显示面板的制作方法
【专利摘要】提供了一种显示面板，所述显示面板包括基板、有源层、栅极绝缘层、栅电极结构、绝缘中间层、开关元件以及平坦化绝缘层。有源层包括源极区域和漏极区域，并且设置在基板上。栅极绝缘层设置在有源层上。栅电极结构包括彼此至少部分叠置的多个栅电极层。栅电极结构设置在栅极绝缘层上。绝缘中间层覆盖栅电极结构。开关元件包括源电极和漏电极，源电极和漏电极分别与源极区域和漏极区域接触。平坦化绝缘层覆盖开关元件。
【专利说明】显示面板
[0001]本申请要求于2013年4月30日提交的第10-2013-0048304号韩国专利申请的优先权,故通过引用将该申请的公开内容全部包含于此。
【技术领域】
[0002]本发明构思的示例实施例涉及一种显示面板和一种具有该显示面板的显示设备。更具体地讲，本发明构思的示例实施例涉及一种具有电极复合体(electrode complex)的显示面板和一种具有该显示面板的显示设备。
【背景技术】
[0003]传统的显示器通常包括例如玻璃类材料或金属箔材料的平板显示器。例如，平板显示器可以是液晶显示器(IXD)、等离子显示面板(PDP)或有机发光显示器(0LED)。
[0004]平板显示器主要在将被制造的硬性基板(例如，玻璃)上进行加工。然而，硬性显示器会具有与此相关的困难，诸如这些显示器不会非常灵活。最近，已经开发了具有柔性基板而不是传统的玻璃基板的柔性显示器。
[0005]柔性基板可以分成例如薄膜玻璃基板、金属箔基板和塑料基板。塑料基板广泛地用在各种显示设备中。塑料基板可以通过例如卷对卷工艺来制造。
[0006]然而，大多数的塑料基板不具有耐高温性。因此，基板可能容易变形。此外，由于柔性基板轻且薄，因此可能不能在柔性基板上直接制造元件。
[0007]因此，已经研究了在柔性基板上安全地布置元件的方法。在这些方法中的一种方法中，在将柔性基板设置在被制造的硬性载体上之后，然后从硬性载体上去除柔性基板。
[0008]在这种情况下，期望安全地去除柔性基板，而不损坏设备。然而，在剥离工艺期间，柔性基板可能向下弯曲，因此设置在基板上的元件可能被损坏。
【发明内容】
[0009]示例实施例提供了一种在柔性显示设备的剥离工艺中防止损坏设置在基板上的元件的显示面板。
[0010]示例实施例提供了一种具有该显示面板的显示设备。
[0011]根据示例实施例，显示面板包括基板、有源层、栅极绝缘层、栅电极结构、绝缘中间层、开关元件以及平坦化绝缘层。有源层包括源极区域和漏极区域，并且设置在基板上。栅极绝缘层设置在有源层上。栅电极结构包括彼此至少部分叠置的多个栅电极层。栅电极结构设置在栅极绝缘层上。绝缘中间层覆盖栅电极结构。开关元件包括源电极和漏电极，其中，源电极和漏电极分别与源极区域和漏极区域接触。平坦化绝缘层覆盖开关元件。
[0012]在示例实施例中，栅电极结构可以包括第一栅电极层和第二栅电极层，第一栅电极层和第二栅电极层可以设置在栅极绝缘层上。
[0013]在示例实施例中，第二栅电极层可以设置在第一栅电极层上，第一栅电极层的宽度可以与第二栅电极层的宽度不同。
[0014]在示例实施例中，第二栅电极层可以部分覆盖第一栅电极层。
[0015]在示例实施例中，第二栅电极层可以覆盖第一栅电极层的相对侧部分。
[0016]在示例实施例中，第二栅电极层可以包括至少两个连续的子栅电极层。
[0017]在示例实施例中，第一栅电极层可以形成在栅极绝缘层上，第一栅电极层可以包括第一子栅电极层和第二子栅电极层，第一子栅电极层可以在栅极绝缘层上与第二子栅电极层分隔开，第二栅电极层可以部分覆盖第一子栅电极层和第二子栅电极层，第二栅电极层可以包括第三子栅电极层和第四子栅电极层，第三子栅电极层可以与第四子栅电极层分隔开。
[0018]在示例实施例中，第一栅电极层可以设置在栅极绝缘层上，第一栅电极层可以包括至少两个连续的子栅电极层。
[0019]在示例实施例中，第一栅电极层可以包括基本Z字形的形状，第二栅电极层可以部分覆盖第一栅电极层的中心。
[0020]在示例实施例中，第一栅电极层可以包括至少三个连续的子栅电极层。
[0021]在示例实施例中，第一栅电极层可以包括基本W的形状，第二栅电极层可以部分覆盖第一栅电极层的中心。
[0022]在实施例中，第一栅电极层的高度可以与第二栅电极层的高度相同，第一栅电极层和第二栅电极层的锥角可以包括基本圆形的形状。
[0023]根据示例实施例，显示设备包括第一基板、绝缘层、开关装置、平坦化绝缘层、第一电极、发射结构以及第二电极。绝缘层设置在第一基板上。开关装置包括具有彼此至少部分叠置的多个栅电极层的栅电极结构。平坦化绝缘层覆盖开关装置。第一电极设置在平坦化绝缘层上。发射结构设置在第一电极上。第二电极设置在发射结构上。
[0024]在示例实施例中，栅电极结构可以包括第一栅电极层和第二栅电极层，第一栅电极层和第二栅电极层可以设置在栅极绝缘层上。
[0025]在示例实施例中，第二栅电极层可以设置在第一栅电极层上，第二栅电极层可以部分暴露第一栅电极层。
[0026]在示例实施例中，第一栅电极结构可以包括第一栅电极层和第二栅电极层，第一栅电极层可以在栅极绝缘层上与第二栅电极层分隔开，第二栅电极层可以部分暴露第一子栅电极层和第二子栅电极层，第二栅电极层可以包括第三子栅电极层和第四子栅电极层，第三子栅电极层可以与第四子栅电极层分隔开。
[0027]在示例实施例中，第一栅电极层可以包括至少两个连续的子栅电极层。
[0028]在示例实施例中，第一栅电极层可以大致包括基本Z字形的形状，第二栅电极层可以部分覆盖第一栅电极层的中心。
[0029]在示例实施例中，第一栅电极层可以包括至少三个连续的子栅电极层。
[0030]在示例实施例中，第一栅电极层可以包括基本W的形状，第二栅电极层可以部分覆盖第一栅电极层的中心。
[0031 ] 在示例实施例中，第一栅电极层的高度可以与第二栅电极层的高度基本相同，第一栅电极层和第二栅电极层的锥角可以包括基本圆形的形状。
[0032]根据示例实施例，提供了一种显示设备。所述显示设备包括由硬性材料形成的第一基板、设置在第一基板上的绝缘层、设置在绝缘层上的开关装置。开关装置包括:柔性基板；有源层，包括有源区域和漏极区域，其中，有源层设置在柔性基板上；栅极绝缘层，设置在有源层上；栅电极结构，包括彼此至少部分叠置的多个栅电极层，栅电极结构设置在栅极绝缘层上；绝缘中间层，覆盖栅电极结构；源电极和漏电极，均设置在绝缘中间层上。源电极和漏电极均贯穿绝缘中间层和栅极绝缘层，从而分别与有源层的源极区域和有源层的漏极区域接触。
[0033]此外，显示设备还包括:平坦化绝缘层，设置在绝缘中间层、源电极和漏电极上，其中，平坦化绝缘层包括暴露漏电极的接触孔；第一电极，设置在平坦化绝缘层上，其中，第一电极通过平坦化绝缘层中的接触孔电连接到漏电极；像素限定层，设置在平坦化绝缘层上并且部分覆盖第一电极；有机层，设置在第一电极上；以及第二电极，覆盖有机层和像素限定层。
[0034]根据示例实施例的显示面板和显示设备，当栅电极结构具有至少两个电电极层时，显示设备可以防止由外力造成的损坏。另外，柔性设备具有电极结构，从而在剥离柔性显示设备期间设置在基板上的元件不会被损坏。
【专利附图】
【附图说明】
[0035]可以通过下面结合附图进行的描述更详细地理解示例实施例，在附图中:
[0036]图1是示出根据本发明示例实施例的显示面板的剖视图；
[0037]图2至图7是示出根据本发明示例实施例的显示面板的透视图；
[0038]图8是示出根据本发明示例实施例的显示设备的剖视图。
【具体实施方式】
[0039]在下文中将参照附图更充分地描述示例实施例。然而，本发明构思的示例实施例可以以许多不同的形式来实施并且不应被解释为限制于这里阐述的示例实施例。在附图中，为清晰起见，可能夸大层和区域的尺寸和相对尺寸。
[0040]将理解的是，当元件或层被称为“在”另一元件或层“上”、“连接到”、或“结合到”另一元件或层时，该元件或层可以直接在所述另一元件或层上、直接连接或结合到所述另一元件或层，或者可以存在中间元件或层。相同或相似的参考标记始终表示相同或相似的元件。如这里使用的，术语“和/或”包括一个或更多个相关列出项的任意和所有组合。
[0041]这里使用的术语仅出于描述具体示例实施例的目的，而不意图限制本发明。如这里使用的，除非上下文另外明确指出，否则单数形式的“一个(种)”和“所述(该)”还意图包括复数形式。进一步将理解的是，当在本说明书中使用术语“包括”和/或“包含”时，表明存在所述的特征、整体、步骤、操作、元件和/或组件，但不排除存在或添加一个或更多个其他特征、整体、步骤、操作、元件、组件和/或它们的组。
[0042]图1是示出根据本发明示例实施例的显示面板的剖视图。
[0043]参照图1，显示面板100包括例如开关装置200和平坦化绝缘层210。开关装置200可以包括例如基板110、有源层130、栅极绝缘层150、栅电极结构170、绝缘中间层190、源电极125和漏电极135。
[0044]再参照图1，基板110包括例如柔性基板。例如，基板110可以包括金属箔(例如，不锈钢(SUS)、钛(Ti)、钥(Mo)、因科镍合金(Inconel alloy)或科伐合金(Kovar))或塑料基板(比玻璃基板轻)。用于柔性塑料基板的塑料材料的示例包括但不限于聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)、聚醚砜(PES)、聚酰亚胺(PI)、聚醚酰亚胺(PEI)、聚苯乙烯(PS)、聚氯乙烯(PVC)、聚乙烯(PE)、聚丙烯(PP)或尼龙(Ny)。此外，基板110还可以包括绝缘层(未示出)。
[0045]绝缘层可以设置在基板110上，并且包括绝缘材料。绝缘材料可以包括例如无机绝缘材料(例如，氧化硅(S1x)、氮化硅(SiNx)、氮氧化硅(S1xNy)、碳氧化硅(S1xCy)、碳氮化硅(SiCxNy)等)。无机绝缘材料可以单独、彼此组合、作为其混合物或以层叠结构来使用。当绝缘层包括层叠结构时，可以例如以多层结构(例如，S1x层、SiNx层、S1xNy层、S1xCy层、SiCxNy层)形成绝缘层。绝缘层防止来自基板110的金属原子或杂质的扩散。此外，绝缘层可以使基板110的表面平坦化。
[0046]有源层130设置在基板110上。在本示例实施例中，有源层130可以包括例如非晶硅、多晶硅和有机半导体材料。有源层130可以包括例如接触薄膜晶体管的漏电极135的漏极接触部、接触薄膜晶体管的源电极的源极接触部和设置在漏极接触部和源极接触部(未示出)之间的沟道。
[0047]当栅极绝缘层150设置在有源层130上时，有源层130、栅电极结构170和栅极线电绝缘。栅极绝缘层150可以包括例如氧化硅(S1x)、氮化硅(SiNx)、氮氧化硅(S1xNy)、金属氧化物、金属氮化物和/或金属氮氧化物。例如，金属氧化物可以包括氧化铪(HfOx)、氧化铝(AlOx)、氧化锆(ZrOx)、氧化钛(T1x)、氧化钽(TaOx)、氧化钇(Y2O3)、钛酸钡(BaT13)和/或钛酸铅(PbTi03)。金属氮化物可以包括例如氮化铝(A1N)。此外,金属氮氧化物可以包括例如氮氧化铝(A1N0)。栅极绝缘层150的上述材料可以单独、彼此组合、作为其混合物或以层叠结构来使用。栅极绝缘层150包括例如暴露有源层130的源极接触部和漏极接触部的接触孔。
[0048]栅电极结构170设置在栅极绝缘层150上。栅电极结构170设置在有源层130的沟道上。当在栅电极结构170和源电极125之间产生电压差时，薄膜晶体管导通，电流可以通过沟道流动到漏电极135中。
[0049]栅电极结构170可以包括例如金属、合金、金属氮化物、导电金属氧化物和/或透明导电材料。例如，栅电极结构170可以包括铝(Al)、包含铝的合金、氮化铝(AlNx)、银(Ag)、包含银的合金、钨(W)、氮化钨(WNx)、铜(Cu)、包含铜的合金、镍(Ni)、铬(Cr)、氮化铬(CrNx)、钥(Mo)、包含钥的合金、钛(Ti)、氮化钛(TiNx)、钼(Pt)、钯(Pd)、金(Au)、铱(Ir)、铑(Rh)、锇(Os)、钽(Ta)、氮化钽(TaNx)、钕(Nd)、钪(Sc)、氧化锶钌(SR0)、氧化锌(ZnOx)、氧化铟锡(ΙΤ0)、氧化锡(SnOx)、氧化铟(InOx)、氧化镓(GaOx)、氧化铟锌(ΙΖ0)、掺杂锌的氧化铝(ΑΖ0)、氧化镉锌(CZ0)、氧化铟镓锌(IGZO)等。此外，栅电极结构170可以包括例如金属膜、合金膜、金属氮化物膜、导电金属氧化物层和透明导电材料层。用于栅电极结构170的上述材料可以单独、彼此组合、作为其混合物或以层叠结构来使用。
[0050]绝缘中间层190形成在栅电极结构170和栅极绝缘层150上。绝缘中间层190使栅电极结构170、栅极线(未示出)、源电极125和漏电极135绝缘。
[0051]绝缘中间层190可以包括例如硅化合物。例如，绝缘中间层190可以包括S1x、SiNx、S1xNy、S1xCy、SiCxNy等。用于绝缘中间层190的上述材料可以单独、彼此组合或作为其混合物来使用中间层。绝缘中间层190包括例如暴露有源层130的源极接触部和漏极接触部的接触孔。
[0052]源电极125和漏电极135设置在绝缘中间层190上。由于源电极125和漏电极135贯穿接触孔，因此源电极125和漏电极135分别与有源层130的源极区域和有源层130的漏极区域接触。
[0053]源电极125和漏电极135可以利用例如金属、合金、金属氮化物、导电金属氧化物和/或透明导电材料来形成。例如，源电极125和漏电极135可以包括铝(Al)、包含铝的合金、氮化铝(AlNx)、银(Ag)、包含银的合金、钨(W)、氮化钨(WNx)、铜(Cu)、包含铜的合金、镍(Ni)、铬(Cr)、氮化铬(CrNx)、钥(Mo)、包含钥的合金、钛(Ti)、氮化钛(TiNx)、钼(Pt)、钯(Pd)、金(Au)、铱(Ir)、铑(Rh)、锇(Os)、钽(Ta)、氮化钽(TaNx)、钕(Nd)、钪(Sc)、氧化锶钌(SR0)、氧化锌(ZnOx)、氧化铟锡(ΙΤ0)、氧化锡(SnOx)、氧化铟(InOx)、氧化镓(GaOx)、氧化铟锌(ΙΖ0)、掺杂锌的氧化铝(ΑΖ0)、氧化镉锌(CZ0)、氧化铟镓锌(IGZO)等。用于源电极125和漏电极135的上述材料可以单独、彼此组合、作为其混合物或以层叠结构来使用。
[0054]例如，数据线(未示出)、源电极125和漏电极135形成在同一层中，数据线和源电极125彼此电连接。
[0055]当平坦化绝缘层210形成在源电极125、漏电极135和绝缘中间层190上时，源电极125和阳极电极(未示出)绝缘。
[0056]平坦化绝缘层210可以包括例如光致抗蚀剂、丙烯酸树脂、聚酰亚胺树脂、聚酰胺树脂、硅氧烷树脂、包含羧基的光敏丙烯酸树脂、酚醛清漆树脂、碱溶性树脂、S1x, SiNx,S1xNy> S1xCy, SiCxNy等。用于平坦化绝缘层的上述材料可以单独、彼此组合或作为其混合物来使用。平坦化绝缘层210包括例如暴露漏电极135的接触孔。第一电极(将结合图8更详细地描述)设置在平坦化绝缘层210上，并且通过平坦化绝缘层210的接触孔与漏电极135电连接。
[0057]图2至图7是示出根据本发明示例实施例的显示面板的透视图。图2是示出根据本发明示例实施例的显示面板的开关装置的透视图。
[0058]参照图1和图2，开关装置200包括例如基板110、有源层130、栅极绝缘层150、栅电极结构170、绝缘中间层190、源电极125和漏电极135。源电极125和漏电极135构成开关元件。已经结合图1解释了基板110、有源层130、栅极绝缘层150、绝缘中间层190、源电极125和漏电极135，因此将省略关于上面的元件的任意进一步重复的说明。
[0059]再次参照图2，栅电极结构170形成在栅极绝缘层150上。栅电极结构170可以包括例如第一栅电极层155和第二栅电极层165。
[0060]例如，在本示例实施例中，形成在栅极绝缘层150上的第一栅电极层155的宽度比形成在第一栅电极层155上的第二栅电极层165的宽度长,第一栅电极层155的高度与第二栅电极层165的高度相同。此外，第一栅电极层155和第二栅电极层165的锥角可以包括基本圆形的形状。
[0061]因此，当栅电极结构170具有至少两个栅电极层时，可以增大开关装置200的柔性。
[0062]图3是示出根据本发明示例实施例的显示面板的开关装置的透视图。
[0063]参照图1和图3，开关装置200包括例如基板110、有源层130、栅极绝缘层150、栅电极结构170、绝缘中间层190、源电极125和漏电极135。已经结合图1解释了基板110、有源层130、栅极绝缘层150、绝缘中间层190、源电极125和漏电极135，因此将省略关于上面的元件的任意进一步重复的说明。
[0064]再次参照图3，栅电极结构170形成在栅极绝缘层150上。栅电极结构170可以包括例如第一栅电极层155和第二栅电极层165。
[0065]在本不例实施例中，第二栅电极层165部分覆盖第一栅电极层155。例如,第一栅电极层155的宽度和高度与第二栅电极层165的宽度和高度相同。此外，第一栅电极层155和第二栅电极层165的锥角可以包括例如基本圆形的形状。
[0066]因此，当栅电极结构170具有至少两个栅电极层时，可以增大开关装置200的柔性。
[0067]图4是示出根据本发明示例实施例的显示面板的开关装置的透视图。
[0068]参照图1和图4，开关装置200包括例如基板110、有源层130、栅极绝缘层150、栅电极结构170、绝缘中间层190、源电极125和漏电极135。已经结合图1解释了基板110、有源层130、栅极绝缘层150、绝缘中间层190、源电极125和漏电极135，因此将省略关于上面的元件的任意进一步重复的说明。
[0069]再次参照图4，栅电极结构170形成在栅极绝缘层150上。栅电极结构170可以包括例如第一栅电极层155和第二栅电极层165。在这种情况下，第二栅电极层165可以进一步包括例如两个子栅电极层。
[0070]例如，在本示例实施例中，两个子栅电极层形成在第一栅电极层155上，并且可以覆盖第一栅电极层155的两个侧部分。此外，第一栅电极层155的高度可以例如与第二栅电极层165的高度相同。第一栅电极层155和第二栅电极层165的锥角可以包括例如基本圆形的形状。
[0071]在示例实施例中，栅电极结构170形成在栅极绝缘层150上。栅电极结构170可以包括第一栅电极层155和第二栅电极层165。在该实施例中，第二栅电极层165可以进一步包括例如至少两个子栅电极层。至少两个子栅电极层形成在例如第一栅电极层155上，并且彼此分隔开，并可以连续地覆盖第一栅电极层155的一部分。
[0072]因此，当栅电极结构170具有至少两个栅电极层时，可以增大开关装置200的柔性。
[0073]图5是示出根据本发明示例实施例的显示面板的开关装置的透视图。
[0074]参照图1和图5，开关装置200包括例如基板110、有源层130、栅极绝缘层150、栅电极结构170、绝缘中间层190、源电极125和漏电极135。已经结合图1解释了基板110、有源层130、栅极绝缘层150、绝缘中间层190、源电极125和漏电极135，因此将省略关于上面的元件的任意进一步重复的说明。
[0075]再次参照图5，栅电极结构170形成在栅极绝缘层150上。栅电极结构170可以包括例如第一栅电极层155和第二栅电极层165。在该实施例中，第一栅电极层155可以进一步包括例如第一子栅电极层175和第二子栅电极层185，第二栅电极层165可以进一步包括例如第三子栅电极层195和第四子栅电极层205。例如，第一子栅电极层175和第二子栅电极层185形成在栅极绝缘层150上，并且彼此分隔开。例如，第三子栅电极层195和第四子栅电极层205部分覆盖第一子栅电极层175和第二子栅电极层185，并且彼此分隔开。此夕卜，第一栅电极层155的高度例如与第二栅电极层165的高度相同。第一栅电极层155和第二栅电极层165的锥角可以包括例如基本圆形的形状。
[0076]在示例实施例中，栅电极结构170形成在栅极绝缘层150上。栅电极结构170可以包括第一栅电极层155和第二栅电极层165。在该实施例中，第一栅电极层155可以进一步包括例如至少两个子栅电极层，第二栅电极层165可以进一步包括例如第三子栅电极层195和第四子栅电极层205。至少两个子栅电极层例如连续地形成在第二栅电极层165下方，并且彼此分隔开。
[0077]因此，当栅电极结构170具有至少两个栅电极层时，可以增大开关装置200的柔性。
[0078]图6是示出根据本发明示例实施例的显示面板的开关装置的透视图。
[0079]参照图1和图6，开关装置200包括例如基板110、有源层130、栅极绝缘层150、栅电极结构170、绝缘中间层190、源电极125和漏电极135。已经结合图1解释了基板110、有源层130、栅极绝缘层150、绝缘中间层190、源电极125和漏电极135，因此将省略关于上面的元件的任意进一步重复的说明。
[0080]再次参照图6，栅电极结构170形成在栅极绝缘层150上。栅电极结构170可以包括例如第一栅电极层155和第二栅电极层165。在该实施例中，第一栅电极层155可以进一步包括例如三个子栅电极层。在本示例实施例中，第一栅电极层155包括例如基本Z字形的形状，形成在第一栅电极层155上的第二栅电极层165例如部分覆盖第一栅电极层155的中心。此外，第一栅电极层155的高度例如与第二栅电极层165的高度相同。第一栅电极层155和第二栅电极层165的锥角可以包括例如基本圆形的形状。
[0081]在示例实施例中，栅电极结构170形成在栅极绝缘层150上。栅电极结构170可以包括第一栅电极层155和第二栅电极层165。在该实施例中，第一栅电极层155可以进一步包括例如至少三个子栅电极层。至少三个子栅电极层包括例如基本Z字形形状，并且连续地形成。第二栅电极层165例如形成在第一栅电极层155上并且部分覆盖第一栅电极层155的中心。
[0082]因此，当栅电极结构170具有至少两个栅电极层时，可以增大开关装置200的柔性。
[0083]图7是示出根据本发明示例实施例的显示面板的开关装置的透视图。
[0084]参照图1和图7，开关装置200包括例如基板110、有源层130、栅极绝缘层150、栅电极结构170、绝缘中间层190、源电极125和漏电极135。已经结合图1解释了基板110、有源层130、栅极绝缘层150、绝缘中间层190、源电极125和漏电极135，因此将省略关于上面的元件的任意进一步重复的说明。
[0085]再次参照图7，栅电极结构170形成在栅极绝缘层150上。栅电极结构170可以包括第一栅电极层155和第二栅电极层165。在本不例实施例中，第一栅电极层155包括例如基本W的形状，第二栅电极层165可以例如部分覆盖第一栅电极层的中心。此外，第一栅电极层155的高度例如与第二栅电极层165的高度相同。第一栅电极层155和第二栅电极层165的锥角可以包括例如基本圆形的形状。
[0086]因此，当栅电极结构170具有至少两个栅电极层时，可以增大开关装置200的柔性。
[0087]图8是示出根据本发明示例实施例的显示设备的剖视图。
[0088]参照图8，显示设备300可以包括例如第一基板310、绝缘层330、开关装置200、平坦化绝缘层210、第一电极370、像素限定层350、有机层390以及第二电极410。
[0089]再次参照图8，第一基板310包括例如支撑基板。例如，第一基板310可以包括诸如玻璃、石英、晶片、陶瓷、金属或金属氧化物的硬性材料的基板。例如，基板110是柔性的，可以直接形成位于基板110上的开关装置200。因此，例如，形成硬性材料的第一基板310，绝缘层330形成在第一基板310上，开关装置200形成在绝缘层330上。在剥离工艺中，可以使第一基板310和基板110分离。
[0090]绝缘层330形成在第一基板310上。在本示例实施例中，绝缘层330可以包括例如隔离层。例如，在剥离工艺中，分离第一基板310和基板110可以包括:例如，在绝缘层330中照射激光束的方法、利用化学溶解以及利用刀使第一基板310从基板110直接分离。在利用刀直接分离的方法中，例如，顶位置设置在第一基板310中，底位置设置在基板110中。例如，当基板110与第一基板310分离时，柔性的基板110因重力向下弯曲，因此设置在基板110上的元件可能变形。
[0091]开关装置200可以包括例如基板110、有源层130、栅极绝缘层150、栅电极结构170、绝缘中间层190、源电极125以及漏电极135。
[0092]基板110包括例如柔性基板。例如，基板110可以包括金属箔(例如，不锈钢(SUS)、钛(Ti)、钥(Mo)、因科镍合金或科伐合金)或塑料基板(比玻璃基板轻)。用于柔性塑料基板的塑料材料的示例包括但不限于聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)、聚醚砜(PES)、聚酰亚胺(PI)、聚醚酰亚胺(PEI)、聚苯乙烯(PS)、聚氯乙烯(PVC)、聚乙烯(PE)、聚丙烯(PP)或尼龙(Ny)。此外，基板110还可以包括例如绝缘层(未示出)。
[0093]绝缘层可以设置在基板110上，并且包括绝缘材料。绝缘材料可以包括例如无机绝缘材料(例如，S1x, SiNx, S1xNy> S1xCy, SiCxNy等)。无机绝缘材料可以单独、彼此组合、作为其混合物或者以层叠结构使用。当绝缘层包括层叠结构时，绝缘层可以例如以多层结构(例如，S1x层、SiNx层、S1xNy层、S1xCy层、SiCxNy层)形成。绝缘层防止来自基板110的金属原子或杂质的扩散。此外，绝缘层可以使基板110的表面平坦化。
[0094]有源层130设置在基板110上。在本示例实施例中，有源层130可以包括例如非晶硅、多晶硅和有机半导体材料。有源层130可以包括例如接触薄膜晶体管的漏电极135的漏极接触部、接触薄膜晶体管的源电极的源极接触部和设置在漏极接触部和源极接触部(未示出)之间的沟道。
[0095]当栅极绝缘层150设置在有源层130上时，有源层130、栅电极结构170和栅极线电绝缘。栅极绝缘层150可以包括例如氧化硅(S1x)、氮化硅(SiNx)、氮氧化硅(S1xNy)、金属氧化物、金属氮化物和/或金属氮氧化物。例如，金属氧化物可以包括氧化铪(HfOx)、氧化铝(AlOx)、氧化锆(ZrOx)、氧化钛(T1x)、氧化钽(TaOx)、氧化钇(Y2O3)、钛酸钡(BaT13)和/或钛酸铅(PbTi03)。金属氮化物可以包括例如氮化铝(A1N)。此外,金属氮氧化物可以包括例如氮氧化铝(A1N0)。用于栅极绝缘层150的上述材料可以单独、彼此组合、作为其混合物或以层叠结构来使用。栅极绝缘层150包括例如暴露有源层130的源极接触部和漏极接触部的接触孔。
[0096]栅电极结构170设置在栅极绝缘层150上。栅电极结构170设置在有源层130的沟道上。当在栅电极结构170和源电极125之间产生电压差时，薄膜晶体管导通，电流可以通过沟道流动到漏电极135中。
[0097]栅电极结构170可以包括例如金属、合金、金属氮化物、导电金属氧化物和/或透明导电材料。例如，栅电极结构170可以包括铝(Al)、包含铝的合金、氮化铝(AlNx)、银(Ag)、包含银的合金、钨(W)、氮化钨(WNx)、铜(Cu)、包含铜的合金、镍(Ni)、铬(Cr)、氮化铬(CrNx)、钥(Mo)、包含钥的合金、钛(Ti)、氮化钛(TiNx)、钼(Pt)、钯(Pd)、金(Au)、铱(Ir)、铑(Rh)、锇(Os)、钽(Ta)、氮化钽(TaNx)、钕(Nd)、钪(Sc)、氧化锶钌(SR0)、氧化锌(ZnOx)、氧化铟锡(ΙΤ0)、氧化锡(SnOx)、氧化铟(InOx)、氧化镓(GaOx)、氧化铟锌(ΙΖ0)、掺杂锌的氧化铝(ΑΖ0)、氧化镉锌(CZ0)、氧化铟镓锌(IGZO)等。此外，栅电极结构170可以包括例如金属膜、合金膜、金属氮化物膜、导电金属氧化物层和透明导电材料层。用于栅电极结构170的上述材料可以单独、彼此组合、作为其混合物或以层叠结构来使用。
[0098]绝缘中间层190形成在栅电极结构170和栅极绝缘层150上。绝缘中间层190使栅电极结构170、栅极线(未示出)、源电极125和漏电极135绝缘。
[0099]绝缘中间层190可以包括例如硅的化合物。例如，绝缘中间层190可以包括S1x、SiNx、S1xNy、S1xCy、SiCxNy等。用于绝缘中间层190的上述材料可以单独、彼此组合或作为其混合物来使用中间层。绝缘中间层190包括例如暴露有源层130的源极接触部和漏极的接触孔。
[0100]源电极125和漏电极135设置在绝缘中间层190上。由于源电极125和漏电极135贯穿接触孔，因此源电极125和漏电极135分别与有源层130的源极区域和有源层130的漏极区域接触。
[0101]源电极125和漏电极135可以利用例如金属、合金、金属氮化物、导电金属氧化物和/或透明导电材料来形成。例如，源电极125和漏电极135可以包括铝(Al)、包含铝的合金、氮化铝(AlNx)、银(Ag)、包含银的合金、钨(W)、氮化钨(WNx)、铜(Cu)、包含铜的合金、镍(Ni)、铬(Cr)、氮化铬(CrNx)、钥(Mo)、包含钥的合金、钛(Ti)、氮化钛(TiNx)、钼(Pt)、钯(Pd)、金(Au)、铱(Ir)、铑(Rh)、锇(Os)、钽(Ta)、氮化钽(TaNx)、钕(Nd)、钪(Sc)、氧化锶钌(SR0)、氧化锌(ZnOx)、氧化铟锡(ΙΤ0)、氧化锡(SnOx)、氧化铟(InOx)、氧化镓(GaOx)、氧化铟锌(ΙΖ0)、掺杂锌的氧化铝(ΑΖ0)、氧化镉锌(CZ0)、氧化铟镓锌(IGZO)等。用于源电极125和漏电极135的上述材料可以单独、彼此组合、作为其混合物或以层叠结构来使用。
[0102]例如，数据线(未示出)、源电极125和漏电极135形成在同一层中，数据线和源电极125彼此电连接。
[0103]当平坦化绝缘层210形成在源电极125、漏电极135和绝缘中间层190上时，源电极125和阳极电极(未示出)绝缘。
[0104]平坦化绝缘层210可以包括例如光致抗蚀剂、丙烯酸树脂、聚酰亚胺树脂、聚酰胺树脂、硅氧烷树脂、包含羧基的光敏丙烯酸树脂、酚醛清漆树脂、碱溶性树脂、S1x, SiNx,S1xNy> S1xCy, SiCxNy等。用于平坦化绝缘层210的材料可以单独、彼此组合或作为其混合物来使用。平坦化绝缘层210包括例如暴露漏电极135的接触孔。第一电极370例如设置在平坦化绝缘层210上，并且通过平坦化绝缘层210的接触孔与漏电极135电连接。
[0105]当显示设备300是顶发射型时，形成的第一电极370可以包括例如具有反射性的金属或具有反射性的合金。例如，第一电极310可以包括铝(Al)、包含铝的合金、氮化铝(AlNx)、银(Ag)、包含银的合金、钨(W)、氮化钨(WNx)、铜(Cu)、包含铜的合金、镍(Ni)、铬(Cr)、氮化铬(CrNx)、钥(Mo)、包含钥的合金、钛(Ti)、氮化钛(TiNx)、钼(Pt)、钯(Pd)、金(Au)、铱(Ir)、铑(Rh)、锇(Os)、钽(Ta)、氮化钽(TaNx)、钕(Nd)、钪(Sc)、氧化锶钌(SRO)、氧化锌(ZnOx)、氧化铟锡(ITO)、氧化锡(SnOx)、氧化铟(InOx)、氧化镓(GaOx)、氧化铟锌(IZO)、掺杂锌的氧化铝(ΑΖ0)、氧化镉锌(CZO)、氧化铟镓锌(IGZ0)等。此外，第一电极370可以包括金属膜、合金膜、金属氮化物膜、导电金属氧化物层和透明导电金属层。用于第一电极370的上述材料可以单独、彼此组合或作为其混合物来使用。
[0106]像素限定层350例如形成在平坦化绝缘层210上，并且部分暴露第一电极370。像素限定层350可以包括例如有机材料或无机材料。例如，像素限定层350可以包括光致抗蚀剂、丙烯酸树脂、聚酰亚胺树脂、S1x等。像素限定层350限定显示设备300的显示区域和周边区域。例如，第一电极370被像素限定层350暴露，第一电极370的暴露区域是显示区域。
[0107]例如，有机层390形成在第一电极370上，第二电极410覆盖有机层390和像素限定层350。
[0108]当显示设备300是顶发射型时，第二电极410可以包括例如透明导电材料，诸如氧化锌(ZnOx)、氧化铟锡(ΙΤ0)、氧化锡(SnOx)、氧化铟(InOx)、氧化镓(GaOx)、氧化铟锌(ΙΖ0)、掺杂锌的氧化铝(ΑΖ0)、氧化镉锌(CZ0)、氧化铟镓锌(IGZO)等。用于第二电极410的上述材料可以单独、彼此结合或作为其混合物使用。
[0109]因此，当栅电极结构170具有至少两个栅电极层时，可以增大开关装置200的柔性。因此，在剥离工艺中，可以防止设置在基板110上的元件的变形。
[0110]已经描述了本发明的示例实施例，进一步指出的是，对本领域普通技术人员更加清楚的是，在不脱离由所附权利要求的边界和范围限定的本发明的精神和范围的情况下，可以做出各种修改。
【权利要求】
1.一种显示面板，所述显示面板包括: 基板； 有源层，包括源极区域和漏极区域，其中，有源层设置在基板上； 栅极绝缘层，设置在有源层上； 栅电极结构，包括彼此至少部分叠置的多个栅电极层，其中，栅电极结构设置在栅极绝缘层上； 绝缘中间层，覆盖栅电极结构； 开关元件，包括源电极和漏电极，其中，源电极与源极区域接触，其中漏电极与漏极区域接触；以及 平坦化绝缘层，覆盖开关元件。
2.如权利要求1所述的显示面板，其中，栅电极结构包括第一栅电极层和第二栅电极层，其中，第一栅电极层和第二栅电极层设置在栅极绝缘层上。
3.如权利要求2所述的显示面板，其中，第二栅电极层设置在第一栅电极层上，其中，第一栅电极层的宽度与第二栅电极层的宽度不同。
4.如权利要求2所述的显示面板，其中，第二栅电极层部分覆盖第一栅电极层。
5.如权利要求2所述的显示面板，其中，第二栅电极层覆盖第一栅电极层的相对侧部分，第二栅电极层包括至少两个连续的子栅电极层。
6.如权利要求2所述的显示面板，其中，第一栅电极层设置在栅极绝缘层上，第一栅电极层包括第一子栅电极层和第二子栅电极层，其中，第一子栅电极层在栅极绝缘层上与第二子栅电极层分隔开，第二栅电极层部分覆盖第一子栅电极层和第二子栅电极层，其中，第二栅电极层包括第三子栅电极层和第四子栅电极层，其中，第三子栅电极层与第四子栅电极层分隔开。
7.如权利要求6所述的显示面板，其中，第一栅电极层设置在栅极绝缘层上，其中，第一栅电极层包括至少两个连续的子栅电极层。
8.如权利要求2所述的显示面板，其中，第一栅电极层包括基本Z字形的形状，第二栅电极层部分覆盖第一栅电极层的中心，其中，第一栅电极层包括至少三个连续的子栅电极层。
9.如权利要求2所述的显示面板，其中，第一栅电极层包括基本W的形状，其中，第二栅电极层部分覆盖第一栅电极层的中心。
10.如权利要求2所述的显示面板，其中，第一栅电极层的高度与第二栅电极层的高度相同，第一栅电极层和第二栅电极层的锥角包括基本圆形的形状。
【文档编号】H01L29/423GK104134656SQ201410129003
【公开日】2014年11月5日 申请日期:2014年4月1日 优先权日:2013年4月30日
【发明者】瓦列里·布鲁辛斯奇, 金旻首 申请人:三星显示有限公司