省略上侧旋转构件。
[0217]在基板保持部14中，在基板支撑部141的各第一接触部411的周向上的两侧相邻地配置有基板按压部142的两个第二接触部421，但是也可以使在一个第一接触部411的两侧相邻地配置的两个第二接触部421为一个构件的在周向上相分离的两个部位。另外，在各第二接触部421的周向上的两侧相邻地配置两个第一接触部411的情况下，也可以使两个第一接触部411为一个构件的在周向上相分离的两个部位。此外，第一接触部411和第二接触部421不必一定相邻地配置，例如也可以使4个第一接触部411以及4个第二接触部421交错地以等角度间隔排列。
[0218]基板保持部14不必一定分开设置为基板支撑部141和基板按压部142。例如也可以在支撑部基座413上设置分别具有向径向外侧凹入的凹部的多个保持结构，并将基板9的外缘部插入于各保持结构的凹部中，由此使各保持结构从基板9的下侧、侧方及上侧与基板9接触来保持基板9。
[0219]在上述的步骤S21?S26中，在想要将第三处理液与第一处理液以及第二处理液分开回收的情况下，在步骤S23和步骤S24之间，腔室12从半开状态变为密闭状态。另外，在对基板9进行的处理中，也可以不一定向基板9的下表面92供给处理液。在上述的基板处理装置中，可以向基板9供给各种处理液(例如，SPM (硫酸-过氧化氢混合液))，来进行除了步骤S21?S26所示的处理以外的各种处理。另外，腔室12的内部空间120和密闭空间160的环境气体可以变更为各种各样。此外，不一定必须设置腔室12。
[0220]在基板处理装置中处理的基板并不限定于半导体基板，也可以是玻璃基板或其它基板。
[0221]上述实施方式以及各变形例的结构在彼此不矛盾的情况下可以适当地进行组合。
[0222]详细地描写并说明了发明，但是上述的说明仅仅为例示，并不是限定的内容。因此，在不脱离本发明的范围内，能够进行各种变形和以各种方式实施。
【权利要求】
1.一种基板处理装置，用于处理基板，其特征在于， 具有: 腔室，其形成密闭的内部空间； 腔室开闭机构，其使所述腔室的包括上部或者下部的腔室活动部相对于其它部位进行升降； 基板保持部，其配置在所述腔室内，且以水平状态保持基板； 基板旋转机构，其使所述基板与所述基板保持部一起以朝向上下方向的中心轴为中心进行旋转； 处理液供给部，其向所述基板的上表面或者下表面供给处理液； 罩部，其位于通过所述腔室活动部的移动而形成在所述基板的周围的环状开口的径向外侧，并接受从旋转的所述基板飞散的处理液。
2.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，还具有罩升降机构，该罩升降机构通过使所述罩部进行升降，来使所述罩部在所述环状开口的径向外侧的位置和该位置的下方的其它位置之间进行移动。
3.根据权利要求2所述的基板处理装置， 其特征在于， 还具有位于所述腔室的径向外侧的其它罩部， 通过所述罩升降机构使所述罩部进行升降，由此在所述罩部接受来自所述基板的处理液的状态和所述其它罩部接受来自所述基板的处理液的状态之间进行切换。
4.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，所述处理液供给部包括喷嘴，该喷嘴在所述腔室活动部和所述其它部位分离的状态下，从所述腔室外部移动至所述基板的上方。
5.根据权利要求1至4中任一项所述的基板处理装置，其特征在于，在所述罩部接受从所述基板飞散的处理液的状态下，所述罩部的上部与所述腔室的所述上部相接近或者相接触。
6.根据权利要求1至4中任一项所述的基板处理装置，其特征在于， 所述腔室活动部包括所述腔室的所述下部， 所述腔室具有: 腔室固定部，其位于所述腔室活动部的上侧， 腔室盖部，其位于所述腔室固定部的上侧； 所述基板处理装置还具有: 盖部升降机构，其使所述腔室盖部进行升降， 分隔板，其在所述罩部的上方，从所述腔室固定部向外侧延伸。
7.根据权利要求1至4中任一项所述的基板处理装置，其特征在于， 所述处理液供给部向所述基板供给纯水和药液， 在所述腔室内密闭的状态下，所述腔室接受从所述基板飞散的异丙醇或者水， 在形成所述环状开口的状态下，所述罩部接受从所述基板飞散的药液。
8.根据权利要求1至4中任一项所述的基板处理装置，其特征在于，还具有对所述腔室内进行减压的减压部。
9.根据权利要求1至4中任一项所述的基板处理装置，其特征在于，还具有对所述腔室内进行加压的加压部。
10.一种基板处理装置，用于处理基板，其特征在于， 具有: 腔室，其形成密闭的内部空间； 腔室开闭机构，其使所述腔室的包括上部的腔室盖部相对于其它部位进行升降； 基板保持部，其配置在所述腔室内，且以水平状态保持基板； 基板旋转机构，其使所述基板与所述基板保持部一起以朝向上下方向的中心轴为中心进行旋转； 处理液供给部，其向所述基板上供给处理液； 顶板，其呈与所述中心轴相垂直的板状，以能够以所述中心轴为中心旋转的方式安装在所述腔室盖部上，并且在所述腔室形成密闭的所述内部空间的状态下，在以所述中心轴为中心的周向上与所述基板保持部相卡合。
11.根据权利要求10所述的基板处理装置，其特征在于，所述处理液供给部包括喷嘴，该喷嘴在所述顶板和所述基板保持部相卡合的状态下，从所述顶板的中央喷出处理液，由此向所述顶板和所述基板之间供给处理液。
12.根据权利要求11所述的基板处理装置，其特征在于，还具有气体供给部，该气体供给部在所述顶板和所述基板保持部相卡合的状态下，向所述顶板和所述基板之间供给气体。
13.根据权利要求10`所述的基板处理装置，其特征在于， 还具有位于所述腔室的周围的罩部， 在通过所述腔室盖部的移动而在所述基板的周围形成环状开口的状态下，所述罩部位于所述环状开口的径向外侧，且接受从旋转的所述基板飞散的处理液。
14.根据权利要求13所述的基板处理装置，其特征在于， 所述顶板以能够变更与所述腔室盖部之间的距离的状态安装在所述腔室盖部上， 在所述腔室盖部和所述腔室的所述其它部位之间的距离为第一距离的情况下，所述顶板在所述周向上与所述基板保持部相卡合， 在所述腔室盖部和所述腔室的所述其它部位之间的距离为大于所述第一距离的第二距离的情况下，所述顶板与所述基板保持部分离。
15.根据权利要求13所述的基板处理装置，其特征在于，还具有罩升降机构，该罩升降机构通过使所述罩部进行升降，使所述罩部在所述环状开口的径向外侧的位置和该位置的下方的其它位置之间进行移动。
16.根据权利要求15所述的基板处理装置，其特征在于， 还具有位于所述腔室的径向外侧的其它罩部， 通过所述罩升降机构使所述罩部进行升降，由此在所述罩部接受来自所述基板的处理液的状态和所述其它罩部接受来自所述基板的处理液的状态之间进行切换。
17.根据权利要求13至16中任一项所述的基板处理装置，其特征在于，在所述罩部接受从所述基板飞散的处理液的状态下，所述罩部的上部与所述腔室的所述上部相接近或者相接触。
18.根据权利要求13至16中任一项所述的基板处理装置，其特征在于，所述处理液供给部向所述基板供给纯水和药液， 在所述腔室内密闭的状态下，所述腔室接受从所述基板飞散的IPA或者水， 在形成所述环状开口的状态下，所述罩部接受从所述基板飞散的药液。
19.一种基板处理装置，用于处理基板，其特征在于， 具有: 腔室，其具有腔室主体以及腔室盖部，通过所述腔室盖部堵塞所述腔室主体的上部开口来形成密闭的内部空间， 腔室开闭机构，其使所述腔室盖部相对于所述腔室主体在上下方向上进行移动， 基板保持部，其配置在 所述腔室内，且以水平状态保持基板， 基板旋转机构，其使所述基板与所述基板保持部一起以朝向所述上下方向的中心轴为中心进行旋转， 处理液供给部，其向所述基板上供给处理液， 罩部，其在整周上位于通过使所述腔室盖部与所述腔室主体分离而形成在所述基板的周围的环状开口的径向外侧，接受从旋转的所述基板飞散的处理液， 罩移动机构，其使所述罩部在位于所述环状开口的径向外侧的第一位置和所述第一位置的下方的第二位置之间在所述上下方向上进行移动； 所述罩部具有: 大致圆筒状的侧壁部，在所述第一位置，在所述径向上与所述环状开口相向， 第一密封部，在所述第一位置，在整周上在与所述腔室盖部之间形成第一密封结构，第二密封部，在所述第一位置，在整周上在与所述腔室主体之间形成第二密封结构；形成所述环状开口的状态下的所述腔室盖部以及所述腔室主体、位于所述第一位置的所述罩部形成密闭的空间。
20.根据权利要求19所述的基板处理装置，其特征在于， 所述第一密封部呈从所述侧壁部的上端部向径向内侧延伸的大致圆环状， 通过使所述第一密封部与所述腔室盖部相接触，来在所述第一密封部和所述腔室盖部之间形成所述第一密封结构。
21.根据权利要求19所述的基板处理装置，其特征在于， 所述腔室主体具有液体贮存部，该液体贮存部设置在以所述中心轴为中心的整个周向上，且用于贮存密封用液体， 所述第二密封部呈大致圆筒状，且配置在所述侧壁部的周围， 通过使所述第二密封部的下端部位于在所述液体贮存部中所贮存的所述密封用液体内，在第二密封部和所述腔室主体之间形成所述第二密封结构。
22.根据权利要求19所述的基板处理装置，其特征在于， 所述第二密封部为在整周上设置在所述侧壁部的周围的波纹管， 所述第二密封部的上端部与所述侧壁部相连接， 所述第二密封部的下端部与所述腔室主体相连接。
23.根据权利要求19至22中任一项所述的基板处理装置，其特征在于， 所述基板旋转机构具有: 环状的转子部，其配置在所述腔室的所述内部空间内，且安装有所述基板保持部；定子部，其配置在所述腔室外的所述转子部的周围，并且在与所述转子部之间产生旋转力。
24.根据权利要求23所述的基板处理装置，其特征在于，所述转子部借助作用于所述转子部和所述定子部之间的磁力，在所述内部空间内以悬浮状态进行旋转。
25.—种基板处理装置，用于处理基板，其特征在于， 具有: 基板支撑部，其以水平状态从下侧支撑基板， 上侧旋转构件，其配置在所述基板支撑部的上方， 位置限制构件，其在以朝向上下方向的中心轴为中心的周向上，限制所述上侧旋转构件相对于所述基板支撑部的相对位置， 基板按压部，其固定在所述上侧旋转构件上，并从上侧按压被所述基板支撑部支撑的所述基板， 基板旋转机构，其使所述基板与所述基板支撑部、所述基板按压部及所述上侧旋转构件一起进行旋转， 处理液供给部，其向所述基板上供给处理液； 所述基板支撑部具有多个第一接触部，该多个第一接触部分别在多个第一接触位置与所述基板的外缘部接触， 所述基板按压部具有多个第二接触部，该第二接触部分别在多个第二接触位置与所述基板的所述外缘部接触，其中，所述第二接触位置是在所述周向上与所述多个第一接触位置不同的位置。
26.根据权利要求25所述的基板处理装置，其特征在于，在各第一接触部的周向上的两侧以与各所述第一接触部相邻的方式配置有两个第二接触部，或者在各第二接触部的周向上的两侧以与各所述第二接触部相邻的方式配置有两个第一接触部。
27.根据权利要求25所述的基板处理装置，其特征在于， 所述多个第一接触部分别具有第一倾斜面，该第一倾斜面越朝向以所述中心轴为中心的径向内侧越朝向下侧，并且所述第一倾斜面与所述基板的外缘部相接触。
28.根据权利要求25所述的基板处理装置，其特征在于， 所述多个第二接触部分别具有第二倾斜面，该第二倾斜面越朝向以所述中心轴为中心的径向内侧越朝向上侧，并且所述第二倾斜面与所述基板的外缘部相接触。
29.根据权利要求25所述的基板处理装置，其特征在于，所述多个第一接触部各自的上端部位于所述多个第二接触部各自的下端部的上方。
30.根据权利要求25所述的基板处理装置，其特征在于， 还具有: 腔室，其具有腔室主体以及腔室盖部，通过所述腔室盖部堵塞所述腔室主体的上部开口来形成密闭的内部空间， 腔室开闭机构，其使所述腔室盖部相对于所述腔室主体在所述上下方向上进行移动； 所述基板支撑部配置在所述腔室内， 在所述腔室盖部在所述上下方向上进行相对移动时，所述上侧旋转构件被所述腔室盖部支撑并与所述腔室盖部一起进行移动。
31.根据权利要求25所述的基板处理装置，其特征在于， 所述上侧旋转构件呈与所述中心轴垂直的板状， 所述上侧旋转构件的下表面与所述基板的上表面相向。
32.根据权利要求31所述的基板处理装置，其特征在于，所述上侧旋转构件的外周缘，在以所述中心轴为中心的径向上，在整周上位于所述基板的外周缘的外侧。
33.根据权利要求25所述的基板处理装置，其特征在于，在所述基板支撑部以及所述上侧旋转构件上设置有在所述上下方向上相向的一对磁铁，所述基板按压部借助作用于所述一对磁铁之间的磁力，朝向所述基板支撑部按压所述基板。
34.根据权利要求25所述的基板处理装置，其特征在于，所述基板按压部借助所述上侧旋转构件的自重，朝向所述基板支撑部按压所述基板。
35.根据权利要求25至34中任一项所述的基板处理装置，其特征在于， 所述基板旋转机构具有: 环状的转子部，其配置在所述腔室的所述内部空间内，并安装有所述基板支撑部； 定子部，其配置在所述腔室外的所述转子部的周围，在与所述转子部之间产生旋转力。
36.根据权利要求35所述的基板处理装置，其特征在于， 所述转子部借助作用于所述转子部和所述定子部之间的磁力，在所述内部空间内以悬浮状态进行旋转。
37.一种基板处理装置，用于处理基板，其特征在于， 具有: 腔室，其具有腔室主体以及腔室盖部，通过所述腔室盖部堵塞所述腔室主体的上部开口来形成密闭的内部空间； 腔室开闭机构，其使所述腔室盖部相对于所述腔室主体在上下方向上进行移动； 基板支撑部，其配置在所述腔室内，且以水平状态支撑基板； 顶板，其配置在所述基板支撑部的上方，具有与所述基板相向并且与朝向上下方向的中心轴相垂直的下表面； 位置限制构件，其在以所述中心轴为中心的周向上，限制所述顶板相对于所述基板支撑部的相对位置； 基板旋转机构，其使所述基板与所述基板支撑部以及所述顶板一起以所述中心轴为中心进行旋转； 处理液供给部，其向所述基板上供给处理液； 顶板移动机构，其利用磁力使所述顶板相对于所述腔室盖部在所述上下方向上进行移动。
38.根据权利要求37所述的基板处理装置，其特征在于， 还具有顶板轴部，该顶板轴部呈以所述中心轴为中心的大致圆柱状，并固定在所述顶板的上表面上； 所述顶板轴部的至少一部分容置于在所述腔室盖部上所设置的大致有盖圆筒状的容置部中， 所述顶板移动机构具有: 第一磁铁，其在所述周向上沿着所述顶板轴部的外周面配置在所述顶板轴部中，第二磁铁，其在所述容置部的周围，在所述周向上配置在所述腔室盖部中， 磁铁移动机构，其通过使所述第二磁铁在所述上下方向上进行移动，来使所述顶板轴部与所述顶板一起在所述上下方向上进行移动。
39.根据权利要求37所述的基板处理装置，其特征在于， 在以所述中心轴为中心的径向上，所述顶板的外周缘在整周上位于所述基板的外周缘的外侧。
40.根据权利要求37所述的基板处理装置，其特征在于， 还具有固定在所述顶板上的基板按压部， 所述基板支撑部从下侧支撑所述基板， 通过所述顶板移动机构使所述顶板向下方移动，由此使所述基板按压部与所述基板的外缘部接触来从上侧按压所述基板。
41.根据权利要求37所述的基板处理装置，其特征在于，所述处理液供给部包括喷嘴，该喷嘴通过从所述顶板的中央喷出处理液，来用处理液充满所述顶板和所述基板之间。
42.根据权利要求37至41中任一项所述的基板处理装置，其特征在于， 所述基板旋转机构具有: 环状的转子部，其配置在所述腔室的所述内部空间内，且安装有所述基板保持部； 定子部，其配置在所述腔室外的所述转子部的周围，并且在与所述转子部之间产生旋转力。
43.根据权利要求42所述的基板处理装置，其特征在于， 所述转子部借助作用于所述转子部和所述定子部之间的磁力，在所述内部空间内以悬浮状态进行旋转。
【文档编号】H01L21/02GK103681237SQ201310388692
【公开日】2014年3月26日 申请日期:2013年8月30日 优先权日:2012年8月31日
【发明者】中井仁司, 大桥泰彦 申请人:大日本网屏制造株式会社