芯片散热系统的制作方法
【专利摘要】一种芯片散热系统，用于具有第一芯片的电子产品，第一芯片具有第一晶面与第一晶背，包括：芯片模封材，至少包覆第一芯片的侧边；上外壳，位于第一芯片上方，接触第一芯片的第一晶背；封装基板，通过多个第一凸块与第一芯片的第一晶面连接；以及电路板，具有第一面及第二面，通过多个焊锡，以第一面与封装基板连接芯片散热系统还可包括下外壳，位于电路板下方，接触电路板的第二面。第一芯片所产生的热能是通过第一晶背传导至上外壳，通过第一晶面、第一凸块、封装基板、焊锡、电路板传导至下外壳。
【专利说明】芯片散热系统
【技术领域】
[0001]本发明涉及芯片散热系统，特别是涉及一种用于具有多个芯片的电子产品的芯片散热系统有关。
【背景技术】
[0002]当前集成电路(Integrated Circuit)的技术发展达到前所未有、仓ll新的技术水准。芯片的尺寸越来越小，电子产品的设计也不断地缩小。如数字相机、行动电话、平板计算机等，各式各样的电子产品中采用芯片等集成电路组件的数量也不止一二。在资本市场激烈竞争中，势必不断地提高电子产品效能，取得产品优势，因此，芯片、集成电路组件，例如微处理器、多样规格通讯芯片、内存、影像音讯处理芯片等，工作频率不断地竞相提高，但同样地在取得产品优势的目标下，电子产品的设计却又势必朝轻、薄、小的方向发展。而为发热源的芯片、集成电路组件的工作频率提高或数量增加，皆会导致发热密度增加，所以电子产品单位体积中的热密度会持续拉高。
[0003]然而，对于电子产品同时必定会有静音要求，因此一般主动式散热技术，如风扇也不适用在朝轻、薄、小设计的电子产品，被动式散热系统的散热效率无法与主动式散热技术比较，但能满足轻、薄、小的设计，因此被动式散热系统已确定为轻、薄、小设计的电子产品必然采用的技术。
[0004]所以，电子产品中散热系统的设计所面临的挑战渐趋严峻。
[0005]请参考图1，是已知技术中具有芯片A的电子广品的结构不意图。如图1所不，一般电子产品所具有的芯片A多以此简图的方式设置于电子产品内。电子产品的结构中具有上壳体1、芯片模封材2、多个凸块3、封装基板4、多个焊锡5、电路板6、下壳体7。芯片A以封装基板4通过凸块3连接封装后，利用芯片模封材2将芯片A覆盖。封装基板4通过焊锡5连接于电路板6。电路板6则由多个固定螺丝固定于下壳体7。
[0006]如图1所示，覆盖芯片A的芯片模封材2与上壳体I之间会保留一定的空间；电路板6与下壳体7之间也会保留一定的空间。多个凸块3之间有时也会加入填充材料，例如环氧树脂类的材料。而由于空气的热传导系数低，所以，当芯片A工作发热时，所产生热能的热流传导路径朝上则止于芯片模封材2，向下许多组件则多会阻碍芯片A所产生热能的传导，例如非热传导性良好的凸块3间加入的填充材料、封装基板4中的介电层材料、电路板6的介电层材料等。
[0007]所以，单位体积中的热密度势必随着芯片A工作时间而不断累积。甚至，为能满足电子产品轻、薄、小设计的实现，多芯片整合封装已为当前趋势。芯片A若与其它温度低许多的芯片整合封装，则采用已知技术散热系统设计的电子产品中，芯片A所产生热能的热流传导路径必然会导向其它芯片(热流传导会自然倾向朝热传导系数较高的方向)而影响其它芯片，导致电子产品整体结构升温，不仅影响效能、增加消耗电力还缩短电子产品寿命O
【发明内容】
[0008]本发明的主要目的在于提供一种芯片散热系统，用于具有一第一芯片的一电子产品，第一芯片具有第一晶面与第一晶背，电子产品的外部为环境气体，该芯片散热系统包括:芯片模封材，至少包覆第一芯片的侧边；一上外壳，与电子产品外部的环境气体接触，位于第一芯片上方，接触第一芯片的第一晶背；一封装基板，通过多个第一凸块与第一芯片的第一晶面连接；以及一电路板，具有第一面及第二面，通过多个焊锡，以第一面与封装基板连接。
[0009]本发明的芯片散热系统还包括一下外壳，位于电路板下方，接触电路板的第二面。本发明的芯片散热系统还包括具有第二晶面与第二晶背的一第二芯片，该芯片模封材至少包覆第二芯片的侧边。封装基板通过多个第二焊锡与第二芯片的第二晶面连接。在本发明的一实施例中，包覆第一芯片的芯片模封材与包覆第二芯片的芯片模封材是分开独立与封装基板接触。
[0010]再者，在本发明的又一实施例中，上外壳对应第一芯片的第一晶背的位置，具有一下突出部分以与第一芯片的第一晶背接触。下外壳对应第一芯片的第一晶面的位置，具有一上突出部分以与电路板的第二面接触。可选择的上外壳，还位于第二芯片的上方，接触第二芯片的第二晶背；下外壳，还位于第二芯片的下方，对应第二芯片的第二晶面的位置，接触电路板的第二面。
[0011]在本发明的又一实施例中，上外壳是通过一上导热材接触第一芯片的第一晶背。下外壳是通过一下导热材接触电路板的第二面。
[0012]依据本发明，第一芯片所产生的热能是通过第一晶背传导至上外壳，通过第一晶面、第一凸块、封装基板、焊锡、电路板传导至下外壳。
[0013]本发明芯片散热系统使第一芯片至上外壳及下外壳之间的热阻大幅缩小，而使第一芯片所产生热能的热流路径是径导向于上外壳及下外壳，也就是第一芯片在第一晶背的接面温度小于上外壳未接触第一晶背时，在第一晶背的接面温度；第一芯片于第一晶面的接面温度小于下外壳未接触对应第一晶面位置的电路板时，在第一晶面的接面温度。因此大幅降低已知技术中传导至第二芯片的热能。所以，能有效地降低具有多芯片的电子产品的工作温度，提升电子产品的工作效能，延长使用寿命。
【专利附图】
【附图说明】
[0014]图1是已知技术中具有芯片的电子产品的结构示意图。
[0015]图2是本发明芯片散热系统用于具有芯片的电子产品的第一实施例的组结构意图。
[0016]图3是本发明芯片散热系统用于具有芯片的电子产品的第二实施例的结构意图。
[0017]图4是本发明芯片散热系统用于具有多芯片的电子产品的第三实施例的结构示意图。
[0018]图5是本发明芯片散热系统用于具有多芯片的电子产品的第四实施例的结构示意图。
[0019]图6是本发明芯片散热系统用于具有多芯片的电子产品的第五实施例的结构示意图。[0020]图7是已知技术中具有多芯片的电子产品的结构示意图。
[0021]附图中标号的对应关系如下:
[0022]I上壳体
[0023]2芯片模封材
[0024]3凸块
[0025]4封装基板
[0026]5焊锡
[0027]6电路板
[0028]7下壳体
[0029]A第一芯片
[0030]Al第一晶面
[0031]A2第一晶背
[0032]B第二芯片
[0033]BI第二晶面
[0034]B2第二晶背
[0035]100、102 上外壳
[0036]110上导热材
[0037]200芯片模封材
[0038]210分离间隙
[0039]300第一凸块
[0040]302第二凸块
[0041]400封装基板
[0042]500焊锡
[0043]600电路板
[0044]700、702 下外壳
[0045]710下导热材
【具体实施方式】
[0046]以下结合附图对本发明的技术方案进行详细说明。
[0047]请参考图2，是本发明芯片散热系统用于具有芯片A的电子产品的第一实施例的组结构意图。芯片A具有第一晶面Al与第一晶背A2。本发明芯片散热系统包括上外壳100、芯片模封材200、多个第一凸块300、封装基板400、多个焊锡500、电路板600、下外壳700。其中，芯片A内具有半导体组件，可以经由外部电路量测其半导体接面温度(Junctiontemperature)。
[0048]如图所示， 芯片模封材200至少包覆第一芯片A的侧边，可露出第一晶背A2。或者，芯片模封材200也可仅以非常薄的厚度覆盖第一芯片A的第一晶背A2全部或至少一部分，例如第一晶背A2中最需要散热的部份面积亦可，实务上芯片模封材也具有一定程度的导热效果。上外壳100位于第一芯片A上方，对应第一芯片A的第一晶背A2的位置，具有一下突出部分，或者呈凹口向上的π型接触第一芯片A的第一晶背A2。封装基板400具有多个介电层(未显不)，每一介电层的厚度均小于30 μ m。封装基板400通过多个第一凸块300与第一芯片A的第一晶面Al连接。如图中虚线所示，多个凸块300之间也可加入填充材料，例如环氧树脂类的材料。电路板具有朝上的第一面及朝下的第二面，通过多个焊锡500，以第一面与封装基板400连接。下外壳700位于电路板600下方，对应第一芯片A的第一晶面Al的位置，具有一上突出部分，或者呈凹口向下的π型接触电路板600的第二面。可选择地，上外壳100或下外壳700可以由金属制成。
[0049]由于空气的热传导系数非常低，20 °C时大约仅0.0257 (ff/mK) ；60 °C时也仅
0.0287 (ff/mK)。而例如:铜的热传导系数20°C时约386 (W/mK);铝的热传导系数20°C时约386 (ff/mK)。环氧树脂Epoxy的热传导系数约0.19 (W/mK);而即便经由改良而热传导较佳的环氧树脂Epoxy类材料，其热传导系数也仅达1-10 (W/mK)。因此依据本发明，通过上外壳100或下外壳700与第一晶背A2或电路板600对应第一晶面Al的位置接触,能大幅降低此些方向热流路径中的热阻，从而操控热流方向而得到多重效益。
[0050]请参照图2及以下本发明芯片散热系统热传导现象的相关公式:T代表第一芯片A的半导体组件接面温度(Junction temperature), RT代表外界环境气体温度,Qc代表第一芯片A所产生的总热流，Ql代表朝上外壳100的热流，Q2代表朝下外壳700的热流，Q3代表朝侧方向的热流。
[0051]Rl代表朝上外壳100方向的热阻,R2代表朝下外壳700方向的热阻,R3代表侧方向的热阻。
[0052]各方向的热流QX等于该方向第一芯片A温度与外界环境气体温度(RT)温度间的温度差，或者与侧方向一预设位置的温度间的温度差AT除以该方向的热阻，ΛΤ/RX。
[0053]Ql= Δ T/Rl ；Q2= Δ T/R2 ；Q3= Δ T/R3
[0054]未采用本发明时，总热流等于各方向的热流加总合:
[0055]Qc=Ql+Q2+Q3=ΔT/R1+ΔT/R2+ΔT/R3 ；
[0056]AT=Qc/(l/Rl+l/R2+l/R3)
[0057]采用本发明时，即至少改变了朝上外壳100方向的热阻，则各方向的热流QX’等于该方向第一芯片A温度与外界环境气体温度(RT)温度间的温度差,或者与侧方向一预设位置的温度间的温度差除以该方向的热阻，即AT’ /RX’。
[0058]所以在Qc没有改变的情况下，前开各方向的热流则改变成为:
[0059]Q1，=ΛΤ，/Rr ;Q2，=ΛΤ，/R2 ;Q3，=ΛΤ，/R3
[0060]Qc=Ql，+Q2，+Q3，=ΛΤ，/Rl，+ AT，/R2+AT，/R3
[0061]AT’ =Qc/(l/Rl’ +1/R2+1/R3)
[0062]依据本发明图2的实施例,若改变朝上外壳100方向的热阻,换言之降低此方向的热阻，即R1>R1’，但R2，R3不变，则Q1〈Q1’ ;ΛΤ>ΛΤ，。换言之，依据本发明降低了朝上外壳100方向的热阻R1>R1’，或还进一步降低了朝下外壳700的热阻R2>R2’，从而操控热流Q1’、Q2’及Q3’的比例，Q1’与Q2’可大幅增加，Q3’相对地大幅地减少。
[0063]所以，如图中箭头所标示方向，相较图1，第一芯片A所产生热能的较大部分是通过第一晶背A2传导至上外壳100,通过第一晶面Al、第一凸块300、封装基板400、焊锡500、电路板600传导至下外壳700。也就是,第一芯片A的接面温度小于上外壳100未接触第一晶背A2时第一芯片A的接面温度；第一芯片A的接面温度小于下外壳700未接触对应第一晶面Al位置的电路板600时第一芯片A的接面温度。
[0064]请参考图3，是本发明芯片散热系统用于具有芯片A的电子产品的第二实施例的结构意图。芯片A具有第一晶面Al与第一晶背A2。本发明芯片散热系统包括上外壳102、上导热材110、芯片模封材200、多个第一凸块300、封装基板400、多个焊锡500、电路板600、下外壳702、下导热材710。
[0065]如图所不,芯片模封材200至少包覆第一芯片A的侧边,可露出第一晶背A2。上外壳100位于第一芯片A上方，通过上导热材110的设置接触第一芯片A的第一晶背A2。封装基板400具有多个介电层(未显示)，每一介电层的厚度均小于30 μ m。封装基板400通过多个第一凸块300与第一芯片A的第一晶面Al连接。如图中虚线所示，多个凸块300之间也可加入填充材料，例如环氧树脂类的材料。电路板具有朝上的第一面及朝下的第二面，通过多个焊锡500，以第一面与封装基板400连接。下外壳700位于电路板600下方，通过下导热材710的设置接触电路板600的第二面。上导热材110与下导热材710的材质可以为有机体参杂高导热材料粉末以提升热传导效率，抑或胶态或液态组成利用对流方式提升效率的散热组件，抑或是利用热电效应致冷(Peltier effect)组件所组成。
[0066]所以，如图中箭头所标示方向，第一芯片A所产生的热能是通过第一晶背A2、上导热材110传导至上外壳100，通过第一晶面Al、第一凸块300、封装基板400、焊锡500、电路板600、下导热材710传导至下外壳700。也就是第一芯片A的接面温度小于上外壳100未接触该第一晶背A2时第一芯片A的接面温度；第一芯片A的接面温度小于下外壳700未接触对应第一晶面Al位置的电路板600时第一芯片A的接面温度。
[0067]请参考图4及图5。图4是本发明芯片散热系统用于具有多芯片A、B的电子产品的第三实施例的结构示意图。图5是本发明芯片散热系统用于具有多芯片A、B的电子产品的第四实施例的结构示意图。芯片A具有第一晶面Al与第一晶背A2。芯片B具有第二晶面BI与第二晶背B2。本发明芯片散热系统包括上外壳100、芯片模封材200、多个第一凸块300、多个第二凸块302、封装基板400、多个焊锡500、电路板600、下外壳700。
[0068]如图4所不,芯片模封材200至少包覆第一芯片A的侧边,可露出第一晶背A2,同时，也至少包覆第二芯片B的侧边，可露出第二晶背B2。或者，芯片模封材200也可仅以非常薄的厚度覆盖第一芯片A的第一晶背A2至少一部分及第二芯片B的第二晶背B2至少一部分。例如第一晶背A2及第二晶背B2中最需要散热的部份面积也可。上外壳100位于第一芯片A上方，对应第一芯片A的第一晶背A2的位置，具有一下突出部分接触第一芯片A的第一晶背A2。当然在本实施例中，也可采用如图3中的上导热材110。但上外壳100对应第二芯片B的第二晶背B2的位置则维持平坦状，而未与第二芯片B接触。具有多个介电层(未显不)，每一介电层的厚度均小于30 μ m。封装基板400通过多个第一凸块300与第一芯片A的第一晶面Al连接；通过多个第二凸块302与第二芯片B的第二晶面BI连接。
[0069]如图4中虚线所示，多个凸块300、多个第二凸块302之间也可加入填充材料，例如环氧树脂类的材料。电路板具有朝上的第一面及朝下的第二面，通过多个焊锡500，以第一面与封装基板400连接。下外壳700位于电路板600下方，对应第一芯片A的第一晶面Al的位置，具有一上突出部分接触电路板600的第二面。当然在本实施例中，也可采用如图3中的下导热材710。但下外壳700对应第二芯片B的第二晶面BI的位置则维持平坦状，而未与电路板600的第二面接触。[0070]所以，如图4中箭头所标示方向，第一芯片A所产生的热能是通过第一晶背A2传导至上外壳100，通过第一晶面Al、第一凸块300、封装基板400、焊锡500、电路板600传导至下外壳700。也就是第一芯片A的接面温度小于上外壳100未接触第一晶背A2时第一芯片A的接面温度;第一芯片A的接面温度小于下外壳700未接触对应第一晶面Al位置的电路板600时第一芯片A的接面温度。同时，第二芯片B的接面温度也将小于上外壳100未接触第一晶背A2时第二芯片B的接面温度；第二芯片B的接面温度也将小于下外壳700未接触对应第一晶面Al位置的电路板600时第二芯片B的接面温度。
[0071]因此本发明使外壳100、700与第一晶背A2或电路板600接触能大幅降低热流路径中的热阻，从而操控热流方向使第一芯片A所产生热能的较大部分是通过第一晶背A2传导至上外壳100，通过第一晶面Al、第一凸块300、封装基板400、焊锡500、电路板600传导至下外壳700。以大幅减少由第一芯片A传导至第二芯片B的热能,避免第一芯片A的热能提高第二芯片B的温度，导致第二芯片B的性能下降。
[0072]于图5所不本发明第四实施例中，与第三实施例不同的处在,上外壳100对应第二芯片B的第二晶背B2的位置，还具有一下突出部分与第二芯片B的第二晶背B2接触。下外壳700对应第二芯片B的第二晶面BI的位置则维持平坦状，还具有一上突出部分与电路板600的第二面接触。还可大幅降低此些方向热流路径中的热阻，而使第二芯片B所产生热能的热流路径是径导向于上外壳100及下外壳700。
[0073]请参考图6，是本发明芯片散热系统用于具有多芯片A、B的电子产品的第五实施例的结构示意图。与本发明第三实施例相似，芯片A具有第一晶面Al与第一晶背A2。芯片B具有第一晶面BI与第一晶背B2。本发明第四实施例的芯片散热系统同样地包括上外壳100、芯片模封材200、多个第一凸块300、多个第二凸块302、封装基板400、多个焊锡500、电路板600、下外壳700。但本发明第四实施例与第三实施例不同之处在于:第一芯片A与第二芯片B虽同为芯片模封材200包覆,但第一芯片A、第二芯片B间的芯片模封材200被分割而具有分离间隙210。当然，本发明也可结合第四及第五实施例，使第五实施例中，上外壳100对应第二芯片B的第二晶背B2的位置，还具有一下突出部分与第二芯片B的第二晶背B2接触。下外壳700对应第二芯片B的第二晶面BI的位置则维持平坦状，具还有一上突出部分与电路板600的第二面接触。
[0074]请参考本发明第4飞图所示实施例与图7所示采用已知技术的具有多芯片A、B的电子产品结构进行比对。由于空气的热传导系数非常低，20°C时大约仅0.0257 (W/mK)；60°C时也仅0.0287 (W/mK)。而例如:铜的热传导系数20°C时约386 (W/mK);铝的热传导系数20°C时约386 (W/mK)。环氧树脂Epoxy的热传导系数约0.19 (W/mK);而即便经由改良而热传导较佳的环氧树脂Epoxy类材料，其热传导系数也仅达1-10 (W/mK)。
[0075]由于热流传导会自然倾向朝热传导系数较低的方向，而由前述可知，图7所示采用已知技术的散热设计，当芯片A发热时，所产生热能的热流传导路径朝上则止于芯片模封材2，向下许多组件则多会阻碍芯片A所产生热能的传导，例如非热传导性良好的凸块3间加入的填充材料、封装基板4中的介电层材料、电路板6的介电层材料等。因空气的热传导系数非常低，如图7中所示，芯片A所产生的热能必然大量地被导向芯片B，导致电子产品整体结构升温，不仅影响效能、增加消耗电力还缩短电子产品寿命。
[0076]反观本发明图4所不实施例中，由于第一芯片A的第一晶背Al接触上外壳100,封装基板400的每一介电层厚度均小于30 μ m,再加上对应第一芯片A的第二晶面A2的位置，电路板600朝下的第二面接触下外壳700,也就是第一芯片A的接面温度小于上外壳100未接触第一晶背A2时第一芯片A的接面温度；第一芯片A的接面温度小于下外壳700未接触对应第一晶面Al位置的电路板600时第一芯片A的接面温度。所以第一芯片A所产生的大量热能多能有效地弓I导至上外壳100及下外壳700，大幅地减少了第一芯片A产生热能对第二芯片B的影响。
[0077]本发明图5所示实施例中，同时由于第二芯片B的第二晶背BI接触上外壳100，封装基板400的每一介电层厚度均小于30 μ m,再加上对应第二芯片B的第二晶面B2的位置，电路板600朝下的第二面接触下外壳700。也就是同时地，第二芯片B的接面温度小于上外壳100未接触第二晶背B2时第二芯片B的接面温度；第二芯片A的接面温度小于下外壳700未接触对应第二晶面BI位置的电路板600时第二芯片B的接面温度。所以第二芯片B所产生的热能也大多能有效地引导至上外壳100及下外壳700。
[0078]再者，本发明图6所示实施例中，还进一步地分割第一芯片A、第二芯片B间的芯片模封材200，而设置分离间隙210于第一芯片A、第二芯片B之间。分离间隙210使得包覆第一芯片A的芯片模封材200与包覆第二芯片B的芯片模封材200分开独立地与封装基板400接触并结合。更有效率地，还进一步减少第一芯片A产生热能对第二芯片B的影响。
[0079]依据本发明芯片散热系统，使第一芯片至上外壳及下外壳之间的热阻大幅缩小，而使第一芯片所产生热能的热流路径是径导向于上外壳及下外壳，因此大幅降低已知技术中第一芯片热能大量传导至第二芯片的缺点。所以，能有效地降低具有多芯片的电子产品的工作温度，提升电子产品的工作效能，延长使用寿命。
[0080]以上所述仅是本发明的优选实施方式，应当指出，对于本【技术领域】的普通技术人员，在不脱离本发明原理的前提下，还可以做出若干改进和润饰，这些改进和润饰也应视为本发明的保护范围。
【权利要求】
1.一种芯片散热系统，用于具有一第一芯片的一电子产品，该第一芯片具有第一晶面与第一晶背，该电子产品的外部为环境气体，该芯片散热系统包括: 芯片模封材，至少包覆该第一芯片的侧边； 一上外壳，与该电子产品外部的该环境气体接触，位于该第一芯片上方，接触该第一芯片的该第一晶背； 一封装基板，通过多个第一凸块与该第一芯片的该第一晶面连接；以及 一电路板，具有第一面及第二面，通过多个焊锡，以该第一面与该封装基板连接。
2.如权利要求1所述的芯片散热系统，其特征在于，还包括一下外壳位于该电路板下方，对应所述第一芯片的第一晶面，接触所述电路板的第二面。
3.如权利要求1所述的芯片散热系统，其特征在于，所述封装基板具有多个介电层，每一介电层的厚度都小于30 μ m。
4.如权利要求1所述的芯片散热系统，其特征在于，还包括具有第二晶面与第二晶背的一第二芯片，所述芯片模封材至少包覆第二芯片的侧边。
5.如权利要求4所述的芯片散热系统，其特征在于，所述第二芯片的接面温度小于所述上外壳未接触第一晶背时第二芯片的接面温度。
6.如权利要求4所述的芯片散热系统，其特征在于，还包括一下外壳位于所述电路板下方，对应所述第一芯片的第一晶面，接触电路板的第二面，且所述第二芯片的接面温度小于下外壳未接触对应第一晶面位置的电路板时第二芯片的接面温度。
7.如权利要求4所述的芯片散热系统，其特征在于，所述封装基板通过多个第二凸块与第二芯片的第 二晶面连接。
8.如权利要求4所述的芯片散热系统，其特征在于，所述上外壳，还位于第二芯片的上方，接触第二芯片的第二晶背。
9.如权利要求4所述的芯片散热系统，其特征在于，还包括一下外壳位于该电路板下方，对应所述第二芯片的第二晶面的位置，接触所述电路板的第二面。
10.如权利要求4所述的芯片散热系统，其特征在于，其中包覆所述第一芯片的芯片模封材与包覆第二芯片的芯片模封材是分开独立与封装基板接触。
11.如权利要求7所述的芯片散热系统，其特征在于，所述第一芯片的接面温度小于上外壳未接触第一晶背时第一芯片的接面温度。
12.如权利要求2所述的芯片散热系统，其特征在于，所述第一芯片的接面温度小于所述下外壳未接触对应第一晶面位置的电路板时第一芯片的接面温度。
13.如权利要求1所述的芯片散热系统，其特征在于，所述第一芯片的接面温度小于所述上外壳未接触第一晶背时第一芯片的接面温度。
14.如权利要求1所述的芯片散热系统，其特征在于，所述上外壳对应所述第一芯片的第一晶背的位置，具有一下突出部分以与所述第一芯片的第一晶背接触。
15.如权利要求1所述的芯片散热系统，其特征在于，所述上外壳是通过一上导热材接触所述第一芯片的第一晶背。
16.如权利要求1所述的芯片散热系统，其特征在于，所述上外壳是由金属制成。
17.如权利要求2所述的芯片散热系统，其特征在于，所述下外壳对应所述第一芯片的第一晶面的位置，具有一上突出部分与电路板的第二面接触。
18.如权利要求2所述的芯片散热系统，其特征在于，所述下外壳是通过一下导热材接触所述电路板的第二面。
19.如权利要求2所述的芯片散热`系统，其特征在于，所述下外壳是由金属制成。
【文档编号】H01L23/04GK103871982SQ201310043561
【公开日】2014年6月18日 申请日期:2013年2月4日 优先权日:2012年12月17日
【发明者】杨之光 申请人:巨擘科技股份有限公司