导电层合体及使用该导电层合体而成的显示体的制作方法

文档序号:7253514阅读:197来源:国知局
导电层合体及使用该导电层合体而成的显示体的制作方法
【专利摘要】本发明的目的在于提供一种导电性良好的导电层合体。一种导电层合体,其特征在于,在基材的至少一面有具有网状结构的导电层,所述网状结构由线状结构体形成,对于在通过所述网状结构形成的开口部的开口面积中满足式(1)的开口部,开口面积的平均值A为20μm2以下,并且,以式(2)所定义的开口面积的标准差σ为26μm2以下。X<Xmax×0.9···式(1)(式中,X表示各开口面积,Xmax表示各开口面积的最大值。)σ={(Σ(X-A)2)/N}0.5(此处,对于Σ,i=1~N)···式(2)(式中,X表示满足式(1)的开口部的各开口面积,A表示满足式(1)的开口部的开口面积X的平均值,N表示满足式(1)的开口部的总数)。
【专利说明】导电层合体及使用该导电层合体而成的显示体
【技术领域】
[0001]本发明涉及导电性良好的导电层合体。更具体而言,涉及有具有网状结构的导电层、导电性良好的导电层合体,所述网状结构由线状结构体形成。此外,涉及也可以用于液晶显示器、有机电致发光、电子纸等显示器相关和太阳能电池模块等中使用的电极部件的导电层合体。
【背景技术】
[0002]近年来,在触控面板、液晶显示器、有机电致发光、电子纸等显示器相关及太阳能电池模块等中导电部件被用于电极用途。
[0003]作为导电部件,有在基材上层合有导电层的导电部件,作为该导电层,除使用ΙΤ0、金属薄膜等以往的导电性薄膜外,提出了使用碳纳米管(以下简称为CNT。)、金属纳米线、金属纳米棒等线状导电成分形成网状结构而呈现导电性的导电层。例如,提出了一种导电层合体,所述导电层合体在基材上层合有将CNT作为导电成分的层(专利文献I)。另外,也提出了将以金属纳米线作为导电成分的层进行层合而成的导电层合体(专利文献2)。另夕卜,还提出了一种层合体,所述层合体将金属纳米棒作为导电成分,控制该金属纳米棒的排列(专利文献3)。此外,还提出了一种层合体,所述层合体在含有线状形状的导电成分的导电层上层合有保护层(专利文献4)。
[0004]专利文献1:日本特表2010-516018号公报
[0005]专利文献2:日本特开2009-129607号公报
[0006]专利文献3:日本特开2006-111675号公报
[0007]专利文献4:国际公开第2011/081023号说明书

【发明内容】

[0008]但是,对于如专利文献I那样使用了 CNT的导电层合体来说,由于难以分散,所以难以控制网状结构,有难以提供表面电阻值低的导电层合体的问题。即使是如专利文献2那样使用导电性良好的金属纳米线的导电层合体,由于未控制形成网状结构的金属纳米线的分散状态而仅仅是层合于基材上的导电层合体同样难以提供表面电阻值低的导电层合体,所以在得到导电层合体时需要特殊的加工工序。另外,如专利文献3那样将金属纳米棒的排列控制为特定方向的导电层合体仍然有表面电阻值高的问题。此外,即使如专利文献4那样设置保护层,导电性的提高效果仍低。
[0009]在这样将线状形状的材料用于导电成分的情况下,有如下问题:表面电阻值因网状结构而变高,无法得到足够的导电性。
[0010]本发明鉴于这样的现有技术的问题,其目的在于,控制线状导电成分的网状结构,得到导电性良好的导电层合体。
[0011]为了解决这样的课题,本发明采用如下构成。即,
[0012](I) 一种导电层合体,在基材的至少一面有具有网状结构的导电层,所述网状结构由线状结构体形成,对于在通过该网状结构形成的开口部中的开口面积满足式(I)的开口部,开口面积的平均值A为20μπι2以下,并且,以式(2)所定义的开口面积的标准差O为26 μ m2以下。
[0013]X〈XmaxX 0.9..?式(I)
[0014](式中,X表示各开口面积,Xmax表示各开口面积的最大值。)
[0015]σ = {(Σ (Χ-Α)2)/Ν}0.5(此处,对于 Σ,i = I ~N)
[0016]..?式(2)
[0017](式中,X表示满足式⑴的开口部的各开口面积,A表示满足式⑴的开口部的开口面积X的平均值,N表示满足式(I)的开口部的总数。)
[0018]另外,本发明的导电层合体优选满足以下内容。
[0019](2)上述线状结构体为银纳米线。
[0020](3)在上述导电层中进一步含有分子内具有下述结构式(I)的结构的化合物。
[0021]
【权利要求】
1.一种导电层合体,其特征在于,在基材的至少一面有具有网状结构的导电层,所述网状结构由线状结构体形成,对于在通过所述网状结构形成的开口部中的开口面积满足式(I)的开口部,开口面积的平均值A为20μπι2以下,并且,以式⑵所定义的开口面积的标准差σ为26 μ m2以下:
X < XmaxX0.9..?式(I) 式中,X表示各开口面积,Xmax表示各开口面积的最大值; σ = {(Σ (X — A)2)/N}°_5(此处,对于 Σ,i = I ~N) ?.?式⑵ 式中,X表示满足式(I)的开口部的各开口面积,A表示满足式(I)的开口部的开口面积X的平均值,N表示满足式(I)的开口部的总数。
2.如权利要求1所述的导电层合体,其中,所述线状结构体为银纳米线。
3.如权利要求1或2所述的导电层合体,在所述导电层中进一步含有分子内具有下列结构式(I)的结构的化合物:
4.如权利要求1~3中任一项所述的导电层合体,在所述导电层中进一步含有高分子基质。
5.如权利要求1~4中任一项所述的导电层合体,其中,所述基材为至少在一面的最外层层合有亲水层的亲水性基材,所述亲水层含有具有亲水基团的化合物。
6.—种导电层合体的制备方法,为权利要求1~5中任一项所述的导电层合体的制备方法,其中,在将线状结构体的含水分散液涂布于基材上后进行干燥而形成导电层的工序中,干燥工序为如下工序:从相对于涂布方向为45~135°的方向,向经涂布的面吹温度为25~120°C的气流。
7.—种显不体,包括权利要求1~5中任一项所述的导电层合体。
8.—种触控面板,组装有权利要求7所述的显示体。
9.一种电子纸,组装有权利要求7所述的显示体。
【文档编号】H01L51/50GK103959397SQ201280058018
【公开日】2014年7月30日 申请日期:2012年11月26日 优先权日:2011年11月29日
【发明者】佐藤义和, 增田升三, 吉野大空, 渡边修 申请人:东丽株式会社
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