生产具有改进电导率的半导电或导电层的方法

生产具有改进电导率的半导电或导电层的方法
【专利摘要】本发明涉及生产具有改进导电率且特别适于生产挠性薄膜晶体管的半导电或导电金属氧化物层的方法，由此生产的金属氧化物层及其在生产电子组件中的用途。
【专利说明】生产具有改进电导率的半导电或导电层的方法
[0001]本发明涉及生产具有改进电导率且特别适于生产挠性薄膜晶体管的半导电或导电金属氧化物层的方法，由此生产的金属氧化物层及其在生产电子组件中的用途。
[0002]用于电子组件，特别是印刷电子组件，例如薄膜晶体管或RFID(=射频识别)芯片的半导电或导电金属氧化物层的生产是本身已知的。
[0003]由于这些是大批生产的制品，可快速且便宜地以良好质量生产相应组件的生产方法是理想的。因此，特别地，印刷方法是非常合适的。
[0004]为了能够使用这类印刷方法生产半导电或导电金属氧化物层，用于生产方法的金属氧化物必须是可印刷的形式，即溶解或至少糊的形式。
[0005]为此，提出了由溶解的有机金属金属前体生产导电金属氧化物层，所述有机金属前体可转化成所需金属氧化物而不在稍后工艺步骤中留下残余物。
[0006]因此，WO 2009/010142 A2提出了用于电子组件的功能材料，其包含有机金属锌配合物，其含有至少一种来自肟盐类的配体且不含碱金属和碱土金属。无孔氧化锌层由该材料得到，取决于具体组成，其可具有电绝缘或者半导电或导电性能且适于生产印刷电子组件。
[0007]WO 2010/078907 Al公开了用于电子组件的功能材料，其包含铝、镓、钕、钌、镁、
铪、锆、铟和/或锡的有机金属配合物，所述配合物也包含至少一种来自肟盐类的配体。
[0008]在上述文件中，将有机金属配合物的溶液作为层以所需厚度施加于基质上，随后通过各种措施转化成金属氧化物。取决于所选择的涂覆方法，此处所需层厚度也可仅在多次施加前体材料以后实现。由于转化成相应金属氧化物的随后转化步骤，形成具有预定厚度和材料性能的均匀金属氧化物层，这不可避免地由材料的类型和厚度决定。
[0009]尽管具有不同电导率的金属氧化物层可使用现有技术中可得到的材料和方法以良好的质量生产，仍需要可由通常溶解的金属氧化物前体化合物生产的半导电或导电金属氧化物层，其适于常用涂覆方法且具有相当高的载流子迁移率和高电导率。
[0010]因此，本发明的目的是提供由适用于涂覆方法中的前体化合物生产半导电或导电金属氧化物层的方法，其产生在组成和层厚度方面可变化且具有在其载流子迁移率和电导率方面比可通过现有技术方法得到的金属氧化物层更好的值，特别用于可印刷电子组件中。
[0011]本发明的另一目的是提供可通过所述方法生产的改进金属氧化物层。
[0012]另外，本发明的目的是指出这样生产的金属氧化物层的用途。
[0013]令人惊讶的是，现在发现本发明上述目的可通过目前已知用于由有机金属前体化合物生产半导电或导电金属氧化物层的方法的改进实现，而不会不利地影响产生的层的表面性能或显著提高大批生产的复杂性。
[0014]因此，本发明的目的通过生产半导电或导电金属氧化物层的方法实现，其中将包含一种或多种有机金属化合物的金属氧化物溶液或分散体
[0015]a)作为层施加于基质上，
[0016]b)任选干燥，并将所得金属氧化物前体层
[0017]c)热、通过用UV和/或IR辐射处理、或者通过其两种或更多种的组合转化成金属氧化物层，和
[0018]d)任选冷却，
[0019]其中步骤a)_d)在基质上的相同位置上一个接一个地进行至少两次，在那里产生金属氧化物多层。
[0020]此外，本发明的目的还通过由本发明所述方法生产的半导电或导电的金属氧化物多层实现。
[0021]另外，本发明的目的还通过根据本发明生产的半导电或导电的金属氧化物多层在生产电子组件，特别是生产场效应晶体管(FET)，优选可印刷薄膜晶体管(TFT)中的用途实现。
[0022]根据本发明，半导电或导电金属氧化物层的生产由溶于溶剂中或分散于液体分散介质中的其有机金属前体化合物实现，即由可相当简单地转化成可用于大批生产的常用涂覆和印刷方法中的涂料组合物或印刷油墨的金属氧化物前体溶液或金属氧化物前体分散体实现。
[0023]尽管半导电或导电金属氧化物的许多已知有机金属前体化合物(即在热和/或通过光化辐射(UV和/或IR)进行的随后处理时分解成挥发性组分如二氧化碳、丙酮等并转化成所需金属氧化物的有机金属化合物)适用于本发明方法，就本发明而言，优选使用的有机金属化合物为金属铝、镁、镓、钕、钌、铪、锆、铟、锌、钛和/或锡的金属羧酸盐配合物且具有配位数3-6，其各自具有来自以下组的至少一种配体:单_、二-或聚羧酸，或者单_、二 -或聚羧酸的衍生物，特别是烷氧基亚氨基羧酸(肟盐)，或者还有所述金属与烯醇化物配体的金属配合物，其中术语“金属”根据本发明意指可具有金属或半金属或者以及过渡金属性能的上述元素。
[0024]特别优选使用上述那些中的至少两种不同金属的金属羧酸盐配合物或金属烯醇化物的混合物。
[0025]特别地，该至少一种配体为2_(甲氧基亚氨基)链烷酸盐、2_(乙氧基亚氨基)链烷酸盐或2_(羟基亚氨基)链烷酸盐，其在下文中也称为肟盐。这些配体通过α-酮酸或氧代羧酸与羟胺或烷基羟胺在碱的存在下在水溶液或甲醇溶液中缩合而合成。
[0026]所用配体还优选为烯醇化物，特别是乙酰丙酮化物，其还通常以各种金属的乙酰丙酮化物配合物的形式用于其它工业目的，因此是市售的。
[0027]优选本发明所用金属羧酸盐配合物的所有配体是烷氧基亚氨基羧酸配体，特别是上述那些，或者其中烷氧基亚氨基羧酸配体仅另外与H2O配位的配合物，然而其它配体不存在于金属羧酸盐配合物中。
[0028]上述金属乙酰丙酮化物还优选为除乙酰丙酮化物外，也不含其它配体的配合物。
[0029]根据本发明优选使用的具有烷氧基亚氨基羧酸配体的金属羧酸盐配合物的制备已更详细地描述于上述说明书WO 2009/010142 Α2和W02010/078907 Al中。为此，通过引用将所述文件的全部范围并入本文中。
[0030]一般而言,金属氧化物前体，即招、镁、镓、钕、钌、铪、错、铟、锌、钛和/或锡配合物如下制备:在室温下使氧代羧酸与至少一种羟胺或烷基羟胺在碱如四乙基碳酸氢铵或碳酸氢钠的存在下反应，随后加入无机招、镁、镓、钕、钌、铪、错、铟、锌、钛和/或锡盐，例如硝酸铝九水合物、硝酸镓六水合物、无水三氯化钕、三氯化钌六水合物、硝酸镁六水合物、氧氯化锆八水合物、氧氯化铪八水合物、无水氯化铟和/或氯化锡五水合物。作为选择，可使氧代羧酸与镁、铪或锆的羟基碳酸盐，例如水菱镁矿Mg5(CO3)4(OH)2.4H20在至少一种羟胺或烷基羟胺的存在下反应。
[0031]所用氧代羧酸可以为这类化合物的所有代表。然而,优选使用氧代乙酸、氧代丙酸或氧代丁酸。
[0032]根据本发明，所述有机金属金属氧化物前体化合物(前体)优选以溶解或分散的形式使用。为此，它们以合适的浓度溶于合适溶剂中或者分散于合适分散剂中，每种情况下必须设置浓度以匹配待使用的涂覆方法和待施加的金属氧化物前体层的数目和组成。
[0033]此处合适的溶剂或分散介质为水和/或有机溶剂，例如醇、羧酸、酯、醚、醛、酮、胺、酰胺或者还有芳族化合物。也可使用多种有机溶剂或分散介质的混合物，或者水与有机溶剂或分散介质的混合物。
[0034]优选将上文已描述的具有烷氧基亚氨基羧酸配体(肟盐)的金属羧酸盐配合物溶于2-甲氧基乙醇或四氢呋喃中。
[0035]就本发明而言，上述溶剂或分散介质中的一种中的溶液或分散体的合适浓度被认为是基于溶液或分散体的重量为0.01-70重量％的浓度。如上所述，每种情况下基于所选择的涂覆方法规定的条件，这些与溶剂或分散介质的粘度以及本发明金属氧化物多层中待产生的金属氧化物层的数目和组成匹配。此处适用原则:有利的是在使用相同溶剂以及因此相同粘度时，随着金属氧化物层的数目增加，降低用于各单独施加步骤的金属氧化物前体材料的浓度。相反，如果对于多层，施加更小数目的层，则可提高用于单独步骤的各溶液中的浓度。
[0036]因此，例如在优选使用的旋涂方法的情况下，有利地使用基于溶液或分散体的重量为0.1-10重量％，特别是0.4-5重量％的非常低的浓度。此处，惊讶地发现在IZO层的施加时，总可实现的载流子迁移率随着层数目增加以及同时浓度降低而提高。因此，例如在3重量％浓度下的最高可实现载流子迁移率由3层(约9cm2/Vs)实现，而在0.6重量％前体溶液的情况下，它仅由10层实现，但总体上明显更高(约16cm2/Vs)。
[0037]首先将金属氧化物溶液或分散体作为单层施加于各基质上，得到金属氧化物前体层，随后将其任选干燥，然后使用合适的措施，即热和/或借助光化辐射(用UV和/或IR辐射处理)转化成金属氧化物层，其中可使用上述措施中的两种或更多种的任何所需组合。
[0038]前体转化成金属氧化物优选通过热处理进行。热处理在50_700°C的温度下进行。所用温度有利地为150-600°C，特别是180-500°C。温度处理在空气中或者在保护气体下进行。
[0039]实际上所用的温度由所用材料的类型决定。
[0040]因此，例如铟和锡肟盐配合物前体热转化成具有导电性能的氧化铟锡在> 150°C的温度下进行。温度优选为200-500°C。
[0041]铟、镓和锌肟盐配合物前体热转化成具有半导电性能的氧化铟镓锌层也在≥150°C的温度下进行。温度优选为200-500°C。
[0042]锌和锡肟盐配合物前体热转化成具有半导电性能的氧化锌锡层也在> 150°C，优选180-520°C的温度下进行。
[0043]预先涂覆且热处理的基质的冷却可任选在下一涂覆步骤以前进行。
[0044]另外或者作为热处理的可替代的选择，也可进行用光化辐射，即用UV和/或IR辐射照射。在UV照射的情况下，使用<400nm,优选150_380nm的波长。可使用波长>800nm,优选>800至3000nm的IR辐射。该处理还导致有机金属前体分解并释放挥发性有机组分以及可能的水，使得金属氧化物层保留在基质上。
[0045]在金属氧化物前体层转化成金属氧化物层的所述方法的情况下，将释放的挥发性有机组分以及可能的水完全除去。具有均匀厚度、低孔隙率、均匀组成和形态同时作为均匀平且无孔层表面的均匀金属氧化物层特别地由上文已描述且优选使用的具有烷氧基亚氨基羧酸配体的金属羧酸盐配合物形成。取决于金属氧化物前体溶液或分散体以及将金属氧化物前体层转化成金属氧化物层的方法的选择，形成的金属氧化物层可以为晶体、纳米晶体或无定形的。
[0046]根据本发明，所述施加和转化步骤在基质上的相同位置上一个接一个地进行至少两次，同时形成金属氧化物多层。
[0047]因此，将至少2层且至多30层，优选2-10层，特别是3_8层金属氧化物层一层在另一层上地作为多层施加于基质上。
[0048]对本发明的成功而言绝对重要的是各层单独地施加并转化成相应金属氧化物或混合金属氧化物，然后施加下一金属氧化物前体层并使其转化成相应金属氧化物或混合氧化物。这样，发生所形成的多层金属氧化物层逐层生长。令人惊讶地发现借助本发明方法形成的非常薄但非常均匀的单独金属氧化物层和各金属氧化物层或混合金属氧化物层之间的界面对形成的金属氧化物多层内的载流子迁移率以及因此它的电导率具有相当的影响，即使借助本发明方法对于各单独层使用相同的材料得到了与根据现有技术在单一工艺步骤中产生的单独层的层厚度相同的多层总层厚度。在任何情况下甚至用另外相同的材料和层厚度，本发明方法导致所形成多层的提高的载流子迁移率和因此改进的电导率。
[0049]单独层的材料组成是可变的。根据本发明产生的多层由至少两层金属氧化物层组成，其中第一金属氧化物层具有与各其它金属氧化物层的组成相同或不同的组成。因此多层相同、多层不同或者多层相同金属氧化物层与一层或多层不同的金属氧化物层的组合可存在于金属氧化物多层中。
[0050]此处各单独层由单一金属的氧化物或者选自所述金属的至少两种至至多5种元素的混合氧化物组成。混合氧化物中单独金属元素的混合比在此处可根据需要变换。第二和各其它金属元素的比例基于混合氧化物的总重量优选为至少每种情况下0.01重量％。
[0051]就本发明而言,合适的金属氧化物为招、镁、镓、钕、钌、铪、错、铟、锌、钛和/或锡的氧化物和混合氧化物。此处特别重要的是ZnO、掺杂锌氧化物，和混合氧化物ITO (氧化铟锡)、IZO (氧化铟锌)、ZTO (氧化锌锡)、IGZO (氧化铟镓锌)，以及另外掺杂有Hf、Mg、Zr、Ti或Ga的氧化铟锌(Hf-1Z0、Mg_IZ0、Zr-1Z0、T1-1ZO和Ga-1ZO)，和所述氧化物或混合氧化物与上述其它金属，例如与钕的掺杂物或混合物。
[0052]根据本发明生产的金属氧化物多层中的至少一层优选由包含两种或更多种元素的混合氧化物或掺杂金属氧化物组成，所述元素选自由金属铝、镁、镓、钕、钌、铪、锆、铟、锌、钛和/或锡组成的组。
[0053]金属氧化物多层中的所有层也可由所述混合氧化物或掺杂金属氧化物组成，在这种情况下，组成可逐层变化。为此，通过本发明方法生产的金属氧化物多层的材料组成可以以非常可变的方式调整，同时它对多层的导电性能的精确可调整性也具有影响。
[0054]除单独金属氧化物层的材料组成外，它们的可实现层厚度也可以以可变方式调整，确切地讲，借助待施加前体溶液或分散体的浓度、所用前体溶液或前体分散体的粘度和所选择施加方法的技术参数。如果例如选择旋涂方法，则这些尤其是转速和持续时间。
[0055]根据本发明生产的金属氧化物多层的总厚度为Inm至I μ m,优选3_750nm。取决于层的数目和所选择的材料，单个层的厚度在此处从仅单一原子层的层厚度至500nm的层厚度变化。单个层的厚度优选为l_50nm。
[0056]在根据本发明生产的金属氧化物多层中，第一层的厚度在此处可与各其它金属氧化物层的层厚度相同或不同。不言而喻，多个具有相同厚度的层在此处可与具有不同厚度的层一起存在，反之亦然。关于单个层的材料的选择，它们各自的层厚度也贡献于金属氧化物多层的导电性能的精确可调整性。
[0057]通过本发明方法将用于金属氧化物多层的单个金属氧化物前体层施加于基质上可通过各种已知的涂覆和印刷方法进行。为此特别合适的是旋涂法、刮涂法、线材涂覆法或喷涂法，或者以及常规印刷方法，例如喷墨印刷、苯胺印刷、胶版印刷、狭缝型挤压式涂覆和丝网印刷。此处特别优选旋涂法和喷墨法。
[0058]合适的基质为固体基质，例如玻璃、陶瓷、金属或塑料，而且特别是挠性基质，例如塑料膜或金属箔。如果本发明方法用于生产薄膜晶体管(TFT)中的半导电或导电金属氧化物层，则待涂覆基质也可由用于TFT或场效应晶体管(FET)的常规基质组成，即由金属电极(“源极”和“漏极”，优选由金制成)位于其上的介电涂覆导电层(所谓的“栅极”)组成。在这种情况下，待用半导电层直接涂覆的基质由介电材料(优选S12)以及金属电极都位于其表面上的层结构组成。
[0059]本发明还涉及通过本发明方法生产的半导电或导电金属氧化物多层。
[0060]这样生产的金属氧化物多层的层结构、材料组成和层厚度比已详细描述于上文中。根据以上描述，也不言而喻用于本发明金属氧化物多层的术语“金属氧化物”包括纯金属氧化物、混合金属氧化物以及掺杂金属氧化物和掺杂混合金属氧化物。
[0061]本发明还涉及上述半导电或导电金属氧化物多层在生产电子组件，特别是生产用于这些组件的半导电或导电功能层中的用途。
[0062]此处合适的电子组件特别是场效应晶体管(FET)，例如优选使用薄膜晶体管(TFT)。
[0063]术语“场效应晶体管(FET) ”意指一组单极晶体管，其中与双极晶体管相反，取决于设计，电荷传输仅受一类电荷-电子或空穴支配。最普遍类型的FET为MOSFET (金属氧化物半导体FET)。
[0064]FET 具有三个连接(connect1n):
[0065].源极
[0066].栅极
[0067].漏极
[0068]在MOSFET中，还存在第四个连接:本体(基质)。在单晶体管的情况下，这已内部连接在源连接上且不单独地连接。
[0069]根据本发明，术语“FET”通常包括以下场效应晶体管类型:
[0070].结型场效应晶体管(JFET)
[0071].肖特基场效应晶体管(MESFET)
[0072].金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)
[0073].高电子迁移率晶体管(HEMT)
[0074].离子敏场效应晶体管(ISFET)
[0075].薄膜晶体管(TFT)
[0076]根据本发明优选TFT，用它可生产大面积电子回路。
[0077]如上文已描述的，上述电子组件优选为由导电层(栅极)、绝缘层、半导体和电极(漏极和源极)形成的场效应晶体管或薄膜晶体管。
[0078]栅优选由高η掺杂硅片、高η掺杂硅薄层、取决于设计作为薄层或基质材料的导电聚合物(例如聚吡咯-聚氨基苯磺酸或聚乙烯二氧噻吩-聚苯乙烯磺酸(PED0T-PSS))、导电陶瓷(例如氧化铟锡(ITO)或者Al-、Ga-或In-掺杂的氧化锌(AZ0、GZ0、ΙΖ0)，和F-或Sb-掺杂的氧化锡(FT0、AT0))或金属(例如金、银、钛、锌)组成。取决于设计，薄层可以以在半导电或绝缘层下面(底栅)或上面(顶栅)的排列应用。
[0079]电子组件优选具有绝缘层，所述绝缘层由聚合物(例如聚(4-乙烯基苯酚)、聚甲基丙烯酸甲酯、聚苯乙烯、聚酰亚胺或聚碳酸酯)或陶瓷(例如二氧化硅、氮化硅、氧化铝、氧化镓、氧化钕、氧化镁、二氧化铪、氧化锆)组成。
[0080]电子组件优选具有半导电层，所述半导电层由通过本发明方法生产的金属氧化物多层组成。
[0081]以相同方式，导电层也可代表借助本发明方法生产的金属氧化物多层。
[0082]此外，本发明电子组件还包含源极和漏极，其可优选由高η掺杂的硅薄层、导电聚合物(例如聚吡咯-聚氨基苯磺酸或聚乙烯二氧噻吩-聚苯乙烯磺酸(PED0T-PSS))、导电陶瓷(例如氧化铟锡(ITO)或者Al-、Ga-或In-掺杂的氧化锌(ΑΖ0, GZ0、ΙΖ0)，和F-或Sb-掺杂氧化锡(FT0、AT0))或金属(例如金、银、钛、锌)组成。取决于设计，电极(根据本发明，优选为薄层形式)可以以在半导电或绝缘层下面(底触点)或上面(顶触点)的排列应用。
[0083]用于这些电子组件的合适不导电基质在此处也是固体基质，例如玻璃、陶瓷、金属或塑料，但特别是挠性基质，例如塑料膜和金属箔。
[0084]用于生产半导电和导电层的本发明方法产生关于材料组成以及关于层厚度非常可变化的半导电或导电金属氧化物多层，所述层厚度可设置并容许具体地设置关于电导率的所需性能。另外，可借助本发明方法生产以相同材料和相同厚度，具有与使用现有技术已知的一层方法生产的单层相比提高的电导率和提高的载流子迁移率的半导电或导电金属氧化物层。另外，单个层以及作为一个整体的层中的缺陷的数目降低，且层作为整体的表面性质明显比施加单个层的情况更光滑，这又对所得电子组件的导电或半导电性能具有正面影响。因此，例如就3重量％的IZO前体施加浓度而言的表面粗糙度可以从单一施加情况下的Ra = 0.72nm降至双重施加情况下的Ra = 0.52nm。降低的浓度在提高层数目的情况下具有同样有利的影响。因此，0.5重量％ IZO前体溶液的5倍施加产生仅Ra = 0.43nm的表面粗糙度。
[0085]本发明方法因此能够以简单且便宜的方式大量生产非常有效的电子组件，特别是TFT。
[0086]电导率可通过四探头直流方法测定。该测量方法描述于DIN50431或ASTM F43-99中。
[0087]半导电材料的特性参数，以及特别是载流子迁移率μ的表征和测定可通过ΙΕΕΕ1620所述测量和评估方法进行。
[0088]以下实施例意欲阐述本发明，然而，它们应决不认为是限定性的。制备中可使用的所有化合物或组分是已知且市售的或者可通过已知方法合成。
实施例:
[0089]实施例1:由基于肟盐前体为10重量％的IZO (氧化铟锌)前体溶液制备具有单一半导体层的金属氧化物TFT (对比例)
[0090]将0.1Og锌肟盐在0.90g2-甲氧基乙醇中的10重量％溶液与0.1Og铟肟盐在
0.90g2-甲氧基乙醇中的10重量％溶液以使混合物中的In:Zn摩尔比为1.5:1的方式混合。将该混合物在超声浴中均匀混合约5分钟。如果需要的话，可随后进行过滤(孔径大小20 μ m)。使用包含多个预生产TFT通道的预生产Si02/Si基质，所述通道包含含有Au/ITO双层(d = 40nm)的“源极”和“漏极”触点。将这些在丙酮、异丙醇和空气等离子体中清洗(8毫巴)。随后将半导电IZO层施加于这样制备的基质上，其中以下方法进行一次:
[0091]-通过旋涂(30秒,3000rpm)施加前体溶液，
[0092]-在室温下干燥(10秒)，
[0093]-在450°C下热处理(4分钟)，
[0094]-冷却至室温。
[0095]电传输测量借助Agilent B1500A进行并描述于图1和2中。所得晶体管的有效载流子迁移率为0.9cm2/Vs0
[0096]有效载流子迁移率μ使用以下方程式由传递曲线Ib测定:
[0097]
【权利要求】
1.生产半导电或导电金属氧化物层的方法，其中将包含一种或多种有机金属化合物的金属氧化物溶液或分散体 a)作为层施加于基质上， b)任选干燥，并将所得金属氧化物前体层 c)热、通过用UV和/或IR辐射处理、或者通过其两种或更多种的组合转化成氧化物层，和 d)任选冷却， 其中步骤a)_d)在基质上的相同位置上一个接一个地进行至少两次，形成金属氧化物多层。
2.根据权利要求1的方法，其特征在于有机金属化合物为金属铝、镁、镓、钕、钌、铪、锆、铟、锌、钛和/或锡且具有配位数3-6的金属羧酸盐配合物，其各自具有至少一种来自以下组的配体:单_、二-或聚羧酸，或者单_、二-或聚羧酸的衍生物，特别是烷氧基亚氨基羧酸(肟盐)，或者是与烯醇化物配体的金属配合物。
3.根据权利要求1的方法，其特征在于至少一种配体为2-(甲氧基亚氨基)链烷酸盐、2-(乙氧基亚氨基)链烷酸盐或者2-(羟基亚氨基)链烷酸盐，或乙酰丙酮化物。
4.根据权利要求1-3中一项或多项的方法，其特征在于多层由至少两层金属氧化物层生产，其中第一金属氧化物层具有与各其它金属氧化物层的组成相同或不同的组成。
5.根据权利要求1-4中一项或多项的方法，其特征在于金属氧化物层中的至少一层的组成代表两种或更多种选自铝、镁、镓、钕、钌、铪、锆、铟、锌、钛和锡的组的元素的混合氧化物。
6.根据权利要求1-5中一项或多项的方法，其特征在于多层由至少两层金属氧化物层生产，其中第一金属氧化物层具有与各其它金属氧化物层的层厚度相同或不同的层厚度。
7.根据权利要求1-6中一项或多项的方法，其特征在于单个金属氧化物层的层厚度每种情况下在单一原子层与500nm之间的范围内。
8.根据权利要求1-7中一项或多项的方法，其特征在于金属氧化物前体层的施加通过旋涂法、刮涂法、线材涂覆法或喷涂法，或者通过喷墨印刷、苯胺印刷、胶版印刷、狭缝型挤压式涂覆或丝网印刷进行。
9.根据权利要求1-8中一项或多项的方法，其特征在于步骤c)中的热处理在50-700°C的温度下进行。
10.通过根据权利要求1-9中一项或多项的方法生产的半导电或导电金属氧化物多层。
11.根据权利要求10的半导电或导电金属氧化物多层在生产电子组件中的用途。
12.根据权利要求11的用途，其特征在于电子组件为场效应晶体管(FET)，特别是薄膜晶体管(TFT)。
13.根据权利要求11或12的用途，其特征在于电子组件具有至少一个具有导电层的不导电基质或导电基质(栅极)、绝缘体、电极(漏极和源极)和半导电金属氧化物多层。
14.根据权利要求13的用途，其特征在于基质为固体基质，例如玻璃、陶瓷、金属或塑料基质，或者挠性基质，特别是塑料膜或金属箔。
【文档编号】H01L21/02GK104081498SQ201380006470
【公开日】2014年10月1日 申请日期:2013年1月10日 优先权日:2012年1月27日
【发明者】M·赫尔明, A·克吕斯兹克兹, K·波拉德, P·科尔施, A·伊萨宁, D·瓦尔克 申请人:默克专利有限公司